1.一種2.3微米波段脈沖激光的產(chǎn)生裝置，包括半導體泵浦脈沖激光器、泵浦光聚焦耦合系統(tǒng)及諧振腔，其特征在于，所述諧振腔包括端面泵浦激光介質(zhì)，所述端面泵浦激光介質(zhì)為摻雜銩離子的釩酸鹽晶體；所述半導體泵浦脈沖激光器產(chǎn)生的泵浦光經(jīng)所述泵浦光聚焦耦合系統(tǒng)耦合進入所述摻雜銩離子的釩酸鹽晶體，銩離子通過受激輻射，產(chǎn)生1.9微米波段脈沖激光，所述1.9微米波段脈沖激光在所述諧振腔內(nèi)震蕩；所述釩酸鹽晶體對所述1.9微米波段脈沖激光進行拉曼變頻作用及鎖模作用，輸出2.3微米波段脈沖激光。
2.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述諧振腔還包括泵浦端腔鏡，所述泵浦端腔鏡位于所述泵浦光聚焦耦合系統(tǒng)和所述端面泵浦激光介質(zhì)之間，用于反射1.9微米和2.3微米波段的脈沖激光、同時透過795納米波段的泵浦光。
3.如權(quán)利要求2所述的產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述諧振腔還包括輸出鏡，用于反射1.9微米波段、同時反射及透過2.3微米波段的脈沖激光。
4.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述諧振腔還包括聲光Q開關(guān)，所述聲光Q開關(guān)位于所述端面泵浦激光介質(zhì)和所述輸出鏡之間，用于提高所述諧振腔內(nèi)的脈沖激光功率密度。
5.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述泵浦光的波長為795納米。
6.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述端面泵浦激光介質(zhì)為Tm:YVO4晶體或Tm:GdVO4晶體。
7.一種2.3微米波段脈沖激光的產(chǎn)生方法，其特征在于，包括以下步驟：
半導體泵浦脈沖激光器產(chǎn)生的泵浦光經(jīng)泵浦光聚焦耦合系統(tǒng)耦合進入摻雜銩離子的釩酸鹽晶體，銩離子通過受激輻射，產(chǎn)生1.9微米波段的脈沖激光；
以所述1.9微米波段的脈沖激光為基頻光，利用釩酸鹽晶體的拉曼變頻作用，產(chǎn)生2.3微米波段脈沖激光；
所述釩酸鹽晶體對產(chǎn)生的2.3微米波段脈沖激光進行鎖模作用，輸出2.3微米波段脈沖激光。
8.如權(quán)利要求7所述的產(chǎn)生方法，其特征在于，所述泵浦光的波長為795納米。
9.如權(quán)利要求7所述的產(chǎn)生方法，其特征在于，所述釩酸鹽晶體為Tm:YVO4晶體或Tm:GdVO4晶體。
10.一種2.3微米波段脈沖激光的應(yīng)用，其特征在于，將2.3微米波段脈沖激光應(yīng)用于軍事、醫(yī)學、環(huán)境監(jiān)測、材料加工、遠程通信或計量學領(lǐng)域。