本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

目前，在薄膜的濺射工藝中，靶材經(jīng)濺射沉積在基板上結(jié)晶形成薄膜，薄膜的性能與結(jié)晶溫度密切相關(guān)，結(jié)晶溫度不同，形成的薄膜的致密性不同，為了滿足實(shí)際需求需要在特定溫度結(jié)晶下，才能形成滿足需求的薄膜。但是，如果正在制備的膜層所需的結(jié)晶溫度高于下方已經(jīng)制備好的膜層的沸點(diǎn)，該已制備好的膜層的材料就會(huì)蒸發(fā)滲透進(jìn)入正在制備的膜層中，對(duì)正在制備的膜層造成污染，導(dǎo)致其成膜質(zhì)量下降。例如，在彩膜基板上制備氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜時(shí)，一般低溫結(jié)晶的ITO膜層不夠致密，且電阻率偏高，容易造成顯示異常，出現(xiàn)云紋(mura)，因而需要采用高溫結(jié)晶，但是由于ITO膜層的結(jié)晶溫度較高，彩膜基板上已經(jīng)制備的色阻會(huì)因高溫而蒸發(fā)，對(duì)制備的ITO膜層造成污染，導(dǎo)致降低ITO薄膜的成膜質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及鍍膜裝置，用于解決在濺射膜層的過(guò)程中，已制備的膜層因高溫蒸發(fā)對(duì)正在制備的膜層造成污染，導(dǎo)致成膜質(zhì)量下降的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種顯示基板的制作方法，該方法包括：

在形成有第一膜層的襯底基板上濺射保護(hù)膜層，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；

在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上濺射第二膜層，所述第二膜層的結(jié)晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；其中，所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)，所述保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)不低于所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)。

較佳地，所述第一膜層為色阻層；所述第二膜層為透明電極層；所述保護(hù)膜層的材料為透明導(dǎo)電材料。

較佳地，在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上濺射第二膜層之前，該方法還包括：

采用高于所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的退火溫度對(duì)所述保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理。

較佳地，所述保護(hù)膜層的材料與所述第二膜層的材料相同。

較佳地，所述色阻層的材料為二苯甲酮亞胺；所述透明電極層的材料為ITO；所述保護(hù)膜層的材料為ITO；

所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的范圍為100攝氏度～150攝氏度；所述第二膜層的結(jié)晶溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度；所述退火溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度。

較佳地，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度為130攝氏度；所述第二膜層的結(jié)晶溫度為230攝氏度；所述退火溫度為230攝氏度。

一種顯示基板，包括襯底基板，在襯底基板上依次層疊的第一膜層、保護(hù)膜層和第二膜層；其中，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的結(jié)晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；

所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)，所述保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)不低于所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)。

較佳地，所述第一膜層為色阻層；所述第二膜層為透明電極層；所述保護(hù)膜層的材料為透明導(dǎo)電材料。

較佳地，所述保護(hù)膜層的材料為石墨烯、透明金屬或者透明金屬氧化物。

較佳地，所述保護(hù)膜層的材料與所述第二膜層的材料相同。

較佳地，所述光阻層的材料為二苯甲酮亞胺；所述透明電極層的材料為ITO；所述保護(hù)膜層的材料為ITO。

較佳地，所述保護(hù)膜層的膜層厚度與所述第二膜層的膜層厚度的比值范圍為1:9～1:1。

一種顯示面板，包括如以上任一項(xiàng)所述的顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板、其制作方法及顯示面板中，由于在第一膜層上設(shè)置保護(hù)膜層，該保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)比較高，因而在一定高溫下比第一膜層穩(wěn)定，可以將第一膜層保護(hù)起來(lái)，在高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)的結(jié)晶溫度下濺射第二膜層的時(shí)候，該保護(hù)膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發(fā)出來(lái)污染第二膜層，保證了第二膜層的成膜質(zhì)量。

一種鍍膜裝置，包括腔室；所述腔室內(nèi)設(shè)置有：

用于在形成有第一膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第一次濺射，以形成保護(hù)膜層，以及在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射，以形成第二膜層的鍍膜單元；其中，所述保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的結(jié)晶溫度高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；所述第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于所述第一膜層的材料的沸點(diǎn)；

用于控制所述保護(hù)膜層和第二膜層的結(jié)晶溫度，以及在形成有所述保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射之前，對(duì)所述保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理的加熱退火單元。

較佳地，所述鍍膜裝置為磁控濺射鍍膜裝置；

所述加熱退火單元位于所述腔室的底部，所述鍍膜單元位于所述腔室的頂部；

或者，所述加熱退火單元位于所述腔室的頂部，所述鍍膜單元位于所述腔室的底部。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜裝置中，在腔室內(nèi)設(shè)置鍍膜單元和加熱退火單元，利用該裝置可以在第一膜層上設(shè)置保護(hù)膜層，該保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)比較高，因而在一定高溫下比第一膜層穩(wěn)定，可以將第一膜層保護(hù)起來(lái)，并且可以對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理，以保證其致密性，在高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)的結(jié)晶溫度下濺射第二膜層的時(shí)候，該保護(hù)膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發(fā)出來(lái)污染第二膜層，保證了第二膜層的成膜質(zhì)量。該方案中，由于可以在同一設(shè)備中實(shí)現(xiàn)第一膜層的保護(hù)膜層和第二膜層鍍膜、退火一體化，可以減少搬運(yùn)過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝，也減少了其它雜質(zhì)對(duì)第二膜層的污染，進(jìn)一步保證了成膜質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a～圖3d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種鍍膜裝置示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種鍍膜裝置示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種加熱退火單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種加熱退火單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及鍍膜裝置進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，如圖1所示，該方法至少包括如下步驟：

步驟110、在形成有第一膜層的襯底基板上濺射保護(hù)膜層，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于第一膜層的材料的沸點(diǎn)。

步驟120、在形成有保護(hù)膜層的襯底基板上濺射第二膜層，第二膜層的結(jié)晶溫度高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；其中，第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)，保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)不低于第二膜層的材料的沸點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例中，由于在第一膜層上設(shè)置保護(hù)膜層，該保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)比較高，因而在一定高溫下比第一膜層穩(wěn)定，可以將第一膜層保護(hù)起來(lái)，在高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)的結(jié)晶溫度下濺射第二膜層的時(shí)候，該保護(hù)膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發(fā)出來(lái)污染第二膜層，保證了第二膜層的成膜質(zhì)量。

其中，第一膜層和第二膜層的具體結(jié)構(gòu)有多種，例如，在有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-emitting Diode，OLED)顯示面板中，第一膜層可以為有機(jī)發(fā)光層，第二膜層可以是陰極電極層，再例如，在液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)顯示面板中，在彩膜基板上，第一膜層可以為色阻層，第二膜層可以為透明電極層，此處不再對(duì)其它可能的結(jié)構(gòu)一一列舉。下面以第一膜層為色阻層，第二膜層為透明電極層這一結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行具體說(shuō)明。

較佳地，第一膜層為色阻層；第二膜層為透明電極層；保護(hù)膜層的材料為透明導(dǎo)電材料。具體實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層的材料可以但不限于為石墨烯、透明金屬或者透明金屬氧化物。其中的透明金屬可以是透明金屬銀、鋁等等，透明金屬氧化物可以是ITO、IZO，等等，此處不再一一列舉。

由于保護(hù)膜層是在低于第一膜層的沸點(diǎn)下結(jié)晶的，對(duì)于某些材料來(lái)說(shuō)，在較低溫度下結(jié)晶的膜層的致密性較差，為了提高膜層的致密性，較佳地，在形成有保護(hù)膜層的襯底基板上濺射第二膜層之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法還包括：對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理。本實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)退火處理的保護(hù)膜層的致密性會(huì)提高，膜層的導(dǎo)電性能會(huì)更好。實(shí)施中，對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理，具體可以是：采用高于保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的退火溫度對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理。

為了簡(jiǎn)化制備工藝，較佳地，保護(hù)膜層的材料與第二膜層的材料相同。這樣，由于保護(hù)膜層和第二膜層的材料相同，因而可以在同一個(gè)腔室內(nèi)完成保護(hù)膜層和第二膜層的濺射，無(wú)需更換設(shè)備，利于提高生產(chǎn)效率。

在一種可能的實(shí)施例中，色阻層的材料為二苯甲酮亞胺；透明電極層的材料為ITO；保護(hù)膜層的材料為ITO。

其中，一般，二苯甲酮亞胺的沸點(diǎn)為151攝氏度～153攝氏度。

基于此，較佳地，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的范圍為100攝氏度～150攝氏度；第二膜層的結(jié)晶溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度；退火溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度。

較佳地，退火溫度等于第二膜層的結(jié)晶溫度。這樣，保護(hù)膜層的退火溫度與第二膜層的結(jié)晶溫度相同，在保護(hù)膜層的退火處理完成之后，不需要再對(duì)溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，就可以濺射第二膜層，成膜穩(wěn)定，且節(jié)省了溫度調(diào)節(jié)的過(guò)程，就更有利于提高生產(chǎn)效率。

較佳地，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度為130攝氏度；第二膜層的結(jié)晶溫度為230攝氏度；退火溫度為230攝氏度。

具體實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層的厚度與其所能起到的保護(hù)作用也有關(guān)，保護(hù)膜層的厚度過(guò)薄，第一膜層的材料很容易就透過(guò)保護(hù)膜層滲出，保護(hù)作用較小，如果過(guò)厚，雖然保護(hù)作用更好，但是會(huì)增加整體厚度，因而，較佳地，保護(hù)膜層的膜層厚度與第二膜層的膜層厚度的比值范圍是大于1:9～1:1。

例如，透明電極層為ITO，一般厚度在100nm～160nm。如果透明電極ITO的厚度為100nm，相應(yīng)的，保護(hù)膜層的厚度范圍可以是10nm～50nm，如果透明電極ITO的厚度為160nm，相應(yīng)的，保護(hù)膜層的厚度范圍是16nm～80nm。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，包括襯底基板，在襯底基板上依次層疊的第一膜層、保護(hù)膜層和第二膜層；其中，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；第二膜層的結(jié)晶溫度高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)，保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)不低于第二膜層的材料的沸點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例中，由于在第一膜層上設(shè)置保護(hù)膜層，該保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)比較高，因而在一定高溫下比第一膜層穩(wěn)定，可以將第一膜層保護(hù)起來(lái)，在高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)的結(jié)晶溫度下濺射第二膜層的時(shí)候，該保護(hù)膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發(fā)出來(lái)污染第二膜層，保證了第二膜層的成膜質(zhì)量。

其中，第一膜層和第二膜層的具體結(jié)構(gòu)有多種，例如，在OLED顯示面板中，第一膜層可以為有機(jī)發(fā)光層，第二膜層可以是陰極電極層，再例如，在LCD顯示面板中，在彩膜基板上，第一膜層可以為色阻層，第二膜層可以為透明電極層，此處不再對(duì)其它可能的結(jié)構(gòu)一一列舉。下面以第一膜層為色阻層，第二膜層為透明電極層這一結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行具體說(shuō)明。

較佳地，第一膜層為色阻層；第二膜層為透明電極層；保護(hù)膜層的材料為透明導(dǎo)電材料。具體實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層的材料可以但不限于為石墨烯、透明金屬或者透明金屬氧化物。其中的透明金屬可以是透明金屬銀、鋁等等，透明金屬氧化物可以是ITO、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)，等等，此處不再一一列舉。

為了簡(jiǎn)化制備工藝，較佳地，保護(hù)膜層的材料與第二膜層的材料相同。這樣，由于保護(hù)膜層和第二膜層的材料相同，因而在制作工藝中，可以在同一個(gè)腔室內(nèi)完成保護(hù)膜層和第二膜層的濺射，無(wú)需更換設(shè)備，利于提高生產(chǎn)效率。

如果光阻層的材料為二苯甲酮亞胺；透明電極層的材料為ITO；相應(yīng)的，保護(hù)膜層的材料為ITO。

其中，二苯甲酮亞胺的沸點(diǎn)在151攝氏度～153攝氏度。

基于此，較佳地，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度的范圍為100攝氏度～150攝氏度；第二膜層的結(jié)晶溫度的范圍為200攝氏度～250攝氏度。

較佳地，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度為130攝氏度；第二膜層的結(jié)晶溫度為230攝氏度。

具體實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層的厚度與其所能起到的保護(hù)作用也有關(guān)，保護(hù)膜層的厚度過(guò)薄，第一膜層的材料很容易就透過(guò)保護(hù)膜層滲出，保護(hù)作用較小，如果過(guò)厚，雖然保護(hù)作用更好，但是會(huì)增加整體厚度，因而，較佳地，保護(hù)膜層的膜層厚度與第二膜層的膜層厚度的比值范圍為1:9～1:1。

例如，透明電極層的材料為ITO，一般厚度在100nm～160nm。如果透明電極ITO的厚度為100nm，相應(yīng)的，保護(hù)膜層的厚度范圍可以是10nm～50nm，如果透明電極ITO的厚度為160nm，相應(yīng)的，保護(hù)膜層的厚度范圍是16nm～80nm。

下面以保護(hù)膜層和第二膜層的材料為ITO為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板及其制作方法進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。

本實(shí)施例中的顯示基板的結(jié)構(gòu)如圖2所示：包括襯底基板21，位于襯底基板上的覆蓋相鄰像素區(qū)域之間的間隙的黑矩陣22，位于像素區(qū)域的色阻層23，以及位于色阻層23上的保護(hù)膜層24和位于保護(hù)膜層上的透明電極層25。

其中，色阻層包括R、G、B三種顏色的色阻。

其中，保護(hù)膜層24和透明電極層25的材料均為ITO。

其中，保護(hù)膜層24的結(jié)晶溫度為130攝氏度。

其中，透明電極層25的結(jié)晶溫度為230攝氏度。

其中，保護(hù)膜層24與透明電極層25的膜層厚度之比可以為1:9。

上述顯示基板的制作流程如下：

步驟一、如圖3a所示，在襯底基板21上形成覆蓋相鄰像素區(qū)域之間的間隙的黑矩陣22。

步驟二、如圖3b所示，在形成有黑矩陣22的襯底基板的像素區(qū)域形成色阻層23。其中，色阻層包括R、G、B三種顏色的色阻。

步驟三、如圖3c所示，在形成有色阻層23的襯底基板上濺射ITO，以形成保護(hù)膜層24，其中，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度為130攝氏度。

步驟四、采用230攝氏度對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行高溫快速退火，圖3d中以不同的填充表示退火后的保護(hù)膜層24。

步驟五、在退火后的保護(hù)膜層24上濺射ITO，以形成透明電極層25，其中，透明電極層的結(jié)晶溫度為230攝氏度，參見(jiàn)圖2。

本實(shí)施例中，采用磁控濺射方式濺射ITO。

通過(guò)以上步驟得到的顯示基板中，因設(shè)置的保護(hù)膜層可以阻止色阻層蒸發(fā)污染透明電極層，因而，提高了成膜質(zhì)量，另外，由于保護(hù)膜層經(jīng)過(guò)了退火處理，其致密性非常好，不僅導(dǎo)電性好，還可以防止液晶泄露。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括如以上任意實(shí)施例所述的顯示基板。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種鍍膜裝置，包括腔室；腔室內(nèi)設(shè)置有：

用于在形成有第一膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第一次濺射，以形成保護(hù)膜層，以及在形成有保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射，以形成第二膜層的鍍膜單元；其中，保護(hù)膜層的結(jié)晶溫度低于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；第二膜層的結(jié)晶溫度高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；第二膜層的材料的沸點(diǎn)高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)；

用于控制保護(hù)膜層和第二膜層的結(jié)晶溫度，以及在形成有保護(hù)膜層的襯底基板上利用第二膜層的材料進(jìn)行第二次濺射之前，對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理的加熱退火單元。

本發(fā)明實(shí)施例中，在腔室內(nèi)設(shè)置鍍膜單元和加熱退火單元，利用該裝置可以在第一膜層上設(shè)置保護(hù)膜層，該保護(hù)膜層的材料的沸點(diǎn)比較高，因而在一定高溫下比第一膜層穩(wěn)定，可以將第一膜層保護(hù)起來(lái)，并且可以對(duì)保護(hù)膜層進(jìn)行退火處理，以保證其致密性，在高于第一膜層的材料的沸點(diǎn)的結(jié)晶溫度下濺射第二膜層的時(shí)候，該保護(hù)膜層就可以阻止第一膜層的材料蒸發(fā)出來(lái)污染第二膜層，保證了第二膜層的成膜質(zhì)量。該方案中，由于可以在同一設(shè)備中實(shí)現(xiàn)第一膜層的保護(hù)膜層和第二膜層鍍膜、退火一體化，可以減少搬運(yùn)過(guò)程，簡(jiǎn)化了工藝，也減少了其它雜質(zhì)對(duì)第二膜層的污染，進(jìn)一步保證了成膜質(zhì)量。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，加熱退火單元和鍍膜單元相對(duì)而置。本實(shí)施例中，由于將加熱退火單元和鍍膜單元相對(duì)設(shè)置，在濺射鍍膜過(guò)程中，基板可以設(shè)置在二者之間，無(wú)需對(duì)基板進(jìn)行移動(dòng)，就可以完成鍍膜和退火工藝，避免了移動(dòng)后對(duì)位不精準(zhǔn)的問(wèn)題。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，參見(jiàn)圖4和圖5：加熱退火單元31位于腔室32的底部，鍍膜單元33位于腔室32的頂部；或者，加熱退火單元31位于腔室32的頂部，鍍膜單元33位于腔室32的底部。

較佳地，加熱退火單元的具體結(jié)構(gòu)有多種，其中一種結(jié)構(gòu)如圖6所示：加熱退火單元包括紅外輻射板311、設(shè)置于紅外輻射板上的熱電偶傳感器312、冷卻水管313；紅外輻射板的表面具有多個(gè)氣孔314。其中，紅外輻射板可用于加熱，冷卻水管可用于降溫，熱電偶傳感器可用于監(jiān)測(cè)紅外輻射板的溫度，并且紅外輻射板的氣孔可以通過(guò)氣流，加速熱傳導(dǎo)，保證腔室內(nèi)的溫度均勻。

另一種加熱退火單元結(jié)構(gòu)如圖7所示，加熱退火單元包括導(dǎo)熱板315、設(shè)置于導(dǎo)熱板上的紅外熱燈管316、熱電偶傳感器317和冷卻水管318；導(dǎo)熱板的表面具有多個(gè)氣孔319。紅外熱燈管可用于加熱，冷卻水管可用于降溫，熱電偶傳感器用于監(jiān)測(cè)導(dǎo)熱板的溫度，導(dǎo)熱板可用于傳導(dǎo)熱量并且導(dǎo)熱板的氣孔可以通過(guò)氣流，加速熱傳導(dǎo)，保證腔室內(nèi)的溫度均勻。

如果加熱退火單元位于腔室的底部時(shí)，紅外輻射板或?qū)岚宓臍饪走€用于通過(guò)氣流(圖5中所示的箭頭方向?yàn)闅饬鞣较?將襯底基板托起，這樣，可以緩和襯底基板受到的沖擊力，減少損傷。

如果加熱退火單元位于腔室的頂部時(shí)，加熱退火單元面向鍍膜單元的一側(cè)設(shè)置有一對(duì)基板吸附部件34。在濺射鍍膜時(shí)，襯底基板平行吸附在加熱退火單元上。具體的，可以設(shè)置在導(dǎo)熱板或紅外輻射板面向鍍膜單元的一側(cè)設(shè)置有一對(duì)基板吸附部件。

較佳地，本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜裝置還包括用于監(jiān)測(cè)襯底基板溫度的紅外溫度傳感器35。這樣，可以通過(guò)非接觸式實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)基板的溫度，保證成膜溫度的準(zhǔn)確性，以保證成膜質(zhì)量。

較佳地，如圖5所示，如果鍍膜單元位于腔室的底部，上述鍍膜單元具有步進(jìn)式直線運(yùn)動(dòng)電機(jī)36和磁懸浮軌道37。鍍膜單元可以在步進(jìn)式直線運(yùn)動(dòng)電機(jī)的控制下通過(guò)磁懸浮軌道移動(dòng)，在襯底基板上均勻成膜。

另外，圖4和圖5中示出了襯底基板38和靶源39的設(shè)置位置。

較佳地，本發(fā)明實(shí)施例中的鍍膜裝置可以但不限于為磁控濺射鍍膜裝置。下面對(duì)鍍膜單元的磁控濺射鍍膜的原理進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明：在鍍膜單元中存在與靶源39表面平行的磁場(chǎng)和垂直于靶源39表面的電場(chǎng)，并且在真空的腔室中仍然存在著少量的中性原子和電子，電子在電場(chǎng)的作用下，會(huì)向著襯底基板38方向運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中會(huì)撞擊Ar氣，電子撞擊Ar氣會(huì)使Ar氣發(fā)生電離，生成Ar+離子和一個(gè)新的電子，稱之為二次電子，Ar+離子帶正電，在電場(chǎng)作用下加速向靶源39方向運(yùn)動(dòng)，撞擊靶源39，溢出中性的靶源39原子，溢出的靶源39原子向襯底基板38方向運(yùn)動(dòng)沉積結(jié)晶形成薄膜。在濺射ITO的過(guò)程中，還需要在腔室內(nèi)通入氧氣，以便在結(jié)晶時(shí)進(jìn)行補(bǔ)位。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。