本發(fā)明屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信及國(guó)防電子系統(tǒng)的微型化的迅速發(fā)展，高性能、低成本和小型化已經(jīng)成為目前微波/射頻領(lǐng)域的發(fā)展方向，對(duì)微波功率放大器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。描述這種部件性能的主要指標(biāo)有：工作頻率范圍、輸出功率增益、增益噪聲指數(shù)、輸入輸出三階截取點(diǎn)、電壓駐波比等。

低溫共燒陶瓷是一種電子封裝技術(shù)，采用多層陶瓷技術(shù)，能夠?qū)o(wú)源元件內(nèi)置于介質(zhì)基板內(nèi)部，同時(shí)也可以將有源元件貼裝于基板表面制成無(wú)源/有源集成的功能模塊。LTCC技術(shù)在成本、集成封裝、布線線寬和線間距、低阻抗金屬化、設(shè)計(jì)多樣性和靈活性及高頻性能等方面都顯現(xiàn)出眾多優(yōu)點(diǎn)，已成為無(wú)源集成的主流技術(shù)。其具有高Q值，便于內(nèi)嵌無(wú)源器件，散熱性好，可靠性高，耐高溫，沖震等優(yōu)點(diǎn)，利用LTCC技術(shù)，可以很好的加工出尺寸小，精度高，緊密型好，損耗小的微波器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，增加了濾波器工作曲線中過(guò)渡帶的陡峭程度，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價(jià)低等優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，包括上接地板G5，下接地板G6的上邊間隔設(shè)有上接地板G5，下接地板的前邊設(shè)有接地邊框G1，下接地板的左邊設(shè)有接地邊框G3，下接地板的后邊設(shè)有接地邊框G2，下接地板的右邊設(shè)有接地邊框G4，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均設(shè)于下接地板G6和上接地板G5之間，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與下接地板G6連接，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與上接地板G5連接；

接地邊框G3的前側(cè)框邊設(shè)有輸入端P1，接地邊框G4的前側(cè)框邊設(shè)有輸出端P2；

接地邊框G1的中間的后邊從前至后依次間隔設(shè)有金屬柱C1、金屬柱C2、金屬柱C3、金屬柱C4、金屬柱C5、金屬柱C6和金屬柱C7，金屬柱C7的左邊設(shè)有金屬柱C8，金屬柱C7的右邊設(shè)有金屬柱C10，金屬柱C7的后邊設(shè)有金屬柱C11；

上接地板G5上設(shè)有Z形缺陷Z1，下接地板G6上設(shè)有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上為交叉設(shè)置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉點(diǎn)位于金屬柱C3和金屬柱C4之間；

金屬柱C8的前邊的空腔區(qū)域1為第一級(jí)濾波器，金屬柱C8的后邊的空腔區(qū)域2為第二級(jí)濾波器，金屬柱C10的前邊的空腔區(qū)域4為第四級(jí)濾波器，金屬柱C10的后邊的空腔區(qū)域3為第三級(jí)濾波器。

所述Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2均為Z形開(kāi)孔結(jié)構(gòu)。

所述輸入端口P1和輸出端口P2均為共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的50歐姆阻抗的端口。

所述一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器由多層低溫共燒陶瓷工藝制成。

本發(fā)明所述的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，增加了濾波器工作曲線中過(guò)渡帶的陡峭程度，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價(jià)低等優(yōu)點(diǎn)，適用于相應(yīng)微波頻段的通信、衛(wèi)星通信等對(duì)體積、電性能、溫度穩(wěn)定性和可靠性有苛刻要求的場(chǎng)合和相應(yīng)的系統(tǒng)中。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的俯視圖；

圖3是本發(fā)明的工作曲線圖。

具體實(shí)施方式

如圖1-3所示的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，包括上接地板G5，下接地板G6的上邊間隔設(shè)有上接地板G5，下接地板的前邊設(shè)有接地邊框G1，下接地板的左邊設(shè)有接地邊框G3，下接地板的后邊設(shè)有接地邊框G2，下接地板的右邊設(shè)有接地邊框G4，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均設(shè)于下接地板G6和上接地板G5之間，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與下接地板G6連接，接地邊框G1、接地邊框G2、接地邊框G3和接地邊框G4均與上接地板G5連接；

接地邊框G3的前側(cè)框邊設(shè)有輸入端P1，接地邊框G4的前側(cè)框邊設(shè)有輸出端P2；

接地邊框G1的中間的后邊從前至后依次間隔設(shè)有金屬柱C1、金屬柱C2、金屬柱C3、金屬柱C4、金屬柱C5、金屬柱C6和金屬柱C7，金屬柱C7的左邊設(shè)有金屬柱C8，金屬柱C7的右邊設(shè)有金屬柱C10，金屬柱C7的后邊設(shè)有金屬柱C11；

上接地板G5上設(shè)有Z形缺陷Z1，下接地板G6上設(shè)有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上為交叉設(shè)置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉點(diǎn)位于金屬柱C3和金屬柱C4之間；

金屬柱C8的前邊的空腔區(qū)域1為第一級(jí)濾波器，金屬柱C8的后邊的空腔區(qū)域2為第二級(jí)濾波器，金屬柱C10的前邊的空腔區(qū)域4為第四級(jí)濾波器，金屬柱C10的后邊的空腔區(qū)域3為第三級(jí)濾波器。

所述Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2均為Z形開(kāi)孔結(jié)構(gòu)。

所述輸入端口P1和輸出端口P2均為共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的50歐姆阻抗的端口。

所述一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器由多層低溫共燒陶瓷工藝制成。

工作時(shí)，本發(fā)明分為為4級(jí)濾波器，圖2中所示的空腔區(qū)域1、空腔區(qū)域2、空腔區(qū)域3和空腔區(qū)域4即為濾波器的4級(jí)，金屬柱C1～C11用來(lái)隔離級(jí)間能量，其中第一級(jí)濾波器和第四級(jí)濾波器級(jí)幾乎被完全隔開(kāi)，信號(hào)能量從輸入端口P1進(jìn)入，依次經(jīng)過(guò)第一級(jí)濾波器、第二級(jí)濾波器、第三級(jí)濾波器和第四級(jí)濾波器，最后到輸出端口P2輸出，從上接地板G5和下接地板G6挖出的兩塊z形缺陷是為引入交叉耦合產(chǎn)生阻帶傳輸零點(diǎn)以增加濾波器過(guò)渡帶的陡峭。

本發(fā)明所述的一種極高頻SIW交叉耦合帶通濾波器，增加了濾波器工作曲線中過(guò)渡帶的陡峭程度，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價(jià)低等優(yōu)點(diǎn)，適用于相應(yīng)微波頻段的通信、衛(wèi)星通信等對(duì)體積、電性能、溫度穩(wěn)定性和可靠性有苛刻要求的場(chǎng)合和相應(yīng)的系統(tǒng)中。