本發(fā)明屬于超結(jié)功率場效應(yīng)管制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低成本超結(jié)功率場效應(yīng)管的制備方法。

背景技術(shù)：

前高壓超結(jié)產(chǎn)品主要有兩種工藝技術(shù)路徑：1.以Infineon和ST為代表的多次外延和注入技術(shù)的技術(shù)。2.以Toshiba和華虹宏力為代表的溝槽刻蝕和回填技術(shù)。兩種技術(shù)基本上都要長1-2um的熱場氧，然后光刻有源區(qū)，進行后續(xù)的器件制備工藝；現(xiàn)有的超結(jié)技術(shù)制造工藝，都有厚場氧工藝，也都會用到有源區(qū)光刻版，制造工藝相對昂貴。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種低成本超結(jié)功率場效應(yīng)管的制備方法。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明實施例提供一種低成本超結(jié)功率場效應(yīng)管的制備方法，該制備方法通過以下步驟實現(xiàn)：

步驟一：在N+襯底上生長N-外延層;

步驟二：通過body光刻版注入體區(qū)，然后進行推阱;

步驟三：深溝槽的刻蝕和p型EPI的回填，并進行CMP工藝將溝槽外的p型EPI去掉，形成p-pillar;

步驟四：進行柵氧、多晶硅柵極的生長和回刻;

步驟五：Nsource注入并推阱；

步驟六：進行層間介質(zhì)（ILD）的淀積；

步驟七：電極光刻，孔注；

步驟八：源極金屬的淀積和光刻，形成器件的最終結(jié)構(gòu)。

上述方案中，所述步驟五中Nsource采用As或P注入并推阱。

上述方案中，所述步驟六中層間介質(zhì)的厚度為1-3um。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明省掉了有源區(qū)這塊光刻版，不長厚場氧，同時器件擊穿特性不受影響，因此降低了超結(jié)功率場效應(yīng)管的制造成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明步驟一的示意圖；

圖2為本發(fā)明步驟二的示意圖；

圖3為本發(fā)明步驟三的示意圖；

圖4為本發(fā)明步驟四的示意圖；

圖5為本發(fā)明步驟五的示意圖；

圖6為本發(fā)明步驟六的示意圖；

圖7為本發(fā)明步驟七的示意圖；

圖8為本發(fā)明步驟八的示意圖；

圖9為場氧和有源區(qū)光刻版的情況下和本發(fā)明情況下的器件終端的擊穿電壓情況圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實施例提供一種低成本超結(jié)功率場效應(yīng)管的制備方法，該制備方法通過以下步驟實現(xiàn)：

步驟一：在N+襯底上生長N-外延層，如圖1所示;

步驟二：通過body光刻版注入體區(qū)，然后進行推阱，如圖2所示;

步驟三：深溝槽的刻蝕和p型EPI的回填，并進行CMP工藝將溝槽外的p型EPI去掉，形成p-pillar，如圖3所示;

步驟四：省去場氧過程，直接進行柵氧、多晶硅柵極的生長和回刻，如圖4所示，這一步省去了長時間的場氧熱過程，同時也節(jié)省了有源區(qū)光刻版;

步驟五：Nsource注入并推阱，如圖5所示；

具體地，步驟五中Nsource采用As或P注入并推阱。

步驟六：進行層間介質(zhì)（ILD）的淀積，如圖6所示；

具體地，所述步驟六中層間介質(zhì)的厚度為1-3um，足夠厚的ILD是保證器件在省去場氧過程后，擊穿電壓不變的關(guān)鍵。

步驟七：電極光刻，孔注，如圖7所示；

步驟八：源極金屬的淀積和光刻，形成器件的最終結(jié)構(gòu)，如圖8所示。

通過器件仿真（Sentaurus），對比了在其他工藝條件基本相同的情況下，有場氧和有源區(qū)光刻版的情況下和本發(fā)明情況下，器件終端的擊穿電壓，發(fā)現(xiàn)兩種情況的擊穿電壓基本相同，如圖9所示。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。