技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開四足量子點(diǎn)、基于四足量子點(diǎn)的發(fā)光二極管及其制備方法，其包括步驟：鎘前驅(qū)體混合液的制備：將氧化鎘、油酸、n?丙基膦酸和三辛基氧化膦混合，接著真空下加熱并脫氣，然后加熱至280~330℃直至形成澄清、透明溶液為止；硫前驅(qū)體混合液的制備：惰性氣氛下，將硫粉和三辛基膦混合攪拌；CdSe/CdS四足量子點(diǎn)的制備：將閃鋅礦CdSe量子點(diǎn)注入上述制備好的鎘前驅(qū)體混合液中；將溫度升高至310~350℃，注入上述制備好的硫前驅(qū)體混合液，并停止加熱；降溫至95~105℃時(shí)注入正己烷，產(chǎn)物提純。本發(fā)明使用四足量子點(diǎn)作為發(fā)光層的材料制備發(fā)光二極管，從而制得更高效的、發(fā)光純度更高、壽命更長(zhǎng)的發(fā)光二極管。

技術(shù)研發(fā)人員：劉政;楊一行;曹蔚然;錢磊;向超宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610801886
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.05
技術(shù)公布日：2016.12.07