1.一種用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的成核層、未摻雜GaN層、n型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)、p型電子阻擋層及p型GaN空穴活化層，其特征在于：還包括n應(yīng)力釋放層和p應(yīng)力釋放層，所述n應(yīng)力釋放層是由In組分含量遞增漸變的InGaN/GaN超晶格層形成，所述p應(yīng)力釋放層是由In組分含量遞增漸變的InN/GaN超晶格層形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：未摻雜GaN層包括rough縱向生長層與u-GaN橫向生長層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n型GaN層包括低摻雜Si濃度的n-GaN層，Si摻雜的AlGaN層以及高摻雜Si濃度的n-GaN層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：p型電子阻擋層是由Al組分含量遞增漸變的p型AlGaN/GaN超晶格層形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述p型GaN空穴活化層為InGaN。
6.一種用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：處理襯底，然后依次生長成核層、未摻雜GaN層、n型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)、p型電子阻擋層及p型GaN空穴活化層，其特征在于：n型GaN層和多量子阱結(jié)構(gòu)之間生長n應(yīng)力釋放層，多量子阱結(jié)構(gòu)和p型電子阻擋層之間生長p應(yīng)力釋放層，n應(yīng)力釋放層即InGaN/GaN超晶格層，p應(yīng)力釋放層即InN/GaN超晶格層，n應(yīng)力釋放層與p應(yīng)力釋放層生長時均是先生長一個超晶格勢阱，再生長一個超晶格勢壘，形成一個超晶格周期，然后周期重復(fù)性生長超晶格，相鄰生長周期中In組分含量遞增漸變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：未摻雜GaN層先縱向生長rough縱向生長層，后升溫橫向生長u-GaN橫向生長層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所示的用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：n型GaN層先生長低摻雜Si濃度的n-GaN層，再生長Si摻雜的AlGaN層，最后生長高摻雜Si濃度的n-GaN層。