1.一種具有雙柵的RC-IGBT，包括N漂移區(qū)(6)、位于N漂移區(qū)(6)上的MOS元胞結(jié)構(gòu)和位于N漂移區(qū)(6)下的集電極結(jié)構(gòu)；所述MOS元胞結(jié)構(gòu)包括第一溝槽柵和P型阱區(qū)(3)；所述第一溝槽柵包括第一絕緣層(41)和位于第一絕緣層(41)中的第一導(dǎo)電材料(51)，第一導(dǎo)電材料(51)的引出端為第一柵電極；所述P型阱區(qū)(3)位于第一溝槽柵兩側(cè)，所述P型阱區(qū)(3)上表面具有N+發(fā)射極區(qū)(1)和P+體接觸區(qū)(2)，且N+發(fā)射極區(qū)(1)與柵氧化層接觸，P+體接觸區(qū)(2)位于N+發(fā)射極區(qū)(1)兩側(cè)，N+發(fā)射極區(qū)(1)和P+體接觸區(qū)(2)的共同引出端為發(fā)射極；所述集電極結(jié)構(gòu)包括第二溝槽柵、P集電區(qū)(7)和N集電區(qū)(8)；所述第二溝槽柵包括第二絕緣層(42)和位于第二絕緣層(42)中的第二導(dǎo)電材料(52)，第二導(dǎo)電材料(52)的引出端為第二柵電極；P集電區(qū)(7)和N集電區(qū)(8)分布在第二溝槽柵兩側(cè)，P集電區(qū)(7)的長度大于N集電區(qū)(8)，并且P集電區(qū)(7)和N集電區(qū)(8)的共同引出端為集電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述的每一個(gè)MOS元胞結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)兩個(gè)第二溝槽柵、一個(gè)P集電區(qū)(7)和兩個(gè)N集電區(qū)(8)，P集電區(qū)(7)位于兩個(gè)第二溝槽柵之間，N集電區(qū)(8)分別分布在兩個(gè)第二溝槽柵外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述的每一個(gè)MOS元胞結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)兩個(gè)第二溝槽柵、兩個(gè)P集電區(qū)(7)和一個(gè)N集電區(qū)(8)，N集電區(qū)(8)位于兩個(gè)第二溝槽柵之間，兩個(gè)P集電區(qū)(7)分別分布在兩個(gè)第二溝槽柵外側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述的每一個(gè)MOS元胞結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)兩個(gè)第二溝槽柵、兩個(gè)P集電區(qū)(7)和一個(gè)N集電區(qū)(8)，N集電區(qū)(8)位于一個(gè)第二溝槽柵的外側(cè)，一個(gè)P集電區(qū)(7)位于兩個(gè)第二溝槽柵之間，另一個(gè)P集電區(qū)(7)位于另一個(gè)第二溝槽柵的外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述的每一個(gè)MOS元胞結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)一個(gè)第二溝槽柵、一個(gè)P集電區(qū)(7)和一個(gè)N集電區(qū)(8)，P集電區(qū)(7)和N集電區(qū)(8)分別位于第二溝槽柵的兩側(cè)；所述的P集電區(qū)(7)上表面具有N型緩沖層(9)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述的P集電區(qū)(7)上表面具有N型緩沖層(9)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6所述的任意一種具有雙柵的RC-IGBT，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括但不限于Si、SiC、SiGe、GaAs或GaN。