本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種測(cè)試器件。

背景技術(shù)：

從半導(dǎo)體單晶片到最終成品，半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)包括數(shù)十甚至上百道工序。為了確保所生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件性能合格、穩(wěn)定可靠，半導(dǎo)體器件制造工藝除了包括形成半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工序，還包括對(duì)所形成半導(dǎo)體器件進(jìn)行檢測(cè)的測(cè)試工藝。

晶圓接收測(cè)試(Wafer Acceptance Test,WAT)是對(duì)特定的測(cè)試器件(Testkey)進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試，根據(jù)測(cè)試器件的測(cè)試結(jié)果，反映生產(chǎn)工序是否正常，以及生產(chǎn)工序的穩(wěn)定性。

所述測(cè)試器件與半導(dǎo)體器件同時(shí)形成于晶圓上，因此測(cè)試器件需要占用一定的晶圓面積。隨著芯片面積的減小，每個(gè)晶圓上芯片的數(shù)量隨之增加，芯片的密度隨之增大。測(cè)試器件對(duì)晶圓面積的占用，使晶圓上可用芯片的面積隨之減小，影響了形成半導(dǎo)體器件的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種測(cè)試器件，以減小測(cè)試器件占用晶圓的面積。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種測(cè)試器件，用于與探針卡上的探針實(shí)現(xiàn)接觸連接進(jìn)行測(cè)試，所述探針卡上具有多個(gè)探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，包括：

多個(gè)用于測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)；多個(gè)連接墊組，所述多個(gè)連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。

可選的，第二方向與所述第一方向相垂直，所述探針卡沿所述第一方向移動(dòng)，所述連接墊沿第一方向的尺寸小于或等于沿第二方向的尺寸。

可選的，所述連接墊的形狀為長(zhǎng)方形或正方形。

可選的，所述連接墊的形狀為正方形，所述連接墊的邊長(zhǎng)在40微米到60微米范圍內(nèi)。

可選的，所述連接墊組內(nèi)所述多個(gè)連接墊尺寸相同。

可選的，所述多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)連接墊組沿第一方向呈直線排列。

可選的，所述連接墊組內(nèi)連接墊的數(shù)量大于2，相鄰連接墊之間間隔相等。

可選的，相鄰連接墊之間的間隔在5微米到15微米范圍內(nèi)。

可選的，所述測(cè)試器件包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)；所述連接墊組包括第一連接墊和第二連接墊，所述第一連接墊與所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，所述第二連接墊與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)相連。

可選的，多個(gè)所述連接墊組位于所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)之間；或者，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)分別位于相鄰連接墊組之間。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明技術(shù)方案中，連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，并且相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本發(fā)明通過多個(gè)連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測(cè)試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測(cè)試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。

附圖說明

圖1是一種測(cè)試器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明測(cè)試器件第一實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明測(cè)試器件第二實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明測(cè)試器件第三實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)中的測(cè)試器件存在占用晶圓面積過大的問題?，F(xiàn)結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)中的測(cè)試器件以及晶圓接受測(cè)試的過程分析其占用面積過大問題的原因：

參考圖1，示出了一種測(cè)試器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

所述測(cè)試器件包括：

襯底(圖中未示出)；位于襯底上的測(cè)試器件10以及4個(gè)連接墊11，所述測(cè)試器件10與所述4個(gè)連接墊11沿第一方向x排列，所述4個(gè)連接墊11均與所述測(cè)試器件10相連。

現(xiàn)有技術(shù)中的電學(xué)性能測(cè)試是利用一個(gè)具有多個(gè)探針的探針卡，將所述探針卡上的探針與所述多個(gè)連接墊相互接觸，進(jìn)行電性測(cè)試。所以，相鄰連接墊11之間的距離與電學(xué)性能測(cè)試中探針卡上相鄰探針之間的間隔相等，從而能夠使多個(gè)探針與多個(gè)所述連接墊11對(duì)應(yīng)接觸相連。

在對(duì)所述測(cè)試器件進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試的過程中，所使用探針卡上探針之間的間距為200微米。所述測(cè)試器件中連接墊11為長(zhǎng)方形，沿第一方向x的尺寸l為90微米，沿與第一方向x相垂直的第二方向y的尺寸w為50微米。而且相鄰連接墊11之間的間隔d為110微米。

在進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試時(shí)，所以探針卡上的探針能夠與所述4個(gè)連接墊11同時(shí)接觸，實(shí)現(xiàn)電連接。

由于依次排列的連接墊11均僅與所述測(cè)試器件10相連，也就是說，所有相鄰連接墊11均與一個(gè)測(cè)試器件10相連，從而造成測(cè)試器件中測(cè)試器件10的密度較小，所述測(cè)試器件占用晶圓面積較大。

為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種測(cè)試器件，用于與探針卡上的探針實(shí)現(xiàn)接觸連接進(jìn)行測(cè)試，所述探針卡上具有多個(gè)探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，包括：

多個(gè)用于測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)；多個(gè)連接墊組，所述多個(gè)連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。

本發(fā)明技術(shù)方案中，連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，并且相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本發(fā)明通過多個(gè)連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測(cè)試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測(cè)試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

參考圖2，示出了本發(fā)明測(cè)試器件第一實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

需要說明的是，所述測(cè)試器件用于與探針卡上的探針實(shí)現(xiàn)接觸連接進(jìn)行測(cè)試，所述探針卡上具有多個(gè)探針，相鄰探針之間的距離為探針距離。

所以所述測(cè)試器件包括：

多個(gè)用于測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，所述測(cè)試器件還包括用于提供操作平臺(tái)的襯底(圖中未示出)。具體的，本實(shí)施例中，所述襯底的材料為單晶硅。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，所述襯底的材料還可以選自多晶硅、非晶硅、鍺、砷化鎵或鍺硅的其他半導(dǎo)體材料。此外，所述襯底還可以是具有外延層或外延層上的硅結(jié)構(gòu)。

所述測(cè)試結(jié)構(gòu)用于與探針卡上的探針實(shí)現(xiàn)電連接以進(jìn)行測(cè)試。具體的，本實(shí)施例中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)用于進(jìn)行晶圓接受測(cè)試，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)與襯底上芯片內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)同時(shí)形成，以反映生產(chǎn)工序是否正常進(jìn)行以及生產(chǎn)工序的穩(wěn)定。

測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量大于或等于2個(gè)。本實(shí)施例中，所述測(cè)試器件中測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量為2個(gè)，分別為第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120，也就是說，所述測(cè)試器件包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120。

所述測(cè)試器件還包括：

多個(gè)連接墊組200，所述多個(gè)連接墊組200沿第一方向X排列，所述連接墊組200包括沿所述第一方向X排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。

所述連接墊組200用于與探針卡上的探針實(shí)現(xiàn)接觸連接以進(jìn)行測(cè)試。

具體的，所述多個(gè)連接墊組200沿第一方向X排列。

所述連接墊組200的數(shù)量與所述測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)部電路與外部電路連接情況相關(guān)。本實(shí)施例中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)具有多個(gè)連接點(diǎn)(圖中未標(biāo)示)，所述連接點(diǎn)用于實(shí)現(xiàn)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)部電路與外部電路之間的電連接。所述連接點(diǎn)分別與不同的連接墊組200相連。所以，所述連接墊組200的數(shù)量與所述連接點(diǎn)的數(shù)量相等。

具體的，本實(shí)施例中，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120均具有4個(gè)連接墊，所以所述連接墊組200的數(shù)量為4個(gè)。

為了減小所述測(cè)試器件的面積，所述多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述多個(gè)連接墊組200沿第一方向X呈直線排列。具體的，所述多個(gè)連接墊組200沿第一方向X排列，所以所述多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)也沿第一方向X排列，并且與所述多個(gè)連接墊組200共線設(shè)置。

本實(shí)施例中，所述測(cè)試器件包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120，所述連接墊組200的數(shù)量為4個(gè)。所以所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120以及4個(gè)連接墊組200共線設(shè)置。

具體的，如圖2所示，本實(shí)施例中，多個(gè)所述連接墊組200位于所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120之間。

所述連接墊組200包括多個(gè)沿第一方向X排列的連接墊。所述連接墊用于與探針卡上的探針一一對(duì)應(yīng)接觸相連，以實(shí)現(xiàn)電連接，進(jìn)行測(cè)試。

為了簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，減少晶圓面積浪費(fèi)，本實(shí)施例中，所述連接墊的形狀為長(zhǎng)方形或正方形。

具體的，在進(jìn)行測(cè)試過程中，當(dāng)一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試完成后進(jìn)行下一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試時(shí)，探針卡沿第一方向X移動(dòng)。所述連接墊沿所述第一方向X的尺寸L小于或等于沿第二方向Y的尺寸W，其中所述第二方向Y與所述第一方向X相垂直。使所述連接墊沿所述第一方向X尺寸小于或等于沿第二方向Y尺寸W的做法能夠減小所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的面積，增大用于形成可用芯片的面積。

本實(shí)施例中，所述連接墊沿所述第一方向X的尺寸L等于沿第二方向Y的尺寸W。所以本實(shí)施例中，所述連接墊為正方形。

如果所述連接墊的邊長(zhǎng)太大，則會(huì)使所形成測(cè)試結(jié)構(gòu)面積太大，進(jìn)而使用于形成可用芯片的晶圓面積太小；如果所述連接墊的邊長(zhǎng)太小，則會(huì)增加測(cè)試過程中探針與連接墊接觸連接的難度，從而影響對(duì)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試精度。

具體的，所述連接墊的邊長(zhǎng)在40微米到60微米范圍內(nèi)，所以所述連接墊的邊長(zhǎng)可以為45微米、50微米或55微米等尺寸。本實(shí)施例中，所述連接墊為邊長(zhǎng)L為50微米的正方形。

由于所述連接墊組200內(nèi)的連接墊分別與不同的測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，所以所述連接墊組200內(nèi)連接墊的數(shù)量與所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量以及所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的電路連接情況相關(guān)。

本實(shí)施例中，同一連接墊組200內(nèi)不同所述連接墊與不同所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的連接點(diǎn)相連，而且不同連接墊組200內(nèi)對(duì)應(yīng)連接墊與同一測(cè)試器件相連。

具體的，所述測(cè)試器件包括所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120，所以所述連接墊組200內(nèi)連接墊的數(shù)量為2個(gè)，且分別與所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120對(duì)應(yīng)相連，也就是說，所述連接墊組200包括第一連接墊210和第二連接墊220，所述第一連接墊210與所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)110相連，所述第二連接墊220與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)120相連。

所述連接墊組200內(nèi)的所述多個(gè)連接墊尺寸相同，從而簡(jiǎn)化布圖設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)，降低工藝難度。也就是說，所述連接墊組200中的所述第一連接墊210和所述第二連接的220均為邊長(zhǎng)為50微米的正方形。

需要說明的是，本實(shí)施例中，所述多個(gè)連接墊組200沿第一方向X排列，所述連接墊組200內(nèi)的連接墊也沿第一方向X排列。采用連接墊排列方向與連接墊組排列方向一致的做法，能夠有效的減小連接墊組的面積。

連接墊組200內(nèi)，相鄰連接墊之間的間隔S不宜太大也不宜太小。具體的，相鄰連接墊之間的間隔S如果太大，則會(huì)增大連接墊組200的面積，不利于減小測(cè)試器件占用晶圓的面積；相鄰連接墊之間的間隔S如果太小，則會(huì)增大形成所述連接墊的工藝難度，也會(huì)使相鄰連接墊之間出現(xiàn)短路問題的風(fēng)險(xiǎn)增加，從而影響對(duì)所述測(cè)試器件的測(cè)試。具體的，相鄰連接墊之間的間隔S在5微米到15微米范圍內(nèi)。本實(shí)施例中，所述第一連接墊210和所述第二連接墊220之間的間隔S為10微米。

所述連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。不同連接墊組內(nèi)對(duì)應(yīng)連接墊與同一測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，從而在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，探針卡上的探針能夠同時(shí)與多個(gè)連接墊組內(nèi)對(duì)應(yīng)連接墊同時(shí)接觸，實(shí)現(xiàn)電連接，以進(jìn)行測(cè)試。

所以相鄰連接墊組之間的間隔M與探針間距、相鄰連接墊之間的間隔S以及連接墊的尺寸相關(guān)。如圖2所示，本實(shí)施例中，所述第一連接墊210和所述第二連接的220均為邊長(zhǎng)為50微米的正方形，而且所述第一連接墊210和所述第二連接墊220之間的間隔S為10微米，相鄰連接墊組200之間的間隔M為90微米。所以相鄰連接墊組200內(nèi)對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離D為200微米，也就是說，相鄰連接墊組200內(nèi)所述第一連接墊210之間的間隔D為200微米。

本實(shí)施例中，所述探針間距為200微米。相鄰連接墊組200內(nèi)對(duì)應(yīng)連接墊之間的間隔D與所述探針距離相等。所以所述測(cè)試器件能夠與所述探針卡兼容，無需更換設(shè)備，改變工藝，無需對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行較大改動(dòng)即可實(shí)現(xiàn)測(cè)試，無需增加額外工藝和成本。

需要說明的是，本實(shí)施例中，所述測(cè)試器件中的多個(gè)連接墊組200位于所述第一測(cè)試器件110和所述第二測(cè)試器件120之間。但是這種做法僅為一示例，本發(fā)明其他實(shí)施例中，所述測(cè)試器件也可以位于多個(gè)所述連接墊組200的之間。

參考圖3，示出了本發(fā)明測(cè)試器件第二實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

本實(shí)施例中與前述實(shí)施例不同之處在于。所述測(cè)試結(jié)構(gòu)位于相鄰連接墊組400之間。

具體的，本實(shí)施例中，所述測(cè)試器件包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)310和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)320，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)310和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)320分別位于相鄰連接墊組400之間。

所述連接墊組400也包括第一連接墊410和第二連接墊420，所述第一測(cè)試器件310與所述第一連接墊410相連，所述第二測(cè)試器件320與所述第二連接墊420相連。

參考圖4，示出了本發(fā)明測(cè)試器件第三實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

本實(shí)施例與前述實(shí)施例相同之處本發(fā)明在此不再贅述。本實(shí)施例與前述實(shí)施例不同之處在于，本實(shí)施例中，所述連接墊組600內(nèi)連接墊的數(shù)量大于2。

本實(shí)施例中，所述測(cè)試器件包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)510、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)520以及第三測(cè)試結(jié)構(gòu)530，所述連接墊組600內(nèi)包括第一連接墊610、第二連接墊620以及第三連接墊630。所述第一連接墊610與所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)510相連，所述第二連接墊620與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)520相連，所述第三連接墊630與所述第三測(cè)試結(jié)構(gòu)530相連。

由于所述連接墊組600內(nèi)包括2個(gè)以上連接墊，所以相鄰連接墊之間的間隔相等。具體的，所述第一連接墊610和所述第二連接墊620之間的第一間隔S1和所述第二連接墊620和所述第三連接墊630之間的第二間隔S2相等。

需要說明的是，為了減小所述測(cè)試器件的面積，本實(shí)施例中，所述連接墊組600內(nèi)的連接墊的形狀為長(zhǎng)方形。具體的，在進(jìn)行測(cè)試過程中，當(dāng)一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試完成后進(jìn)行下一個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試時(shí)，探針卡沿第一方向A移動(dòng)。所述連接墊沿第一方向A排列。第二方向B與所述第一方向A相垂直。所述連接墊沿第一方向A的尺寸小于沿第二方向B的尺寸。

綜上，本發(fā)明技術(shù)方案中，連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個(gè)連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，并且相鄰連接墊組對(duì)應(yīng)連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本發(fā)明通過多個(gè)連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個(gè)所述連接墊分別與不同測(cè)試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測(cè)試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測(cè)試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。