1.一種基于可見光二次激發(fā)的高顯指白光量子點LED，其特征在于，基本結構為：在高導熱陶瓷基片上，依次為紫外LED芯片、C量子點發(fā)光薄膜、發(fā)綠光的CdTe/ZnS量子點發(fā)光薄膜、發(fā)紅光的CdTe/ZnS量子點發(fā)光薄膜；在高導熱陶瓷基片上、紫外LED芯片區(qū)域外是蒸鍍的銀質反射膜，紫外LED芯片的電極與高導熱陶瓷基片的焊盤由金線連接；配光透鏡為半球形，其底部通過固定支架9與高導熱陶瓷基片固定連接，并將整個芯片罩在配光透鏡內。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于可見光二次激發(fā)的高顯指白光量子點LED，其特征在于，通過調節(jié)3層量子點發(fā)光膜的厚度調節(jié)LED的光效、色溫以及顏色坐標。
3.一種如權利要求1或2所述的基于可見光二次激發(fā)的高顯指白光量子點LED的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：
（1）在一個合適尺寸已經集成焊盤的高導熱陶瓷上選區(qū)蒸鍍一層銀質反射膜，該銀膜一方面作為電極和焊盤連接的導體，另一方面將配光透鏡反射回來的光再反射出去，增加器件的光效；
（2）將紫外LED芯片通過銀膠固定在陶瓷襯底上；
（3）利用膠體合成的方法，制備高量子效率的C量子點溶液，調整其濃度在濃度為0.01mol/L-0.02mol/L之間，將其加入到10%-15%濃度的硅膠溶液中，然后將溶液通過旋涂或者點膠工藝，在紫外LED芯片表面形成C量子點發(fā)光薄膜，通過控制旋涂的次數(shù)來調整C量子點薄膜的厚度；
（4）利用膠體合成的方法，制備高量子效率的發(fā)綠光的CdTe/ZnS量子點溶液，調整其濃度在濃度為0.01mol/L-0.02mol/L之間，將其加入到10%-15%濃度的硅膠溶液中，然后將溶液通過旋涂或者點膠工藝，在經步驟（3）處理的紫外LED芯片表面形成發(fā)綠光的CdTe/ZnS量子點發(fā)光薄膜，通過控制旋涂的次數(shù)來調整CdTe/ZnS量子點薄膜的厚度；
（5）利用膠體合成的方法，制備高量子效率能發(fā)紅光的CdTe/ZnS量子點溶液，調整其濃度在濃度為0.01mol/L-0.02mol/L之間，將其加入到10%-15%濃度的硅膠溶液中，然后將溶液通過旋涂或者點膠工藝，在經步驟（4）處理的紫外LED芯片表面形成發(fā)紅光的CdTe/ZnS量子點發(fā)光薄膜，通過控制旋涂的次數(shù)來調整CdTe/ZnS量子點薄膜的厚度；
（6）通過共晶焊接方式，用金線將芯片的電極與陶瓷基板上的焊盤連接起來，實現(xiàn)電氣連接；
（7）填充硅膠，使芯片，金線覆蓋在散熱襯底上，并在硅膠外層放置配光透鏡；
（8）安裝固定支架，將配光透鏡固定在散熱陶瓷基板上。