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包含異質(zhì)結(jié)的光電子器件的制作方法

文檔序號(hào):12827490閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及包含異質(zhì)結(jié)的光電子器件。本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及光電子半導(dǎo)體器件,例如包括太陽(yáng)能電池的光伏器件。一方面,光電子半導(dǎo)體器件包含由砷化鎵(GaAs)制成并且僅具有一種摻雜型的吸收層。發(fā)射極層比吸收層更靠近器件的背面,發(fā)射極層由與吸收層不同的材料制成,并且具有比吸收層高的帶隙。異質(zhì)結(jié)在發(fā)射極層和吸收層之間形成,且p?n結(jié)在發(fā)射極層和吸收層之間形成并且至少部分在與異質(zhì)結(jié)偏離的位置處的不同材料內(nèi)。p?n結(jié)響應(yīng)于器件在器件的正面處暴露于光而在器件中引起電壓產(chǎn)生。

技術(shù)研發(fā)人員:聶輝;布蘭登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉爾亞里
受保護(hù)的技術(shù)使用者:奧塔裝置公司
技術(shù)研發(fā)日:2011.10.26
技術(shù)公布日:2017.07.07
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