本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED封裝基板及其制備方法、OLED顯示面板。

背景技術：

目前，OLED(Organic Electro-luminescent Display，有機電致發(fā)光顯示裝置)由于具有自發(fā)光、寬視角、響應速度快、可柔化等特點而受到越來越廣泛的應用。

其中，在OLED工藝中，以頂發(fā)射結構為最常應用的結構，OLED顯示器件的結構可以包括：金屬陽極、金屬陰極以及位于兩者之間的有機材料功能層，有機材料功能層包括發(fā)光層。以金屬陰極設置在OLED顯示面板的出光側為例，發(fā)光層發(fā)出的光會從陰極一側射出，為了降低出射光的損耗，一般制作陰極的金屬層只有幾個nm到數十nm左右，多數情況下在20nm以下。

基于上述，由于陰極的厚度較薄，陰極往往成為整個OLED顯示器件結構中電阻最大的部分。在驅動OLED顯示器件進行發(fā)光的過程中，陰極部分的大電阻上有著較大的壓降，根據電功率公式P＝I²R，在電流一定的情況下，陰極部分會消耗較大的功率，從而導致OLED顯示器件功耗的提升，進而使得陰極發(fā)熱，而影響OLED顯示器件的工作，造成OLED顯示器件特性的變差和壽命的下降。

技術實現要素：

本發(fā)明的實施例提供一種OLED封裝基板及其制備方法、OLED顯示面板，可降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻，從而降低OLED顯示器件的功耗。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種OLED封裝基板，劃分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中，所述顯示區(qū)域包括像素界定區(qū)域；所述OLED封裝基板包括：襯底基板，設置在所述襯底基板上且位于所述像素界定區(qū)域內的導電體，所述導電體用于在所述OLED封裝基板與陣列基板對盒時，與位于所述陣列基板表面的陰極或陽極相接觸。

優(yōu)選的，所述導電體包括輔助電極圖案以及設置在所述輔助電極圖案上、且與所述輔助電極圖案接觸的連接結構；所述連接結構用于與所述陰極或所述陽極相接觸。

優(yōu)選的，所述OLED封裝基板還包括位于所述非顯示區(qū)域的對位圖案；其中，所述對位圖案與所述輔助電極圖案同層同材料。

優(yōu)選的，所述顯示區(qū)域還包括由所述像素界定區(qū)域界定出的多個亞像素區(qū)域，所述輔助電極圖案為網狀結構，所述網狀結構中的每個網眼對應一個所述亞像素區(qū)域；或者，所述輔助電極圖案包括多個子輔助電極圖案，一個所述子輔助電極圖案包圍一個所述亞像素區(qū)域。

優(yōu)選的，所述OLED封裝基板還包括覆蓋所述輔助電極圖案的保護層，所述連接結構設置在所述保護層上；所述連接結構穿過所述保護層上的過孔與所述輔助電極圖案相接觸。

進一步優(yōu)選的，所述顯示區(qū)域還包括由所述像素界定區(qū)域界定出的多個亞像素區(qū)域；所述連接結構為連接柱，每個過孔位置處對應一個連接柱，一個亞像素區(qū)域周圍對應的輔助電極圖案通過多個連接柱與位于陣列基板表面的所述陽極或所述陰極相接觸。

優(yōu)選的，所述連接結構的高度為0.05～100μm。

優(yōu)選的，所述連接結構的材料為透明導電材料。

第二方面，提供一種OLED顯示面板，包括對盒的封裝基板和陣列基板，所述陣列基板的表面為陰極或陽極，所述封裝基板為上述的OLED封裝基板。

第三方面，提供一種OLED封裝基板的制備方法，包括：在襯底基板上形成金屬薄膜，并通過構圖工藝在非顯示區(qū)域形成對位圖案，在顯示區(qū)域的像素界定區(qū)域形成輔助電極圖案；在所述對位圖案和所述輔助電極圖案上形成保護層，該保護層具有露出部分所述輔助電極圖案的過孔；在所述保護層上形成導電薄膜，通過構圖工藝在所述輔助電極圖案上形成連接結構，所述連接結構穿過所述保護層上的過孔與所述輔助電極圖案相接觸。

本發(fā)明實施例提供一種OLED封裝基板及其制備方法、OLED顯示面板，由于OLED封裝基板上設置有導電體，因而在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，導電體會與位于陣列基板表面的陽極或陰極接觸，相當于給位于陣列基板表面的陽極或陰極并聯(lián)了一個電阻，從而會降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻，避免了陽極或陰極消耗較大的功耗，進而降低了OLED顯示器件的整體功耗，提高了OLED顯示器件的特性和使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板結構示意圖一；

圖2為圖1中BB`向剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板的結構示意圖二；

圖4(a)為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板包括對位圖案和導電體的結構示意圖一；

圖4(b)為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板包括對位圖案和導電體的結構示意圖二；

圖5為現有技術提供的一種在襯底基板上形成對位圖案的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種輔助電極圖案的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板的結構示意圖三；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種OLED顯示面板的結構示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種OLED封裝基板的制備方法流程示意圖。

附圖標記：

01-顯示區(qū)域；011-像素界定區(qū)域；012-亞像素區(qū)域；02-非顯示區(qū)域；10-襯底基板；20-導電體；201-輔助電極圖案；202-連接結構；30-對位圖案；40-保護層；50-封裝基板；60-陣列基板；601-陰極；602-陽極；603-有機材料功能層；604-薄膜晶體管。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種OLED封裝基板，如圖1所示，劃分為顯示區(qū)域01和非顯示區(qū)域02，其中，顯示區(qū)域(Active area，AA區(qū)域)01包括像素界定區(qū)域011；如圖2所示，OLED封裝基板包括：襯底基板10，設置在襯底基板10上且位于像素界定區(qū)域011內的導電體20，導電體20用于在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，與位于陣列基板表面的陰極或陽極相接觸。

需要說明的是，第一，OLED封裝基板中的顯示區(qū)域01、非像素區(qū)域02、像素界定區(qū)域011以及由像素界定區(qū)域011界定的亞像素區(qū)域012均是根據與OLED封裝基板對盒的陣列基板的對應區(qū)域劃分的；或者，是根據OLED顯示面板上的對應區(qū)域劃分的。在OLED封裝基板上并不存在這些區(qū)域的實體界線。

第二，對于與OLED封裝基板對盒的陣列基板的類型不進行限定，可以是PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，無源矩陣驅動有機發(fā)光二極管)陣列基板，也可以是AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩陣驅動有機發(fā)光二極管)陣列基板。當與OLED封裝基板對盒的陣列基板是PMOLED陣列基板時，位于陣列基板表面的可以是陽極，也可以是陰極；當與OLED封裝基板對盒的陣列基板是AMOLED陣列基板時，位于陣列基板表面的一般為陰極。

第三，像素界定區(qū)域011，即，陣列基板上像素界定層所對應的區(qū)域，也即，陣列基板顯示區(qū)域中的非發(fā)光區(qū)域。

第四，對于導電體20的形狀和尺寸不進行限定，只要導電體20能夠在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，與位于陣列基板表面的陰極或陽極相接觸即可。導電體20可以包圍由像素界定區(qū)域011界定出亞像素區(qū)域012，也可以不包圍亞像素區(qū)域012。附圖1中以導電體20包圍亞像素區(qū)域012為例進行示意。對于導電體20的材料，以能在導電體20與位于陣列基板表面的陽極或陰極接觸后，能降低陽極或陰極的電阻為準。

第五，對于襯底基板10的材料不進行限定。本領域技術人員應該明白，對于頂發(fā)射型OLED顯示器件，為了不影響陣列基板上發(fā)光層發(fā)出光的正常出射，OLED封裝基板應該是透明的，因而襯底基板10也應該是透明的。例如，襯底基板10可以為玻璃。

本發(fā)明實施例提供一種OLED封裝基板，由于OLED封裝基板上設置有導電體20，因而在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，導電體20會與位于陣列基板表面的陽極或陰極接觸，相當于給位于陣列基板表面的陽極或陰極并聯(lián)了一個電阻，從而會降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻，避免了陽極或陰極消耗較大的功耗，進而降低了OLED顯示器件的整體功耗，提高了OLED顯示器件的特性和使用壽命。

優(yōu)選的，如圖3所示，導電體20包括輔助電極圖案201以及設置在輔助電極圖案201上、且與輔助電極圖案201接觸的連接結構202；連接結構202用于與陰極或陽極相接觸。

其中，對于輔助電極圖案201的形狀和尺寸不進行限定。輔助電極圖案201的尺寸越大，輔助電極圖案201通過連接結構202與位于陣列基板表面的陽極或陰極接觸后，陽極或陰極的電阻降低的越多。輔助電極圖案201的形狀例如可以是由多個六邊形、星型、圓形或其他不規(guī)則形狀組成的形狀。

此外，對于輔助電極圖案201的材料不進行限定，只要輔助電極圖案201與陽極或陰極并聯(lián)后能降低陽極或陰極的電阻即可。輔助電極圖案201的材料優(yōu)選為電阻較小的材料，這樣輔助電極圖案201通過連接結構202與陣列基板表面的陽極或陰極接觸后，可以更大地減小陽極或陰極的電阻。

示例的，輔助電極圖案201的材料可以選自金屬單質、金屬氧化物或合金中的至少一種。其中，金屬單質例如可以為Mo(鉬)、Al(鋁)、Ag(銀)、Cu(銅)等。

在此基礎上，對于連接結構202的材料不進行限定，以連接結構202不影響陽極或陰極的電阻為準。由于樹脂透明且電阻較小，因而連接結構202可以優(yōu)選為樹脂。對于連接結構202的高度，至少應保證在OLED封裝基板與陣列基板對盒后，連接結構202可以接觸到位于陣列基板表面的陽極或陰極。

本發(fā)明實施例，通過連接結構202將輔助電極圖案201與位于陣列基板表面的陽極或陰極相連接，而輔助電極圖案201與陽極或陰極連接后，可降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻。

優(yōu)選的，如圖1、圖4(a)和圖4(b)所示，OLED封裝基板還包括位于非顯示區(qū)域02的對位圖案30；其中，對位圖案30與輔助電極圖案201同層同材料。

為了確保OLED封裝基板和陣列基板在對盒時，能夠精確對位，因而如圖5所示，現有技術中通常在OLED封裝基板和陣列基板上分別制作對位圖案30，這樣根據對位圖案30便可以確保OLED封裝基板和陣列基板能夠準確對位。此處，可以在OLED封裝基板上設置一個對位圖案30，也可以設置多個對位圖案30。

其中，對位圖案30一般采用金屬材料形成，例如Mo、Al、Ag、Cu等金屬或合金。對位圖案30的厚度一般為30～1000nm。此外，對于對位圖案30的形狀，以便于對位為準，例如可以是十字架型。

需要說明的是，附圖4(b)中僅示意出OLED封裝基板的一部分，并不是全部的OLED封裝基板。此外，附圖4(b)中以輔助電極圖案201以六邊形的形式包圍亞像素區(qū)域012為例進行示意。

本發(fā)明實施例，由于對位圖案30與輔助電極圖案201同層同材料，因而可以在制作對位圖案30的同時制作輔助電極圖案201，從而簡化了OLED封裝基板的制作工藝，提高了生產效率。

優(yōu)選的，如圖6所示，顯示區(qū)域01還包括由像素界定區(qū)011域界定出的多個亞像素區(qū)域012，輔助電極圖案201為網狀結構，網狀結構中的每個網眼對應一個亞像素區(qū)域012；或者，如圖1所示，輔助電極圖案201包括多個子輔助電極圖案，一個子輔助電極圖案包圍一個亞像素區(qū)域012。

其中，網狀結構中每個網眼的形狀和子輔助電極圖案的形狀均與亞像素區(qū)域02的形狀有關。示例的，如圖4(b)所示，當亞像素區(qū)域012的形狀為六邊形時，此時每個網眼的形狀或子輔助電極圖案的形狀可以為六邊形。此外，對于網狀結構中相鄰網眼之間的間距以及一個亞像素區(qū)域012周圍子輔助電極圖案的寬度不進行限定，優(yōu)選為2～1000μm。在此基礎上，為了避免輔助電極圖案201對亞像素區(qū)域012發(fā)出的光的影響，因而輔助電極圖案201和亞像素區(qū)域012應保持有一定的距離，優(yōu)選的，輔助電極圖案201到亞像素區(qū)域012的距離為3μm。

本發(fā)明實施例，無論是輔助電極圖案201為網狀結構，網狀結構中的每個網眼對應一個亞像素區(qū)域012，還是輔助電極圖案201包括多個子輔助電極圖案，一個子輔助電極圖案包圍一個亞像素區(qū)域012，都能夠使每個亞像素區(qū)域周圍對應設置有輔助電極圖案201，這樣不僅使得輔助電極圖案201的面積增大，而且可以更均勻地減小位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻。

優(yōu)選的，如圖7所述，OLED封裝基板還包括覆蓋輔助電極圖案201的保護層40，連接結構202設置在保護層40上；連接結構202穿過保護層40上的過孔與輔助電極圖案201相接觸。

其中，對于保護層40的材料不進行限定，其應在OLED封裝基板與陣列基板對盒時能起到密封作用，且不影響陣列基板上發(fā)光層發(fā)出光的出射。示例的，保護層40的材料可以為SiOx或SiNx或兩者的復合結構。

此外，保護層40可以是單層，也可以是多層。

本發(fā)明實施例，在OLED封裝基板上設置覆蓋輔助電極圖案201的保護層40，保護層40可以在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，密封封裝基板和陣列基板，防止氧氣或水汽進入，而影響陣列基板上發(fā)光層的性能。

進一步優(yōu)選的，顯示區(qū)域01還包括由像素界定區(qū)域011界定出的多個亞像素區(qū)域012；如圖3、圖4(a)和圖7所示，連接結構202為連接柱，每個過孔位置處對應一個連接柱，一個亞像素區(qū)域012周圍對應的輔助電極圖案201通過多個連接柱與位于陣列基板表面的陽極或陰極相接觸。

其中，由于每個過孔位置處對應一個連接柱，因而過孔的數量與連接柱的數量相同。此外，對于一個亞像素區(qū)域012周圍對應設置的連接柱的數量不進行限定(附圖4(b)中以設置3個連接柱為例進行示意)，例如可以設置2～10個連接柱，對應在保護層40上應設置2～10個過孔。

本發(fā)明實施例，通過多個連接柱將一個亞像素區(qū)域012周圍對應的輔助電極圖案201與位于陣列基板表面的陽極或陰極相接觸，一方面，多個連接柱可以起到支撐封裝基板的作用；另一方面，多個連接柱將輔助電極圖案201與陽極或陰極相連接，相當于將輔助電極圖案201分為多個部分與陽極或陰極并聯(lián)，而并聯(lián)電阻越多，總電阻越小，因而這樣可以進一步地降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻。

優(yōu)選的，連接結構202的高度為0.05～100μm。

需要說明的是，OLED封裝基板與陣列基板對盒時，需要在OLED封裝基板與陣列基板之間設置隔墊物(Photo Spacer，簡稱PS)，以使OLED封裝基板與陣列基板之間保持一定的距離。

本發(fā)明實施例，當連接結構202的高度為0.05～100μm時，連接結構202可相當于隔墊物，因而無需在OLED封裝基板上再形成隔墊物，這樣便可以簡化OLED封裝基板制作工藝。

進一步優(yōu)選的，連接結構202的材料為透明導電材料。

其中，連接結構202的材料例如可以為導電樹脂/導電有機膜層。

本發(fā)明實施例，由于連接結構202為透明導電材料，因而既可以將輔助電極圖案201與位于陣列基板表面的陽極或陰極相連接，又可以避免對陣列基板上發(fā)光層發(fā)出光的遮擋，從而提高了陣列基板上發(fā)出層的出光效率。

本發(fā)明實施例提供一種OLED顯示面板，如圖8所示，包括對盒的封裝基板50和陣列基板60，陣列基板60的表面為陰極601或陽極602(附圖8中以陣列基板60表面為陰極601為例進行示意)，封裝基板50為上述的OLED封裝基板。

其中，陣列基板可以是PMOLED陣列基板，也可以是AMOLED陣列基板(附圖8中以陣列基板為AMOLED陣列基板為例進行示意)。當陣列基板為PMOLED陣列基板時，PMOLED陣列基板包括陰極601、陽極602以及設置在陽極602和陰極601之間的有機材料功能層603；當陣列基板為AMOLED陣列基板時，如圖8所示，AMOLED陣列基板除包括陽極602、陰極601以及設置在陽極602和陰極601之間的有機材料功能層603外，還包括薄膜晶體管604，薄膜晶體管604包括柵極、柵絕緣層、源極、漏極以及有源層，其中漏極與陽極602電聯(lián)接。

本發(fā)明實施例，由于OLED封裝基板的襯底基板10上設置有導電體20，因而在OLED封裝基板與陣列基板60對盒時，OLED封裝基板上的導電體20便可以和陣列基板60表面的陽極或陰極接觸，相當于給陣列基板60表面的陽極和陰極并聯(lián)了一個電阻，從而可以降低陣列基板60表面陽極或陰極的電阻，避免了陣列基板表面的陽極或陰極消耗較大的功耗，進而降低了OLED顯示器件的整體功耗，提高了OLED顯示器件的使用壽命。

本發(fā)明實施例還提供一種OLED封裝基板的制備方法，如圖9所示，包括：

S100、在襯底基板10上形成金屬薄膜，并通過構圖工藝在非顯示區(qū)域02形成對位圖案30，在顯示區(qū)域01的像素界定區(qū)域011形成輔助電極圖案201。

此處，構圖工藝具體是指涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕以及剝離光刻膠工藝。

其中，對于襯底基板10的材料不進行限定。本領域技術人員應該明白，對于頂發(fā)射型OLED顯示器件，為了不影響陣列基板上發(fā)光層發(fā)出光的正常出射，OLED封裝基板應是透明的，因而襯底基板10也應該是透明的。例如，襯底基板10可以為玻璃。

此外，對于金屬薄膜的材料不進行限定，金屬薄膜的材料可以選自金屬單質、金屬氧化物或合金中的至少一種。

在此基礎上，對于形成的對位圖案30和輔助電極圖案201的形狀和尺寸不進行限定，可以根據需要進行設置。一般對位圖案30的形狀為十字架型。輔助電極圖案201的形狀例如可以是由多個六邊形、星型、圓形或其他不規(guī)則形狀組成的形狀。

S101、在對位圖案30和輔助電極圖案201上形成保護層40，該保護層40具有露出部分輔助電極圖案201的過孔。

其中，對于保護層40的材料不進行限定，其應在OLED封裝基板與陣列基板對盒時能起到密封作用，且不影響陣列基板上發(fā)光層發(fā)出光的出射。示例的，保護層40的材料可以為SiOx或SiNx或兩者的復合結構。在此基礎上，保護層40可以是單層，也可以是多層。

此處，可以先在對位圖案30和輔助電極圖案201上形成保護薄膜，并通過刻蝕工藝在保護薄膜上形成過孔，從而形成保護層40。

S102、在保護層40上形成導電薄膜，通過構圖工藝在輔助電極圖案201上形成連接結構202，連接結構202穿過保護層40上的過孔與輔助電極圖案201相接觸。

其中，構圖工藝具體是指涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕以及剝離光刻膠工藝。

此處，對于連接結構202的尺寸和形狀不進行限定，可以根據需要進行設置。當連接結構202的高度為0.05～100μm時，連接結構202還可以相當于設置在OLED封裝基板或陣列基板上的隔墊物。在此基礎上，對于連接結構202的材料不進行限定，以連接結構202不影響陽極或陰極的電阻為準。優(yōu)選的，連接結構202為透明導電材料。

此外，對于一個亞像素區(qū)域012周圍設置的過孔的數量不進行限定，可以根據需要進行設置。優(yōu)選的，一個亞像素區(qū)域012周圍設置2～10個過孔。

本發(fā)明實施例提供一種OLED封裝基板的制備方法，由于OLED封裝基板上設置有輔助電極圖案201以及與輔助電極圖案201接觸的連接結構202，因而在OLED封裝基板與陣列基板對盒時，連接結構202可以與陣列基板表面的陽極或陰極接觸，從而連接結構202可以將輔助電極圖案201與位于陣列基板表面的陽極或陰極并聯(lián)在一起，這樣便可以降低位于陣列基板表面的陽極或陰極的電阻，避免了陽極或陰極消耗較大的功耗，進而降低了OLED顯示器件的整體功耗，提高了OLED顯示器件的使用壽命。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。