本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種過(guò)孔的制作方法及顯示基板的制作方法。

背景技術(shù)：

目前，在顯示基板的制作工藝中，通常需要在不同層的兩個(gè)導(dǎo)電層之間的薄膜中制作過(guò)孔，以實(shí)現(xiàn)位于不同層的兩個(gè)導(dǎo)電層的連接?，F(xiàn)有技術(shù)中，制作過(guò)孔時(shí)，通常在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠，然后對(duì)光刻膠進(jìn)行一次曝光，形成曝光區(qū)，曝光區(qū)與過(guò)孔對(duì)應(yīng)，然后對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。采用上述方法制作過(guò)孔時(shí)，由于對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較大，甚至接近垂直，因而對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕后，形成的過(guò)孔的坡度角通常較大，完成過(guò)孔的制作后，在薄膜上形成導(dǎo)電層時(shí)，形成導(dǎo)電層的材料不容易在過(guò)孔的孔壁上沉積，因而導(dǎo)致位于薄膜兩側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)電層之間出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象，從而降低顯示基板的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種過(guò)孔的制作方法及顯示基板的制作方法，用于解決因過(guò)孔的坡度角較大而導(dǎo)致顯示基板的良率較低的技術(shù)問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的第一方面提供一種過(guò)孔的制作方法，包括：

在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行n次曝光，形成曝光區(qū)，所述曝光區(qū)與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)，其中，各次對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，所述光刻膠的曝光厚度之和等于所述光刻膠的初始厚度，且第i次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)小于第i-1次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)，n≥2，2≤i≤n；

對(duì)所述薄膜中與所述曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成所述過(guò)孔。

本發(fā)明的第二方面提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板的制作方法包括如上述技術(shù)方案所述的過(guò)孔的制作方法。

本發(fā)明提供的過(guò)孔的制作方法中，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度之和等于光刻膠的初始厚度，且第i次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)小于第i-1次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)，因而第i次曝光時(shí)光投射在光刻膠上形成的光斑小于第i-1次曝光時(shí)光投射在光刻膠上形成的光斑，因而第i次曝光時(shí)被曝光的光刻膠在薄膜上的正投影落入第i-1次曝光時(shí)被曝光的光刻膠在薄膜上的正投影，因此，經(jīng)過(guò)對(duì)光刻膠的n次曝光后，光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺(tái)狀，相比于現(xiàn)有技術(shù)中只對(duì)光刻膠進(jìn)行一次曝光后形成的孔狀結(jié)構(gòu)相比，采用本發(fā)明提供的過(guò)孔的制作方法制作過(guò)孔時(shí)，在光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，因而對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕后，形成的過(guò)孔也呈倒錐臺(tái)狀，過(guò)孔的坡度角較小，完成過(guò)孔的制作后，在薄膜上形成導(dǎo)電層時(shí)，形成導(dǎo)電層的材料較易在過(guò)孔的孔壁上沉積，因而可以防止位于薄膜兩側(cè)的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象，從而提高顯示基板的良率。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法的流程圖一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法的流程圖二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法的流程圖三；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5-圖12為制作圖4中CNT過(guò)孔的工藝過(guò)程示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-襯底基板， 2-第一柵極，

3-第二柵極， 4-第一柵極絕緣層，

5-第二柵極絕緣層， 6-有源層，

7-刻蝕阻擋層， 8-第一源極，

9-第一漏極， 10-鈍化層，

11-像素電極， 12-光刻膠，

13-第一次被曝光光刻膠， 14-第二次被曝光光刻膠，

15-掩膜板， 16-孔狀結(jié)構(gòu)，

A-CNT過(guò)孔， B-ESL過(guò)孔，

C-PVX過(guò)孔。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法及顯示基板的制作方法，下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法包括：

步驟S100、在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠；

步驟S200、對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光，形成曝光區(qū)，曝光區(qū)與過(guò)孔對(duì)應(yīng)，其中，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，光刻膠的曝光厚度之和等于光刻膠的初始厚度，且第i次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)小于第i-1次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)，n≥2，2≤i≤n；

步驟S300、對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。

具體地，在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠(Photoresist，PR膠)后，將制作過(guò)孔用的掩膜板置于光刻膠上方，然后開(kāi)啟光源，光源發(fā)出的光穿過(guò)掩膜板上與過(guò)孔對(duì)應(yīng)的曝光孔，并投射在光刻膠上，以對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，通過(guò)控制對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光的曝光時(shí)間來(lái)控制光刻膠的曝光厚度。

對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光穿過(guò)掩膜板上的曝光孔，投射在光刻膠上時(shí)，掩膜板上的曝光孔通常較小，因而光穿過(guò)掩膜板上的曝光孔時(shí)會(huì)發(fā)生衍射，投射在光刻膠上的光為衍射光斑，其中，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光的光斑可以認(rèn)為是衍射光斑中的中央明紋，因此，可以近似認(rèn)為光穿過(guò)掩膜板上的曝光孔時(shí)發(fā)生的衍射為夫瑯禾費(fèi)(Joseph von Fraunhofer)圓孔衍射，根據(jù)夫瑯禾費(fèi)圓孔衍射的原理，可以根據(jù)一級(jí)暗紋的衍射角來(lái)確定中央明紋的尺寸，通常，一級(jí)暗紋的衍射角越大，中央明紋的尺寸越大，其中，一級(jí)暗紋的衍射角可以為：

$sin\mathrm{\θ}=0.61\frac{\mathrm{\λ}}{R}---\left(1\right)$

公式(1)中，λ為對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光的波長(zhǎng)，R為掩膜板上的曝光孔的半徑，θ為一級(jí)暗紋的衍射角。

從公式(1)中可以看出，一級(jí)暗紋的衍射角θ與對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光的波長(zhǎng)λ成正比，即對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光的波長(zhǎng)λ越大，一級(jí)暗紋的衍射角θ也越大。

在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度之和等于光刻膠的初始厚度，且第i次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)小于第i-1次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)，n≥2，2≤i≤n，也就是說(shuō)，在薄膜上涂布光刻膠后，依次采用具有不同波長(zhǎng)的光對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光，第一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)最大，之后對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)依次減小，并對(duì)每次曝光的曝光時(shí)間進(jìn)行控制，每次曝光時(shí)均具有一定的曝光厚度，其中，第i-1次曝光時(shí)，光刻膠靠近上表面的部分厚度被曝光，第i次曝光時(shí)，緊挨位于第i-1次曝光后形成的結(jié)構(gòu)的光刻膠的部分厚度被曝光，完成n次曝光時(shí)，光刻膠在厚度上完全曝光；根據(jù)公式(1)可以知道，由于第一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)最大，之后對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)依次減小，因而，第一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)光刻膠的曝光面積最大，之后對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)光刻膠的曝光面積逐漸減小，且后一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后形成的曝光區(qū)在薄膜上的正投影落入前一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后形成的曝光區(qū)在薄膜上的正投影，因此，采用上述方式對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光后，在光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺(tái)狀，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小。

由上述可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法中，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度之和等于光刻膠的初始厚度，且第i次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)小于第i-1次曝光時(shí)采用的光的波長(zhǎng)，也就是說(shuō)，且第i次曝光時(shí)光投射在光刻膠上形成的光斑小于第i-1次曝光時(shí)光投射在光刻膠上形成的光斑，因而第i次曝光時(shí)被曝光的光刻膠在薄膜上的正投影落入第i-1次曝光時(shí)被曝光的光刻膠在薄膜上的正投影，因此，經(jīng)過(guò)對(duì)光刻膠的n次曝光后，光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺(tái)狀，相比于現(xiàn)有技術(shù)中只對(duì)光刻膠進(jìn)行一次曝光后形成的孔狀結(jié)構(gòu)相比，采用本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法制作過(guò)孔時(shí)，在光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，因而對(duì)薄膜中與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕后，形成的過(guò)孔也呈倒錐臺(tái)狀，過(guò)孔的坡度角較小，完成過(guò)孔的制作后，在薄膜上形成導(dǎo)電層時(shí)，形成導(dǎo)電層的材料較易在過(guò)孔的孔壁上沉積，因而可以防止位于薄膜兩側(cè)的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象，從而提高顯示基板的良率。

另外，由于采用本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法制作過(guò)孔時(shí)，可以防止薄膜兩側(cè)的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象，提高顯示基板的良率，因而可以防止因顯示基板的良率較低而導(dǎo)致顯示基板的報(bào)廢率增加，從而減少資源浪費(fèi)，并降低成本。

上述實(shí)施例中，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，光刻膠的曝光厚度可以根據(jù)實(shí)際進(jìn)行設(shè)定，例如，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，光刻膠的曝光厚度可以設(shè)定為相同，或者，各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，光刻膠的曝光厚度可以設(shè)定為不同。需要說(shuō)明的是，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，可以認(rèn)為，第一次曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度為光刻膠中緊挨光刻膠的上表面的部分厚度，第二次曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度為光刻膠中緊挨第一次曝光后形成的結(jié)構(gòu)的部分厚度，第三次曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度則為光刻膠中緊挨第二次曝光后形成的結(jié)構(gòu)的部分厚度，以此類(lèi)推，第n次曝光時(shí)，光刻膠的曝光厚度則為光刻膠中緊挨第n-1次曝光后形成的結(jié)構(gòu)的表面與光刻膠的下表面之間的部分厚度。

在上述實(shí)施例中，對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，對(duì)被曝光的光刻膠的去除可以采用多種方式，下面示例性地列舉了兩種方式，但對(duì)被曝光的光刻膠的去除的方式包括但不限于下列兩種方式。

方式一，請(qǐng)參閱圖2，步驟S200、對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光包括：

步驟S210、完成對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光之后，去除被曝光的光刻膠。

具體實(shí)施時(shí)，在對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光之后，可以對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除被曝光的光刻膠，也就是說(shuō)，在對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光之后，一次性將各次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光之后被曝光的光刻膠全部去除。

完成對(duì)光刻膠的n次曝光后，再對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除被曝光的光刻膠，如此設(shè)計(jì)，可以一次性將所有被曝光的光刻膠去除，而不需要在每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后被曝光的光刻膠，從而節(jié)省了時(shí)間，提高了效率，降低了成本。

另外，由于不需要在每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后被曝光的光刻膠，因而不需要多次對(duì)掩膜板和曝光區(qū)進(jìn)行對(duì)位，因而可以防止多次對(duì)掩膜板和曝光區(qū)進(jìn)行對(duì)位時(shí)對(duì)位不準(zhǔn)而導(dǎo)致形成的過(guò)孔的精度降低。

方式二，請(qǐng)參閱圖3，步驟S200、對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光包括：

步驟S220、在每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，去除該次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，被曝光的光刻膠。

也就是說(shuō)，在對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，每次完成對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，均對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除該次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后被曝光的光刻膠，如此設(shè)計(jì)，在第i次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，可以防止第i-1次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后被曝光的光刻膠吸收第i次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)投射在光刻膠上的光，防止第i次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)的曝光時(shí)間增加，從而可以降低制作過(guò)孔時(shí)的成本。另外，每次完成對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，均對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影處理，以去除每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后被曝光的光刻膠，因而在每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，可以方便對(duì)曝光時(shí)間和光刻膠的曝光厚度進(jìn)行控制。

在對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，對(duì)光刻膠的曝光次數(shù)可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定，即n的取值可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定，例如，n可以取2，此時(shí)，對(duì)光刻膠的曝光次數(shù)為兩次，或者，n可以取3，此時(shí)，對(duì)光刻膠的曝光次數(shù)為三次，或者，n可以取4或4以上的整數(shù)，此時(shí)，對(duì)光刻膠的曝光次為四次或四次以上。

在本發(fā)明實(shí)施例中，n的取值為2，即對(duì)光刻膠進(jìn)行兩次曝光，以在保證形成的過(guò)孔具有較合適的坡度角的同時(shí)，減少對(duì)光刻膠的曝光次數(shù)，節(jié)省時(shí)間，降低制作過(guò)孔時(shí)的成本。

在對(duì)光刻膠進(jìn)行n次曝光時(shí)，每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光可以根據(jù)光刻膠的材料以及過(guò)孔的坡度角進(jìn)行選擇，例如，當(dāng)對(duì)光刻膠進(jìn)行兩次曝光時(shí)，過(guò)孔的坡度角設(shè)定在45°～75°時(shí)，第一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光和第二次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光可以均為紫外光，根據(jù)每次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光的波長(zhǎng)的要求，可以將第一次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光設(shè)定為由摻雜金屬鹵化物的汞燈發(fā)出，將第二次對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)所采用的光設(shè)定為由未摻雜任何物質(zhì)的汞燈發(fā)出。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1或圖2，在步驟S300、對(duì)薄膜中與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔后，本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法還包括：

步驟S400、去除未被曝光的光刻膠。

當(dāng)對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔后，剝離薄膜上未被曝光的光刻膠，以去除未被曝光的光刻膠，方便后續(xù)的工藝，例如，方便在薄膜上形成圖形化的導(dǎo)電層。

在上述實(shí)施例中，對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕工藝可以采用干法刻蝕工藝。

為了詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法，下面進(jìn)行舉例說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，顯示基板可以為如圖4所示的陣列基板，在實(shí)際應(yīng)用中，顯示基板也可以為彩膜基板或其它顯示基板，本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法均可以應(yīng)用于上述各種顯示基板上的過(guò)孔的制作。顯示基板包括襯底基板1、位于襯底基板1上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管、以及第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管上方的像素電極11，其中，第一薄膜晶體管可以為開(kāi)關(guān)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管可以為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，第一薄膜晶體管包括第一柵極2、有源層6、第一源極8和第一漏極9，第二薄膜晶體管包括第二柵極3、第二源極和第二漏極，其中，第一薄膜晶體管的第一漏極9和第二薄膜晶體管的第二柵極3連接；第一薄膜晶體管中，第一柵極2和有源層6之間層疊設(shè)置有第一柵極絕緣層4和第二柵極絕緣層5，第一柵極絕緣層4位于第二柵極絕緣層5的下方；第一源極8和第一漏極9同層設(shè)置，形成源漏極層，有源層6與源漏極層之間設(shè)置有刻蝕阻擋層7，即有源層6與第一源極8之間設(shè)置有刻蝕阻擋層7，有源層6與第一漏極9之間也設(shè)置有刻蝕阻擋層7；源漏極層與像素電極11之間設(shè)置有鈍化層10，即第一源極8與像素電極11之間設(shè)置有鈍化層10，第一漏極9與像素電極11之間設(shè)置有鈍化層10；第二薄膜晶體管中，第二柵極3和第一薄膜晶體管的第一柵極2同層設(shè)置，第二柵極3與第一漏極9之間依次層疊設(shè)置有第一柵極絕緣層4、第二柵極絕緣層5和刻蝕阻擋層7。

上述顯示基板中，第一源極8通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層7、與第一源極8對(duì)應(yīng)的ESL過(guò)孔(Etching Stop Layer Hole)B與有源層6連接，第一漏極9通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層7、與第一漏極9對(duì)應(yīng)的ESL過(guò)孔B與有源層6連接；第一漏極9通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層7、第二柵極絕緣層5和第一柵極絕緣層4的CNT過(guò)孔(Connect Hole)A與第二柵極3連接；像素電極11通過(guò)貫穿鈍化層10的PVX過(guò)孔(Passivation Hole)C與第一漏極9連接，即上述顯示基板包括ESL過(guò)孔B、CNT過(guò)孔A和PVX過(guò)孔C。下面以采用對(duì)光刻膠進(jìn)行兩次曝光的方式制作CNT過(guò)孔A為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法。

請(qǐng)參閱圖5，在襯底基板1上依次形成圖形化的第二柵極3、第一柵極絕緣層4、第二柵極絕緣層5和刻蝕阻擋層7，可以將第一柵極絕緣層4、第二柵極絕緣層5和刻蝕阻擋層7看作是待制作過(guò)孔的薄膜。

請(qǐng)參閱圖6，在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠12，即在刻蝕阻擋層7上形成光刻膠12，光刻膠12的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，在此不作限定。

請(qǐng)參閱圖7，將形成有光刻膠12的顯示基板置于曝光室內(nèi)，并將掩膜板15置于顯示基板的上方，掩膜板15的曝光孔與CNT過(guò)孔B對(duì)應(yīng)；打開(kāi)提供第一次對(duì)光刻膠12進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的光源，光源發(fā)出光，光穿過(guò)曝光孔投射在光刻膠12上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻膠12進(jìn)行第一次曝光；經(jīng)過(guò)第一次曝光后，形成第一次被曝光光刻膠13。

請(qǐng)參閱圖8，完成對(duì)光刻膠12的第一次曝光后，打開(kāi)提供第二次對(duì)光刻膠12進(jìn)行曝光時(shí)采用的光的光源，光源發(fā)出光，光穿過(guò)曝光孔投射在光刻膠12上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻膠12進(jìn)行第二次曝光，其中，第二次對(duì)光刻膠12進(jìn)行曝光時(shí)所用的光的波長(zhǎng)小于第一次對(duì)光刻膠12進(jìn)行曝光時(shí)所用的光的波長(zhǎng)；經(jīng)過(guò)第二次曝光后，形成第二次被曝光光刻膠14，第一次被曝光光刻膠13與第二次被曝光光刻膠14的厚度之和等于光刻膠12的初始厚度，且第二次被曝光光刻膠14在刻蝕阻擋層7上的正投影落入第一次被曝光光刻膠13在刻蝕阻擋層7上的正投影內(nèi)。

請(qǐng)參閱圖9，完成對(duì)光刻膠12的兩次曝光后，對(duì)光刻膠12進(jìn)行顯影處理，以去除第一次被曝光光刻膠13和第二次被曝光光刻膠14，在光刻膠12內(nèi)形成孔狀結(jié)構(gòu)16，暴露出薄膜，即暴露出刻蝕阻擋層7，孔狀結(jié)構(gòu)16呈倒錐臺(tái)狀，孔狀結(jié)構(gòu)16的孔壁與薄膜朝向光刻膠12的表面之間具有夾角α，即孔狀結(jié)構(gòu)16的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠12的表面的坡度角為α，也可以認(rèn)為孔狀結(jié)構(gòu)16的孔壁與刻蝕阻擋層7的上表面之間具有夾角α。

請(qǐng)參閱圖10，去除第一次被曝光光刻膠13和第二次被曝光光刻膠14后，對(duì)薄膜與曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔，即依次對(duì)暴露在孔狀結(jié)構(gòu)16中的刻蝕阻擋層7、第二柵極絕緣層5和第一柵極絕緣層4進(jìn)行刻蝕，形成CNT過(guò)孔A，暴露出第二柵極3，CNT過(guò)孔A呈倒錐臺(tái)狀，CNT過(guò)孔A的孔壁與第二柵極3的上表面具有夾角，即CNT過(guò)孔A的坡度角為β。

請(qǐng)參閱圖11，形成CNT過(guò)孔A后，剝離未被曝光的光刻膠12，以去除未被曝光的光刻膠12，完成CNT過(guò)孔A的制作。完成CNT過(guò)孔A的制作后，請(qǐng)參閱圖12，在刻蝕阻擋層7上形成圖形化的第一漏極9，第一漏極9通過(guò)CNT過(guò)孔A與第二柵極3連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制作方法，包括如上述實(shí)施例所述的過(guò)孔的制作方法。

所述顯示基板的制作方法與上述實(shí)施例所述的過(guò)孔的制作方法相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

在完成過(guò)孔的制作后，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法還包括：

在完成制作過(guò)孔后的薄膜上形成圖形化的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層通過(guò)過(guò)孔與位于薄膜下的第二導(dǎo)電層連接。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。