本發(fā)明涉及一種金屬回收設(shè)備及一種利用金屬回收設(shè)備以回收晶片表面金屬的制作工藝，且特別是涉及一種適用于發(fā)光二極管制作工藝的金屬回收設(shè)備及一種利用金屬回收設(shè)備以回收發(fā)光二極管晶片表面金屬的制作工藝。

背景技術(shù)：

金屬移除制作工藝是使用粘性膠膜粘著于晶片表面，利用膠膜粘貼晶片表面的金屬，然后再將膠膜由晶片表面撕離，即可移除不需要的金屬，而留下所需金屬的方法。

目前業(yè)界使用粘性膠膜粘貼晶片上金屬的移除作業(yè)方式有三大類(lèi):

人工：此方式主要是先將膠膜粘貼于晶片表面，其次在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜貼于晶片表面的金屬上，最后將膠膜撕離晶片，使晶片上不需要的金屬轉(zhuǎn)貼至膠膜上而與晶片分離，僅留下需要的金屬。然而，利用人工將膠膜粘貼于晶片表面過(guò)程中，必須在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜得以完整貼附于晶片表面，此動(dòng)作同時(shí)也施壓于金屬或光致抗蝕劑上，易造成金屬或光致抗蝕劑變形，影響晶片良率。且人工按壓難以控制每次的施力大小，膠膜可能無(wú)法確實(shí)地貼附在晶片表面，使得晶片表面不需要的金屬無(wú)法被完整去除，進(jìn)而影響晶片產(chǎn)出率。

機(jī)器：此方式主要是以治具將膠膜粘貼于晶片表面，再以治具在膠膜上重復(fù)按壓使膠膜粘貼于晶片表面的金屬上，最后再以機(jī)器帶動(dòng)膠膜，將膠膜撕離晶片，使晶片上不需要的金屬轉(zhuǎn)貼至膠膜上而與晶片分離，僅留下需要的金屬。然而，由于晶片在制作工藝中會(huì)發(fā)生翹曲，當(dāng)治具在粘性膠膜上重復(fù)按壓時(shí)，治具施加的壓力易造成晶片破裂。且由于晶片表面有凹凸處，治具無(wú)法針對(duì)凹凸處充分按壓，故金屬與膠膜間的粘貼效果不佳，無(wú)法完整地將晶片上不需要的金屬形去除，同樣會(huì)影響晶片的產(chǎn)出率。

化學(xué)溶劑及二流體、三流體：此方式主要是采用化學(xué)溶劑先浸泡晶片，使其表面的光致抗蝕劑松散(依技術(shù)不同，可使用也可不使用此步驟)，然后再使用二種流體(水+空氣)或三種流體(水+空氣+水蒸氣)加壓噴灑在晶片表面，將光致抗蝕劑與附著在光致抗蝕劑上不需要的金屬一起噴離晶片表面，留下需要的金屬。然而，由于二流體或三流體易因溫度劇烈改變，造成晶片破裂，且二流體或三流體加壓噴灑在晶片表面，易在晶片上形成靜電進(jìn)而造成電性異常。此外，利用二流體或三流體加壓噴灑晶片，已移除的金屬，會(huì)被流體帶動(dòng)在晶片表面上造成刮傷現(xiàn)象。

有鑒于此，本發(fā)明公開(kāi)一種新穎的金屬回收設(shè)備及制作工藝，其特征主要是在金屬回收設(shè)備中導(dǎo)入一新穎的金屬移除裝置，利用壓力差使膠膜可完整地貼附在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面，改善現(xiàn)有利用手工、機(jī)器或化學(xué)溶劑法移除膠膜所伴隨的缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種回收金屬的方法，包括貼附一膠膜于一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的一金屬層，及利用一氣體壓力差使部分金屬層脫離半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并轉(zhuǎn)移至膠膜上。

附圖說(shuō)明

圖1a為本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖；

圖1b～圖1e為使用圖1a的金屬移除裝置回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖；

圖1d'為本發(fā)明一實(shí)施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖；

圖1d"為本發(fā)明一實(shí)施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖；

圖2a為本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖；

圖2b～圖2e為使用圖2a中的金屬移除裝置回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖；

圖2d'為本發(fā)明一實(shí)施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖；

圖3a為本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備剖面示意圖；

圖3b～圖3d為使用本發(fā)明圖3a中的金屬移除裝置回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖；

圖3d'為本發(fā)明一實(shí)施例回收晶片表面金屬的其中一步驟的剖面示意圖；

圖4a～圖4c為膠膜與晶片的放大剖面示意圖。

符號(hào)說(shuō)明

2000、3000、4000金屬回收設(shè)備

200、300、400金屬移除裝置

230、330、430晶片承載座

235、335、435升降軸

240晶片

241基板

242半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

243半導(dǎo)體疊層

244電極

245、2451金屬

246犧牲層

260膠膜

260a、360a、460a第一卷筒

260b、360b、460b第二卷筒

265a、265a、265a第一壓力輥

265b、365b、465b搬運(yùn)輥

265c、365c、465c第二壓力輥

265d、365d、465d轉(zhuǎn)向輥

265e、365e、465e導(dǎo)輥

270、370、470馬達(dá)

280、380、480金屬回收桶

285、385、485金屬回收液

290、390、490刮刀

210上腔體

215上中空腔室

220、320、420下腔體

225、325、425下中空腔室

250第二壓力控制管

255第一壓力控制管

310、410上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)

315、415旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)

318、418可形變腔體

325、425第三中空腔室

350第三壓力控制管

具體實(shí)施方式

以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實(shí)施。文中雖然以發(fā)光二極管元件作為舉例討論的特定實(shí)施例，然其僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍，任何具有相似結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件也可適用于本發(fā)明。

圖1a顯示本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備2000。金屬回收設(shè)備2000包括一第一卷筒260a，以供應(yīng)回收金屬用的膠膜260、一金屬移除裝置200、一搬運(yùn)輥265b、一金屬回收桶280、一導(dǎo)輥265e、及一第二卷筒260b。金屬移除裝置200包括一上腔體210，具有一上中空腔室215、一第一壓力控制管255，連接至上腔體210以控制上中空腔室215內(nèi)的壓力p1、一下腔體220，具有一下中空腔室225、及一第二壓力控制管250，連接至下腔體220以控制下中空腔室225內(nèi)的壓力p2。一晶片承載座230及一連接晶片承載座230的升降軸235設(shè)置于下中空腔室225內(nèi)，升降軸235可控制晶片承載座230的升降(上升、下降)。此外，上腔體210及/或下腔體220可彼此相對(duì)移動(dòng)。搬運(yùn)輥265b帶動(dòng)位于第一卷筒260a上的膠膜260，使膠膜260進(jìn)出金屬移除裝置200。金屬回收桶280裝有金屬回收液285。導(dǎo)輥265e設(shè)置于金屬回收桶280內(nèi)，并導(dǎo)引經(jīng)由搬運(yùn)輥265b所移出的膠膜260進(jìn)出金屬回收桶280。第二卷筒260b用以回收膠膜260。搬運(yùn)輥265b是通過(guò)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)270驅(qū)動(dòng)而做轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，第一卷筒260a及金屬移除裝置200間，還包括一第一壓力輥265a。搬運(yùn)輥265b與導(dǎo)輥265e間還包括一轉(zhuǎn)向輥265d，且轉(zhuǎn)向輥265d可使經(jīng)由搬運(yùn)輥265b移出金屬移除裝置200的膠膜260被轉(zhuǎn)向而進(jìn)入金屬回收桶280內(nèi)。搬運(yùn)輥265b與轉(zhuǎn)向輥265d間還包括一第二壓輥265c。

本實(shí)施例的膠膜260可以是藍(lán)膜、解膠膜(uvreleasetape或thermalreleasetape)、聚苯二甲酸乙二酯(pet)或其組合。金屬回收液285則可選用溫度介于攝氏30～100度的水或有機(jī)溶劑。

圖1b～圖1e顯示使用圖1a的金屬移除裝置200回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖。圖4a～圖4c顯示圖1b～圖1d中，膠膜260與晶片240的放大剖面示意圖。于圖4a～圖4c中，兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)242僅為示意，實(shí)際數(shù)目或排列方式并不以此為限。

參照?qǐng)D1b及圖4a，一晶片(wafer)240放置在晶片承載座230上。晶片240包含一基板241及多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)242設(shè)置于基板241上。每一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)242包含一半導(dǎo)體疊層243、及一對(duì)電極244形成于半導(dǎo)體疊層243上。一犧牲層246(光致抗蝕劑)形成于半導(dǎo)體疊層243上且未形成于電極244上。一金屬245形成于電極244及犧牲層246上。

參照?qǐng)D1a及圖1b，在驅(qū)動(dòng)馬達(dá)270驅(qū)動(dòng)下，搬運(yùn)輥265b帶動(dòng)位于第一卷筒260a上的膠膜260經(jīng)第一壓輥265a被移入金屬移除裝置200內(nèi)，使其位置位于上腔體210與下腔體220之間。其中，上中空腔室215及下中空腔室225在膠膜260上的投影面積須完全位于膠膜260之內(nèi)，較佳地，上腔體210及下腔體220在膠膜260上的投影面積也完全位于膠膜260之內(nèi)。然后，移動(dòng)上腔體210、下腔體220、或二者(例如上腔體210下降及/或下腔體220上升)使上、下腔體210、220相接并利用膠膜260分隔上中空腔室215及下中空腔室225。上中空腔室215及下中空腔室225的容積將隨橫亙其間的膠膜260形狀而改變，一者增大時(shí)另一者即縮小，但總?cè)莘e不變。換言之，上中空腔室215及下中空腔室225將分別與膠膜260形成一上密閉空間及一下密閉空間。隨著膠膜260的形變，上下密閉空間的容積也隨之變化。

參照?qǐng)D1c及圖4b，控制上中空腔室215內(nèi)的壓力p1與下中空腔室225內(nèi)的壓力p2，并使p1>p2。由于上中空腔室215與下中空腔室225間的壓力差(δp＝p1-p2＝1.5～3.5大氣壓)，使得位于金屬移除裝置200內(nèi)的膠膜260朝晶片240方向伸張，進(jìn)而伏貼在晶片240的表面輪廓上，并貼附金屬245。此時(shí)，膠膜260為一擴(kuò)張狀態(tài)(向下突出/凹陷)。上述上中空腔室215內(nèi)的壓力p1大于下中空腔室225內(nèi)的壓力p2的步驟，可通過(guò)以下三種步驟s1～s3其中之一達(dá)成：

(s1)經(jīng)第一壓力控制管255，對(duì)上中空腔室215充氣，使上中空腔室215內(nèi)的壓力p1增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)，而下中空腔室225則不充氣，其壓力p2維持在一大氣壓；

(s2)經(jīng)第一壓力控制管255，對(duì)上中空腔室215充氣，使上中空腔室215內(nèi)的壓力p1增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)，且同時(shí)經(jīng)第二壓力控制管250對(duì)下中空腔室225抽氣，使得下中空腔室225內(nèi)的壓力p2小于一大氣壓，用于加速膠膜260貼附至晶片240表面的速度并提高膠膜260施加在晶片240上的力量或壓力；

(s3)經(jīng)第二壓力控制管250對(duì)下中空腔室225抽氣，使得下中空腔室225內(nèi)的壓力p2小于一大氣壓(例如:0.5～10^-3大氣壓)，而上中空腔室215則不充氣，壓力p1維持在一大氣壓。

參照?qǐng)D1d及圖4c，控制上中空腔室215內(nèi)的壓力p1與下中空腔室225內(nèi)的壓力p2，并使p1<p2，由此粘貼有金屬245的膠膜260自晶片240表面向遠(yuǎn)離晶片240的方向凹陷而使粘附其上的金屬245被移除。詳言之，由于金屬245與犧牲層246間的結(jié)合力小于金屬245與電極244間的結(jié)合力，因此通過(guò)膠膜260對(duì)位于犧牲層246上金屬245的粘著力大于金屬245與犧牲層246間的結(jié)合力，但(膠膜260)對(duì)位于電極244上金屬245的粘著力小于金屬245與電極244間的粘著力，可以在撕掉膠膜260的同時(shí)一并移除部分金屬245。因此，當(dāng)下中空腔室225內(nèi)的壓力p2逐漸或瞬間增加且大于上中空腔室215內(nèi)的壓力p1時(shí)，膠膜260會(huì)向上移動(dòng)并脫離晶片240，且同時(shí)將位于犧牲層246上金屬245從犧牲層246轉(zhuǎn)移至膠膜260上而脫離犧牲層246。位于電極244上的金屬245并未轉(zhuǎn)移至膠膜260而續(xù)留在半導(dǎo)體疊層243上。此時(shí)，膠膜260也為一擴(kuò)張狀態(tài)(向上突出/凹陷)且粘附有金屬2451。

以下將詳細(xì)描述達(dá)成p1<p2的實(shí)施步驟。當(dāng)上中空腔室215內(nèi)的壓力p1大于下中空腔室225內(nèi)的壓力p2的步驟是依上述(s2)步驟達(dá)成時(shí)。首先，將上中空腔室215的壓力p1降低至一大氣壓，且同時(shí)停止對(duì)下中空腔室225抽氣并對(duì)下中空腔室225充氣至下中空腔室225內(nèi)部壓力p2回復(fù)到一大氣壓。此時(shí)，膠膜260仍貼附在金屬245上。接著，經(jīng)第二壓力控制管250對(duì)下中空腔室225充氣，使下中空腔室225內(nèi)的壓力p2增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)。此時(shí)，由于上中空腔室215與下中空腔室225間的壓力差(δp＝1.5～3.5大氣壓)，使得位于金屬移除裝置200內(nèi)的膠膜260向上移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。膠膜260與金屬245詳細(xì)描述可參考前述相關(guān)段落。

當(dāng)上中空腔室215內(nèi)的壓力p1大于下中空腔室內(nèi)225的壓力p2的步驟是以上述(s1)步驟達(dá)成時(shí)。首先，將上中空腔室210內(nèi)的壓力p1將低至一大氣壓。然后，再經(jīng)第二壓力控制管250對(duì)下中空腔室225充氣，使下中空腔室225內(nèi)的壓力p2增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)。同樣地，由于上中空腔室215與下中空腔室225間的壓力差(δp＝1.5～3.5大氣壓)，使得位于金屬移除裝置200內(nèi)的膠膜260向上移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。膠膜260與金屬245詳細(xì)描述可參考前述相關(guān)段落。

當(dāng)上中空腔室215內(nèi)的壓力p1大于下中空腔室內(nèi)225的壓力p2的步驟是以上述(s3)步驟達(dá)成時(shí)，僅需對(duì)下中空腔室225充氣，使下中空腔室225內(nèi)的壓力p2增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)。同樣地，由于上中空腔室215與下中空腔室225間的壓力差(δp＝1.5～3.5大氣壓)，使得位于金屬移除裝置200內(nèi)的膠膜260向上移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。膠膜260與金屬245詳細(xì)描述可前述參考相關(guān)段落。

圖1d中的步驟，可被圖1d'或圖1d"所示的步驟取代。進(jìn)行圖1d'或圖1d"的步驟前，需先將上中空腔室210內(nèi)的壓力p1及下中空腔室225內(nèi)的壓力p2回復(fù)至相同壓力(例如：p1＝p2＝一大氣壓)。接著，如圖1d'所示，上升上腔體210及/或下降下腔體220。通過(guò)分離上、下腔體210、220，膠膜260相對(duì)于晶片240移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面?；蛘?，如圖1d"所示，通過(guò)控制升降軸235使晶片承載座230下降，膠膜260相對(duì)于晶片240移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。膠膜260與金屬245詳細(xì)描述可參考前述相關(guān)段落。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1e，當(dāng)位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面的步驟是以如圖1d所示的步驟完成時(shí)，由于膠膜260因上中空腔室210內(nèi)的壓力p1與下中空腔室220內(nèi)的壓力p2間的壓力差而呈現(xiàn)一擴(kuò)張狀態(tài)。故再進(jìn)行下一步驟前，需先將上中空腔室210內(nèi)的壓力p1及下中空腔室225內(nèi)的壓力p2回復(fù)至相同壓力(例如：p1＝p2＝一大氣壓)，使處于擴(kuò)張狀態(tài)的膠膜260回復(fù)至非擴(kuò)張狀態(tài)，然后再如圖1e所示使上、下腔體210、220分離。當(dāng)位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面的步驟是以如圖1d′或圖1d″所示的步驟完成時(shí)，膠膜260已呈現(xiàn)一非擴(kuò)張狀態(tài)，故可直接如圖1e所示使上、下腔體210、220分離。

最后，如圖1a所示，粘貼有金屬2451的膠膜260經(jīng)過(guò)第二壓輥265c，再經(jīng)由轉(zhuǎn)向輥265d而改變行進(jìn)方向，并被導(dǎo)輥265e導(dǎo)引進(jìn)入金屬回收桶280內(nèi)。金屬回收桶280內(nèi)的金屬回收液285可使膠膜260所粘貼的金屬2451脫離膠膜260而懸浮及/或沉降在金屬回收液285內(nèi)，進(jìn)而金屬2451可被回收使用。金屬2451脫離后的膠膜260也可被第二卷筒260b回收再使用。此外，金屬回收桶280更可配備一刮刀290，在膠膜260要離開(kāi)金屬回收桶280前，刮除尚未脫離膠膜260的金屬2451，以提高金屬2451的回收率。

如圖4c所示，當(dāng)晶片240上不必要的金屬(位于犧牲層246上的金屬245)被移除之后，可利用濕蝕刻方式移除犧牲層246并對(duì)晶片240進(jìn)行一切割步驟以形成多個(gè)發(fā)光二極管芯片(chip)。

圖2a顯示本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備3000。金屬回收設(shè)備3000包括一第一卷筒360a，以供應(yīng)回收金屬用的膠膜260、一金屬移除裝置300、一搬運(yùn)輥365b、一金屬回收桶380、一導(dǎo)輥365e、以及一第二卷筒360b。金屬移除裝置300包括一可形變腔體318、一下腔體320，具有一第三中空腔室325、及一第三壓力控制管350。一晶片承載座330及一連接晶片承載座330的升降軸335設(shè)置于第三中空腔室325內(nèi)且升降軸335可控制晶片承載座330的升降。第三壓力控制管350連接至下腔體320以控制第三中空腔室325內(nèi)的壓力。可形變腔體318及/或下腔體320可受控制地升降。搬運(yùn)輥365b，帶動(dòng)位于第一卷筒360a上的膠膜260，使膠膜260進(jìn)出金屬移除裝置300。金屬回收桶380裝有金屬回收液385。導(dǎo)輥365e設(shè)置于金屬回收桶380內(nèi)，且導(dǎo)引搬運(yùn)輥365b所移出的膠膜260進(jìn)出金屬回收桶380。第二卷筒360b用以回收膠膜260。

金屬移除裝置300還包括一上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)310，連接可形變腔體318，由此，當(dāng)上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)310移動(dòng)時(shí)，可形變腔體318可同時(shí)被上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)310帶動(dòng)而相對(duì)于下腔體320上下移動(dòng)。此外，金屬移除裝置300還可包括一旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)315，設(shè)置于上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)310與可形變腔體318之間。同樣地，當(dāng)旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)315旋轉(zhuǎn)時(shí)，可形變腔體318可因此被帶動(dòng)而旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。搬運(yùn)輥365b是通過(guò)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)370驅(qū)動(dòng)而做轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，第一卷筒360a及金屬移除裝置300間，還包括一第一壓力輥365a。搬運(yùn)輥365b與導(dǎo)輥365e間還包括一轉(zhuǎn)向輥365d，且轉(zhuǎn)向輥365d可使經(jīng)由搬運(yùn)輥365b移出金屬移除裝置300的膠膜260被轉(zhuǎn)向而導(dǎo)入金屬回收桶380內(nèi)。搬運(yùn)輥365b與轉(zhuǎn)向輥365d間還包括一第二壓輥365c。

本實(shí)施例的金屬回收液385則可選用溫度介于攝氏30～100度的水或有機(jī)溶劑。

圖2b～圖2d顯示使用圖2a的金屬移除裝置300回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖。膠膜260與晶片240的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可參考圖4a～圖4c及相關(guān)段落的描述。

參照?qǐng)D2b、圖4a，一晶片240放置在晶片承載座330上。晶片240的結(jié)構(gòu)可參考前述相關(guān)段落。

參照?qǐng)D2a及圖2b，在驅(qū)動(dòng)馬達(dá)370驅(qū)動(dòng)下，使搬運(yùn)輥365b帶動(dòng)位于第一卷筒260a上的膠膜260經(jīng)第一壓輥365a被移入金屬移除裝置300內(nèi)，并使其位置于可形變腔體318與下腔體320之間。其中，第三中空腔室325在膠膜260上的投影面積須完全位于膠膜260之內(nèi)，較佳地，下腔體320在膠膜260上的投影面積也完全位于膠膜260之內(nèi)。然后，通過(guò)上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)310，使可形變腔體318下降并與膠膜260直接接觸。

參照?qǐng)D2c及圖2d和圖2d'、圖4b，對(duì)可形變腔體318充氣，使其膨脹直至接觸膠膜260，進(jìn)而施力于膠膜260上。通過(guò)旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)315帶動(dòng)可形變腔體318以如圖2d所示的行星式移動(dòng)軌跡或圖2d'所示的螺旋式移動(dòng)軌跡滾壓膠膜260，使膠膜260可均勻地被貼附于晶片240表面。并使膠膜260貼附在晶片240表面上的金屬245。此外，根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，也可在可形變腔體318充氣產(chǎn)生形變而施力于膠膜260后，通過(guò)第三壓力控制管350對(duì)第三中空腔室325抽氣，使第三中空腔室325內(nèi)的壓力p3小于一大氣壓，加速膠膜260粘貼至晶片240表面的速度或減少膠膜260晶片240表面間的氣泡。

在另一實(shí)施例中，部分膠膜260先貼附至晶片240表面的中心，再通過(guò)旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)315逐漸向外使膠膜260完全地貼附至晶片240表面，由此，可減少膠膜260與晶片240表面間氣泡的產(chǎn)生。

參照?qǐng)D2e、圖4c，經(jīng)第三壓力控制管350對(duì)第三中空腔室325充氣，使第三中空腔室325內(nèi)的壓力p3增至40～60psi(2.72～4.08大氣壓)，使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片340表面，然后再利用搬運(yùn)輥365b將粘貼有金屬2451的膠膜260移出金屬移除裝置300。其他相關(guān)的描述可參考相關(guān)段落，于此將不再撰述。

最后，如圖2a所示，粘貼有金屬2451的膠膜260經(jīng)過(guò)第二壓輥365c，再經(jīng)轉(zhuǎn)向輥365d而改變行進(jìn)方向，并被導(dǎo)輥365e導(dǎo)引進(jìn)入金屬回收桶380內(nèi)。金屬回收桶380內(nèi)的金屬回收液385可使膠膜260所粘貼的金屬2451脫離膠膜260而懸浮及/或沉降在金屬回收液385內(nèi)，進(jìn)而金屬2451可被回收使用。金屬2451脫離后的膠膜260也可被第二卷筒260b回收再使用。此外，金屬回收桶380更可配備一刮刀390，在膠膜260要離開(kāi)金屬回收桶380前，刮除尚未脫離膠膜260的金屬2451，以提高金屬245的回收率。

圖3a顯示本發(fā)明一實(shí)施例的金屬回收設(shè)備4000。金屬回收設(shè)備4000包括一第一卷筒460a，以供應(yīng)回收金屬用的膠膜260、一搬運(yùn)輥465b、一金屬回收桶480、導(dǎo)輥465e、以及一第二卷筒460b。一金屬移除裝置400包括一可形變腔體418、一下腔體420，具有一第三中空腔室425。一晶片承載座430及一連接晶片承載座430的升降軸435設(shè)置于第三中空腔室425內(nèi)，且升降軸435可控制晶片承載座430的升降?？尚巫兦惑w418及/或下腔體420可受控制地升降。搬運(yùn)輥465b帶動(dòng)位于第一卷筒460a上的膠膜260，使膠膜260進(jìn)出金屬移除裝置400。金屬回收桶480裝有金屬回收液485。導(dǎo)輥465e設(shè)置于金屬回收桶480內(nèi)，且導(dǎo)引搬運(yùn)輥465b所移出的膠膜260進(jìn)出金屬回收桶480。第二卷筒460b用以回收膠膜260。金屬移除裝置400還包括一上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)410，連接可形變的腔體418，使可形變腔體418可被上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)410帶動(dòng)而相對(duì)于下腔體420上下移動(dòng)。金屬移除裝置400還可包括一旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)415，設(shè)置于上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)410與可形變腔體418之間，使可形變腔體418可被旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)415帶動(dòng)而旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。搬運(yùn)輥465b是通過(guò)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)470驅(qū)動(dòng)而進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，第一卷筒460a及金屬移除裝置400間，還包括一第一壓力輥465a。搬運(yùn)輥465b與導(dǎo)輥465e間還包括一轉(zhuǎn)向輥465d，且轉(zhuǎn)向輥465d可使經(jīng)由搬運(yùn)輥465b移出金屬移除裝置400的膠膜260被轉(zhuǎn)向而進(jìn)入金屬回收桶480內(nèi)。搬運(yùn)輥465b與轉(zhuǎn)向輥465d間還包括一第二壓輥465c。

本實(shí)施例的金屬回收液485則可選用溫度介于攝氏30～100度的水或有機(jī)溶劑。

圖3b～圖3d顯示使用圖3a的金屬移除裝置400回收晶片表面金屬的制作工藝剖面示意圖。膠膜260與晶片240的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可參考圖4a～圖4c及相關(guān)段落的描述。

參照?qǐng)D3b、圖4a，一晶片240放置在晶片承載座430上。晶片240的結(jié)構(gòu)可參考相關(guān)段落，于此將不再撰述。

參照?qǐng)D3a及圖3b，在驅(qū)動(dòng)馬達(dá)470驅(qū)動(dòng)下，使搬運(yùn)輥465b帶動(dòng)位于第一卷筒460a上的膠膜260經(jīng)第一壓輥465a被移入金屬移除裝置400內(nèi)，并固定于可形變腔體418與下腔體420之間。然后，通過(guò)上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)410帶動(dòng)，使可形變腔體418下降并與膠膜260直接接觸。

接著，參照?qǐng)D3c、圖4b，對(duì)可形變腔體418充氣，使其膨脹直至接觸膠膜260，進(jìn)而施力于膠膜260上。通過(guò)旋轉(zhuǎn)移動(dòng)機(jī)構(gòu)415帶動(dòng)可形變腔體418以如圖2d所示的行星式移動(dòng)軌跡或圖2d'所示的螺旋式移動(dòng)軌跡滾壓膠膜260，使膠膜260可均勻地被貼附于晶片240表面，并使晶片240表面的上的金屬245被膠膜260粘貼。

如圖3d所示，利用上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)410使可形變腔體418上升后，再通過(guò)升降軸435帶動(dòng)晶片承載座430下降，使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。

圖3d所示的步驟，可由圖3d'所示的步驟取代。如圖3d'所示，通過(guò)下降下腔體420，膠膜260相對(duì)于晶片240移動(dòng)且使位于犧牲層246上的金屬245脫離晶片240表面。接著，再利用搬運(yùn)輥465b將粘貼有金屬2451的膠膜260移出金屬移除裝置400。

最后，如圖3a所示，粘貼有金屬2451的膠膜260經(jīng)過(guò)第二壓輥465c，再經(jīng)轉(zhuǎn)向輥465d而改變行進(jìn)方向，并被導(dǎo)輥465e導(dǎo)引進(jìn)入金屬回收桶480內(nèi)。金屬回收桶480內(nèi)的金屬回收液485可使得膠膜260所粘貼的金屬2451脫離膠膜260而懸浮及/或沉降在金屬回收液485內(nèi)，進(jìn)而金屬2451可被回收使用。金屬2451脫離后的膠膜260也可被第二卷筒460b回收再使用。此外，金屬回收桶480更可配備一刮刀490，在膠膜260要離開(kāi)金屬回收桶480前，刮除尚未脫離膠膜260的金屬2451，以提高金屬2451的回收率。

金屬245包含金、銀、鉑、鋁或銅。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)242為一發(fā)光二極管且包含一第一型半導(dǎo)體層、一活性層及一第二型半導(dǎo)體層。在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包含不發(fā)光二極管、晶體管或其他主動(dòng)或被動(dòng)電子元件。

雖然結(jié)合以上較佳實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可更動(dòng)與組合上述各種實(shí)施例。