1.一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管，其特征在于，在所述二極管的發(fā)射區(qū)等間距制作凹槽，所述凹槽的深度大于發(fā)射區(qū)的深度；在所述凹槽內制作絕緣層，使耐壓漂移區(qū)與金屬電極隔離。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管，其特征在于，所述耐壓漂移區(qū)內的凹槽深度小于相鄰兩個凹槽間距的4倍。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種改善恢復時間和軟度的軟快恢復二極管，其特征在于，所述凹槽的結構為U型槽、溝槽或者孔結構。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管，其特征在于，所述發(fā)射區(qū)的結構為條狀結構、網(wǎng)狀結構或者島狀結構。
5.一種改善恢復時間和軟度的軟快恢復二極管，其特征在于，在通過選擇性摻雜擴散形成的發(fā)射區(qū)之間制作絕緣層，使耐壓漂移區(qū)與金屬電極隔離。
6.根據(jù)權利要求5所述的一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管，其特征在于，所述發(fā)射區(qū)的間距大于2倍發(fā)射區(qū)的深度。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管，其特征在于，所述絕緣層覆蓋一個或多個發(fā)射區(qū)，形成浮空發(fā)射區(qū)島。