多個實施例總體上涉及一種芯片載體、器件及方法。

背景技術(shù)：

通常情況下，可以在晶圓(或襯底或載體)上和/或中以半導(dǎo)體技術(shù)分離或嵌入式地加工半導(dǎo)體芯片(也稱為集成電路/IC、芯片或微芯片)。加工就緒的芯片(例如，嵌入式集成電路)可以裝配到彼此電接觸的襯底中或上以形成具有一定的功能的器件，例如：智能卡或其他芯片卡。

對于芯片1502的裝配(參見圖15A和圖15B)，膠料1504涂覆到襯底1506上。然后，將芯片1502面向下放置到膠1504中，換句話說，芯片1512的接觸凸塊1502面朝襯底1506的接觸區(qū)1516。在芯片1502的裝配過程中，將外部機(jī)械負(fù)荷和熱施加到芯片1502，以使接觸凸塊1512與接觸區(qū)1516物理接觸，并固化膠1504以將芯片1502永久粘貼到襯底1506上。額外的內(nèi)部機(jī)械負(fù)荷可能由于膠1504的固化過程(膠固化過程)而產(chǎn)生，在固化過程中，膠1504體積縮小，導(dǎo)致在芯片1506和襯底1506之間的張力。

由于機(jī)械負(fù)荷，芯片1502可能會變形，導(dǎo)致彎曲應(yīng)力施加到芯片1502，這起因于在膠固化過程中膠1504的收縮和由于將芯片1506按壓到襯底1506上而引起的芯片的彎曲應(yīng)力的組合。

在將芯片1502裝配到傳統(tǒng)襯底1506上時，在加壓固化過程中由在襯底1506后側(cè)上的熱電極支撐具有接觸凸塊1512的接觸區(qū)1516。這會導(dǎo)致芯片1502在縱向上的傾斜定向(參見圖15B)和芯片1502在橫向上的機(jī)械彎曲(參見圖15A)。例如在裝配到芯片卡中時，由裝配過程引起的機(jī)械應(yīng)力可能會損壞器件，例如降低芯片的可靠性。例如，機(jī)械負(fù)荷可以促使芯片中的裂紋形成和裂紋擴(kuò)展，導(dǎo)致不受控制的或不確定的行為，例如，芯片和器件的故障或機(jī)能失常。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)多個實施例，芯片載體可以包括：芯片支撐區(qū)，所述芯片支撐區(qū)被配置為支撐芯片；芯片接觸區(qū)，所述芯片接觸區(qū)包括至少一個接觸墊，用于電接觸芯片；其中，芯片載體在芯片接觸區(qū)中變薄，以使得芯片載體在至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。

附圖說明

在附圖中，總的來說相似的參考標(biāo)記在全部不同附圖中指代相同的部件。附圖不一定按照比例，重點主要在于例示本發(fā)明的原理。在以下說明中，參考以下附圖說明了本發(fā)明的多個實施例，在附圖中：

圖1A到圖1D分別在橫截面圖中顯示了根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖2A和圖2B分別在正視圖或橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖3A到圖3D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖4A到圖4D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件；

圖5A和圖5B分別在正視圖或橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖6A在正視圖或橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的器件；

圖6B在后視圖或橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的器件；

圖7A在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的器件；

圖7B在后視圖或橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖8A和圖8B分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法的根據(jù)多個實施例的器件；

圖9A和圖9B分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件；

圖10A和圖10B分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件；

圖11A到圖11D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖12A到圖12D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖13A到圖13D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體；

圖14在示意性流程圖中顯示了根據(jù)多個實施例的方法；及

圖15A和圖15B分別顯示了傳統(tǒng)的器件。

具體實施方式

以下的詳細(xì)說明參考了附圖，附圖通過例示顯示了可以實踐本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)和實施例。

本文使用詞語“示例性的”來表示“充當(dāng)示例、實例或說明”。本文描述為“示例性的”任何實施例或設(shè)計都不必然解釋為相對于其他實施例或設(shè)計是優(yōu)選地或有優(yōu)勢的。

相關(guān)于“在側(cè)面或表面上”形成的沉積材料使用的詞語“在……上”在本文中用于表示可以“直接”，例如直接接觸，在隱含的側(cè)面或表面上形成沉積材料。相關(guān)于“在側(cè)面或表面上”形成的沉積材料使用的詞語“在……上”在本文中用于表示“間接”在隱含的側(cè)面或表面上形成沉積材料，具有布置在隱含的側(cè)面或表面與沉積材料之間的一個或多個額外的層。

相關(guān)于結(jié)構(gòu)(或襯底、晶圓或載體)的“橫向”延伸或“橫向”緊鄰于使用的術(shù)語“橫向”可以在本文用于表示沿襯底、晶圓或載體的表面的延伸或位置關(guān)系。其表示襯底的表面(載體的表面或晶圓的表面)可以充當(dāng)參考，通常稱為襯底的主要加工表面(載體或晶圓的主要加工表面)。此外，相關(guān)于結(jié)構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)元件的)“寬度”使用的術(shù)語“寬度”在本文可以用于表示結(jié)構(gòu)的橫向延伸。此外，相關(guān)于結(jié)構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)元件的)高度使用的術(shù)語“高度”在本文可以用于表示沿垂直于結(jié)構(gòu)的表面(例如垂直于結(jié)構(gòu)的主要加工表面)的方向的結(jié)構(gòu)的延伸。相關(guān)于層的“厚度”使用的術(shù)語“厚度”在本文可以用于表示層垂直于沉積層的支撐物(材料)的表面的空間延伸。如果支撐物的表面平行于襯底的表面(例如平行于主要加工表面)，沉積在支撐物上的層的“厚度”就可以與層的高度相同。此外，“垂直”結(jié)構(gòu)可以被稱為在垂直于橫向(例如垂直于襯底的主要加工表面)的方向上延伸的結(jié)構(gòu)，“垂直”延伸可以被稱為沿垂直于橫向的方向的延伸(例如垂直于襯底的主要加工表面的延伸)。

根據(jù)多個實施例，可以減小在裝配過程中芯片受到的機(jī)械應(yīng)力。說明性地，可以提供器件(也稱為芯片器件、模塊或半導(dǎo)體模塊)，器件包括裝配的芯片，其中，器件包括高可靠性。

根據(jù)多個實施例，可以提供用于半導(dǎo)體模塊的襯底(也稱為芯片載體)。芯片可以以倒裝芯片技術(shù)裝配，也稱為“襯底上倒裝芯片”(常用)。換句話說，芯片可以借助其接觸區(qū)朝向芯片載體來裝配。

根據(jù)多個實施例，可以提供半導(dǎo)體模塊，例如FCOS模塊，包括一個或多個電路結(jié)構(gòu)。每一個電路結(jié)構(gòu)都可以被配置為提供預(yù)定的功能，如除了別的以外，可以是非接觸式通信(也稱為非接觸式通信電路)、儲存或顯示信息。例如，可以以“線圈整合模塊非接觸式”(COM-CL)技術(shù)配置電路結(jié)構(gòu)。在此情況下，電路結(jié)構(gòu)可以包括線圈或由線圈形成，例如扁平線圈(例如由箔形成)。

根據(jù)多個實施例，薄或非常薄的芯片可以裝配到芯片載體上。非常薄的芯片可以具有從約30μm到80μm范圍內(nèi)的厚度，薄的芯片可以具有在約80μm到約200μm范圍內(nèi)的厚度。例如，包括非接觸式通信電路的器件可以提供非接觸式芯片卡，例如用于象“公共交通”、“標(biāo)識(ID)”或“銀行業(yè)”的應(yīng)用。

在FCOS組件中，芯片的端子(接觸端)由金屬接觸凸塊覆蓋，金屬接觸凸塊例如以凸點技術(shù)(金球凸點)、化學(xué)鍍鎳-金(NiAu)技術(shù)(NiAu凸塊)或其他適當(dāng)?shù)募夹g(shù)例如由金屬(例如金)制成。

根據(jù)多個實施例，形成開口可以包括沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個或由沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個形成。

圖1A、圖1B、圖1C和圖1D分別在橫截面圖中示意性地顯示了根據(jù)多個實施例的芯片載體100a到100d(例如沿第一支撐面102t觀察的)，包括芯片支撐區(qū)102，被配置為支撐芯片(未示出)，和芯片接觸區(qū)104，包括至少一個接觸墊104c。每一個芯片載體100a到100d都可以在芯片接觸區(qū)104中減薄，以使得每一個芯片載體100a到100d在至少一個接觸墊104c的第一厚度104d小于每一個芯片載體100a到100d在芯片支撐區(qū)102的第二厚度102d。

根據(jù)多個實施例，至少一個接觸墊104c限定接觸面104s，當(dāng)在每一個芯片載體100a到100d上接收芯片時，在接觸面104s物理接觸芯片。說明性地，接觸面104s可以是芯片接觸區(qū)104在每一個芯片載體100a到100d的第一側(cè)(說明性地，前側(cè))上的正面，例如至少一個接觸墊104c的正面。

根據(jù)多個實施例，芯片支撐區(qū)102限定用于支撐芯片的第一支撐面102t，和用于在接收芯片時，例如壓在每一個芯片載體100a到100d上時，支撐芯片支撐區(qū)104的第二支撐面102b。說明性地，第一支撐面102t可以是芯片支撐區(qū)102在每一個芯片載體100a到100d的第一側(cè)(說明性地，前側(cè))上的正面。說明性地，第二支撐面102b可以是芯片支撐區(qū)102在每一個芯片載體100a到100d的第二側(cè)(說明性地，背側(cè))上的背面。

根據(jù)多個實施例，芯片接觸區(qū)104限定用于在接收芯片時，例如壓在每一個芯片載體100a到100d上時，支撐芯片接觸區(qū)104的第三支撐面104b。說明性地，第三支撐面104b可以是芯片接觸區(qū)104在每一個芯片載體100a到100d的第一側(cè)(說明性地，前側(cè))上的背面。

根據(jù)多個實施例，第一支撐面102t、第二支撐面102b、第三支撐面104b、接觸面104s中的至少一個可以是平面。第一支撐面102t和接觸面104s可以布置在每一個芯片載體100a到100d的第一側(cè)上，第二支撐面102b和第三支撐面104b可以布置在每一個芯片載體100a到100d與第一側(cè)相對相對的第二側(cè)上。當(dāng)在芯片支撐區(qū)102上接收芯片時，第一支撐面102t和接觸面104s可以朝向芯片。在裝配芯片過程中，第二支撐面102b和第三支撐面104b可以朝向支撐元件。

根據(jù)多個實施例，第二支撐面102b可以基本上平行于(換句話說，具有小于約10°，例如小于約5°，例如小于約1°的最大傾斜，例如平行于)接觸面104s、第三支撐面104b、第一支撐面102t中的至少一個(例如至少成對地)。換句話說，第二支撐面102b可以基本上平行于接觸面104s、第三支撐面104b和/或第一支撐面102t。

根據(jù)多個實施例，接觸面104s和第三支撐面104b中的至少一個布置在第一支撐面102t和第二支撐面102b之間。例如，第三支撐面104b可以布置在第一支撐面102t和第二支撐面102b之間，如圖1A所示的(換句話說，第三支撐面104b可以凹陷到芯片載體100a中)。在此情況下，芯片載體100a可以包括凹陷的第三支撐面104b?？商鎿Q地或者另外地，接觸面104s可以布置在第一支撐面102t和第二支撐面102b之間，如圖1B、圖1C和圖1D所示的(換句話說，接觸面104s可以凹陷到每一個芯片載體100a到100d中)。在此情況下，每一個芯片載體100a到100d可以包括凹陷的接觸面104s。

根據(jù)多個實施例，在接觸面104s和第三支撐面104b之間的距離可以小于在第一支撐面102t和第二支撐面102b之間的距離。在接觸面104s和第三支撐面104b之間的距離可以限定第一厚度104d。在第一支撐面102t和第二支撐面102b之間的距離可以限定第二厚度102d。

第一厚度104d可以小于第二厚度102d的約90％，例如小于第二厚度102d的約80％，例如小于第二厚度102d的約70％，例如小于第二厚度102d的約60％，例如小于第二厚度102d的約50％，例如小于第二厚度102d的約40％，例如從在第二厚度102d的約30％到第二厚度102d的約80％的范圍中。

根據(jù)多個實施例，至少一對接觸面104s和第一支撐面102t；或者第二支撐面102b和第三支撐面104b可以共面(成對地)。如，接觸面104s和第一支撐面102t可以共面，如圖1A所示的?？商鎿Q地或者另外地，第二支撐面102b和第三支撐面104b可以共面，如圖1B、圖1C和圖1D所示的。

根據(jù)多個實施例，每一個芯片載體100a到100b可以包括在芯片接觸區(qū)104中與至少一個接觸墊104c交疊的凹部104r。換句話說，在橫向中，凹部104r的周邊可以比至少一個接觸墊104c的周邊延伸得更遠(yuǎn)。例如，至少一個接觸墊104c的橫向延伸可以小于凹部104r的橫向延伸。

根據(jù)多個實施例，至少一個接觸墊104c可以布置在凹部104r的對面，如圖1A所示的。換句話說，至少一個接觸墊104c可以布置在第一側(cè)上，凹部104r可以布置在第二側(cè)上。

可替換地，至少一個接觸墊104c可以布置在凹部104r的同側(cè)上，如圖1B、圖1C和圖1D所示的。換句話說，至少一個接觸墊104c可以布置在第一側(cè)上，凹部104r可以布置在第一側(cè)上。

至少一個接觸墊104c可以被布置為遠(yuǎn)離第三支撐面104b，如圖1A、1B和圖1C所示的。

可替換地，至少一個接觸墊104c可以包括第三支撐面104b的至少一部分，如圖1D所示的。換句話說，至少一個接觸墊104c可以在第二側(cè)上暴露出。

根據(jù)多個實施例，至少一個接觸墊104c可以布置在凹部中，如圖1B所示的?？商鎿Q地或者另外地，至少一個接觸墊104c可以至少部分地由凹部104r露出。換句話說，至少一個接觸墊104c的至少一部分可以由凹部104r露出。

芯片載體100a可以被配置為在第一側(cè)上接收芯片。例如，芯片載體100a可以被配置為在芯片載體100a與凹部104r相對的側(cè)面上接收芯片(未示出)，例如如果至少一個接觸墊104c布置在凹部104r的對面?？商鎿Q地，芯片載體100b到100c可以被配置為在形成凹部104r的芯片載體100b到100c的側(cè)面上接收芯片，例如如果至少一個接觸墊104c布置在凹部104r中或者至少部分地由凹部104r暴露出。

根據(jù)多個實施例，例如至少在芯片支撐區(qū)102或芯片接觸區(qū)104的一個中(換句話說，例如至少在芯片支撐區(qū)102和芯片接觸區(qū)104的一個中)，每一個芯片載體100a到100c可以包括包含多于一層的疊層物或由包含多于一層的疊層物形成。疊層物可以包括至少一個箔，基層箔、金屬箔中的至少一個。例如疊層物可以是箔。

可替換地，例如至少在芯片支撐區(qū)102或芯片接觸區(qū)104的一個中，芯片載體100b到100c可以包括引線框，或由引線框形成。引線框可以包括金屬或合金，或者由金屬或合金形成。金屬或合金分別可以原則上包括每一種適合的金屬，例如鎳或銅的至少一個。根據(jù)多個實施例，合金可以包括銅基合金或鎳基合金或由銅基合金或鎳基合金形成。合金可以進(jìn)一步包括合金元素，例如錫或鋅的至少一個。

圖2A在正視圖或橫截面圖中(例如具有垂直于第一支撐面102t的觀察方向)示意性例示了根據(jù)多個實施例的芯片載體200a，例如芯片載體100a到100d中的一個或以下所述的另一個芯片載體。根據(jù)多個實施例，芯片接觸區(qū)104可以由芯片支撐區(qū)102部分圍繞。例如，在至少一個方向上，芯片接觸區(qū)104可以比芯片支撐區(qū)102延伸得更遠(yuǎn)。

圖2B在正視圖或橫截面圖中(類似于圖2A)示意性例示了根據(jù)多個實施例的芯片載體200b，例如芯片載體100a到100d中的一個或以下所述的另一個芯片載體。根據(jù)多個實施例，芯片接觸區(qū)104可以由芯片支撐區(qū)102(完全)圍繞。

圖3A、圖3B、圖3C和圖3D分別在橫截面圖(類似于圖1A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體，例如類似于在前所示芯片載體100a到100d中的一個配置的。

每一個芯片載體300a到300d可以包括疊層物或由疊層物形成，疊層物包括以下的至少一個：電隔離基層302、基層302上的，換句話說，在每一個芯片載體300a到300d的第一側(cè)上的第一金屬化部304，基層302上的，換句話說，在每一個芯片載體300a到300d的第二側(cè)上的第二金屬化部306。換句話說，電隔離基層302可以布置在第一金屬化部304與第二金屬化部306之間。

例如，例如至少在芯片支撐區(qū)102或芯片接觸區(qū)104的一個中，每一個芯片載體300a到300d可以包括電隔離基層302和第一金屬化部304，或由電隔離基層302和第一金屬化部304形成。換句話說，至少在芯片接觸區(qū)104中，可以對第二金屬化部306進(jìn)行開口或者至少部分去除第二金屬化部306，如圖3A和圖3C所示。例如，芯片接觸區(qū)104的第二側(cè)可以沒有金屬，如圖3A所示。

可替換地，例如至少在芯片支撐區(qū)102或芯片接觸區(qū)104的一個中，每一個芯片載體300a到300d可以包括電隔離基層302和第二金屬化部306，或由電隔離基層302和第二金屬化部306形成。換句話說，至少在芯片接觸區(qū)104中，可以對第一金屬化部304進(jìn)行開口或者至少部分去除第一金屬化部304，如圖3A和圖3B所示。

根據(jù)多個實施例，可以構(gòu)造第一金屬化部304以形成至少一個接觸墊104c，如圖3A和圖3B所示。換句話說，第一金屬化部304可以包括至少一個接觸墊104c。例如，芯片載體300a和300b可以包括開口304o(也稱為溝槽304o)，至少部分地圍繞至少一個接觸墊104c。開口304o可以至少延伸通過第一金屬化部304。開口304o可以布置在第一側(cè)上。換句話說，第一金屬化部304可以包括包含至少一個接觸墊104c或由至少一個接觸墊104c形成的至少一個第一部分(例如在芯片接觸區(qū)104中)，和由開口304o與第一部分分離的至少一個第二部分(例如在芯片支撐區(qū)102中)。第一金屬化部304的第二部分可以至少部分地圍繞該至少一個接觸墊104c。第一金屬化部304的第二部分可以包括第一支撐面102t。開口304o可以至少部分地，例如在第一側(cè)上，暴露出電隔離基層302(換句話說，開口304o可以暴露出電隔離基層302的至少一部分)。

根據(jù)多個實施例，可以構(gòu)造第二金屬化部306以在至少一個接觸墊104c的對面形成凹部104r，如圖3A所示。換句話說，可以在芯片接觸區(qū)104中對第二金屬化部306進(jìn)行開口，以提供在芯片載體300a中的凹部104r。凹部104r可以至少部分地露出電隔離基層302，例如在第二側(cè)上。凹部104r可以與開口304o交疊，以使得電隔離基層302的至少一部分302e可以在兩側(cè)(第一側(cè)和第二側(cè))上暴露出，如圖3A所示。可替換地或者另外地，電隔離基層302的至少一部分302e(例如部分圍繞至少一個接觸墊104c的至少一部分302e)可以沒有金屬。

電隔離基層302的至少一部分302e可以布置在芯片載體300a的連接區(qū)314中(說明性地，進(jìn)一步減薄的區(qū))。芯片載體300a可以包括在連接區(qū)314中的第三厚度314d，小于芯片載體300a在芯片接觸區(qū)104，例如在至少一個接觸墊104c，中的第一厚度104d(例如由于露出的電隔離基層302)。換句話說，芯片載體300a可以包括在連接區(qū)314中的第三厚度314d，小于芯片載體300a在芯片支撐區(qū)102中的第二厚度104d。

連接區(qū)314可以圍繞芯片接觸區(qū)104。連接區(qū)314可以布置在芯片接觸區(qū)104與芯片支撐區(qū)102之間(例如由芯片支撐區(qū)102圍繞)。

第三厚度314d(進(jìn)一步減薄的區(qū))可以在連接區(qū)314中提供芯片載體300a減小的應(yīng)力/應(yīng)變率。換句話說，在芯片接觸區(qū)104中，例如在至少一個接觸墊104c，的芯片載體100a的應(yīng)力/應(yīng)變率(第一應(yīng)力/應(yīng)變率)可以大于在連接區(qū)314中的芯片載體300a的應(yīng)力/應(yīng)變率(第三應(yīng)力/應(yīng)變率)。此外，在芯片支撐區(qū)102中的芯片載體100a的應(yīng)力/應(yīng)變率(第二應(yīng)力/應(yīng)變率)可以大于在連接區(qū)314中的芯片載體300a的應(yīng)力/應(yīng)變率?？扇芜x地，第二應(yīng)力/應(yīng)變率可以大于第一應(yīng)力/應(yīng)變率。

應(yīng)力/應(yīng)變率可以理解為達(dá)到一定應(yīng)變所需的應(yīng)力。說明性地，應(yīng)力/應(yīng)變率越低，材料或區(qū)域就越容易變形。應(yīng)力/應(yīng)變率可以定義材料或區(qū)域的下列參數(shù)中的至少一個：極限強(qiáng)度；屈服強(qiáng)度(也稱為屈服點)，楊氏模量，剛度。應(yīng)力/應(yīng)變率越大，下列參數(shù)中的至少一個就越大：極限強(qiáng)度；屈服強(qiáng)度，楊氏模量，剛度模量。

剛度可以理解為材料或區(qū)域?qū)ψ冃蔚牡挚?。例如，可以提供芯片載體300a在連接區(qū)314中減小的剛度。換句話說，芯片載體100a在芯片接觸區(qū)104，例如在至少一個接觸墊104c，中的剛度(第一剛度)可以大于芯片載體300a在連接區(qū)314中的剛度(第三剛度)。此外，，芯片載體100a在芯片支撐區(qū)102中的剛度(第二剛度)可以大于芯片載體300a在連接區(qū)314中的剛度。可任選地，第二剛度可以大于第一剛度。

凹部104r的深度可以由第二金屬化部306的厚度來限定，例如凹部104r的深度可以基本上等于第二金屬化部306的厚度。

可以按照第三厚度314d調(diào)整連接區(qū)314在遠(yuǎn)離至少一個接觸墊104c的方向上(例如平行于第一支撐面102t)的延伸304d(例如開口304o的延伸)。根據(jù)多個實施例，延伸304d可以大于第三厚度314d的約400％，例如大于第三厚度314d的約500％，大于第三厚度314d的約600％，大于第三厚度314d的約700％，大于第三厚度314d的約800％，例如大于第三厚度314d的約900％，例如大于第三厚度314d的約1000％，例如在從第三厚度314d的約400％到約1500％的范圍中。例如，延伸304d可以大于約100μm，例如大于約120μm，例如大于約140μm，例如大于約160μm，例如大于約180μm，例如大于約200μm，例如大于約250μm，例如大于約300μm，例如在從約150μm到約500μm的范圍中。第三厚度314d可以在從約10μm到約50μm的范圍中，例如在從約20μm到約40μm的范圍中，例如約25μm。

至少一個接觸墊104c(例如至少一個接觸墊104c中的每一個接觸墊)例如平行于第一支撐面102t的延伸可以在從約200μm到約400μm的范圍中，例如約300μm。

對于所示的芯片載體300a，可替換地，凹部104r可以由圖3B中所示的間隔層308提供。換句話說，芯片載體300b可以包括間隔層308。間隔層308可以布置在第一金屬化部304上，例如至少部分地在芯片支撐區(qū)102中。換句話說，間隔層308可以至少部分地在芯片支撐區(qū)102中覆蓋第一金屬化部304。

可任選地，間隔層308可以延伸到芯片接觸區(qū)104中。例如，間隔層308可以至少部分覆蓋開口304o，例如與開口304o中的電隔離基層302物理接觸。可替換地，開口304o可以延伸通過間隔層308和第一金屬化部304。

可任選地，間隔層308可以至少部分地在至少一個接觸墊104c上延伸。換句話說，至少一個接觸墊104c可以部分地由間隔層308覆蓋。間隔層308可以包括通過間隔層308延伸的開口以提供凹部104r。凹部104r可以至少部分地暴露出至少一個接觸墊104c。換句話說，凹部104r可以暴露出至少一個接觸墊104c的至少一部分。可替換地，例如當(dāng)開口304o通過間隔層308和第一金屬化部304延伸時，凹部104r可以(完全)暴露出至少一個接觸墊104c。

在使用間隔層308時，間隔層308可以包括第一支撐面102t。換句話說，在芯片載體300b上接收的芯片可以由間隔層308支撐。說明性地，間隔層308限定了在芯片和至少一個接觸墊104c(例如其接觸面104s)之間的距離。

根據(jù)多個實施例，在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102中的至少一個上共形地形成間隔層308。換句話說，間隔層308的表面輪廓可以類似于芯片載體300b(如在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102的至少一個中)、例如以下的至少一個：第一金屬化部304、開口304o、電隔離基層302的表面輪廓。

可替換地，在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102中的至少一個上非共形地形成間隔層308。換句話說，間隔層308的表面輪廓可以不同于芯片載體300b(如在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102的至少一個中)、例如以下的至少一個：第一金屬化部304、開口304o、電隔離基層302的表面輪廓。例如，間隔層308可以包括平面輪廓(例如在開口304o上)，例如包括第一支撐面102t或由第一支撐面102t形成。

根據(jù)多個實施例，間隔層308可以具有從約10μm到約50μm的范圍中的厚度，例如在從約20μm到約40μm的范圍中的厚度(例如至少在芯片支撐區(qū)102上)。

間隔層308可以包括各種各樣的材料或由各種各樣的材料形成，例如包括電絕緣材料。這可以提供芯片與第一金屬化部304的電隔離。

例如，間隔層308可以包括阻焊材料或由阻焊材料形成，例如非金屬材料或阻焊劑。例如，間隔層308可以包括聚合物阻焊層或由聚合物阻焊層形成，例如阻焊劑，例如樹脂(如環(huán)氧樹脂)。另外，阻焊材料可以包括氧化物或由氧化物形成，例如氧化物阻擋材料，例如金屬氧化物。

可替換地，間隔層308可以包括粘合劑或由粘合劑形成，例如聚合物粘合劑，例如環(huán)氧粘合劑。

可任選地，間隔層308可以包括間隔顆粒或由間隔顆粒形成(如電絕緣間隔顆粒)，例如具有從約10μm到約50μm的范圍中的，例如從約20μm到約40μm的范圍中的尺寸，例如直徑。間隔顆?？梢园ň酆衔锘蛴删酆衔镄纬伞?/p>

凹部104r的深度可以由(例如在芯片支撐區(qū)102中的)間隔層308的厚度限定，例如凹部104r的深度可以基本上等于(例如在芯片支撐區(qū)102中的)間隔層308的厚度。

對于每一個芯片載體300a和300b，可替換地，第二金屬化部306可以包括至少一個接觸墊104c，如圖3C和圖3D所示的。例如，可以構(gòu)造第二金屬化部306以形成至少一個接觸墊104c，如圖3C所示。換句話說，第二金屬化部306可以包括至少一個接觸墊104c。例如，芯片載體300c可以包括開口304o(也被稱為溝槽304o)，至少部分地圍繞該至少一個接觸墊104c。開口304o可以至少延伸通過第二金屬化部306。開口304o可以布置在第二側(cè)面上。換句話說，第二金屬化部306可以包括包含至少一個接觸墊104c或由至少一個接觸墊104c形成的至少一個第一部分(例如在芯片接觸區(qū)104中)，和由開口304o與第一部分分離的至少一個第二部分(例如在芯片支撐區(qū)102中)。第二金屬化部306的第二部分可以至少部分地圍繞該至少一個接觸墊104c。第二金屬化部306的第二部分可以包括第二支撐面102b。開口304o可以至少部分地，例如在第二側(cè)上，露出電隔離基層302。

可任選地，該至少一個接觸墊104c可以連接到(例如由至少一個電線)第一金屬化部304和第二金屬化部306中的至少一個的第二部分。例如，該至少一個接觸墊104c可以例如在至少一個方向上連接到第二金屬化部306的第二部分，如圖3D中示例性所示的?？商鎿Q地或者另外地(未示出)，該至少一個接觸墊104c可以(例如在至少一個方向上)連接到例如芯片載體300a、芯片載體300b中的至少一個中的第一金屬化部304的第二部分。

如圖3C和圖3D所示的，凹部可以由電隔離基層302和第一金屬化部304提供(說明性地，由通過電隔離基層302和第一金屬化部304延伸的開口提供)。換句話說，芯片載體300c和300d可以包括通過電隔離基層302和第一金屬化部304延伸的開口以形成凹部104r。凹部的底部可以由該至少一個接觸墊104c，例如由接觸面104s提供。換句話說，凹部104r可以露出接觸面104s。

凹部104r的深度可以由(例如在芯片支撐區(qū)102中的)第二金屬化部306和電隔離基層302的厚度限定，例如凹部104r的深度可以基本上等于(例如在芯片支撐區(qū)102中的)第二金屬化部306的厚度和電隔離基層302的厚度的總和。

根據(jù)多個實施例，電隔離基層302可以具有從約10μm到約50μm的范圍中的厚度，例如在從約20μm到約30μm的范圍中的，例如約25μm的厚度。

根據(jù)多個實施例，第一金屬化部304或第二金屬化部306中的至少一個可以具有從約5μm到約30μm的范圍中的厚度，例如在從約10μm到約20μm的范圍中的，例如約15μm的厚度。

根據(jù)多個實施例，電隔離基層302包括聚合物或由聚合物(例如聚酰亞胺)形成，例如箔(聚合物箔)的形式。例如，電隔離基層302可以包括彈性體或熱塑性材料或由彈性體或熱塑性材料形成。

根據(jù)多個實施例，第一金屬化部304或第二金屬化部306中的至少一個可以包括金屬或由金屬形成，例如銅、鎳等，例如金屬箔?？商鎿Q地或者另外地，第一金屬化部304或第二金屬化部306中的至少一個可以包括至少部分電沉積金屬層或由至少部分電沉積金屬層形成。例如，形成第一金屬化部304或第二金屬化部306中的至少一個可以包括形成種子層(例如在基層上，例如在第一側(cè)或第二側(cè)的至少一個上)，及在至少一個種子層上電沉積(電鍍)一個或多個金屬層(一個或多個電沉積金屬層)。

對于芯片載體300a的第二側(cè)上的凹部104r，可替換地或者另外地，可以例如在間隔層308中的第一側(cè)上形成凹部104r。換句話說，芯片載體300a可以包括凹部104r，可以可任選地包括間隔層308和形成于間隔層308中的另外的凹部104r，類似于芯片載體300b。在此情況下，連接區(qū)314可以免于間隔層308(不受覆蓋)。這可以實現(xiàn)使芯片載體300a適應(yīng)于更大的突出高度。

對于芯片載體300a的第一側(cè)上的凹部104r，可替換地或者另外地，凹部104r可以在電隔離基層302中至少形成或延伸，類似于芯片載體300c或300d。芯片載體300b的凹部104r可以延伸通過間隔層308，并通過電隔離基層302，類似于芯片載體300c。在此情況下，芯片載體300b的凹部104r還可以延伸通過第一金屬化部304，至少一個接觸墊104c可以由第二金屬化部306提供。這可以實現(xiàn)使芯片載體300a適應(yīng)于更大的突出高度。

圖4A、圖4B、圖4C和圖4D分別在橫截面圖(類似于圖1A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件400a到400d。每一個器件400a到400d都可以包括芯片載體402和芯片404。

芯片載體402可以類似于芯片載體300a到300d的任意一個來配置?？商鎿Q地，每一個芯片載體402可以類似于本文所述的另一個芯片載體來配置，例如芯片載體100a到100d、芯片載體500a、500b的任意一個。

芯片載體402可以包括芯片支撐區(qū)102，被配置為支撐芯片404，例如芯片404具有小于或等于芯片支撐區(qū)102的尺寸。此外，芯片載體402可以包括芯片接觸區(qū)104，包括至少一個接觸墊104c，用于電接觸芯片104。

芯片載體402可以在芯片接觸區(qū)104中減薄，以使得在至少一個接觸墊104c的芯片載體402的厚度104d(第一厚度，例如參見如圖1A至1D)小于在芯片支撐區(qū)102的芯片載體402的厚度102d(第二厚度，例如參見圖1A至1D)。

根據(jù)多個實施例，芯片404可以包括至少一個接觸突起部404p。至少一個接觸突起部404p可以具有在從約10μm到約50μm的范圍中的，例如在從約20μm到約40μm的范圍中的，例如在從約25μm到約35μm的范圍中的，例如約30μm的突出高度404d(從芯片404延伸離開)。

根據(jù)多個實施例，可以在芯片載體402上接收芯片404，以使得至少一個接觸突起部404p至少部分地延伸到芯片接觸區(qū)104中，如到凹部104r中。至少一個接觸突起部404p可以物理接觸至少一個接觸墊104c，例如其接觸面104s(例如參見圖1至圖1D)。至少一個接觸突起部404p可以電接觸(電連接)至少一個接觸墊104c，例如其接觸面104s。

根據(jù)多個實施例，在第一厚度和第二厚度之間的差小于突起高度404d。說明性地，在第一厚度和第二厚度之間的差可以限定凹部104的深度。凹部104的深度可以小于突起高度404d。說明性地，這可以實現(xiàn)由接觸面104s接觸至少一個接觸突起部404p。

根據(jù)多個實施例，至少一個接觸突起部404p可以包括凸點或由凸點形成。

根據(jù)多個實施例，至少一個接觸突起部404p可以包括金屬或由金屬形成，例如焊料，例如，包括以下至少一個或由以下至少一個形成：錫(Sn)、鉛(Pb)。例如，焊料可以是錫基焊料合金或鉛基焊料合金?？扇芜x地，焊料合金可以包括合金元素，如Mg、Zn、Zr、Ni、Pd或Au。

可任選地，每一個器件400a到400d可以包括布置在芯片404和芯片載體402之間的粘合層(未示出，例如參見圖8A或圖8B)。粘合層可以被配置為將芯片404粘附到芯片支撐區(qū)102上。

如圖4A所示，芯片載體402可以類似于芯片載體300a。芯片載體402可以在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102之間的連接區(qū)314。連接區(qū)314可以被配置為將芯片接觸區(qū)與芯片支撐區(qū)彈性耦合，以使得可以通過使得連接區(qū)314變形而移位至少一個觸點以便接收芯片404的至少一個接觸突起部404p。

連接區(qū)314可以響應(yīng)于施加到芯片接觸區(qū)104的機(jī)械負(fù)荷(例如壓力)而變形，以使得可以位移芯片接觸區(qū)104以便接收芯片404的接觸突起部404p。換句話說，芯片接觸區(qū)104可以借助連接區(qū)由芯片支撐區(qū)102可移動地(例如彈性地)支撐。換句話說，芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102由可變形的連接區(qū)314連接，其中，可變形的連接區(qū)314至少可彈性變形或塑性變形。換句話說，連接區(qū)314被配置為響應(yīng)于施加到芯片接觸區(qū)域104的機(jī)械負(fù)荷而變形，使得芯片接觸區(qū)域104可以由機(jī)械負(fù)荷移動(移位)，例如，在不失去芯片支撐區(qū)的支撐的情況下借助連接區(qū)。例如，可以配置在芯片接觸區(qū)104和芯片支撐區(qū)102之間的連接區(qū)314以使得芯片接觸區(qū)104借助連接區(qū)314由芯片支撐區(qū)102彈性支撐。

例如，連接區(qū)314可以被配置為當(dāng)相對于芯片支撐區(qū)102位移芯片接觸區(qū)104(例如接觸面104s)時可彈性變形(偏轉(zhuǎn))，例如如果連接區(qū)314包括彈性材料或由彈性材料(如彈性體)形成。換句話說，連接區(qū)314可以被配置為將芯片彈性接觸區(qū)102(例如接觸面104s)與芯片支撐區(qū)102彈性耦合。可替換地或者另外地，例如如果連接區(qū)314包括熱塑性材料或由熱塑性材料形成，連接區(qū)314可以被配置為當(dāng)相對于芯片支撐區(qū)102位移芯片接觸區(qū)104(例如接觸面104s)時可彈性變形。

彈性變形(也可以被稱為柔性耦合)可以理解為變形(例如，通過彎曲、拉伸或壓縮)，其能夠在變形或偏轉(zhuǎn)(例如，位移或扭曲)后，換句話說，在釋放后，獨立地返回到原始結(jié)構(gòu)(例如，形狀或位置)。塑性變形可以理解為在變形后，換句話說，在釋放后，保持變形。根據(jù)多個實施例，連接區(qū)314可以被配置為包括彈性變形和塑性變形的疊加。

通過使得在連接區(qū)314的芯片載體402變形，可以在第一側(cè)上的芯片接觸區(qū)104中形成凹部104r，如圖4A所示。根據(jù)多個實施例，芯片載體402在連接區(qū)314中變形，以便在第一側(cè)上的芯片接觸區(qū)104中形成凹部104r，如圖4A所示。例如，芯片載體402可以在連接區(qū)314中變形。例如，芯片載體300a可以包括在第二側(cè)上的凹部104r。在使得芯片接觸區(qū)104移位時，芯片接觸區(qū)104可以移動到第二側(cè)上的凹部104r，以使得一個凹部104r在第一側(cè)上，如圖4A所示。在此情況下，當(dāng)在芯片載體402上接收芯片404時，第三支撐面104b可以與第二支撐面102b共面。換句話說，至少一個接觸突起部404p可以延伸到由連接區(qū)314中的芯片載體402變形提供的在第一側(cè)上的凹部104r中，其中，至少一個接觸突起部404p可以接觸至少一個接觸墊104c。例如，當(dāng)芯片載體402在連接314區(qū)中變形時，電隔離基層302可以皺縮成波狀。

根據(jù)多個實施例，芯片404的至少一個接觸突起部404p可以至少部分延伸到第一側(cè)上的凹部104r中，以使得芯片404被設(shè)置為基本上平行于芯片支撐區(qū)102，如平行于其第一支撐面102t。

電隔離基層302可以完全暴露在至少連接區(qū)314中。如前所述，芯片載體402在連接區(qū)314中的第三厚度314d可以小于以下至少一個：第一厚度104d或第二厚度102t。

如圖4B所示，芯片載體402可以類似于芯片載體300b。在此情況下，至少一個接觸突起部404p可以延伸到由間隔層308中的開口提供的凹部104r中并接觸至少一個接觸墊104c。如圖4C所示，芯片載體402可以類似于芯片載體300c，如圖4D所示，芯片載體402可以類似于芯片載體300d。在此情況下，至少一個接觸突起部404p可以延伸到由電隔離基層302和第一金屬化部304中的開口提供的凹部104r中，其中，至少一個接觸突起部404p可以接觸至少一個接觸墊104c。

圖5A在正視圖或橫截面圖(類似于圖2A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的芯片載體500a?？梢灶愃朴谛酒d體100a、芯片載體300a中的至少一個配置芯片載體500b。

如圖5A所示，至少一個接觸墊104c可以包括兩個接觸墊104c。在可替換的實施例中，至少一個接觸墊104c也可以包括多于兩個接觸墊104c，例如，三，四，五，六，七，八，九，十，多于十(等)個接觸墊104c。

可任選地，芯片載體500a可以包括電路區(qū)504。電路區(qū)504可以至少部分地圍繞芯片支撐區(qū)102和芯片接觸區(qū)104。

第一金屬化部304中的開口304o可以部分圍繞至少一個接觸墊104c。在此情況下，至少一個接觸墊104c包括兩個或多個接觸墊104c，開口304o也可以在兩個或多個接觸墊104c之間延伸(說明性地，將兩個或多個接觸墊104c彼此分離)。至少一個接觸墊104c可以電連接到電路區(qū)504。例如，至少一個接觸墊104c的每一個接觸墊可以由電線514(至少一條電線514)電連接到每一個電路區(qū)504。

芯片載體500a可以包括布置在電路區(qū)504中的一個或多個(至少一個)電路結(jié)構(gòu)504c，例如電連接到至少一條電線514。例如，一個或多個電路結(jié)構(gòu)504c可以包括非接觸式通信電路或由非接觸式通信電路形成，例如包括線圈或由線圈形成。非接觸式通信電路可以被配置為響應(yīng)于通信信號(例如通過磁場傳送的)而生成或修改電信號?？商鎿Q地或另外地，非接觸式接口電路504可以被配置為響應(yīng)于電信號而產(chǎn)生或修改通信信號。電信號可以通過電線514在至少一個接觸墊104c和電路區(qū)504之間傳送。

例如，可以構(gòu)造第一金屬化部304以形成電路結(jié)構(gòu)504c，例如，在第一金屬化部304的第三部分中(參見圖5A)。第一金屬化部304的第三部分可以至少部分地圍繞第一金屬化部304的第二部分。

可任選地，芯片載體500a可以包括分離區(qū)結(jié)構(gòu)508。分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以包括一個或多個溝槽和在分離區(qū)結(jié)構(gòu)508的兩個溝槽之間延伸的連接部。例如，一個或多個溝槽可以至少部分地通過(部分通過或完全通過)芯片載體500a而延伸。分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以至少部分地圍繞芯片支撐區(qū)102。例如，芯片支撐區(qū)102可以由分離區(qū)結(jié)構(gòu)的508的一個或多個連接部連接到電路區(qū)504。分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以被配置為使芯片支撐區(qū)102(相對于電路區(qū)504)位移，以便吸收施加到加工就緒的器件的芯片支撐區(qū)102的機(jī)械負(fù)荷。

例如，可以構(gòu)造第一個金屬化部304(例如包括一個或多個開口)，以提供分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508的一個或多個溝槽?？商鎿Q地或另外地，可以構(gòu)造第二金屬化部306(例如包括一個或多個開口)，以提供分離區(qū)結(jié)構(gòu)的508的一個或多個溝槽。

可任選地，可以構(gòu)造電隔離基層302(例如，包括一個或多個開口)，以提供分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508的一個或多個溝槽，例如如果分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508的一個或多個溝槽延伸通過芯片載體500a?？商鎿Q地或另外地，電隔離基層302可以由分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508露出。

圖5B在正視圖或橫截面圖(類似于圖2A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的芯片載體500b?？梢灶愃朴谛酒d體100b、100c、100d、300b、300c、300d中的任意一個配置芯片載體500b。

如圖5A所示，凹部104r(第一側(cè)上的)可以暴露出至少一個接觸墊104c(例如兩個接觸墊)，及可任選地，芯片載體500b的部分電線514。

圖6A在正視圖或橫截面圖(類似于圖2A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的器件600a。器件600a可以包括芯片載體402和芯片404?？梢灶愃朴诒疚乃龅娜我庖粋€芯片載體來配置芯片載體402，例如芯片載體100a到100d的、芯片載體300a到300d的，芯片載體500a、500b的任意一個。

根據(jù)多個實施例，芯片載體402可以包括在以下的至少之一的至少一個凹部104r：在芯片載體402的第一側(cè)上(其在圖6A中可見)，或在芯片載體402的第二側(cè)上(在圖6A的視圖中被隱藏)。例如，芯片載體402可以包括在芯片載體402的第二側(cè)上的凹部104r，類似于芯片載體100a、300a?？商鎿Q地或者另外地，芯片載體402可以包括在芯片載體402的第一側(cè)上的凹部104r，類似于芯片載體100b到100d和300b到300d(示出為虛線)。

半透明地示出了芯片404以顯示芯片接觸區(qū)104，其至少部分地由芯片404覆蓋?？梢愿鶕?jù)預(yù)定的功能配置芯片404，例如與例如電路結(jié)構(gòu)504c形成于其中的電路區(qū)504一起實施預(yù)定的功能。預(yù)定的功能可以包括以下之一或由以下之一構(gòu)成：非接觸式通信、文檔管理、認(rèn)證、數(shù)據(jù)儲存和應(yīng)用處理。例如，芯片404可以被配置為與例如電路結(jié)構(gòu)504c形成于其中的電路區(qū)504一起實施非接觸式通信。

圖6B在后視圖或橫截面圖(在第二側(cè)上)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的芯片載體600b?？梢灶愃朴诒疚乃龅娜我庖粋€芯片來配置芯片載體600b，例如芯片載體100a到100d的、芯片載體300a到300d的，芯片載體500a、500b、芯片載體402的任意一個。

根據(jù)多個實施例，芯片載體600b可以包括在芯片載體600b的第二側(cè)上的凹部104r?？扇芜x地，芯片載體600b可以包括在芯片載體600b的第一側(cè)上的另外凹部104r(該視圖中被隱藏)。

根據(jù)多個實施例，可以至少在芯片載體600b的第二側(cè)上形成分離區(qū)結(jié)構(gòu)508，如圖6B所示?？扇芜x地，分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以延伸通過芯片載體600b(其表示從第一側(cè)到第二側(cè))。可替換地，另外的分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以形成于芯片載體600b的第一側(cè)上(參見圖5A)。換句話說，分離區(qū)結(jié)構(gòu)508可以形成于芯片載體600b的第一側(cè)或與第一側(cè)相對的芯片載體600b的第二側(cè)中的至少一個上?？商鎿Q地，分離區(qū)結(jié)構(gòu)可以延伸通過芯片載體600b。

類似地，至少一個電路結(jié)構(gòu)504c可以形成于以下的至少一個上：芯片載體600b的露出至少一個接觸墊104c的側(cè)面(例如第一側(cè))；芯片的與至少一個接觸墊104c的暴露出側(cè)面相對的側(cè)面(例如第二側(cè))。

圖7A和圖7B分別示意性例示了根據(jù)多個實施例的器件700a，其中，圖7B在正視圖(類似于圖2A，例如在第一側(cè)上觀看的)中顯示了器件700a，圖7A在橫截面圖701中顯示了器件700a。器件可以包括如前所述的芯片載體402，和芯片404，例如類似于芯片載體的100a、芯片載體300a的至少一個配置的。

根據(jù)多個實施例，芯片載體402至少在連接區(qū)314及可任選的芯片接觸區(qū)104中在其第二側(cè)(與接觸面104s相對)上可以沒有金屬。這可以提供可移位的芯片接觸區(qū)104。

通過將芯片壓在芯片載體上，芯片404的至少一個接觸突起部404p可以物理接觸至少一個接觸墊104c并將機(jī)械負(fù)荷，如力，傳遞到芯片接觸區(qū)104。機(jī)械負(fù)荷可以將芯片接觸區(qū)104移動到它在機(jī)械負(fù)荷被施加到芯片接觸區(qū)104之前所在的參考位置之外。由此可以使芯片接觸區(qū)104移位，并可以使連接區(qū)314變形。

圖8A在橫截面圖中例示了根據(jù)多個實施例的器件800a，例如類似于橫截面圖701中的器件700a。圖8B在橫截面圖中例示了根據(jù)多個實施例的器件800b，例如類似于橫截面圖703中的器件700a。

器件800a、800d可以包括布置在芯片404和芯片載體402之間的粘合層802，例如在芯片404與以下的至少一個之間：芯片接觸區(qū)104、芯片支撐區(qū)102。粘合層802可以被配置為將芯片404粘附到芯片載體402，例如到以下的至少一個：芯片接觸區(qū)104、芯片支撐區(qū)102。在芯片404和芯片支撐區(qū)102之間的粘合層802的層厚度802d可以沿跟隨芯片的周邊404r的路徑(其表示在芯片支撐區(qū)102與芯片404的邊緣之間)基本上是均勻的。換句話說，芯片404和芯片支撐區(qū)102之間的粘合層802的層厚度802d可以沿跟隨芯片的周邊404r的路徑(其表示在芯片支撐區(qū)102與芯片404的邊緣之間)基本上恒定。換句話說，芯片404和芯片支撐區(qū)102之間的粘合層802的層厚度802d可以沿跟隨芯片404的周邊基本上是均勻的?？梢垣@得或者另外地，芯片404和芯片支撐區(qū)102之間的粘合層802的層厚度802d可以沿通過至少一個接觸突起部404p的粘合層802線性路徑(例如沿橫截面7021、橫截面703中的至少一個)基本上是均勻的。線性路徑可以平行于第一支撐面102t。

例如，粘合層802的層厚度802d的相對偏差(例如沿芯片404的周邊、線性路徑中的至少一個)可以小于約50％，例如小于約小于40％，例如小于約30％，例如小于約20％，例如小于約10％，例如小于約5％，如0％(常數(shù))。相對偏差可以理解為相對于其平均(值)的值的偏差。

根據(jù)多個實施例，第一厚度104d和突出高度404d的總和基本上等于第二厚度102t和粘合層802的層厚度802d的總和。在此情況下，第三支撐面104b可以與第二支撐面102b在同一平面上。術(shù)語基本上等于可以理解為基本上彼此相等的兩個值之間的差可以小于一個值的約50％，例如小于約40％，例如小于約30％，例如小于約20％，例如小于約10％，例如小于約5％，例如約0％(相等)。

說明性地，可以提供芯片載體402(襯底)的修改后的芯片接觸區(qū)104(接觸范圍)。略微放大在芯片載體402的第一側(cè)上的芯片接觸區(qū)104中的凹部104r(窗口)(說明性地，襯底的芯片側(cè)的)，在芯片載體402的第二側(cè)(后側(cè))上的芯片接觸區(qū)104中可以布置另外的凹部104r。換句話說，芯片載體402可以包括在第一側(cè)、第二側(cè)的至少一個上的芯片接觸區(qū)104中的開口。

為了將芯片404粘附到芯片載體402上，可以固化粘合層802，例如通過加熱粘合層802(例如，在加壓的同時至少10秒)。粘合層802可以包括粘合材料或由粘合材料形成，例如聚合物粘合劑，例如環(huán)氧粘合劑?？扇芜x地，粘合層802可以包括與間隔層308相同的材料或由與間隔層308相同的材料形成。說明性地，間隔層308和粘接層802可以在兩步驟固化過程中形成。換句話說，在固化間隔層308后，可以形成粘合層802。可以使用印刷(如絲網(wǎng)印刷或油墨印刷)形成粘合層802?？商鎿Q地或另外地，可以使用層壓工藝形成粘合層802?？商鎿Q地或另外地，可以使用光學(xué)處理(例如光刻、光化學(xué))形成粘合層802。

可任選地，粘合劑層802可以包括填料顆粒，例如電絕緣顆粒。填料顆?？梢跃哂袕募s10μm到約50μm的范圍中的，例如從約20μm到約40μm的范圍中的尺寸，例如直徑。

根據(jù)多個實施例，連接區(qū)314的特性(例如其柔軟特性)可以由電隔離基層302(例如以帶的形式提供)結(jié)合凹部104r設(shè)計來限定。根據(jù)多個實施例，可以提供芯片404到芯片載體402的平坦且均勻的粘合。

為了將芯片404粘附到芯片載體402上，可以將芯片404壓在芯片載體402上。將芯片404壓在芯片載體402上可以包括形成在芯片404和芯片支撐區(qū)102之間的粘合材料802的層厚度802d沿跟隨芯片404的周邊404r的路徑基本上是均勻的?？扇芜x地，將芯片404壓在芯片載體402上可以包括將熱能傳遞給粘合材料802用于加熱粘合材料802。通過加熱粘合材料802可以固化它。

可任選地，將芯片壓在芯片載體上(例如，壓力或壓合速度)基于粘合材料的粘度。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上可以基于粘合層802中的填料顆粒的尺寸。例如，可以擺動芯片以導(dǎo)致填料顆粒從至少一個接觸墊104c和至少一個接觸突起部404p之間的區(qū)域去除。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上可以包括通過使芯片載體402變形(例如在其連接區(qū)314中)而使芯片接觸區(qū)104移位(例如，至少一個接觸墊104c)以形成凹部104r(在第一側(cè)上)，在其中可以接收至少一個接觸突起部404p。

可任選地，芯片載體402可以包括電隔離基層，在其上，至少一個接觸墊104c可以形成于例如類似于芯片載體300a的芯片載體402的第一側(cè)上。

可任選地，芯片載體402可以包括電隔離基層302，在其上，第一金屬化部304(例如包括至少一個接觸墊104c)形成于例如類似于芯片載體300a到300d的芯片載體402的第一側(cè)上?？商鎿Q地或者另外地，芯片載體402可以包括電隔離基層，在其上，第二金屬化部306形成于例如類似于芯片載體300a到300d的芯片載體402的第二側(cè)上。

芯片載體402可以包括與至少一個接觸墊104c相對的開口814(參見圖1A)(例如在第二金屬化部306中，例如類似于圖3A)。例如，電隔離基層302可以由開口814露出。例如，芯片接觸區(qū)104在第二側(cè)上可以沒有金屬?？扇芜x地，連接區(qū)314在第一側(cè)和第二側(cè)上可以沒有金屬。

圖9A在橫截面圖(類似于圖8A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件900a。圖9B在橫截面圖(類似于圖8A)中示意性例示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件900b。如前所述，芯片載體402在其芯片接觸區(qū)104中可以包括在芯片載體402的第一側(cè)上的凹部104r。

例如，襯底載體402可以包括用于至少一個接觸墊104c的每一個接觸墊的一個凹部114r，例如兩個凹部114r，如圖9A和9B中所示，或多于兩個凹部114r。

可任選地，芯片載體402可以包括電隔離基層，在其上，至少一個接觸墊104c形成于芯片載體402的第二側(cè)上，如圖8A和8B所示，例如類似于芯片載體300b到300d(例如參見圖3C和圖3D)。

可任選地，芯片載體402可以包括電隔離基層，在其上，第一金屬化部形成于芯片載體402的第一側(cè)上，例如類似于芯片載體300a到300d?？商鎿Q地或者另外地，芯片載體402可以包括電隔離基層，在其上，第二金屬化部(例如包括至少一個接觸墊104c)形成于芯片載體402的第二側(cè)上，例如類似芯片載體300a到300d。

根據(jù)多個實施例，在芯片接觸區(qū)104中對電隔離基層302進(jìn)行開口，以在芯片載體300c和300d中提供凹部104r，如圖8A所示，例如類似于圖3C和圖3D。在此情況下，至少一個接觸墊104c是布置在凹部104r中(參見圖1B)或者至少部分由凹部104r露出(參見圖1C和圖1D)中的至少一個。

說明性地，芯片載體402基材包括在芯片接觸區(qū)104中的至少一個凹部114r(端子孔)。至少一個凹部114r(換句話說，一個或多個凹部114r)可以接收至少一個接觸突起部404p(如凸點)，使得至少一個接觸墊104c可以物理接觸至少一個接觸墊104c(例如其接觸面104s)。例如，至少一個接觸墊104c可以布置在與芯片404相對的一側(cè)上，如圖9A所示，其中，至少有一個接觸突起部404p接觸至少一個接觸墊104c的內(nèi)側(cè)。例如，接觸墊104c可以由第二金屬化部提供，其與芯片404相對地布置(說明性地，芯片載體402的后側(cè)金屬)，例如參見圖3C和圖3D。

另一方面，形成露出至少一個接觸墊104c的內(nèi)側(cè)的凹部104r(參見圖9A)可能需要比圖8A中所示的芯片載體402更多的處理步驟。另一方面，與圖8A中所示的芯片載體402相比，可以提供較深的凹部104r以露出至少一個接觸墊104c的內(nèi)側(cè)(參見圖9A)。因此，可以接收更大的突出高度。

可替換地或者另外地，間隔層308(例如，在襯底載體402的芯片側(cè)上的阻焊層)，例如阻焊遮罩，可以布置于芯片載體402的第一側(cè)(芯片側(cè))上。說明性地，間隔層308可以提供均勻的平面用于貼附芯片404。

至少一個接觸突起部404p延伸到由間隔層308提供的至少一個凹部104r中。第二部分104可以布置(例如接觸)在芯片載體402的第一側(cè)金屬化部(也稱為第一金屬化部)上。

另一方面，形成間隔層308可能需要比圖8A中所示的芯片載體402更多的處理步驟。另一方面，與圖8A中所示的芯片載體402相比，可以由間隔層308提供較深的凹部104r(參見圖9B)?？扇芜x地，

間隔層308的厚度308d(至少在芯片支撐區(qū)102中)可以適用于各種芯片404設(shè)計，例如各種突出高度。換句話說，至少一個凹部104r的深度可以按照某個芯片404設(shè)計的凸出高度借助間隔層308的厚度308d調(diào)整。

例如，與圖8A中所示的芯片載體402相比，使用間隔層308可以接收更大的突出高度?？商鎿Q地，與圖8A中所示的芯片載體402相比，使用間隔層308也可以接收更小的突出高度。間隔層308可以減少在芯片404和芯片載體402之間的熱耦合，其可能會影響包括高功率元件(如功率器件)的芯片404的性能(如熱性能)。

為了增加芯片404和芯片載體402之間的熱耦合，間隔層308可以包括導(dǎo)熱間隔顆粒(例如導(dǎo)電的或電絕緣的)，例如間隔顆粒包括碳或由碳形成。

圖10A和圖10B分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的器件。

方法可以包括在1000a中提供芯片載體402?？梢匀绫疚乃龅嘏渲眯酒d體402，例如包括減薄的芯片接觸區(qū)，使得芯片載體在至少一個接觸墊的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。方法可以進(jìn)一步包括在1000a中在芯片載體402中布置包括至少一個接觸突起部404p的芯片404，使至少一個接觸突起部404p布置在芯片接觸區(qū)104上(例如芯片載體402的至少一個接觸墊上)。

方法可以包括在1000b中將芯片404壓在芯片載體402上(也稱為加壓過程)，以使得至少一個接觸突起部404p移入芯片載體402中，例如進(jìn)入其芯片接觸區(qū)104中，例如進(jìn)入在其中提供或形成的凹部中。換句話說，通過將芯片404壓在芯片載體402上，至少一個接觸突起部404p可以至少部分延伸到芯片載體402中，例如進(jìn)入其芯片接觸區(qū)104中，例如進(jìn)入在其中提供或形成的凹部中。通過將芯片404壓在芯片載體402上，至少一個接觸突起部404p可以物理接觸或電連接到至少一個接觸墊104c中的至少一個。

方法可以可任選地包括在芯片404和芯片載體402(例如其芯片支撐區(qū))之間布置粘合材料(未示出)，其中，粘合材料被配置為將芯片404粘附在芯片支撐區(qū)。可以配置按壓，使得粘合材料在芯片404和芯片載體402(例如至少在其芯片支撐區(qū)中)之間形成粘合層?？梢赃M(jìn)一步配置按壓，使得在芯片404和芯片載體402(例如其芯片支撐區(qū))之間的粘性材料的層厚度(說明性地，粘合層的厚度)沿以下至少之一基本上是均勻的：跟隨芯片的周邊404r的路徑，通過至少一個接觸突起部404p的線性路徑(說明性地，提供均勻的膠高度)。換句話說，芯片404可以基本上平行于芯片支撐區(qū)102而設(shè)置。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上基于以下至少一個：第一厚度和第二厚度之間的差；接觸突起部的突出高度。換句話說，按壓芯片404可以被配置為基于以下至少一個調(diào)整粘合層的層厚度(換句話說，芯片404與第一支撐面的距離)：第一厚度和第二厚度之間的差；接觸突起部的突出高度，例如，使得第一厚度和突出高度的總和基本上等于第二厚度和粘合層的厚度的總和。

例如，將芯片404壓在芯片載體402上可以基于凹部的深度(在第一側(cè)、第二側(cè)的至少一個上)和突出高度。凹部的深度和突出高度的差可以限定粘合層的預(yù)期厚度。將芯片404壓在芯片載體402上可以基于粘合層的預(yù)期厚度。例如，當(dāng)粘合劑層的當(dāng)前厚度基本上等于粘合層的預(yù)期厚度時，可以停止將芯片404壓在芯片載體402上。突出高度可以在從約25μm到約35μm的范圍中。凹部的深度可以在從約10μm到約50μm的范圍中，例如在從約20μm到約40μm的范圍中。

可替換地或者另外地，形成至少一個接觸突起部404p可以基于以下至少一個：凹部的深度(在第一側(cè)、第二側(cè)的至少一個上)和粘合層的預(yù)定厚度。粘合層的預(yù)定厚度可以由粘合材料的物理特性(如粘度、填料顆粒等)限定。例如，在凹部的深度和預(yù)定厚度之間的差可以限定預(yù)期突出高度。例如，形成至少一個接觸突起部可以包括形成與預(yù)期突出高度基本上相等的至少一個接觸突起部的突起高度。例如，預(yù)期突出高度可以在從約25μm到約35μm的范圍中。預(yù)定厚度可以在從約1μm到約20μm的范圍中，例如在從約5μm到約10μm的范圍中。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上包括將壓力傳遞到芯片404上，其中，壓力基于第一厚度和第二厚度之間的差。例如，壓力可以被配置為調(diào)整粘合層的層厚度(換句話說，芯片404與第一支撐面的距離)，以使得第一厚度和突起高度的總和基本上等于第二厚度和粘合層的層厚度的總和。

可任選地，提供芯片載片402包括在第一支撐元件1002上布置芯片載體402。第一支撐元件1002可以包括平面表面，在其上布置芯片載體402，例如與第一支撐元件1002的平面表面接觸。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上包括將第二支撐元件1004應(yīng)用到芯片404上，用于將壓力傳遞到芯片404上。例如，芯片404和芯片載體402可以布置在第一支撐元件1002和第二支撐元件1004之間。為了將芯片404壓在芯片載體402上，可以減少第一支撐元件1002和第二支撐元件1004之間的距離，直到第二支撐元件1004與芯片404物理接觸。因此，第二支撐元件1004可以包括與芯片404物理接觸的平面表面。為了將芯片404壓在芯片載體1002上，第一支撐元件1002和第二支撐元件1004可以將壓力傳遞給芯片404和芯片載體402。

根據(jù)多個實施例，將芯片404壓在芯片載體402上包括將芯片設(shè)置為基本上平行于芯片載體402的芯片支撐區(qū)102，例如平行于第一支撐面。換句話說，從芯片404到芯片支撐區(qū)102的距離(說明性地，間隙)可以沿以下至少之一是均勻的：跟隨芯片的周邊404r的路徑，通過至少一個接觸突起部404p的線性路徑(說明性地，提供統(tǒng)一的間隙高度)。

這可以通過將第一支撐面平行于第一支撐元件1002的平面表面而設(shè)置并將芯片404(例如，它朝向芯片載體402的表面)也平行于第二支撐元件1002的平面表面而設(shè)置來實現(xiàn)。這可以通過另外將第一支撐元件1002的平面表面平行于第二支撐元件1004的平面表面而設(shè)置來實現(xiàn)。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上包括將熱能傳遞給芯片404或芯片載體402中的至少一個，用于將熱能傳遞給位于間隙中的粘合材料(用于加熱粘合材料)。這可以實現(xiàn)固化粘合材料(也稱為固化過程)。傳遞熱能可以包括加熱第一支撐元件1002或第二支撐元件1004的至少一個。因此，第一支撐元件1002或第二支撐元件1004的至少一個可以被配置為產(chǎn)生熱能(說明性地，第一支撐元件1002或第二支撐元件1004的至少一個可以被配置為熱電極)。第一支撐元件1002或第二支撐元件1004的至少一個可以是固化站的部分。

粘合材料可以是非導(dǎo)電粘合材料(絕緣粘合材料)或?qū)щ娬澈喜牧?，例如各向異性?dǎo)電粘合材料(例如，包括導(dǎo)電填料顆粒)中的至少一個。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上(例如，壓力或壓合速度的至少一個)基于粘合材料的粘度。粘合材料的粘度越大，以下的至少一個越?。簤毫驂汉纤俣?。

在襯底載體402包括連接區(qū)314的情況下，在(粘合層的)加壓過程或固化過程中的至少一個可以包括使襯底載體402在連接區(qū)(接觸范圍窗口區(qū)域)中定向朝向芯片載體402的第二側(cè)變形(例如彎曲)，以使得第三支撐面(如由電隔離基層302提供的)與第一支撐元件1002(說明性地，后側(cè)熱電極)物理接觸。

當(dāng)固化粘合層(如其粘合材料，例如是膠料)時(說明性地，在固化過程后)，芯片404和芯片載體402可以在其彼此的相對位置固定。換句話說，芯片/芯片載體布置固定在由第二支撐元件1004與第一支撐元件1002的距離限定的位置上。說明性地，到芯片404的大部分或基本上全部彎曲應(yīng)力(如在橫截面方向701或在橫截面方向703中的至少一個上)可以借助這個過程避免。

根據(jù)多個實施例，凸出高度可以是與在芯片載體芯片側(cè)和背側(cè)上的金屬厚度(第二金屬化部的厚度)有關(guān)的接觸凸塊高度的適當(dāng)選擇的結(jié)果，例如芯片可以如圖4A所示地布置在襯底上。在縱向上(參見圖7B，線701)及在橫向上(參見圖7B，線703)借助均勻的膠高度將芯片粘到至少一個接觸墊(至少一個晶片墊)上。此外，借助這個布置可以避免橫向上的彎曲應(yīng)力。

例如，通過從芯片載體402的第一側(cè)和第二側(cè)以熱的熱電極1002、1004按壓芯片404和芯片載體402，在最后的粘合材料(說明性地，膠)固化步驟中可以永久結(jié)合該復(fù)合物。粘合材料固化并將芯片404固定在芯片載體402上，而至少一個接觸突起部404p實現(xiàn)在芯片404和芯片載體402之間的電接觸(說明性地，是按壓接觸)。

可任選地，將芯片404壓在芯片載體402上可以包括減小粘合材料的層厚度。例如，在按壓前(在前)的層厚度可以在從約10μm到約50μm的范圍中，例如從約20μm到約40μm的范圍中。例如，在按壓后的層厚度可以在從約1μm到約20μm的范圍中，例如從約5μm到約10μm的范圍中。例如，將芯片404壓在芯片載體402上可以包括將粘合材料的層厚度減小至少約50％。

根據(jù)多個實施例，該方法可以用于同時形成多于一個器件的批量加工，例如大于或等于8個器件，大于或等于16個器件，例如大于或等于32個器件。

圖11A到圖11D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體。

說明性地，為了形成芯片載體，在將第一金屬化部304或第二金屬化部306(后側(cè)金屬)中的至少一個層疊在電隔離基層302上之前可以形成開口(稍后提供一個或多個凹部104r)。例如，可以配置開口以使得在第二側(cè)上的芯片接觸區(qū)104沒有金屬，例如為了接收至少一個接觸突起部。這可以避免與凸出高度相關(guān)的損害變形，例如在器件的器件(模塊)穩(wěn)定性和熱性能方面。

方法可以包括在1100a中提供電隔離基層302。方法可以包括在1100b中形成通過電隔離基層302的開口1102。形成通過電隔離基層302的開口1102可以包括沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個或由沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個形成。

方法可以包括在1100c中在電隔離基層302的背側(cè)(也稱為第二側(cè))上層疊(貼附)背側(cè)金屬化部306(也稱為第二金屬化部306)。層疊(貼附)背側(cè)金屬化部306可以包括覆蓋在背側(cè)上的開口1102。方法可以包括在1100d中在電隔離基層302的前側(cè)(也稱為第一側(cè))上層疊(貼附)前側(cè)金屬化部304(也稱為第一金屬化部304)。在前側(cè)金屬化部304中可以進(jìn)一步形成開口1104。在前側(cè)金屬化部304中形成開口1104可以包括沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個或由沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個形成。

根據(jù)多個實施例，在將前側(cè)金屬化部304層疊到電隔離基層302之前，可以在前側(cè)金屬化部304中形成另外的開口1104。在此情況下，可以配置層疊前側(cè)金屬化部304，以使得另外的開口1104布置在開口1102上。

可替換地，在將前側(cè)金屬化部304層疊到電隔離基層302之后，可以形成另外的開口1104。在此情況下，形成另外的開口1104可以包括在開口1102上形成另外的開口1104。開口1102和另外的開口1104可以提供凹部104r，用于接收至少一個接觸突起部。

根據(jù)多個實施例，類似地可以按照該方法形成至少一個另外的凹部。

可任選地，方法可以包括形成至少一個接觸墊，其中至少一個接觸墊由凹部104r露出或布置在凹部104r中。

圖12A到圖12D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體。

方法可以包括在1200a中提供電隔離基層302。方法可以進(jìn)一步包括在1200b中在電隔離基層302的前側(cè)上層疊第一金屬化部304。

方法可以進(jìn)一步包括在1200c中構(gòu)造第一金屬化部304以形成至少一個接觸墊104c。構(gòu)造第一金屬化部304可以包括形成通過第一金屬化部304的開口304e，其中，開口304e可以部分圍繞至少一個接觸墊104c。換句話說，形成至少一個接觸墊104c包括在芯片接觸區(qū)中形成金屬化部層304(也稱為第一金屬化部304)和構(gòu)造金屬化部層304。構(gòu)造第一金屬化部304可以包括使用在掩模(例如光刻)、蝕刻工藝、激光燒蝕中的至少一個。構(gòu)造第一金屬化部304可以包括在第一金屬化部304上(例如在形成開口304e后)形成一個或多個另外的層，例如使用電鍍(例如使用電工藝)。一個或多個另外的層可以包括金屬或由金屬形成，例如鎳或銅的至少一個。

方法可以進(jìn)一步包括在1200d中在電隔離基層302的第二側(cè)上層疊第二金屬化部306。可以在第二金屬化部306形成開口1204。形成開口1204可以包括沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個或由沖孔、蝕刻、激光燒蝕中的至少一個形成。

根據(jù)多個實施例，在將第二金屬化部306層疊到電隔離基層302之前，可以形成開口1204。在此情況下，可以配置層疊第二金屬化部306，以使得開口1204布置在第二側(cè)上的至少一個接觸墊104c上。

可替換地，在將第二金屬化部306層疊到電隔離基層302之后，可以形成開口1204。在此情況下，形成開口1204可以包括在第二側(cè)上的至少一個接觸墊104c上形成開口1204。開口1204可以提供凹部104r，用于接收至少一個接觸突起部。

圖13A和圖13B分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體。

方法可以包括在1300a中在類似于1200c(參見圖1200b)的處理階段中提供芯片載體。方法可以進(jìn)一步包括在1300a中將第二金屬化部306層疊到電隔離基層302的第二側(cè)上?？扇芜x地，類似于1200d，可以在第二金屬化部306中形成開口(未示出)。方法可以進(jìn)一步包括在1300b中在第一金屬化部304上形成間隔層308。在間隔層308中例如使用掩模可以形成開口1302。開口1302可以至少部分地(部分或完全)露出至少一個接觸墊104c。例如如果類似于1200d，在第二金屬化部306中形成開口，開口1302可以露出在第一金屬化部304中的開口304e。換句話說，可以結(jié)合連接區(qū)314使用間隔層308。

可任選地，方法可以包括在1300b中根據(jù)要在芯片載體上接收的芯片的突出高度調(diào)整間隔層308的厚度308d。

形成間隔層308可以包括形成間隔層308的平面表面，用于提供第一支撐面102t。

開口1302可以提供凹部104r，用于接收至少一個接觸突起部404p。換句話說，該方法可以包括對間隔層308進(jìn)行開口，以提供凹部104r。

圖13C和圖13D分別在橫截面圖中示意性顯示了根據(jù)多個實施例的方法中的根據(jù)多個實施例的芯片載體，例如除了本文所述的一個方法以外的，例如除了如前所述的方法1100a到1100d、方法1200a到1200d、方法1300a到1300b中的至少一個以外的。

方法可以包括在1300c中通過構(gòu)造第一金屬化部304而形成電路結(jié)構(gòu)504c?？商鎿Q地或者另外地，方法可以包括在1300c中通過構(gòu)造第一金屬化部304而形成分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508。分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以可任選地至少通過第一金屬化部304延伸。

可任選地，形成分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以包括構(gòu)造電隔離基層302。換句話說，分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以可任選地至少通過電隔離基層302延伸。

在另外的或可替換地步驟中，方法可以包括在1300d中通過構(gòu)造第二金屬化部306而形成電路結(jié)構(gòu)504c?？商鎿Q地或者另外地，方法可以包括在1300c中通過構(gòu)造第二金屬化部306而形成分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508。分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以可任選地至少通過第二金屬化部306延伸。

可任選地，形成分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以包括構(gòu)造電隔離基層302。換句話說，分隔區(qū)結(jié)構(gòu)508可以可任選地至少通過電隔離基層302延伸。

圖14在示意性流程圖中顯示了根據(jù)多個實施例的方法1400。

方法1400可以包括在1402中在芯片載體的芯片接觸區(qū)中形成至少一個接觸墊，用于電接觸芯片。方法1400可以進(jìn)一步包括在1404中形成被配置為支撐芯片的芯片支撐區(qū)。方法1400可以進(jìn)一步包括在1406中局部減薄芯片接觸區(qū)，以使得芯片載體在至少一個接觸墊的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)包括在芯片載體中形成與至少一個接觸墊相對的凹部(參見例如步驟1200d，參見例如圖1A、圖3A)。

可替換地或者另外地，減薄芯片接觸區(qū)包括在芯片載體中形成凹部，其中，至少一個接觸墊是在凹部中形成或者至少部分地由凹部露出中的至少一個(參見例如步驟1300b，參見步驟1100d，參見圖1B到圖1D，參見圖3B到圖3D)。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)可以包括在以下至少一個中形成凹部：芯片載體的基層(參見步驟1100c)、芯片載體的金屬化部(參見步驟1100d，慘步驟1200d)。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)可以包括蝕刻芯片載體。

根據(jù)多個實施例，蝕刻(或蝕刻過程)可以包括干法蝕刻、等離子體蝕刻、濕法蝕刻、離子蝕刻中的至少一種?？扇芜x地，蝕刻可以包括使用掩模，如光掩模。

可替換地，減薄芯片接觸區(qū)可以包括在將芯片布置在芯片載體上之前使芯片載體塑性變形。例如，變形芯片載體可以包括使芯片接觸區(qū)104中的引線框平坦化(例如，至從50μm到約30μm)?？商鎿Q地或者另外地，變形芯片載體包括在芯片接觸區(qū)104中模壓引線框。

根據(jù)多個實施例，形成至少一個接觸墊包括對芯片載體進(jìn)行沖孔，例如，如果芯片載體包括引線框或由引線框形成。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)包括在芯片載體的基層中形成開口(參見步驟1100b)。

根據(jù)多個實施例，方法可以進(jìn)一步包括在芯片接觸區(qū)中形成覆蓋基層的開口以便提供芯片載體的凹部的金屬化部層(參見步驟1100c)。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)可以包括形成與至少一個接觸墊相對的第二金屬化部，及對第二金屬化部進(jìn)行局部開口以形成凹部(參見步驟1200d)。

根據(jù)多個實施例，使芯片接觸區(qū)中的第二金屬化部開口以在芯片載體中提供凹部可以包括暴露出至少一個接觸墊。可替換地或者另外地，方法可以包括將至少一個接觸墊布置在凹部中。

根據(jù)多個實施例，芯片載體可以包括箔或由箔形成，例如箔可以包括疊層物或由疊層物形成。疊層物可以包括至少一個基層和至少一個金屬化部層或由至少一個基層和至少一個金屬化部層形成。例如，疊層物可以包括電隔離基層、第一金屬化部和第二金屬化部或由電隔離基層、第一金屬化部和第二金屬化部形成。

根據(jù)多個實施例，方法可以包括提供芯片載體；在芯片載體的芯片接觸區(qū)中形成至少一個接觸墊，用于電接觸芯片；及局部減薄芯片接觸區(qū)(換句話說，減薄在芯片接觸區(qū)中的芯片載體)，以使得芯片載體在至少一個接觸墊的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。芯片載體可以至少包括基層(例如電隔離基層)和金屬化部或至少由基層和金屬化部而形成，其中，金屬化部可以包括至少第一金屬化部(在第一側(cè)上)和第二金屬化部(在與第一側(cè)相對的第二側(cè)上)中的至少一個或由第一金屬化部和第二金屬化部中的至少一個形成。可以提供具有基層和第一金屬化部和第二金屬化部中的至少一個的芯片載體，例如作為預(yù)制品。

(局部)減薄芯片接觸區(qū)可以包括對芯片載體進(jìn)行開口以形成以下至少一個：與至少一個接觸墊相對的凹部(參見例如圖12D)，部分圍繞至少一個接觸墊的開口(參見例如圖12D或圖13A)，露出至少一個接觸墊的凹部(參見例如圖11D或圖13B)。露出至少一個接觸墊的凹部可以延伸通過第一金屬化部和基層(參見例如圖11D)?？商鎿Q地或者另外地，露出至少一個接觸墊的凹部可以延伸通過間隔層(參見例如圖13B)。與至少一個接觸墊相對的凹部可以延伸通過第一金屬化部(參見例如圖12D)。部分圍繞至少一個接觸墊的開口可以延伸通過第一金屬化部(參見例如圖12D、圖13B、圖4C)。使芯片載體開口可以包括使以下中的至少一個開口或構(gòu)造以下中的至少一個：第一金屬化部、第二金屬化部、基層。

可任選地，方法可以包括至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄芯片載體，例如完整的芯片載體，例如在減薄芯片接觸區(qū)(自身)之前。換句話說，方法可以包括兩步驟的減薄過程，包括第一減薄步驟，其中，至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄半導(dǎo)體載體，及第二減薄步驟，其中在芯片接觸區(qū)中減薄半導(dǎo)體載體，但不減薄芯片支撐區(qū)。

至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄芯片載體可以限定第二厚度。例如，至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄芯片載體可以包括減薄第一金屬化部或第二金屬化部的至少一個。至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄芯片載體可以有利于減薄芯片接觸區(qū)(在第二過程步驟中)，例如對芯片載體進(jìn)行開口。

在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中的至少一個中減薄芯片載體(換句話說，至少在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)中減薄芯片載體，或者在芯片接觸區(qū)中減薄芯片載體)可以包括蝕刻芯片載體、利用激光燒蝕芯片載體中的至少一個。

根據(jù)多個實施例，減薄芯片接觸區(qū)(例如通過使芯片載體開口)可以包括使用光刻工藝。例如，光刻工藝包括在芯片載體上(例如在第一側(cè)上和第二側(cè)上的至少一個)形成掩模結(jié)構(gòu)(例如，包括延伸通過層的一個或多個開口的層)。掩模結(jié)構(gòu)可以包括抗蝕劑或由抗蝕劑形成，例如光致抗蝕劑。可替換地或者另外地，光刻工藝可能包括照射掩膜結(jié)構(gòu)(如將掩模結(jié)構(gòu)暴露于光)?？商鎿Q地或者另外地，光刻工藝可以包括蝕刻芯片載體(例如在第一金屬化部和第二金屬化部中的至少一個)，例如使用掩模結(jié)構(gòu)，以使芯片載體開口。

根據(jù)多個實施例中，一種方法(參見例如圖11D，圖12D，圖13B，圖13C，圖13D)可以包括可任選的步驟：在芯片載體上形成一個或多個金屬層(例如一個或多個電沉積金屬層)，例如在減薄芯片載體后(例如在芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)的至少一個中)，例如在減薄芯片接觸區(qū)后。一個或多個金屬層可以包括以下至少一個：包括鎳或由鎳形成的層，包括金、鈀的至少一個或由金、鈀的至少一個形成的層，包括銅或由銅形成的層。

一個或多個金屬層或一個或多個金屬層的至少一個金屬層的厚度可以在從約1nm到約1μm的范圍內(nèi)，例如在從約10nm到約100nm的范圍內(nèi)，例如約20nm。例如，形成一個或多個金屬層可以包括使用電鍍。

此外，以下將說明多種實施例。

1、一種芯片載體，包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

其中，在芯片接觸區(qū)中減薄芯片載體，以使得芯片載體在所述至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。

2、根據(jù)實施例1的芯片載體，

其中，所述至少一個接觸墊限定了芯片被物理接觸的接觸面；

其中，芯片支撐區(qū)限定了在芯片被接收時，用于支撐芯片的第一支撐面和用于支撐芯片支撐區(qū)的第二支撐面；并且

其中，芯片接觸區(qū)限定了在芯片被接收時，用于支撐芯片接觸區(qū)的第三支撐面。

3、根據(jù)實施例2的芯片載體，

其中，接觸面或第三支撐面中的至少一個布置在第一支撐面與第二支撐面之間，以使得在接觸面與第三支撐面之間的距離小于在第一支撐面與第二支撐面之間的距離。

4、根據(jù)實施例2或3的芯片載體，

其中，所述第二支撐面基本上平行于所述接觸面、所述第三支撐面和所述第一支撐面中的至少一個。

5、根據(jù)實施例2至4之一的芯片載體，

其中，在接觸面與第三支撐面之間的距離限定了第一厚度。

6、根據(jù)實施例2至5之一的芯片載體，

其中，在第一支撐面與第二支撐面之間的距離限定了第二厚度。

7、根據(jù)實施例2至6之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

其中，接觸面或第三支撐面中的至少一個布置在第一支撐面與第二支撐面之間，以使得在接觸面與第三支撐面之間的距離小于在第一支撐面與第二支撐面之間的距離。

8、根據(jù)實施例2至7之一的芯片載體，

其中，接觸面和第一支撐面、或者第二支撐面和第三支撐面中的至少一對是共面的。

9、根據(jù)實施例1至8之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

在芯片接觸區(qū)中與至少一個接觸墊交疊的凹部。

10、根據(jù)實施例9的芯片載體，

其中，至少一個接觸墊被配置為：

布置在凹部中和/或由所述凹部至少部分地暴露出；或者

被布置為與凹部相對。

11、根據(jù)實施例9或10的芯片載體，

其中，所述芯片載體被配置為如果所述至少一個接觸墊布置在所述凹部中或由凹部暴露出，則在所述芯片載體的形成凹部的一側(cè)上接收所述芯片。

12、根據(jù)實施例9或10的芯片載體，

其中，所述芯片載體被配置為如果至少一個接觸墊被布置為與凹部相對，則在芯片載體的與凹部相對的一側(cè)上接收所述芯片。

13、根據(jù)實施例1至12之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

分隔區(qū)結(jié)構(gòu)，至少部分地圍繞芯片支撐區(qū)，以使得芯片支撐區(qū)能夠響應(yīng)于一機(jī)械負(fù)荷而被移位。

14、根據(jù)實施例13的芯片載體，

其中，所述分隔區(qū)結(jié)構(gòu)被形成在所述芯片載體的第一側(cè)上和/或被形成在所述芯片載體的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)上；或

其中，所述分隔區(qū)結(jié)構(gòu)延伸穿過所述芯片載體。

15、根據(jù)實施例1至14之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

電連接到至少一個接觸墊的至少一個電路結(jié)構(gòu)構(gòu)。

16、根據(jù)實施例15的芯片載體，

其中，所述至少一個電路結(jié)構(gòu)形成于以下的至少一個上：

芯片載體暴露出至少一個接觸墊的一側(cè)；或

芯片的與至少一個接觸墊的露出側(cè)相對的一側(cè)。

17、根據(jù)實施例1至16之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

第一金屬化部，構(gòu)造所述第一金屬化部以形成至少一個接觸墊。

18、根據(jù)實施例17的芯片載體，

其中，構(gòu)造所述第一金屬化部以形成以下的至少一個：

電路結(jié)構(gòu)；

分隔區(qū)結(jié)構(gòu)。

19、根據(jù)實施例1至18之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

與至少一個接觸墊相對的第二金屬化部。

20、根據(jù)實施例19的芯片載體，

其中，構(gòu)造所述第二金屬化部以形成以下的至少一個：

電路結(jié)構(gòu)；

分隔區(qū)結(jié)構(gòu)。

21、根據(jù)實施例19或20的芯片載體，

其中，在芯片接觸區(qū)中使第二金屬化部開口，以在芯片載體中提供一凹部，其中，至少一個接觸墊被配置為：

布置為與凹部相對；或

由凹部暴露出。

22、根據(jù)實施例1至21之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

芯片接觸區(qū)中的溝槽，其中，所述溝槽部分地圍繞至少一個接觸墊。

23、根據(jù)實施例1至22之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

電隔離基層，在所述電隔離基層之上形成以下的至少一個：

位于芯片載體的第一側(cè)上的至少一個接觸墊；

位于芯片載體的第一側(cè)上的第一金屬化部；

位于芯片載體的第二側(cè)上的第二金屬化部。

24、根據(jù)實施例23的芯片載體，

其中，所述基層在芯片接觸區(qū)中被開口，以在芯片載體中提供一凹部；其中，至少一個接觸墊被配置為布置在凹部中和/或至少部分地由凹部暴露出。

25、根據(jù)實施例23的芯片載體，

凹部與至少一個接觸墊相對，其中，所述基層由凹部暴露出。

26、根據(jù)實施例13或14之一以及實施例23至25之一的芯片載體，

其中，所述基層由分隔區(qū)結(jié)構(gòu)暴露出。

27、根據(jù)實施例22以及實施例第23至25之一的芯片載體，

其中，所述分隔體區(qū)延伸穿過所述基層。

28、根據(jù)實施例22以及實施例23至25之一的芯片載體，

其中，所述基層由所述溝槽暴露出。

29、根據(jù)實施例23至28之一的芯片載體，

其中，所述基層包括聚合物。

30、根據(jù)實施例23至29之一的芯片載體，

其中，所述基層包括彈性體、熱塑性塑料中的至少一個。

31、根據(jù)實施例23至30之一的芯片載體，

其中，所述基層是箔。

32、根據(jù)實施例1至31之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

至少在芯片支撐區(qū)中的電隔離間隔層，用于在間隔層之上安裝芯片，其中，使間隔層開口以在芯片載體中提供凹部，其中，至少一個接觸墊被配置為布置在所述凹部中和/或至少部分地由所述凹部暴露出。

33、根據(jù)實施例32的芯片載體，

其中，所述間隔層包括限定第一支撐面。

34、根據(jù)實施例32或33的芯片載體，

其中，間隔層共形地或非共形地形成于芯片接觸區(qū)和芯片支撐區(qū)的至少一個上方。

35、根據(jù)實施例32至34之一的芯片載體，

其中，間隔層部分覆蓋至少一個接觸墊。

36、根據(jù)實施例32至35之一的芯片載體，

其中，間隔層包括阻焊材料。

37、根據(jù)實施例32至36之一的芯片載體，

其中，間隔層包括聚合物。

38、根據(jù)實施例32至37之一的芯片載體，

其中，間隔層包括樹脂。

39、根據(jù)實施例32至38之一的芯片載體，

其中，間隔層包括粘合劑。

40、根據(jù)實施例32至39之一的芯片載體，

其中，間隔層包括氧化物材料。

41、根據(jù)實施例32至39之一的芯片載體，

其中，間隔層包括間隔物顆粒。

42、根據(jù)實施例1至41之一的芯片載體，

其中，所述至少一個接觸墊包括至少兩個接觸墊。

43、根據(jù)實施例1至42之一的芯片載體，

其中，所述至少兩個接觸墊響應(yīng)于來自以下至少一個的機(jī)械負(fù)荷而被移位：彼此；芯片支撐區(qū)。

44、根據(jù)實施例1至43之一的芯片載體，進(jìn)一步包括以下至少一個：

疊層物，所述疊層物包括以下中的至少一個：

電隔離基層；

第一金屬化部，在芯片載體的第一側(cè)上的基層上方；

第二金屬化部，在芯片載體的第二側(cè)上的基層上方；或

引線框。

45、一種器件，包括：

芯片載體，所述芯片載體包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

其中，在芯片接觸區(qū)中減薄芯片載體，以使得芯片載體在所述至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度；及

芯片，所述芯片包括：

至少一個接觸突起部；

其中，所述芯片被接收在所述芯片載體之上，以使得所述至少一個接觸突起部至少部分地延伸到所述芯片接觸區(qū)中，并由所述至少一個接觸墊電接觸。

46、根據(jù)實施例45的器件，

其中，所述至少一個接觸突起部包括突出高度；

其中，在第一厚度和第二厚度之間的差小于所述突出高度。

47、根據(jù)實施例45或46的器件，

布置在芯片和芯片載體之間的粘合材料，被配置為將芯片粘附到芯片支撐區(qū)，其中，粘合材料的在芯片和芯片支撐區(qū)之間的層厚度沿遵循芯片的周邊的路徑基本上是均勻的。

48、根據(jù)實施例46和47的器件，

其中，第一厚度和突出高度的總和基本上等于第二厚度和粘合層的層厚度的總和。

49、根據(jù)實施例45至48之一的器件，

其中，使得芯片載體變形，以便在芯片接觸區(qū)(例如在第一側(cè)上)中形成凹部；并且

其中，芯片的至少一個接觸突起部至少部分地延伸到凹部中，以使得芯片被設(shè)置為基本上平行于芯片支撐區(qū)。

50、根據(jù)實施例45至48之一的器件，

其中，所述至少一個接觸墊布置在所述芯片載體的凹部中或由所述芯片載體的凹部暴露出；并且

其中，所述芯片的至少一個接觸突起部至少部分地延伸到凹部中，以使得芯片被設(shè)置為基本上平行于芯片支撐區(qū)。

51、根據(jù)實施例46至50之一的器件，

其中，所述芯片載體被進(jìn)一步被配置為根據(jù)實施例2至44之一的芯片載體。

52、一種方法，包括：

提供芯片載體，所述芯片載體包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

其中，在芯片接觸區(qū)中減薄所述芯片載體，以使得芯片載體在至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度；

將包括至少一個接觸突起部的芯片布置在所述芯片載體之上，以使得至少一個接觸突起部布置在所述至少一個接觸墊之上；

將芯片壓在所述芯片載體上，以使得至少一個接觸突起部至少部分地延伸到芯片接觸區(qū)中，并電接觸到所述至少一個接觸墊。

53、根據(jù)實施例52的方法，

其中，基于以下中的至少一個來將芯片壓在所述芯片載體上：

在第一厚度和第二厚度之間的差；

至少一個接觸突起部的突出高度。

54、根據(jù)實施例52或53的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括將壓力傳遞給芯片，其中，所述壓力基于在第一厚度和第二厚度之間的差。

55、根據(jù)實施例52至54之一的方法，

其中，提供芯片載體包括將芯片載體布置在第一支撐元件上；并且

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括將第二支撐元件應(yīng)用于芯片上，用于將壓力傳遞給芯片。

56、根據(jù)實施例52至55之一的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括使芯片基本上平行于芯片支撐區(qū)而設(shè)置。

57、根據(jù)實施例52至56之一的方法，進(jìn)一步包括：

至少在芯片支撐區(qū)與芯片之間布置粘合材料。

58、根據(jù)實施例57的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括將熱能傳遞給粘合材料，用于加熱粘合材料。

59、根據(jù)實施例57或58的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括：在芯片和芯片支撐區(qū)之間形成沿遵循芯片的周邊的路徑基本上是均勻的粘合材料的層厚度。

60、根據(jù)實施例59的方法，

其中，第一厚度和突出高度的總和基本上等于第二厚度和粘合材料的層厚度的總和。

61、根據(jù)實施例57至60之一的方法，

其中，基于粘合材料的粘度來將芯片壓在所述芯片載體上。

62、根據(jù)實施例57至61之一的方法，

其中，所述粘合材料包括填料顆粒。

63、根據(jù)實施例62的方法，

其中，基于填料顆粒的尺寸來將芯片壓在所述芯片載體上。

64、根據(jù)實施例52至63之一的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括：將芯片的至少一個接觸突起部至少部分地移動到凹部中，其中，至少一個接觸墊被配置為布置在凹部中和/或至少部分地由凹部暴露出，以使得芯片被設(shè)置為基本上平行于芯片支撐區(qū)。

65、根據(jù)實施例64的方法，

其中，將芯片壓在所述芯片載體上包括：通過使芯片載體變形而使得至少一個接觸墊移位，以形成朝向芯片的、用于接收至少一個接觸突起部的凹部。

66、根據(jù)實施例52至65之一的方法，

其中，所述芯片載體被進(jìn)一步配置為根據(jù)實施例2至44之一的芯片載體。

67、一種方法，包括：

在芯片載體的芯片接觸區(qū)中形成至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

形成芯片支撐區(qū)，所述芯片支撐區(qū)被配置為支撐芯片；

部分地減薄芯片接觸區(qū)，以使得芯片載體在至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。

68、根據(jù)實施例67的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括：在芯片載體中、與至少一個接觸墊相對地形成一凹部。

69、根據(jù)實施例67的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括：在芯片載體中形成一凹部，其中，至少一個接觸墊被配置為形成于凹部中和/或至少部分地由凹部暴露出。

70、根據(jù)實施例67至79之一的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括：在以下至少一個中形成一凹部：芯片載體的基層，芯片載體的金屬化部。

71、根據(jù)實施例67至70之一的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括蝕刻芯片載體。

72、根據(jù)實施例67至71之一的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括在將芯片布置在芯片載體上方之前，使芯片載體塑性變形。

73、根據(jù)實施例67至72之一的方法，

其中，形成至少一個接觸墊包括對所述芯片載體進(jìn)行沖孔。

74、根據(jù)實施例67至73之一的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括在芯片載體的基層中形成開口；

在芯片接觸區(qū)中形成覆蓋所述開口的金屬化部層，以提供芯片載體的凹部。

75、根據(jù)實施例67至74之一的方法，

其中，形成至少一個接觸墊包括：在芯片接觸區(qū)中形成金屬化部層；以及構(gòu)造所述金屬化部層以形成至少一個接觸墊。

76、根據(jù)實施例67至75之一的方法，

其中，減薄芯片接觸區(qū)包括：與至少一個接觸墊相對地形成第二金屬化部；以及使所述第二金屬化部部分地開口以形成凹部。

77、一種芯片載體，包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

連接區(qū)，位于芯片接觸區(qū)與芯片支撐區(qū)之間，以使得芯片接觸區(qū)借助連接區(qū)由芯片支撐區(qū)可移動地支撐。

78、一種芯片載體，包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

連接區(qū)，位于芯片接觸區(qū)與芯片支撐區(qū)之間，以使得芯片接觸區(qū)借助連接區(qū)由芯片支撐區(qū)彈性支撐。

79、根據(jù)實施例77或78的芯片載體，

其中，在芯片接觸區(qū)中減薄芯片載體，以使得芯片載體在至少一個接觸墊處的第一厚度小于芯片載體在芯片支撐區(qū)中的第二厚度。

80、根據(jù)實施例77至79之一的芯片載體，

其中，芯片載體在連接區(qū)中的第三厚度小于芯片載體在至少一個接觸墊處的第一厚度。

81、根據(jù)實施例77至80之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

至少在連接區(qū)中被完全暴露出的基層。

82、根據(jù)實施例77至81之一的芯片載體，

其中，芯片載體在芯片支撐區(qū)中的應(yīng)力/應(yīng)變率大于在連接區(qū)中的應(yīng)力/應(yīng)變率。

83、根據(jù)實施例77至82之一的芯片載體，

其中，所述芯片載體在連接區(qū)中沒有金屬。

84、一種芯片載體，包括：

芯片支撐區(qū)，被配置為支撐芯片；

芯片接觸區(qū)，包括至少一個接觸墊，所述至少一個接觸墊用于電接觸芯片；

在接觸區(qū)中的凹部，所述凹部用于接收芯片的至少一個接觸突起部，其中，至少一個接觸墊布置在凹部中或由凹部暴露出。

85、根據(jù)實施例84的芯片載體，進(jìn)一步包括：

基層，其中，所述凹部延伸穿過所述基層。

86、根據(jù)實施例84或85之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

間隔層，其中，所述凹部延伸穿過所述基層。

87、根據(jù)實施例84至86之一的芯片載體，進(jìn)一步包括：

金屬化部，所述凹部延伸穿過所述金屬化部。

盡管參考特定實施例具體顯示并說明了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)上的多種改變。本發(fā)明的范圍因而由所附權(quán)利要求書來指明，因此旨在包含落入權(quán)利要求的等同形式和范圍內(nèi)的全部變化。