1.一種功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：在原有功率半導(dǎo)體器件的上表面涂覆保護(hù)層，并固化所述保護(hù)層；
S2：在固化后的保護(hù)層上涂覆第一光刻膠層，采用晶圓級鍵合技術(shù)將所述第一光刻膠層鍵合到藍(lán)寶石載片上；
S3：去除原有功率半導(dǎo)體器件的硅襯底；
S4：在原硅襯底處涂覆第二光刻膠層，采用晶圓級鍵合技術(shù)將所述第二光刻膠層鍵合到石英襯底上，并固化所述第二光刻膠層；
S5：將功率半導(dǎo)體器件從藍(lán)寶石載片上剝離，并去除所述保護(hù)層和第一光刻膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述保護(hù)層為聚酰亞胺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S1中固化保護(hù)層的方法為：將上表面涂覆保護(hù)層的功率半導(dǎo)體器件放入真空烘箱中進(jìn)行烘烤，烘烤的溫度為250-350℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S3采用氫氟酸濕法腐蝕方法去除硅襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S4中固化第二光刻膠層的方法為：對第二光刻膠層進(jìn)行紫外光曝光，將曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行烘烤，烘烤溫度為100-200℃，烘烤時(shí)間為20-40min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S5中剝離藍(lán)寶石載片采用熱板烘烤技術(shù)，烘烤溫度為100-200℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的襯底轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S5中采用濕法刻蝕方式去除器件表面的第二光刻膠層。