技術(shù)總結(jié)
本申請公開電流擴展層的外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長SiInN/SiAlN超晶格電流擴展層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻雜Mg的P型GaN層、降溫冷卻。生長SiInN/SiAlN超晶格電流擴展層的條件為保持反應腔壓力300mbar?400mbar、保持溫度800℃?900℃，通入流量為30000sccm?60000sccm的NH3、100sccm?200sccm的TMAl、1000sccm?2000sccm的TMIn、100L/min?130L/min的N2、1sccm?5sccm的SiH4。

技術(shù)研發(fā)人員：張宇
受保護的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201610833486
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.20
技術(shù)公布日：2017.01.04