本申請要求于2015年9月23日提交的專利申請No.10-2015-0134419的優(yōu)先權，在此為了所有目的通過引用將其并入本文，如同在本文充分地闡述一樣。

技術領域

本發(fā)明涉及一種顯示圖像的有機發(fā)光顯示裝置。

背景技術：

作為顯示裝置近來吸引大量關注的機發(fā)光顯示裝置使用自發(fā)光有機發(fā)光二極管(OLED)，并且因此具有高響應速度和增大的對比度、發(fā)光效率、亮度和視角等優(yōu)點。

從有機發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光層發(fā)出的光穿過有機發(fā)光顯示裝置中的各種元件而輸出到有機發(fā)光顯示裝置的外部。然而，從有機發(fā)光層發(fā)出的一部分光可能不被輸出到有機發(fā)光顯示裝置的外部，而是可能被限制在有機發(fā)光顯示裝置中，這導致了有機發(fā)光顯示裝置的光提取效率的問題。為了提高有機發(fā)光顯示裝置的光提取效率，已經使用了一種使微透鏡陣列(MLA)附接到有機發(fā)光顯示裝置的基板的外表面的方法。

技術實現要素：

本發(fā)明的一個方面提供了一種能夠改進外部發(fā)光效率并且還降低功耗的有機發(fā)光顯示裝置。

根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：設置在基板上的涂覆層；設置在所述涂覆層上的第一電極；設置在所述涂覆層和所述第一電極上并包括開口的堤層，所述第一電極通過所述開口暴露；以島形設置在通過所述堤層的開口暴露的第一電極上的圖案層；設置在所述第一電極和所述圖案層上的有機發(fā)光層；以及設置在所述有機發(fā)光層上的第二電極。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，根據所述涂覆層的表面拓撲，所述第一電極設置在所述涂覆層上，并且所述有機發(fā)光層在所述第一電極層上連續(xù)地凸起。與所述第一電極的多個凹部對應的有機發(fā)光層是平坦的。此外，設置有所述圖案層的區(qū)域為非有效發(fā)光區(qū)域。

根據如上所述的本發(fā)明示例性實施方式，可以提供一種能夠改進外部發(fā)光效率并且還降低功耗的有機發(fā)光顯示裝置。

附圖說明

從結合附圖作出的以下詳細描述，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特點和其他優(yōu)點，在附圖中：

圖1是根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；

圖2是圖1的區(qū)域X的放大剖視圖；

圖3是根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；

圖4A是圖3的區(qū)域Y的放大剖視圖；

圖4B是圖3的區(qū)域Y中的涂覆層、第一電極以及圖案層的局部平面視圖；

圖5是根據對比示例的有機發(fā)光顯示裝置的局部剖視圖；

圖6是示出通常有機發(fā)光顯示裝置中的涂覆層的示例的剖視圖；

圖7是示出根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置中的涂覆層的修改示例的剖視圖；

圖8A到圖8C是比較性地示出了根據有機發(fā)光層的發(fā)光表面的位置(有效發(fā)光區(qū)域的調節(jié))的外部光提取效率和分布(視角)的圖表，其中設置在涂覆層的凹部上的圖案層的厚度被調節(jié)；

圖9是根據另一示例性實施方式，被提供用于解釋包括涂覆層的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖，其中涂覆層具有多個凸部；以及

圖10是根據本發(fā)明示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性系統(tǒng)結構視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細描述了本發(fā)明的一些實施方式。當附圖標記指代每個圖的組件時，盡管相同組件在不同附圖中示出，盡可能通過相同的附圖標記指代相同組件。此外，如果認為對相關已知結構或功能的描述可能模糊本發(fā)明的要點，將會省略其描述。

此外，在描述本發(fā)明的組件時，可以使用諸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的術語。這些術語僅用于在組件之間區(qū)分。因此，相應組件的性質、等級、順序或數量并不受限于這些術語。需要理解的是，當一個元件被認為“連接到”或“耦合到”另一元件時，它可直接地連接到或直接地耦合到另一元件，也可以間接地連接到或耦合到另一元件，即，具有插入在二者之間的又一元件，或經由又一元件“連接到”或“耦合到”另一元件。

圖1是根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖2是圖1的區(qū)域X的放大剖視圖。

參照圖1和圖2，根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100包括基板110、薄膜晶體管120、濾色器150、涂覆層160、圖案層137，以及有機發(fā)光二極管140。

包括柵極121、有源層122、源極123和漏極124的薄膜晶體管120設置在基板110上。

具體地，柵極121設置在基板110上，被構造成使柵極121和有源層122絕緣的柵極絕緣層131設置在柵極121和基板110上。此外，有源層122設置在柵極絕緣層131上，并且蝕刻停止部132設置在有源層122上。此外，源極123和漏極124設置在有源層122和蝕刻停止部132上。源極123和漏極124電連接到有源層122，接觸有源層122，并且設置在蝕刻停止部132的局部區(qū)域上?？梢圆辉O置蝕刻停止部132。

在本說明書中，在有機發(fā)光顯示裝置100可以包括的各種薄膜晶體管中，為了便于解釋僅示出了驅動薄膜晶體管。此外，在本說明書中，將薄膜晶體管120示出為具有反向交錯結構(inverted staggered structure)或底部柵極結構，其中柵極121橫跨源極123和漏極124而設置，并且有源層122插入在柵極121與源極123和漏極124之間。然而，可以使用具有共面結構或頂部柵極結構的薄膜晶體管，其中柵極121與源極123和漏極124位于有源層122的相同側上。

鈍化層133設置在薄膜晶體管120上，并且濾色器150設置在鈍化層133上。

濾色器150被構造成轉換從有機發(fā)光層142發(fā)出的光的顏色，并且可以是紅濾色器、綠濾色器、藍濾色器之一。

涂覆層160設置在濾色器150和鈍化層133上。涂覆層160包括平坦的頂表面。

包括第一電極141、有機發(fā)光層142和第二電極143的有機發(fā)光二極管140、堤層136以及圖案層137設置在涂覆層160上。

堤層136設置在涂覆層160和第一電極141上，并且包括開口136a，第一電極141通過開口136a暴露。堤層136被構造成區(qū)分相鄰的像素(或子像素)區(qū)域，并可被設置在相鄰的像素(或子像素)區(qū)域之間。

圖案層137設置在第一電極150上。圖案層137以島形設置在通過堤層136的開口136a暴露的第一電極141上。

圖案層137可包括與堤層136相同的材料。在工藝方面，在形成平坦的涂覆層160后，在涂覆層160上形成第一電極141。堤層136和圖案層137的原始材料被涂敷在涂覆層160以及第一電極141的整個表面上。然后，使用與堤層136的開口136a和圖案層137對應的掩模實施曝光和顯影工藝。這里，用與傳統(tǒng)工藝相比更少量的光來曝光和顯影對應于圖案層137的位置。因此，圖案層137可由與堤層136相同的材料與堤層136同時形成，而不需要特別增加的工藝或掩模。

有機發(fā)光層142設置在第一電極141和圖案層137上，并且被構造成供給電子或空穴到有機發(fā)光層142的第二電極143設置在有機發(fā)光層142上。

在堤層136的開口136a中，設置在涂覆層160上的第一電極141具有與涂覆層160的表面拓撲相符的形狀。也就是說，在堤層136的開口136a中，設置在涂覆層160上的第一電極141具有包括平坦的底表面和頂表面的平坦形狀。有機發(fā)光層142和第二電極143根據涂覆層160的表面拓撲沿第一電極141的頂表面的形狀以及圖案層137的頂表面的形狀設置，并且，因此具有非平坦的頂表面和底表面。因此，第一電極141具有平坦形狀，而有機發(fā)光層142和第二電極143在圖案層137上具有凸起形狀。因此，在根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100中，圖案層137設置在第一電極層141上，并且有機發(fā)光層142和第二電極143具有彎曲部。因此，有機發(fā)光顯示裝置100包括微透鏡陣列結構。

在根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100中，凹部或凸部不在涂覆層160上形成，并且同時形成堤層136和圖案層137。因此，可以不用額外工藝形成微透鏡陣列結構。由于使用圖案層137形成了微透鏡陣列結構，所以可提高外部光提取效率。

圖3是根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖4A是圖3的區(qū)域Y的放大剖視圖。圖4B是圖3的區(qū)域Y中的涂覆層、第一電極以及圖案層的局部平面視圖。

參照圖3和圖4A，有機發(fā)光顯示裝置300包括基板310、薄膜晶體管320、濾色器350、涂覆層360、圖案層337以及有機發(fā)光二極管340。

如圖3和圖4A所示出的有機發(fā)光顯示裝置300為底部發(fā)光的有機發(fā)光顯示裝置。然而，根據一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300可以是頂部發(fā)光的有機發(fā)光顯示裝置，其中濾色器350橫跨基板310而設置。

包括柵極321、有源層322、源極323和漏極324的薄膜晶體管320設置在基板310上。

具體地，柵極321設置在基板310上，并且被構造成使柵極321和有源層322絕緣的柵極絕緣層331設置在柵極321和基板310上。此外，有源層322設置在柵極絕緣層331上，并且蝕刻停止部332設置在有源層322上。此外，源極323和漏極324設置在有源層322和蝕刻停止部332上。源極323和漏極324電連接到有源層322，接觸有源層322，并且設置在蝕刻停止部332的局部區(qū)域上?？梢圆辉O置蝕刻停止部332。

鈍化層333設置在薄膜晶體管320上，并且濾色器350設置在鈍化層333上。

圖4A示出了鈍化層333使薄膜晶體管320的上部平坦。然而，鈍化層333可以不使薄膜晶體管320的上部平坦，但可根據位于鈍化層333下方的元件的表面拓撲而設置。

濾色器350被構造成轉換從有機發(fā)光層342發(fā)出的光的顏色，并且可以是紅濾色器、綠濾色器和藍濾色器之一。

濾色器350設置在鈍化層333上的與發(fā)光區(qū)域對應的位置。這里，發(fā)光區(qū)域指代通過第一電極341和第二電極343從有機發(fā)光層342發(fā)出光的區(qū)域。濾色器350設置在與發(fā)光區(qū)域對應的位置，這意味著設置濾色器350以抑制通過混合從相鄰發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光所導致的模糊現象或虛幻現象的發(fā)生。

例如，可設置濾色器350以與發(fā)光區(qū)域交疊。這里，可由各種因素確定濾色器350的位置和尺寸，所述因素包括發(fā)光區(qū)域的尺寸和位置、濾色器350和第一電極341之間的距離、濾色器350和涂覆層360的凹部361或凸部之間的距離，以及發(fā)光區(qū)域之間的距離。

涂覆層360設置在濾色器350和鈍化層333上。圖3示出了在有機發(fā)光顯示裝置300中包括鈍化層333。然而，可不使用鈍化層333并且涂覆層360可直接地設置在薄膜晶體管320上。此外，圖4A示出了濾色器350設置在鈍化層333上(見圖3)，但本發(fā)明并不限于此。濾色器350可設置在涂覆層360和基板310之間的任何位置。

涂覆層360包括多個凹部361，凹部361被設置以與濾色器350和第一連接部分362交疊，第一連接部分362連接彼此相鄰的凹部361。圖4B是多個具有六邊形的凹部361(見圖4A)的剖視圖。第一連接部分362是在彼此相鄰的凹部361之間的更高部分。涂覆層360用作在設置有多個凹部361的區(qū)域中的平坦層。

如圖4B所示出的，多個凹部361(見圖4A)的每一個和第一連接部分362在平面視圖中可具有整體六邊形狀，但不限于此，并且可具有各種形狀，比如整體半球形、半橢圓形或方形。多個凹部361可在平面視圖中設置在六邊形蜂窩結構中。換句話說，六邊形凹部361與另一相鄰凹部361共享一邊，從而形成為具有六邊形蜂窩結構的一體。

包括第一電極341、有機發(fā)光層342和第二電極343的有機發(fā)光二極管340、堤層336以及圖案層337設置在涂覆層360上。這里，盡管沒有示出，可在涂覆層360和第一電極341之間進一步設置第二絕緣鈍化層(未示出)，第二絕緣鈍化層被構造成抑制從涂覆層360到有機發(fā)光二極管340的排氣的擴散從而避免減少有機發(fā)光二極管的壽命，并具有與涂覆層360的凹部361的拓撲相符的形狀以及與第一電極341類似的折射率。

具體地，被構造成供給電子或空穴到有機發(fā)光層342的第一電極341設置在涂覆層360的一部分上。第一電極341可以是正常OLED中的正電極、像素電極或陽極，或可以是倒置OLED中的負電極、像素電極或陰極。

第一電極341可通過在涂覆層360中形成的接觸孔連接到薄膜晶體管320的源極323。在本說明書中，假設薄膜晶體管320是N型薄膜晶體管，將第一電極341描述為連接到源極323。然而，如果薄膜晶體管320是P型薄膜晶體管，第一電極341可連接到漏極324。第一電極341可電連接到有機發(fā)光層342，直接接觸有機發(fā)光層342或用插入在二者之間的導電材料連接有機發(fā)光層342。

第一電極341設置在與涂覆層360的表面拓撲相符的形狀中。因此，第一電極341在涂覆層360的凹部361上具有凹形拓撲。

堤層336設置在涂覆層360和第一電極341上，并包括開口336a，第一電極341通過開口336a暴露。堤層336被構造成區(qū)分相鄰的像素(或子像素)區(qū)域，并可設置在相鄰的像素(或子像素)區(qū)域之間。涂覆層360的凹部361和第一連接部分362被設置為與堤層336的開口336a交疊。如上所述，涂覆層360的凹部361和第一連接部分362被設置為與濾色器350交疊，并且因此，涂覆層360的凹部361和第一連接部分362與下面的濾色器350交疊，并且還與上面的堤層336的開口336a交疊。

圖案層337設置在第一電極341上。圖案層337以島形設置在通過堤層336的開口336a暴露的第一電極341上。也就是說，在第一電極341上的圖案層337局部地填充涂覆層360的多個凹部361的凹陷區(qū)域。圖案層337可位于如圖4B所示出的所有多個凹部中，但不限于此。圖案層337可位于多個凹部的一些部分中。

圖案層337可減輕其上設置有有機發(fā)光二極管340的表面的彎曲。

圖案層337可包括與堤層336相同的材料。在工藝方面，在形成包括凹部361和第一連接部分362的涂覆層360后，第一電極341形成在涂覆層360上。堤層336和圖案層337的原始材料涂敷在涂覆層360以及第一電極341的整個表面上。然后，使用與堤層336的開口336a和圖案層337對應的掩模實施曝光和顯影工藝。這里，用與傳統(tǒng)工藝相比更少量的光來曝光和顯影對應于圖案層337的位置。因此，圖案層337可由與堤層336相同的材料與堤層336同時形成，而不需要特別增加的工藝或掩模。

有機發(fā)光層342設置在第一電極341和圖案層337上，并且被構造成供給電子或空穴到有機發(fā)光層342的第二電極343設置在有機發(fā)光層342上。有機發(fā)光層342設置在(串聯白色)結構中，其中，層疊多個有機發(fā)光層以發(fā)出白光。有機發(fā)光層342包括被構造成發(fā)出藍光的第一有機發(fā)光層以及第二有機發(fā)光層，第二有機發(fā)光層設置在第一有機發(fā)光層上并被構造成發(fā)出如下顏色的光：當與藍色混合時變成白色。例如，第二有機發(fā)光層可以是發(fā)出黃綠光的有機發(fā)光層。與此同時，有機發(fā)光層342可僅包括發(fā)出藍光、紅光和綠光之一的有機發(fā)光層。在這種情況下，可不提供濾色器350。第二電極343可以是正常OLED中的負電極、公共電極或陰極，或可以是倒置OLED中的正電極、公共電極或陽極。

有機發(fā)光層342和第二電極343根據涂覆層360的表面拓撲沿第一電極341的頂表面的形狀以及設置在第一電極341上的圖案層337的頂表面的形狀而設置，并且局部地填充涂覆層360的多個凹部361的凹陷區(qū)域，并且因此具有非平坦的頂表面和底表面。例如，如果通過沉積設置有機發(fā)光層342和第二電極342，根據第一電極341和圖案層337的頂表面的拓撲設置有機發(fā)光層342和第二電極343。

參照圖4A，有機發(fā)光層342在涂覆層360的凹部361和第一連接部分362之間的厚度可比有機發(fā)光層342在涂覆層360的凹部361的底部或第一連接部分362的頂部的的厚度更小。特別地，有機發(fā)光層342可在如下位置具有最小厚度：在該位置，有機發(fā)光層342在涂覆層360的凹部361和第一連接部分362之間具有最高斜率。

例如，如果通過沉積形成有機發(fā)光層342，在垂直于基板310的方向中沉積的有機發(fā)光層342具有相同厚度。然而，有機發(fā)光層342具有與涂覆層360的拓撲相符的形狀。因此，實際上，有機發(fā)光層342在有機發(fā)光層342具有最高斜率的位置具有用于在第一電極341和第二電極343之間電流驅動的最小厚度，并且在有機發(fā)光層342具有最低斜率的位置，即，在底部或頂部，具有最大厚度。

對于根據有機發(fā)光層342的厚度的有機發(fā)光層342的發(fā)光量，在涂覆層360的凹部361和第一連接部分362之間有機發(fā)光層342的單位面積發(fā)光量可大于在凹部361的底部或第一連接部分362的頂部的有機發(fā)光層342的單位面積發(fā)光量。特別地，有機發(fā)光層342可在如下位置具有最大發(fā)光量：在該位置，有機發(fā)光層342在涂覆層360的凹部361和第一連接部分362之間具有最高斜率。

圖5是根據對比示例的有機發(fā)光顯示裝置的局部剖視圖。

參照圖5，根據對比示例的有機發(fā)光顯示裝置500包括濾色器550和涂覆層560，涂覆層560包括凹部561和第一連接部分562。此外，有機發(fā)光顯示裝置500包括有機發(fā)光二極管540，其包括順序設置在涂覆層560上的第一電極541、有機發(fā)光層542和第二電極543。根據對比示例的有機發(fā)光顯示裝置500并不包括在根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300中包括的圖案層337，并且第一電極541、有機發(fā)光層542、第二電極543具有與涂覆層560的表面拓撲相符的形狀。

如果有機發(fā)光二極管540具有用于改進外部光提取效率的微透鏡陣列結構，由于如圖5所示圖案的特性，通過涂覆層560的凹部561在有機發(fā)光二極管540的表面上形成凹形彎曲部。由于增加了斜率，在第一電極541和第二電極543之間有機發(fā)光層542的厚度減小，因此產生了電場局部集中的有效發(fā)光區(qū)域C，即，在涂覆層560的凹部561和第一連接部分562之間的區(qū)域。當驅動有機發(fā)光二極管540時，電場局部地集中并且在有效發(fā)光區(qū)域中形成主電流路徑，因此發(fā)光主要發(fā)生在有效發(fā)光區(qū)域中。然而，涂覆層560的凹部561為非有效發(fā)光區(qū)域D，并且?guī)缀醪粡姆怯行Оl(fā)光區(qū)域D提取光。盡管非有效發(fā)光區(qū)域D消耗功率，但幾乎不從非有效發(fā)光區(qū)域D提取光。因此，降低了外部光提取效率。

此外，涂覆層560的凹部561的彎曲部主要反射外部光，從而導致反射率增加。

如圖4A和圖4B所示，在通過堤層336的開口336a暴露的第一電極341上不設置圖案層337的區(qū)域A對應于如下的有效發(fā)光區(qū)域：由于圖案層337不設置在第一電極341和有機發(fā)光層342以及第二電極343之間，所述有效發(fā)光區(qū)域發(fā)光。在通過堤層336的開口336a暴露的第一電極341上設置圖案層337的區(qū)域B對應于如下的非有效發(fā)光區(qū)域：由于圖案層337設置在第一電極341和有機發(fā)光層342以及第二電極343之間，所述非有效發(fā)光區(qū)域不發(fā)光。

在根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300中，由于涂覆層360的凹部361的彎曲所導致的有機發(fā)光二極管340表面的彎曲，有機發(fā)光層342具有非均勻厚度，并且所施加的電流在具有高斜率的區(qū)域中集中，因此光僅從有效發(fā)光區(qū)域A發(fā)出。然而，在非有效發(fā)光區(qū)域B中，圖案層337設置在第一電極341和有機發(fā)光層342以及第二電極343之間，因此不能發(fā)出光。因此，可以最少化或抑制大部分光被限制在有機發(fā)光二極管340中，而不會導致在如圖5所示的非有效發(fā)光區(qū)域D中光提取效率的提高。此外，可以最少化或抑制被限制在有機發(fā)光二極管340中的光作為光泄漏分量殘留在如圖5所示的非有效發(fā)光區(qū)域D中。因此，可以最大化有機發(fā)光二極管340的外部光提取效率。

在根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300中，設置在涂覆層560的凹部561上的圖案層337減輕了涂覆層560的彎曲。因此，可以降低外部光反射率。

表1列出了根據如圖3到圖4B所示出的另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300以及根據如圖5所示對比示例的有機發(fā)光顯示裝置500的驅動電壓V、電流密度J、發(fā)光效率cd/A，以及外部量子效率EQE的測量結果。在表1中，可以通過使內部量子效率IQE與光提取效率一起相乘限定外部量子效率EQE。

表1

從表1可以看出，與的根據如圖5所示對比示例的有機發(fā)光顯示裝置500相比，根據如圖3到圖4B所示出的另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300在發(fā)光效率和外部量子效率方面提高了10％或以上，例如，約15％。

同時，在根據如圖3到圖4B所示出的另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300中，設置在涂覆層360下方以與堤層336的開口336a交疊的濾色器350不與第一電極341接觸。

如圖6所示，如果使用負光刻膠材料通過光刻等在涂覆層360中形成多個凹部361，用于使涂覆層360的凹部361形成有整個基板的良好均勻性的最簡單方法是暴露凹部361的底部361a。這里，如果暴露了凹部361的底部361a，濾色器350也暴露。因此，有機發(fā)光二極管340的可靠性可能存在很大問題。出于這一原因，即使涂覆層360的凹部361在形狀方面令人滿意，涂覆層360的凹部361也不被應用到有機發(fā)光顯示裝置300。

如圖7所示，在根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300中，敞開了涂覆層360的多個凹部361的底部361a，并且第一電極341可通過敞開的凹部361與濾色器350接觸。

因此，如果使用負光刻膠材料通過光刻等在涂覆層360中形成多個凹部361，涂覆層360的凹部361形成有整個基板的良好均勻性并且圖案層337設置在涂覆層360的凹部361上，因此形成了非有效發(fā)光區(qū)域。因此，可以保持有機發(fā)光二極管340的可靠性。

圖8A到圖8C是比較性地示出了根據有機發(fā)光層的發(fā)光表面的位置(有效發(fā)光區(qū)域的調節(jié))的外部光提取效率和分布(視角)的圖表，其中設置在涂覆層的凹部上的圖案層的厚度被調節(jié)。

假設從涂覆層360的凹部361的底部到第一連接部分362的頂部的高度是H，有機發(fā)光層342從凹部的底部劃分為4等份，如圖8A所示，并且在凹部的底部和1H/4(即H1)之間(PART1)、1H/4和2H/4(即H2)之間(PART2)、2H/4和3H/4(即H3)之間(PART3)、以及3H/4和H(即H4)之間(PART4)的每個位置使用通用仿真工具比較根據有機發(fā)光層342的發(fā)光表面的位置(有效發(fā)光區(qū)域的調節(jié))的外部光提取效率和分布(視角)。同時，通用有機發(fā)光顯示裝置(其中微透鏡陣列結構不應用到涂覆層360和有機發(fā)光二極管340)被設置為參考Ref.。

如圖8B和圖8C所示，可以看出的是，在如圖8A所示的凹部的底部和1H/4(即H1)之間(PART1)、1H/4和2H/4(即H2)之間(PART2)、2H/4和3H/4(即H3)之間(PART3)、以及3H/4和H(即H4)之間(PART4)的每個位置，由于微透鏡陣列結構，從PART1到PART4極大地增加了有機發(fā)光層342的前側光提取效率。特別地，可以看出的是，與參考Ref.相比，PART3和PART4的前側光提取效率提高了30％到40％。

因此，假設從涂覆層360的凹部361的底部到第一連接部分362的頂部的高度是H，圖案層337的頂表面可被定位在凹部361的底部和2H/4之間。由于圖案層337的頂表面被定位在凹部361的底部和2H/4之間，可從凹部361的底部和2H/4到H形成有效發(fā)光區(qū)域A。因此，可最大化前側光提取效率。

圖9是根據另一示例性實施方式，被提供用于解釋包括涂覆層的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖，其中涂覆層具有多個凸部。

參照圖9，根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置600與圖4A和圖4B所示的有機發(fā)光顯示裝置300基本相同，除了：涂覆層660包括多個凸部663，以及在在多個凸部663之間的第二連接部分664上設置圖案層637，并且因此將省略多余的描述。在圖9中并未示出的有機發(fā)光顯示裝置600的其他元件可等同于參照圖3所述的根據另一示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置300的元件。

涂覆層660包括被形成為與濾色器650和第二連接部分664交疊的多個凸部663，第二連接部分664連接彼此相鄰的凸部663。換句話說，涂覆層660包括被設置為與如圖3所示的堤層336的開口336a交疊的多個凸部663，以及每個都連接凸部663的多個第二連接部分664。

第一電極641設置在涂覆層660上。圖案層637設置在涂覆層660和第一電極641上，并且有機發(fā)光層642和第二電極643設置在第一電極641和圖案層637上。第一電極641、有機發(fā)光層642和第二電極643構成有機發(fā)光二極管640。圖案層637可位于多個第二連接部分664的所有或一些上。

由于圖案層637位于多個第二連接部分664的所有或一些上，以與參照圖1到圖8所述的位于凹部361上的圖案層337同樣的方式，在第一電極641和有機發(fā)光層642以及第二電極642之間在非有效發(fā)光區(qū)域中設置圖案層637，因此不能發(fā)出光。因此，可以最少化或抑制大部分光被限制在有機發(fā)光二極管640中，而不導致在非有效發(fā)光區(qū)域中光提取效率的提高。此外，可以最少化或抑制被限制在有機發(fā)光二極管640中的光作為光泄漏分量殘留在非有效發(fā)光區(qū)域B中。因此，可以最大化有機發(fā)光二極管640的外部光提取效率。

圖10是根據本發(fā)明示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性系統(tǒng)結構視圖。

參照圖10，根據本發(fā)明示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置700包括：有機發(fā)光顯示面板710，在有機發(fā)光顯示面板710中設置有多條數據線DL和多條柵極線GL并且在矩陣中設置多個子像素SP；被構造成通過向多條數據線提供數據電壓DATA來驅動多條數據線的數據驅動器720；被構造成通過向多條柵極線依次提供掃描信號來順序地驅動多條柵極線GL的柵極驅動器730；以及被構造成分別通過數據控制信號DCS和柵極控制信號GCS控制數據驅動器720和柵極驅動器730的控制器740。

設置在根據本發(fā)明示例性實施方式的有機發(fā)光顯示板710中的多個像素的每一個都包括如上參照圖1到圖9所述的薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管。

根據上述示例性實施方式，有機發(fā)光顯示裝置可改進外部發(fā)光效率并且同樣減少功耗。

此外，根據上述示例性實施方式，有機發(fā)光顯示裝置可改善涂覆層彎曲部的形狀均勻性，由此改進了外部發(fā)光效率并且還保持了裝置的可靠性。

僅提供以上描述和附圖以闡述本發(fā)明的技術概念，但所屬領域普通技術人員將會理解的是，可進行諸如對組件的組合、分離、替換和改變之類的各種修改和變化，而不背離本發(fā)明的范圍。因此，提供本發(fā)明的示例性實施方式僅用于說明性目的，但不旨在限制本發(fā)明的技術概念。本發(fā)明的技術概念范圍并不限于此。因此，應該理解的是，上述示例性實施方式在所有方面是說明性的，并且不限制本發(fā)明。應基于所附權利要求書解釋本發(fā)明的保護范圍，并且在其等效范圍中的所有技術概念應視為落入本發(fā)明的范圍內。