本發(fā)明屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低成本絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGBT)的制備方法。

背景技術(shù)：

高壓IGBT的制備材料通常選用低摻雜濃度的區(qū)熔襯底Si材料(FZ單晶襯底)，常規(guī)的方法是先在襯底上用零層版(Zero mask)刻出對(duì)位標(biāo)記，接著的工藝是生長(zhǎng)比較薄的氧化層（pad oxide），然后進(jìn)行終端(ring)注入，這個(gè)注入的雜質(zhì)一般選用Boron；ring注入是會(huì)用到光刻版的，這個(gè)ring注入的mask是對(duì)準(zhǔn)前面的零層版；接下來，把pad oxide 刻蝕掉，熱生長(zhǎng)1-2um左右的場(chǎng)氧（Field oxide），緊接著用有源區(qū)光刻版(AA mask)來刻出有源區(qū)，同時(shí)保留終端的場(chǎng)氧，此時(shí)，AA mask是對(duì)準(zhǔn)的前述zero mask;

可見，現(xiàn)有技術(shù)多一道zero mask工藝，成本增加，工藝流程增加，整個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)周期長(zhǎng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種低成本絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGBT)的制備方法。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種低成本絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGBT)的制備方法，該方法通過以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一：在FZ襯底上生長(zhǎng)N-外延層;

步驟二：在N-外延層上生長(zhǎng)氧化層;

步驟三：通過ring mask 濕法或干法刻蝕掉部分氧化層，在ring注區(qū)域保留氧化層，這時(shí)，生長(zhǎng)的氧化層與保留的氧化層上產(chǎn)生了高度差自然形成第一對(duì)位標(biāo)記;

步驟四：熱生長(zhǎng)熱氧化層，在熱氧化層上自然形成第二對(duì)位標(biāo)記;

步驟五：通過AA mask光刻有源區(qū)，所述AA mask對(duì)準(zhǔn)所述第二對(duì)位標(biāo)記，接下來就是完全常規(guī)的工藝，形成IGBT器件的最終結(jié)構(gòu)。

上述方案中，所述步驟二中，所述氧化層的厚度為3000-5000A。

上述方案中，所述步驟三中，所述保留的氧化層厚度為2500A。

上述方案中，所述步驟四中，所述熱氧化層的厚度為1.5um。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過ring 注入刻蝕氧化層形成的氧化層高度差，做為AA mask 和ring注入的對(duì)位標(biāo)記，節(jié)省了zero mask及相關(guān)的工藝費(fèi)用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明步驟二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明步驟三的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明步驟四的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明制得的IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種低成本絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGBT)的制備方法，該方法通過以下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟一：在FZ襯底上生長(zhǎng)N-外延層;

步驟二：在N-外延層上生長(zhǎng)氧化層，如圖1所示;

步驟三：通過ring mask 濕法或干法刻蝕掉部分氧化層，在ring注區(qū)域保留氧化層，這時(shí)，生長(zhǎng)的氧化層與保留的氧化層上產(chǎn)生了高度差自然形成第一對(duì)位標(biāo)記，如圖2所示;

步驟四：熱生長(zhǎng)熱氧化層，在熱氧化層上自然形成第二對(duì)位標(biāo)記，如圖3所示;

步驟五：通過AA mask光刻有源區(qū)，所述AA mask對(duì)準(zhǔn)所述第二對(duì)位標(biāo)記，接下來就是完全常規(guī)的工藝，形成IGBT器件的最終結(jié)構(gòu)，如圖4所示。

所述步驟二中，所述氧化層的厚度為3000-5000A。

所述步驟三中，所述保留的氧化層厚度為2500A。

所述步驟四中，所述熱氧化層的厚度為1.5um。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。