1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成圖案與即將形成的多晶硅圖案層的圖案相同的遮光圖案層；
在所述基板上形成覆蓋所述遮光圖案層的緩沖層；
在所述緩沖層上形成具有特定圖案的多晶硅圖案層；
對(duì)所述多晶硅圖案層進(jìn)行離子注入；
在所述緩沖層上形成覆蓋所述多晶硅圖案層的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上形成柵極；
對(duì)所述多晶硅圖案層再次進(jìn)行離子注入，以形成兩個(gè)輕摻雜部和兩個(gè)重?fù)诫s部；
在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述柵極的第二絕緣層；
形成貫穿所述第二絕緣層和所述第一絕緣層的第一通孔和第二通孔，以將兩個(gè)重?fù)诫s部暴露；
在所述第二絕緣層上形成填充所述第一通孔與兩個(gè)重?fù)诫s部之一接觸的源極以及填充所述第二通孔與兩個(gè)重?fù)诫s部之另一接觸的漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法還包括：
在所述第二絕緣層上形成覆蓋所述源極和所述漏極的有機(jī)平坦層；
在所述有機(jī)平坦層中形成將所述漏極暴露的第三通孔；
在所述有機(jī)平坦層上形成公共電極；
在所述有機(jī)平坦層上形成覆蓋所述公共電極并填充所述第三通孔的鈍化層；
在所述鈍化層中形成位于所述第三通孔中的過(guò)孔，以將所述漏極暴露；
在所述鈍化層上形成填充所述過(guò)孔與所述漏極接觸的像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述緩沖層上形成具有特定圖案的多晶硅圖案層的具體方法包括：
在所述緩沖層上形成一非晶硅層；
以退火方式使所述非晶硅層再結(jié)晶，以形成多晶硅層；
在所述多晶硅層上涂布一層光阻；
以所述遮光圖案層作為掩膜光罩，在所述基板下進(jìn)行光照射，從而對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光；
對(duì)被曝光的光阻進(jìn)行顯影，將被曝光的光阻去除，以暴露相應(yīng)位置的多晶硅層；
對(duì)暴露的多晶硅層進(jìn)行蝕刻，以將暴露的多晶硅層去除；
去除掉剩余的光阻，以形成具有特定圖案的多晶硅圖案層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述多晶硅圖案層和所述遮光圖案層呈U形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述多晶硅圖案層和所述遮光圖案層呈U形狀。
6.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，包括：
在基板上的遮光圖案層以及覆蓋所述遮光圖案層的緩沖層；
在所述緩沖層上的具有特定圖案的多晶硅圖案層，所述多晶硅圖案層與所述遮光圖案層具有相同的形狀，所述多晶硅圖案層包括兩個(gè)輕摻雜部和兩個(gè)重?fù)诫s部；
在所述緩沖層上且覆蓋所述多晶硅圖案層的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上的柵極；
在所述第一絕緣層上且覆蓋所述柵極的第二絕緣層；
貫穿所述第二絕緣層和所述第一絕緣層且將兩個(gè)重?fù)诫s部暴露的第一通孔和第二通孔；
在所述第二絕緣層上的源極和漏極，所述源極填充所述第一通孔與兩個(gè)重?fù)诫s部之一接觸，所述漏極填充所述第二通孔與兩個(gè)重?fù)诫s部之另一接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括：
在所述第二絕緣層上且覆蓋所述源極和所述漏極的有機(jī)平坦層；
在所述有機(jī)平坦層中且將所述漏極暴露的第三通孔；
在所述有機(jī)平坦層上的公共電極；
在所述有機(jī)平坦層上且覆蓋所述公共電極并填充所述第三通孔的鈍化層；
在所述鈍化層中且位于所述第三通孔中的過(guò)孔，所述過(guò)孔將所述漏極暴露；
在所述鈍化層上且填充所述過(guò)孔與所述漏極接觸的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述多晶硅圖案層和所述遮光圖案層呈U形狀。
9.一種液晶面板，包括薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為利用權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法制成的低溫多晶硅薄膜晶體管，或者所述薄膜晶體管為權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。
10.一種顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的液晶面板。