技術(shù)領(lǐng)域

描述的技術(shù)總體涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器和一種制造該有機發(fā)光二極管顯示器的方法。

背景技術(shù)：

OLED顯示器包括具有空穴注入電極、電子注入電極和插入的有機發(fā)光層的OLED。OLED隨著激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)來發(fā)光，其中，激子由通過空穴注入電極注入的空穴和通過電子注入電極注入的電子在有機發(fā)光層處的結(jié)合而產(chǎn)生。

因為OLED技術(shù)不需要單獨的光源，所以存在令人滿意的特性，諸如用低電壓驅(qū)動、重量輕且薄以及具有寬視角、高對比度和快速響應速率。因此，OLED顯示器作為下一代顯示設(shè)備正備受關(guān)注。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一個發(fā)明方面涉及一種OLED顯示器和一種制造該OLED顯示器的方法。

另一方面是一種OLED顯示器，該OLED顯示器包括：基底；OLED，形成在基底上，并包括第一電極、中間層和第二電極；像素限定層，形成在基底上并限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域，像素區(qū)域包括OLED并發(fā)光；保護層，形成在第二電極上并保護OLED；薄膜包封層，形成在保護層上并密封OLED，以保護OLED免受外部影響，其中，薄膜包封層形成為在至少一個區(qū)域處接觸像素限定層。

第一電極可以形成在彼此鄰近的像素限定層之間，中間層可以形成在第一電極上，第二電極和保護層可以形成在中間層和像素限定層上。

保護層可以由含LiF的材料形成。

第二電極和保護層可以被圖案化形成，使得在第二電極和保護層的與像素限定層接觸的至少一部分處形成第一開口。

薄膜包封層可以形成為在第一開口處直接接觸像素限定層。

薄膜包封層可以通過交替堆疊多個無機層和多個有機層來形成。

薄膜包封層可以包括無機層和形成在無機層上的有機層，其中，無機層在第一開口處接觸像素限定層。

包括有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管可以形成在基底上，OLED顯示器還可以包括：柵極絕緣層，形成在有源層與柵電極之間；層間絕緣層，形成在柵電極與源電極和漏電極之間；通路層，形成在源電極和漏電極上。

基底可以包括發(fā)生彎曲所處的彎曲部分，層間絕緣層和通路層可以被圖案化形成，使得在彎曲部分處形成第二開口。

薄膜包封層可以在第二開口處接觸柵極絕緣層。

薄膜包封層可以在第二開口處與層間絕緣層和通路層的側(cè)表面接觸。

薄膜包封層可以包括無機層和形成在無機層上的有機層，無機層可以在第二開口處接觸柵極絕緣層。

另一方面是一種制造OLED顯示器的方法，所述方法包括：設(shè)置基底；在基底上形成薄膜晶體管和通路層；在通路層上形成限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域的像素限定層；在通路層上形成OLED；在OLED上形成保護層，以覆蓋像素限定層；形成從保護層的頂部密封OLED的薄膜包封層，以保護OLED免受外部影響，其中，形成OLED的步驟包括：在彼此鄰近的像素限定層之間形成第一電極；在第一電極上形成中間層；在中間層和像素限定層上形成第二電極，并且在形成第二電極的步驟中和在形成保護層的步驟中，圖案化形成第二電極和保護層，使得去除第二電極和保護層的與像素限定層接觸的至少一部分，并在第二電極和保護層處形成第一開口。

保護層可以由含LiF的材料形成。

在形成薄膜包封層的步驟中，可以將薄膜包封層形成為在第一開口處接觸像素限定層。

形成薄膜包封層的步驟可以包括：在保護層上形成無機層；在無機層上形成有機層，將無機層形成為在第一開口處接觸像素限定層。

基底可以包括發(fā)生彎曲所處的彎曲部分，該方法還可以包括：在設(shè)置基底的步驟之后，在基底上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成層間絕緣層；在層間絕緣層上形成通路層。

在形成層間絕緣層的步驟中和在形成通路層的步驟中，可以將層間絕緣層和通路層圖案化形成為在彎曲部分處被部分地去除，使得在層間絕緣層和通路層處形成第二開口。

在形成薄膜包封層的步驟中，可以將薄膜包封層形成為在第二開口處接觸柵極絕緣層。

在形成薄膜包封層的步驟中，可以將薄膜包封層形成為在第二開口處與層間絕緣層和通路層的側(cè)表面接觸。

另一方面是一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示器包括：基底；OLED，形成在基底的上面并包括第一電極、形成在第一電極上面的第二電極和置于第一電極與第二電極之間的中間層；像素限定層，形成在基底的上面并與OLED相鄰；保護層，形成在第二電極的上面并被構(gòu)造為保護OLED；薄膜包封層，形成在保護層的上面并密封OLED，以保護OLED免受環(huán)境影響，其中，薄膜包封層的至少一部分接觸像素限定層。

在上述OLED顯示器中，第一電極形成在鄰近的像素限定層之間，其中，中間層形成在第一電極的上面，其中，第二電極和保護層形成在中間層和像素限定層的上面。

在上述OLED顯示器中，保護層由LiF形成。

在上述OLED顯示器中，第二電極和保護層具有形成在像素限定層上面的第一開口，第一開口與薄膜包封層的與像素限定層接觸的至少一部分疊置。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層在第一開口處直接接觸像素限定層。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層包括無機層和形成在無機層上面的有機層，其中，無機層在第一開口處接觸像素限定層。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層包括交替堆疊的多個無機層和多個有機層。

上述OLED顯示器還包括：薄膜晶體管(TFT)，形成在基底的上面，薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極和漏電極；柵極絕緣層，形成在有源層與柵電極之間；層間絕緣層，形成在柵電極與源電極和漏電極之間；通路層，形成在源電極和漏電極的上面。

在上述OLED顯示器中，基底包括被構(gòu)造為彎曲的彎曲部分，其中，層間絕緣層和通路層具有形成在彎曲部分上面的第二開口。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層在第二開口處接觸柵極絕緣層。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層在第二開口處與層間絕緣層和通路層的側(cè)表面接觸。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層包括無機層和形成在無機層上面的有機層，其中，無機層在第二開口處接觸柵極絕緣層。

另一方面是一種制造有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法，所述方法包括：設(shè)置基底；在基底的上面形成薄膜晶體管(TFT)和通路層；在通路層的上面形成像素限定層；在通路層的上面形成OLED；在OLED的上面形成保護層，以覆蓋像素限定層；形成密封OLED和保護層的薄膜包封層，以保護OLED免受環(huán)境影響。形成OLED的步驟包括：在鄰近的像素限定層之間形成第一電極；在第一電極的上面形成中間層；在中間層和像素限定層的上面形成第二電極，其中，圖案化形成第二電極和保護層，使得去除第二電極和保護層的與像素限定層接觸的至少一部分，并在第二電極和保護層中形成第一開口。

在上述方法中，保護層由LiF形成。

在上述方法中，薄膜包封層在第一開口處接觸像素限定層。

在上述方法中，形成薄膜包封層的步驟包括：在保護層的上面形成無機層；在無機層的上面形成有機層，其中，無機層在第一開口處接觸像素限定層。

在上述方法中，基底包括被構(gòu)造為彎曲的彎曲部分，其中，所述方法還包括：在設(shè)置基底的步驟之后，在基底的上面形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層的上面形成層間絕緣層；在層間絕緣層的上面形成通路層。

在上述方法中，將層間絕緣層和通路層圖案化形成為在彎曲部分處被部分地去除，使得在層間絕緣層和通路層中形成第二開口。

在上述方法中，薄膜包封層在第二開口處接觸柵極絕緣層。

在上述方法中，薄膜包封層在第二開口處與層間絕緣層和通路層的側(cè)表面接觸。

另一方面是一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示器包括：基底；多個OLED，形成在基底的上面；像素限定層，置于OLED之間；薄膜包封層，形成在像素限定層的上面并密封OLED，以保護OLED免受環(huán)境影響，其中，薄膜包封層通過多個開口接觸像素限定層。

在上述OLED顯示器中，薄膜包封層包括形成在開口上面的第一部分和形成在OLED上面的第二部分，其中，第一部分比第二部分厚。

附圖說明

圖1A至圖1C是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的示意性剖視圖。

圖2是示出圖1的OLED顯示器的詳細的剖視圖。

圖3是示出用于形成圖2的OLED顯示器的第二電極、保護層和像素限定層的區(qū)域的示意性平面圖。

圖4示出了根據(jù)另一示例性實施例的在第二電極和保護層中形成的第一開口。

圖5示出了根據(jù)另一示例性實施例的在第二電極和保護層中形成的第一開口。

圖6是根據(jù)另一示例性實施例的OLED顯示器的剖視圖。

圖7是根據(jù)另一示例性實施例的OLED顯示器的透視圖。

圖8是圖7中示出的OLED顯示器的詳細的示意性剖視圖。

圖9是示出圍繞彎曲部分的彎曲的OLED顯示器的詳細的示意性剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參照示例性實施例，在附圖中示出示例性實施例的示例，其中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。在這方面，本示例性實施例可以具有不同的形式，并且不應被解釋為限于在這里所闡述的描述。因此，通過參照附圖，僅在下面描述示例性實施例來解釋本說明書的各方面。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出項中的一個或更多個的任意和全部組合。諸如“……中的至少一個(種)”的表述在一系列元件之后時，修飾整列元件而非修飾該列中的個別元件。

因為本公開允許各種改變和多種實施例，所以將在附圖中示出并在書面描述中詳細描述具體的實施例。然而，這不意圖將本公開限制為具體的實踐方式，將領(lǐng)會的是，本公開中包含沒有脫離本公開的精神和技術(shù)范圍的所有的改變、等同物和替換物。在本公開的描述中，當認為現(xiàn)有技術(shù)的特定詳細解釋會不必要地模糊本公開的實質(zhì)時，省略對現(xiàn)有技術(shù)的特定詳細解釋。

雖然可以使用諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語來描述各種組件，但是這樣的組件不必限于以上術(shù)語。以上術(shù)語僅用來將一個組件與另一組件區(qū)分開。

在本說明書中使用的術(shù)語僅用來描述具體實施例，而不意圖限制本公開。除非以單數(shù)形式使用的表述在上下文中具有明顯不同的含義，否則該表述包含復數(shù)形式的表述。在本說明書中，將理解的是，諸如“包括……的”或“具有……的”等的術(shù)語意圖表示存在說明書中公開的特征、數(shù)量、步驟、動作、組件、部件或其組合，而不意圖排除可以存在或可以添加一個或更多個其他特征、數(shù)量、步驟、動作、組件、部件或其組合的可能性。

在下文中，將通過參照附圖解釋本公開的優(yōu)選實施例來詳細地描述本公開。附圖中同樣的附圖標記表示同樣的元件。在本公開中，術(shù)語“基本上”包括完全地、幾乎完全地或在一些應用下對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言達到任何顯著程度的含義。此外，“形成在……上面、設(shè)置在……上面或位于……上面”也可以意指“形成在……上、設(shè)置在……上或位于……上”。術(shù)語“連接”包括電連接。

圖1A至圖1C是根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的示意性剖視圖。

根據(jù)本實施例的OLED顯示器包括基底100、形成在基底100上的顯示器200以及密封顯示器200的薄膜包封層300。

基底100可以由各種材料形成。例如，基底100可以由各種絕緣材料中的一種或玻璃形成或者可以由金屬薄膜形成。

根據(jù)選擇的實施例，基底100由柔性材料形成。例如，基底100由有機材料形成。

根據(jù)選擇的實施例，基底100由硅樹脂類聚合物、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯聚合物和丙烯酸酯三元聚合物中的至少一種形成。這里，硅樹脂類聚合物可以包括例如聚二甲基硅氧烷(PDMS)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)。

根據(jù)本實施例的OLED顯示器可以包括柔性基底100，因此OLED顯示器可以被二維地延長。

根據(jù)選擇的實施例，基底100由具有大約0.4或更高的泊松比的材料形成。泊松比是在張力方向上橫向收縮應變與縱向拉伸應變之比。通過使用具有大約0.4或更高的泊松比的材料來形成基底100(即，通過將基底100形成為是高度可拉伸的)，可以改善基底100的柔性并且基底100可以具有彎曲部分。因此，顯示裝置可以容易地包括彎曲部分。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器中，如上所述，基底100形成為是柔性的。因此，根據(jù)本實施例的OLED顯示器可以是如圖1A至圖1C所示的平板顯示設(shè)備或柔性顯示設(shè)備。

然而，根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器的柔性不限于此。OLED顯示器可以是完全彎曲的(如圖1B所示)或者OLED顯示器的兩個相對端可以被折疊(如圖1C所示)。

顯示器200形成在基底100上。顯示器200產(chǎn)生被用戶視覺識別的可見光線。顯示器200可以包括各種裝置，例如，OLED裝置或液晶顯示(LCD)裝置。

在根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器中，顯示器200可以包括OLED。將在下面給出OLED的詳細描述。

薄膜包封層300可以形成在顯示器200上用于完全密封顯示器200，以保護顯示器200免受外部濕氣或氧氣的影響。

如圖1A至圖1C所示，因為顯示器200受到堆疊有多個薄膜的薄膜包封層300保護，所以可以容易地確保OLED顯示器的柔性。

根據(jù)選擇的實施例，薄膜包封層300可以形成在顯示器200上，其中，薄膜包封層300的兩個相對端可以與基底100緊密地接觸。將在下面參照圖2描述薄膜包封層300的結(jié)構(gòu)和功能。

圖2是比圖1A至圖1C更詳細地示出根據(jù)示例性實施例的OLED顯示器1000的剖視圖。

如圖2所示，在OLED顯示器1000中，緩沖層110可以形成在基底100上。緩沖層110可以防止雜質(zhì)離子的擴散，防止?jié)駳饣蛲獠繗夥盏臐B透，并用作用于使表面平坦化的平坦化層和/或阻擋層。

薄膜晶體管TFT可以形成在緩沖層110上。薄膜晶體管TFT的有源層AL可以由多晶硅形成，并可以包括未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)以及源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)和漏區(qū)靠近溝道區(qū)的兩個相對端形成并摻雜有雜質(zhì)。這里，雜質(zhì)的類型可以根據(jù)薄膜晶體管TFT的類型而變化，其中，可以采用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。

在有源層AL形成之后，柵極絕緣層210可以形成在有源層AL上。

柵極絕緣層210可以包括由無機材料(例如，氧化硅或氮化硅)形成的單層或多層。柵極絕緣層210在有源層AL上使有源層AL與柵電極G絕緣。

在柵極絕緣層210形成之后，柵電極G可以形成在柵極絕緣層210上。柵電極G可以經(jīng)由光刻操作和蝕刻操作來形成。

構(gòu)成柵電極G的材料可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一種或更多種金屬形成。

在柵電極G形成之后，層間絕緣層230可以遍布基底100的表面形成。

層間絕緣層230可以由無機材料形成。例如，層間絕緣層230由金屬氧化物或金屬氮化物形成。例如，無機材料可以由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)或氧化鋯(ZrO₂)形成。

層間絕緣層230可以包括由諸如氧化硅(SiO_x)和/或氮化硅(SiN_x)的無機材料形成的單層或多層。根據(jù)一些實施例，層間絕緣層230可以具有包括SiO_x/SiN_y或SiN_x/SiO_y的雙層結(jié)構(gòu)。

薄膜晶體管TFT的源電極S和漏電極D可以布置在層間絕緣層230上。

源電極S和漏電極D可以由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的一種或更多種金屬形成。

通路層250遍布基底100的表面形成以覆蓋源電極S和漏電極D。通路層250可以保護薄膜晶體管TFT。

OLED可以布置在通路層250上。根據(jù)圖2中示出的實施例，OLED經(jīng)由通孔連接到漏電極D。

OLED可以包括第一電極281、包含有機發(fā)光層的中間層283和第二電極285。

通過OLED的第一電極281和第二電極285注入的空穴和電子在中間層283的有機發(fā)光層處彼此結(jié)合，從而發(fā)光。

第一電極281和第二電極285可以由各種導電材料形成。

根據(jù)選擇的實施例，第一電極281和/或第二電極285由透光材料或反射材料形成。

在用于朝向第二電極285實施圖像的頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極281可以布置為反射電極。為此，第一電極281包括由包含Al或Ag的合金形成的反射膜。

在使用第一電極281作為陽極的情況下，第一電極281形成為包括由具有高逸出功(絕對值)的金屬氧化物(諸如ITO、IZO和ZnO)形成的層。在使用第一電極281作為陰極的情況下，使用具有低逸出功(絕對值)的高導電金屬(諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca)來形成第一電極281。因此，在這種情況下，上述反射膜不是必要的。

第二電極285可以布置為透光電極。為此，第二電極285可以包括半透射反射層，該半透射反射層是由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca或者諸如ITO、IZO或ZnO的透光金屬氧化物形成的薄膜。

在使用第一電極281作為陽極的情況下，第二電極285用作陰極。在使用第一電極281作為陰極的情況下，第二電極285用作陽極。

中間層283可以形成在第一電極281與第二電極285之間，并可以包括有機發(fā)光層。

根據(jù)選擇的實施例，中間層283可以包括有機發(fā)光層并還可以包括包含空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴阻擋層(緩沖層)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的公共層中的至少一種。然而，本實施例不限于此。例如，中間層283可以包括發(fā)光層并還可以包括執(zhí)行各種其他功能的公共層。

根據(jù)選擇的實施例，包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)的公共層形成在第一電極281上，發(fā)光層形成在空穴傳輸層(HTL)上。

根據(jù)選擇的實施例，作為空穴阻擋層(緩沖層)的公共層可以形成在發(fā)光層上，包括電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的公共層可以形成在空穴阻擋層(緩沖層)上。

空穴注入層(HIL)可以由諸如酞菁銅的酞菁化合物或者諸如m-MTDATA或m-MTDAPB的TCTA型星射狀胺形成。

空穴傳輸層(HTL)可以由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)或者N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)形成。

電子注入層(EIL)可以由LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO或Liq形成。

電子傳輸層(ETL)可以由Alq₃形成。

根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000還可以包括形成在第一電極281的邊緣處的像素限定層270。像素限定層270可以限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域，在像素區(qū)域中布置有OLED并發(fā)光。

根據(jù)選擇的實施例，第一電極281沉積在像素限定層270之間，中間層283形成在第一電極281上。

此外，第二電極285可以形成在中間層283和像素限定層270上。

保護層290可以形成在第二電極285上并覆蓋和保護OLED。

根據(jù)選擇的實施例，保護層290由含LiF的材料形成。

根據(jù)選擇的實施例，保護層290是用于保護OLED的緩沖層，并由諸如蒸鍍(evaporation)的各種沉積方法形成。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000中，保護層290遍布基底100的表面形成以與第二電極285一起覆蓋像素限定層270。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000中，第一開口OP1形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的至少一部分處。

例如，去除第二電極285和保護層290的覆蓋像素限定層270的至少一部分以暴露布置在第二電極285和保護層290下面的像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，在圖2中示出的OLED顯示器1000中，去除第二電極285和保護層290的位于像素限定層270的頂表面上的部分，從而形成第一開口OP1。

然而，第一開口OP1的位置和數(shù)量不限于此，第一開口OP1可以形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的任何位置處。

例如，第一開口OP1可以形成在像素限定層270的可通過去除第二電極285和保護層290的一部分而暴露的任何位置處。

密封OLED以保護OLED免受外部濕氣或氧氣影響的薄膜包封層300可以形成在OLED和保護層290上。

根據(jù)選擇的實施例，薄膜包封層300具有堆疊有多個薄膜的結(jié)構(gòu)，其中，無機層310和有機層330可以交替堆疊。

根據(jù)選擇的實施例，如圖2所示，薄膜包封層300通過順序堆疊無機層310和有機層330來形成。

雖然根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000包括一個無機層310和一個有機層330，但是薄膜的數(shù)量不限于此，更多數(shù)量的薄膜交替堆疊。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000中，無機層310形成在保護層290上，有機層330形成在無機層310上。

無機層310可以堅固地阻擋氧氣或濕氣的滲透，而有機層330可以吸收無機層310的應力并可以將柔性提供到有機層330。

無機層310可以包括由金屬氧化物或金屬氮化物形成的單層或堆疊層。根據(jù)選擇的實施例，無機層310由SiN_x、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的任意一種形成。

有機層330由聚合物形成。例如，有機層330包括由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任意一種形成的單層或堆疊層。例如，有機層330由聚丙烯酸酯形成。例如，有機層330由包括二丙烯酸酯單體和三丙烯酸酯單體的聚合物單體組合物形成。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯類單體。此外，單體組合物還可以包含本領(lǐng)域已知的光引發(fā)劑，例如，TPO。然而，本公開不限于此。

例如，OLED可以受無機層310保護，同時，可以通過有機層330來改善OLED顯示器1000的柔性。

根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000的薄膜包封層300的至少一部分可以與像素限定層270的暴露部分直接接觸。

如上所述，根據(jù)選擇的實施例，去除第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的至少一部分以暴露像素限定層270。

例如，第一開口OP1形成在第二電極285和保護層290的至少一部分處，像素限定層270在第一開口OP1處被暴露。因此，薄膜包封層300可以形成為直接接觸像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，因為薄膜包封層300包括無機層310和形成在無機層310上的有機層330，所以薄膜包封層300形成為直接接觸像素限定層270。

因此，因為無機層310形成為直接接觸像素限定層270，所以改善了薄膜包封層300與顯示器200之間的粘合。

如果當OLED顯示器1000是柔性的且是彎曲的時薄膜包封層300與顯示器200之間的粘合不充分，則薄膜包封層300由于應力而剝離。

例如，如果薄膜包封層300形成為與蒸鍍操作中形成為具有小的厚度的保護層290接觸，則當OLED顯示器彎曲發(fā)生時，薄膜包封層300由于薄膜包封層300與保護層290之間的不充分粘合而剝離。結(jié)果，如果在柔性顯示設(shè)備中薄膜包封層300剝離，則OLED沒有被充分地保護，因此柔性顯示設(shè)備的可靠性會劣化。

這里，如果薄膜包封層300的至少一部分直接粘附到布置在薄膜包封層300下面并具有特定厚度的像素限定層270，則改善了粘合，因此薄膜包封層300將不會剝離。

雖然未示出，但是還可以在像素限定層270上布置間隔件(未示出)。根據(jù)選擇的實施例，間隔件可以不形成在全部的像素限定層270上，并且可以任意地形成在一些像素限定層270上。

間隔件(未示出)可以布置為從像素限定層270向上突出，并可以布置為防止顯示特性由于外部沖擊而劣化。

根據(jù)選擇的實施例，間隔件可以與像素限定層270在同一操作中由相同的材料形成。例如，像素限定層270和間隔件可以在曝光操作中通過使用半色調(diào)掩模調(diào)整曝光基本同步或同時形成。然而，本公開不限于此。像素限定層270和間隔件可以順序地或單獨地形成并可以是由不同材料形成的獨立結(jié)構(gòu)。

根據(jù)選擇的實施例，第一開口OP1形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的一部分處，其中，第一開口OP1可以形成在沒有間隔件的部分處。

在有間隔件的部分處，間隔件形成在像素限定層270上，因此薄膜包封層300不被剝離。因此，不需要形成第一開口OP1。

因此，第一開口OP1可以在沒有間隔件的部分中形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的至少一部分處。

圖3是示出用于形成圖2的OLED顯示器1000的第二電極285、保護層290和像素限定層270的區(qū)域的示意性平面圖。圖4和圖5是示出根據(jù)其他示例性實施例的用于形成OLED顯示器的第二電極、保護層和像素限定層的區(qū)域的示意性平面圖。

如圖3所示，像素限定層270可以被形成，第二電極285和保護層290可以形成在像素限定層270上，以覆蓋像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，第二電極285和保護層290可以形成在同一區(qū)域上。因此，為了便于解釋，將以單個組件示出第二電極285和保護層290。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000中，第一開口OP1可以形成在第二電極285和保護層290的至少一部分處。如上所述，第一開口OP1可以形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的一部分處，并可以形成在像素區(qū)域和與所述像素區(qū)域相鄰的另一像素區(qū)域之間。

雖然圖3示出了在圖2中示出的OLED顯示器1000中的第二電極285和保護層290中形成的第一開口OP1，但是第一開口OP1的位置和數(shù)量不限于此。

圖4示出了根據(jù)另一示例性實施例的形成在第二電極285a和保護層290a中的第一開口OP1。

雖然根據(jù)本實施例的OLED顯示器具有與圖3中示出的實施例一樣的菱形的像素區(qū)域，但是第一開口OP1未形成在彼此相鄰的像素區(qū)域之間，而形成在與每個像素區(qū)域相鄰的區(qū)域處。

例如，根據(jù)選擇的實施例，兩個第一開口OP1形成在與每個像素區(qū)域相鄰的區(qū)域處。

在根據(jù)圖4中示出的實施例的OLED顯示器中，薄膜包封層(300；參見圖2)也在第一開口OP1處直接接觸暴露的像素限定層270，改善了薄膜包封層300與像素限定層270之間的粘合，因此即使OLED顯示器是彎曲的，薄膜包封層300也將不會剝離。

圖5示出了根據(jù)另一示例性實施例的形成在第二電極285b和保護層290b中的第一開口OP1。

與圖3和圖4中示出的實施例不同，根據(jù)本實施例的OLED顯示器具有矩形的像素區(qū)域。在這種情況下，與像素區(qū)域形成為具有類菱形形狀的情況相比，可以減小像素區(qū)域之間的距離。

因此，根據(jù)選擇的實施例，可以減小形成在第二電極285b和保護層290b中的第一開口OP1的尺寸。

例如，第一開口OP1可以形成在彼此相鄰的矩形的像素區(qū)域之間，其中，第一開口OP1的尺寸可以小于之前的實施例中的第一開口的尺寸。然而，第一開口OP1的位置和數(shù)量不限于此，第一開口OP1可以形成在任何位置處，只要第一開口OP1形成在第二電極285b和保護層290b中并暴露第二電極285b和保護層290b下面的像素限定層270即可。

在根據(jù)圖5中示出的實施例的OLED顯示器中，薄膜包封層(300；參見圖2)也在第一開口OP1處直接接觸暴露的像素限定層270，改善了薄膜包封層300與像素限定層270之間的粘合，因此即使OLED顯示器是彎曲的，薄膜包封層300也將不會剝離。

圖6是根據(jù)另一示例性實施例的OLED顯示器2000的詳細剖視圖。在圖6中，與圖2中示出的附圖標記相同的附圖標記表示與圖2中示出的組件相同的組件。因此，為了簡化解釋，將省略其詳細描述。

與根據(jù)圖2中示出的實施例的OLED顯示器1000一樣，在根據(jù)本實施例的OLED顯示器2000中，緩沖層110、半導體層(有源層)AL、柵極絕緣層210、柵電極G、層間絕緣層230、源電極S、漏電極D、通路層250和OLED順序地形成在基底100上。

根據(jù)選擇的實施例，用于限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域的像素限定層270形成在通路層250上，在像素區(qū)域中布置有OLED并發(fā)光。

根據(jù)選擇的實施例，OLED包括第一電極281、中間層283和第二電極285。第一電極281形成在彼此鄰近的像素限定層270之間，中間層283可以形成在第一電極281上，第二電極285可以圖案化形成在中間層283和像素限定層270上。

作為用于保護OLED的緩沖層的保護層290可以形成在第二電極285上。

根據(jù)選擇的實施例，保護層290可以由含LiF的材料形成。此外，根據(jù)另一選擇的實施例，保護層290在基底100上被圖案化，并圖案化形成為與第二電極285一起覆蓋像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，第一開口OP1形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的至少一部分處。

在根據(jù)本實施例的OLED顯示器2000中，如圖6所示，第一開口OP1形成在像素限定層270的側(cè)表面處。

例如，根據(jù)選擇的實施例，第二電極285和保護層290的與像素限定層270的側(cè)表面接觸的一部分通過去除而被圖案化，以暴露像素限定層270的側(cè)表面。

根據(jù)選擇的實施例，第二電極285和保護層290在像素限定層270的頂表面與像素限定層270的側(cè)表面之間被部分圖案化，以在像素限定層270的側(cè)表面處包括第一開口OP1。

然而，第一開口OP1的位置和數(shù)量不限于此，第一開口OP1可以形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的任意部分處。

在像素限定層270和OLED形成后，薄膜包封層300可以形成在像素限定層270和OLED上以保護OLED免受外部濕氣或氧氣影響。

薄膜包封層300可以通過交替堆疊多個無機層和有機層來形成。根據(jù)選擇的實施例，無機層310可以形成，有機層330可以形成在無機層310上。

無機層310可以形成在OLED上，以與像素限定層270的在第一開口OP1處暴露的部分接觸。

因為無機層310形成為在至少一部分處直接接觸像素限定層270，所以與薄膜包封層300形成為與在蒸鍍操作中沉積的薄的保護層290接觸的情況相比，可以改善薄膜包封層300與像素限定層270之間的粘合。

例如，如果薄膜包封層300形成為與各種沉積操作(例如，蒸鍍操作)中的一種中形成的薄的保護層290接觸，則薄膜包封層300與在薄膜包封層300下面的結(jié)構(gòu)之間的粘合是不充分的，因此當OLED顯示器2000是彎曲的時薄膜包封層300會剝離。

結(jié)果，如果在柔性顯示器中薄膜包封層300剝離，則OLED沒有被充分地保護，因此柔性顯示裝置的可靠性會受到質(zhì)疑。

相反，在OLED顯示器2000中，薄膜包封層300形成為粘附到形成為具有特定厚度的像素限定層270的至少一部分，即使OLED顯示器2000是彎曲的，薄膜包封層300也將不會剝離。

圖7是根據(jù)另一示例性實施例的OLED顯示器3000的透視圖。

雖然示出了作為根據(jù)本實施例的OLED顯示器3000的實施例的移動電話裝置，但是OLED顯示器3000不限于此，各種顯示設(shè)備中的任何設(shè)備可以是可應用的，只要用戶可以識別屏幕即可。

根據(jù)選擇的實施例，OLED顯示器3000是柔性顯示設(shè)備并包括前表面部分A、彎曲部分B和側(cè)表面部分C，其中，前表面部分A對于用戶來說是前表面、發(fā)光并顯示屏幕圖像，在彎曲部分B處發(fā)生彎曲，側(cè)表面部分C對于用戶來說是顯示設(shè)備的側(cè)表面。

根據(jù)選擇的實施例，前表面部分A是顯示屏幕圖像的發(fā)光區(qū)域，而彎曲部分B也可以是顯示屏幕圖像的區(qū)域。

根據(jù)選擇的實施例，彎曲部分B是不顯示屏幕圖像并布置有電路的區(qū)域。

根據(jù)選擇的實施例，側(cè)表面部分C是顯示屏幕圖像的發(fā)光區(qū)域。在這種情況下，顯示區(qū)域可以擴大，并且彎曲可以發(fā)生在顯示區(qū)域中。

根據(jù)選擇的實施例，側(cè)表面部分C是不發(fā)射可被用戶識別的可見光線的區(qū)域，即，不顯示屏幕圖像的邊框區(qū)域。

圖7示出了在前表面部分A、彎曲部分B和側(cè)表面部分C中的所有部分處顯示屏幕圖像的移動電話裝置。然而，根據(jù)選擇的實施例，彎曲部分B和/或側(cè)表面部分C可以不是如上所述的發(fā)光區(qū)域，本公開不限于此。

圖8是圖7中示出的OLED顯示器3000的詳細的示意性剖視圖。在圖8中，與圖2中示出的附圖標記相同的附圖標記表示與圖2中示出的組件相同的組件。因此，為了簡化解釋，將省略其詳細描述。

與根據(jù)圖2中示出的實施例的OLED顯示器1000一樣，在根據(jù)本實施例的OLED顯示器3000中，緩沖層110、半導體層(有源層)AL、柵極絕緣層210、柵電極G、層間絕緣層230、源電極S、漏電極D、通路層250和OLED可以按所述的順序形成在基底100上。

在OLED顯示器3000中，第二開口OP2形成在與發(fā)生彎曲所處的彎曲部分B對應的層間絕緣層230和通路層250處。

例如，層間絕緣層230和通路層250被圖案化為在彎曲部分B處被去除。

根據(jù)選擇的實施例，用于限定包括OLED的像素區(qū)域和非像素區(qū)域的像素限定層270形成在通路層250上。

根據(jù)選擇的實施例，OLED包括第一電極281、中間層283和第二電極285，其中，第一電極281可以形成在彼此鄰近的像素限定層270之間，中間層283可以形成在第一電極281上，第二電極285可以形成在中間層283和像素限定層270上。

作為用于保護OLED的緩沖層的保護層290可以形成在第二電極285上。

根據(jù)選擇的實施例，保護層290可以由含LiF的材料形成。此外，根據(jù)另一選擇的實施例，保護層290可以在基底100上被圖案化，并圖案化形成為與第二電極285一起覆蓋像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，第一開口OP1形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的至少一部分處。

例如，可以去除第二電極285和保護層290的覆蓋像素限定層270的至少一部分，以暴露布置在第二電極285和保護層290下面的像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，在圖8中示出的OLED顯示器3000中，可以去除第二電極285和保護層290的位于像素限定層270的頂表面上的部分，從而形成第一開口OP1。

然而，第一開口OP1的位置和數(shù)量不限于此，第一開口OP1可以形成在第二電極285和保護層290的與像素限定層270接觸的任何位置處。例如，第一開口OP1可以形成在像素限定層270的可通過去除第二電極285和保護層290的一部分而暴露的任何位置處。

密封OLED以保護OLED免受外部濕氣或氧氣影響的薄膜包封層300可以形成在OLED和保護層290上。根據(jù)選擇的實施例，薄膜包封層300包括形成在底部處的無機層310和形成在無機層310上的有機層330。

根據(jù)選擇的實施例，薄膜包封層300形成為直接接觸像素限定層270。

因此，因為無機層310形成為直接接觸像素限定層270，所以改善了薄膜包封層300與顯示器200之間的粘合。

如果當OLED顯示器3000是柔性的且是彎曲的時薄膜包封層300與顯示器200之間的粘合不充分，則薄膜包封層300由于應力而剝離。

例如，如果薄膜包封層300形成為與蒸鍍操作中形成為具有小的厚度的保護層290接觸，則當OLED顯示器彎曲發(fā)生時，薄膜包封層300由于薄膜包封層300與保護層290之間的不充分粘合而剝離。結(jié)果，如果在柔性顯示設(shè)備中薄膜包封層300剝離，則OLED沒有被充分地保護，因此柔性顯示設(shè)備的可靠性會劣化。

這里，如果薄膜包封層300的至少一部分直接粘附到布置在薄膜包封層300下面并具有特定厚度的像素限定層270，則改善了薄膜包封層300與像素限定層270之間的粘合，因此薄膜包封層300將不會剝離。

根據(jù)本實施例的OLED顯示器3000的薄膜包封層300在第二開口OP2處直接粘附到柵極絕緣層210。

根據(jù)選擇的實施例，第二開口OP2形成在彎曲部分B處，層間絕緣層230和通路層250被圖案化為在第二開口OP2處被去除。因此，在第二開口OP2處，形成在第二開口OP2上的薄膜包封層300可以形成為與柵極絕緣層210的頂表面直接接觸。

根據(jù)選擇的實施例，包括在薄膜包封層300中的無機層310形成為在第二開口OP2處與柵極絕緣層210的頂表面接觸。

此外，根據(jù)選擇的實施例，薄膜包封層300形成為在第二開口OP2處與層間絕緣層230和通路層250的側(cè)表面直接接觸。

根據(jù)選擇的實施例，包括在薄膜包封層300中的無機層310形成為在第二開口OP2處與層間絕緣層230和通路層250的側(cè)表面接觸。

OLED顯示器3000的厚度可以在彎曲部分B處減小。例如，因為柵極絕緣層210布置在基底100上，且薄膜包封層300直接形成在柵極絕緣層210上，所以O(shè)LED顯示器3000的彎曲部分B的厚度可以變得比OLED顯示器3000的其余部分的厚度小。

因此，因為發(fā)生彎曲所處的彎曲部分B的厚度減小，所以可以減小應力，從而可以改善OLED顯示器3000的柔性。

此外，在第二開口OP2處，薄膜包封層300在蒸鍍操作中未形成為具有小的厚度，而形成為與形成為具有特定厚度的柵極絕緣層210直接接觸。因此，可以改善彎曲部分B處的薄膜包封層300與其下面的結(jié)構(gòu)的粘合。

在發(fā)生彎曲所處的區(qū)域處，如果薄膜包封層300與其下面的結(jié)構(gòu)之間的粘合是不充分的，則薄膜包封層300會容易剝離。因此，在OLED顯示器3000中，薄膜包封層300在發(fā)生彎曲所處的彎曲部分B處直接粘附到其下面的柵極絕緣層210，從而可以改善薄膜包封層300與其下面的結(jié)構(gòu)之間的粘合。

然而，雖然圖8示出了在OLED顯示器3000中，第二開口OP2形成在層間絕緣層230和通路層250處且薄膜包封層300直接形成在柵極絕緣層210上，但是本公開不限于此。

例如，根據(jù)選擇的實施例，第二開口OP2可以僅形成在通路層250處。在這種情況下，僅通路層250被圖案化為在第二開口OP2處被去除，薄膜包封層300形成為直接粘附到層間絕緣層230。

圖9是更詳細地示出圍繞彎曲部分B的彎曲的OLED顯示器3000的示意性剖視圖。在圖9中，與圖8中示出的附圖標記相同的附圖標記表示與圖8中示出的組件相同的組件。因此，為了簡化解釋，將省略其詳細描述。

如圖9所示，根據(jù)本實施例的OLED顯示器3000可以在彎曲部分B處彎曲。

根據(jù)選擇的實施例，形成在基底100上的組件可以僅包括緩沖層110、柵極絕緣層210和薄膜包封層300，其中，彎曲部分B的厚度可以比除了彎曲部分B之外的部分(例如，前表面部分A和側(cè)表面部分C)的厚度小。

因此，彎曲部分的厚度減小，施加到堆疊層的應力在OLED顯示器3000彎曲時減小，因此可以改善OLED顯示器3000的柔性。此外，因為在彎曲部分B處第二開口OP2形成在層間絕緣層230和通路層250處，所以薄膜包封層300形成為直接粘附到柵極絕緣層210。結(jié)果，即使OLED顯示器3000是彎曲的，薄膜包封層300也可以由于薄膜包封層300與其下面的結(jié)構(gòu)的改善的粘合而不會剝離。

在下文中，將詳細描述根據(jù)示例性實施例的制造OLED顯示器1000的方法。

可以設(shè)置柔性基底100，可以在基底100上設(shè)置緩沖層110，可以在緩沖層110上形成薄膜晶體管TFT。

由包括非晶硅或晶體硅的半導體來形成半導體層AL。可以在緩沖層110上使用各種沉積方法中的一種來沉積半導體層AL。這里，可以通過使非晶硅結(jié)晶來形成晶體硅。根據(jù)選擇的實施例，可以通過使用包括快速熱退火(RTA)法、固相結(jié)晶(SPC)法、準分子激光退火(ELA)法、金屬誘導結(jié)晶(MIC)法、金屬誘導橫向結(jié)晶(MILC)法和順序橫向凝固(SLS)法的各種方法中的一種來使非晶硅結(jié)晶。根據(jù)選擇的實施例，可以在光刻操作中使半導體層AL圖案化。

柵極絕緣層210使半導體層AL與將形成到柵極絕緣層210的柵電極G絕緣，并完全地形成在緩沖層110上以覆蓋半導體層AL?？梢杂砂R射、化學氣相沉積(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)的各種沉積方法中的一種方法來形成柵極絕緣層210。

接下來，可以在柵極絕緣層210上形成柵電極G，使得柵電極G與半導體層AL至少部分地疊置。

接下來，在基底上完全地形成層間絕緣層230，以覆蓋柵電極G。根據(jù)選擇的實施例，可以由包括濺射、化學氣相沉積(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)的各種沉積方法中的一種方法來形成層間絕緣層230。

接下來，可以在層間絕緣層230上形成源電極S和漏電極D，并在基底上完全地形成通路層250，以覆蓋源電極S和漏電極D。

可以在通路層250上形成限定像素區(qū)域和非像素區(qū)域的像素限定層270，可以在像素限定層270的一部分上形成間隔件(未示出)。

可以在像素限定層270之間形成第一電極281，可以在第一電極281上形成中間層283，可以在中間層283和像素限定層270上形成第二電極285。

這里，可以在第二電極285和像素限定層270彼此接觸的區(qū)域的一部分處形成第二電極285被去除的第一開口OP1。

例如，可以在基底上完全地圖案化形成第二電極285，使得第二電極285的一部分在第一開口OP1處被去除，以暴露像素限定層270。

可以在第二電極285上形成用于保護OLED的保護層290。根據(jù)選擇的實施例，可以在蒸鍍操作中通過沉積LiF薄膜來由LiF形成保護層290。

這里，可以將保護層290形成為與第二電極285一起覆蓋像素限定層270。

根據(jù)選擇的實施例，可以在保護層290和像素限定層270彼此接觸的區(qū)域的一部分處形成保護層290被去除的第一開口OP1。

例如，可以在基底上圖案化形成保護層290，以通過去除保護層290的與第二電極285的一部分被去除所處的第一開口OP1的位置相同的位置處的部分來暴露像素限定層270。

在形成OLED和保護層290之后，可以形成用于密封OLED的薄膜包封層300，以保護OLED免受外部濕氣或氧氣影響。

這里，可以形成無機層310，然后可以在無機層310上形成有機層330，其中，可以在第一開口OP1處將無機層310形成為與像素限定層270直接接觸。

因此，形成根據(jù)本實施例的OLED顯示器1000，使得薄膜包封層300在至少一個區(qū)域處直接接觸像素限定層270。因此，可以改善薄膜包封層300與像素限定層270之間的粘合。

在下文中，將參照圖8詳細地描述根據(jù)示例性實施例的制造OLED顯示器3000的方法。為了便于解釋，將省略以上給出的與制造根據(jù)圖2中示出的實施例的OLED顯示器1000的方法相關(guān)的描述相同的描述。

可以設(shè)置由柔性材料形成的基底100，可以在基底100上形成緩沖層110，可以在緩沖層110上形成薄膜晶體管TFT。

可以在緩沖層110上形成半導體層AL，可以形成柵極絕緣層210以覆蓋半導體層AL。可以在柵極絕緣層210上形成柵電極G以與半導體層AL至少部分地疊置。

接下來，可以圖案化形成層間絕緣層230以覆蓋柵電極G。根據(jù)選擇的實施例，可以由包括濺射、化學氣相沉積(CVD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)的各種沉積方法中的一種方法來形成層間絕緣層230。

此外，根據(jù)選擇的實施例，可以圖案化形成層間絕緣層230，使得層間絕緣層230的一部分在彎曲部分B處被去除。因此，可以在彎曲部分B處形成第二開口OP2。

接下來，可以在層間絕緣層230上形成源電極S和漏電極D，并可以形成通路層250以覆蓋源電極S和漏電極D。

根據(jù)選擇的實施例，可以沉積通路層250，使得通路層250的一部分在彎曲部分B處被去除。因此，可以在彎曲部分B處形成第二開口OP2。

例如，在彎曲部分B處去除層間絕緣層230和通路層250的一部分，因此可以在層間絕緣層230和通路層250的位于彎曲部分B處的部分處形成第二開口OP2。

可以在通路層250上形成OLED和像素限定層270。可以在OLED和像素限定層270上形成保護層290，其中，可以在諸如蒸鍍操作的各種沉積操作中的一種沉積操作中形成保護層290。根據(jù)選擇的實施例，可以由含LiF的材料來形成保護層290。

在形成OLED和保護層290之后，可以形成密封OLED以保護OLED免受外部濕氣或氧氣影響的薄膜包封層300。

這里，可以形成無機層310，然后可以在無機層310上形成有機層330，其中，可以將無機層310形成為在第二開口OP2處與柵極絕緣層210直接接觸。

因此，可以減小彎曲部分B的厚度，可以改善薄膜包封層300的粘附性。結(jié)果，可以防止柔性O(shè)LED顯示器中的彎曲部分B處的應力集中或薄膜包封層300的剝離。

如上所述，根據(jù)上述示例性實施例中的一個或更多個，可以防止由于粘附性的劣化而造成的OLED顯示器的薄膜包封層的剝離。

應理解的是，應僅以描述性的含義來考慮在這里描述的示例性實施例，而不是出于限制的目的。對每個示例性實施例中的特征和方面的描述通常應該被認為可用于其他示例性實施例中的其他相似的特征或方面。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了發(fā)明技術(shù)，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式上和細節(jié)上的各種改變。