技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種HBT制造方法，是對半導(dǎo)體基片依次進(jìn)行發(fā)射極臺面腐蝕以留出發(fā)射極的電極形成區(qū)域并露出基極層的電極形成區(qū)域并制作基極電極，進(jìn)行基極臺面腐蝕以露出集電極層的電極形成區(qū)域并制作集電極電極，于發(fā)射極的電極形成區(qū)域之外沉積介質(zhì)層，腐蝕介質(zhì)層以對基極電極、集電極電極相應(yīng)的區(qū)域開孔，同時(shí)制作集電極電極引出線、基極電極引出線以及發(fā)射極電極以及進(jìn)行電極互聯(lián)布線。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本方法將發(fā)射極電極、基極電極引出線以及集電極電極引出線于同一工序中同時(shí)制作，省卻了單獨(dú)的發(fā)射極電極制作這一工序，從而降低了制造成本。

技術(shù)研發(fā)人員：朱慶芳;魏鴻基;王江;竇永銘;許燕麗;李斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門市三安光電科技有限公司
文檔號碼：201610773723
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.01.04