1.一種GaN基集成器件，其特征在于，包括：
GaN襯底；
發(fā)光二極管，位于所述GaN襯底的發(fā)光二極管器件區(qū)，自下而上依次包括n型GaN層、發(fā)光層、p型 GaN層和頂電極；以及
高電子遷移率晶體管，位于所述GaN襯底的高電子遷移率晶體管器件區(qū)，自下而上依次包括AlN阻擋層、AlGaN 勢(shì)壘層以及位于所述AlGaN勢(shì)壘層上的柵極和源極，其中，所述AlN阻擋層和所述AlGaN 勢(shì)壘層與所述n型GaN層相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基集成器件，其特征在于，所述GaN襯底的發(fā)光二極管器件區(qū)的厚度與所述GaN襯底的高電子遷移率晶體管器件區(qū)的厚度相比較小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GaN基集成器件，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括p型AlGaN層，位于所述發(fā)光層與所述p型GaN層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN基集成器件，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括電流散布層結(jié)構(gòu)，位于所述p型GaN層與所述頂電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的GaN基集成器件，其特征在于，所述發(fā)光層為多重量子阱結(jié)構(gòu)。
6.一種GaN基集成器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供GaN襯底；
高電子遷移率晶體管疊層形成步驟：在所述GaN襯底上依次形成AlN阻擋層、AlGaN 勢(shì)壘層；
分區(qū)步驟：對(duì)所述高電子遷移率晶體管疊層進(jìn)行刻蝕，去除部分AlN阻擋層、AlGaN 勢(shì)壘層，暴露部分所述GaN襯底，分別形成發(fā)光二極管器件區(qū)和高電子遷移率晶體管器件區(qū)；
發(fā)光二極管疊層形成步驟：在所述發(fā)光二極管器件區(qū)中，依次形成n型GaN層、發(fā)光層和p型GaN層；
發(fā)光二極管刻蝕步驟：對(duì)所述發(fā)光二極管疊層進(jìn)行刻蝕，形成發(fā)光二極管臺(tái)面結(jié)構(gòu)；
高電子遷移率晶體管刻蝕步驟：對(duì)所述高電子遷移率晶體管疊層進(jìn)行刻蝕，形成高電子遷移率晶體管臺(tái)面結(jié)構(gòu)；
源極形成步驟：在所述高電子遷移率晶體管臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成源極，與所述高電子遷移率晶體管臺(tái)面結(jié)構(gòu)形成歐姆接觸；
頂電極形成步驟：在所述發(fā)光二極管臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成頂電極；
柵極形成步驟：在所述高電子遷移率晶體管臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成柵極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GaN基集成器件制備方法，其特征在于，在所述發(fā)光二極管疊層形成步驟中，還包括在所述發(fā)光層上形成p型AlGaN層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的GaN基集成器件制備方法，其特征在于，在所述頂電極形成步驟前還包括電流散布層結(jié)構(gòu)形成步驟，即在所述發(fā)光二極管臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成電流散布層結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的GaN基集成器件制備方法，其特征在于，在所述分區(qū)步驟中，還包括進(jìn)一步刻蝕去除部分GaN襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的GaN基集成器件制備方法，其特征在于，所述刻蝕去除部分GaN襯底的深度為150-250納米。