本申請是申請日為2013年02月25日、申請?zhí)枮?01310058121.7、名稱為“多層陶瓷電容器及用于安裝該多層陶瓷電容器的電路板”的中國專利申請的分案申請。相關(guān)申請的交叉引用本申請要求在2012年12月18日遞交于韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請no.10-2012-0148252的優(yōu)先權(quán)，該申請公開的內(nèi)容通過引用合并于此。本發(fā)明涉及多層陶瓷電容器以及安裝有多層陶瓷電容器的電路板。
背景技術(shù)：
：多層陶瓷電容器(層疊的片式電子元件)是一種安裝在各種電子產(chǎn)品例如成像裝置(或者影像裝置)諸如液晶顯示器(lcds)、等離子顯示板(pdps)等，電腦，智能電話，便攜式電話等的印刷電路板(pcb)板上以充放電的片式電容器。多層陶瓷電容器(mlcc)，具有諸如緊湊、保證高容量以及便于安裝的優(yōu)點，可以用作各種電子裝置的元件。mlcc可以包括多個介電層以及內(nèi)電極，在mlcc的結(jié)構(gòu)中，具有不同極性的內(nèi)電極交替層疊在介電層之間。介電層具有壓電性和電致伸縮(electrostrictive)性。因此，當向mlcc施加dc電壓或者ac電壓時，內(nèi)電極之間會發(fā)生壓電現(xiàn)象，產(chǎn)生振動。振動傳遞到安裝(通過mlcc的焊接)有mlcc的pcb，致使pcb的整體成為傳聲發(fā)射表面以產(chǎn)生作為噪聲的振動聲音。振動聲音可以對應(yīng)于從20hz至2000hz的聲音頻率范圍，使得使用者不舒適，并且這種使得使用者不舒適的振動聲音為所知的聲噪聲(acousticnoise)。為了降低聲噪聲，已經(jīng)研發(fā)了其中增加mlcc的下覆蓋層的產(chǎn)品。同樣，具有增加的下覆蓋層的mlcc安裝為水平安裝類型的mlcc，由此相對厚的下覆蓋層設(shè)置在印刷電路板(pcb)的底部上以有利地降低聲噪聲。同時，在產(chǎn)品中的mlcc的下覆蓋層的厚度增加以便于降低聲噪聲的情況下，疊層的數(shù)量增加或者介電層變薄，以實現(xiàn)高電容量，導(dǎo)致分層缺陷或者擊穿電壓(bdv)降低?！鞠嚓P(guān)現(xiàn)有文件】(專利文件1)日本專利公開號no.2006-203165。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的一方面提供一種多層陶瓷電容器(mlcc)以及安裝有該mlcc的電路板。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括：陶瓷主體，該陶瓷主體中層疊有多個介電層；活性層，該活性層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極并形成電容，該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極形成為交替地暴露在所述陶瓷主體的兩個端面并使所述介電層插入第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間；上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所述活性層的上部上；下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述活性層的下部上并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度；以及第一外電極和第二外電極，該第一外電極和第二外電極覆蓋所述陶瓷主體的兩個端面，其中當形成在所述內(nèi)電極的沿長度方向的端部和所述陶瓷主體的一個端面之間的l-邊部的寬度是lm，形成在所述內(nèi)電極的沿寬度方向的側(cè)和所述陶瓷主體的一個側(cè)面之間的w-邊部的寬度是wm，并且所述下覆蓋層的厚度是b時，滿足0.3≤lm/b≤2.0以及0.5≤b/wm≤5.0，其中，lm大于wm，并且當所述陶瓷主體的總厚度的一半是a，所述下覆蓋層的厚度是b，所述活性層的總厚度的一半是c，，所述上覆蓋層的厚度是d時，所述活性層的中心部偏離所述陶瓷主體的中心部的比率(b+c)/a可以滿足1.063≤(b+c)/a≤1.745。當所述下覆蓋層的厚度是b并且所述上覆蓋層的厚度是d時，所述上覆蓋層的厚度d和所述下覆蓋層的厚度b的比率(d/b或者d：b)可以滿足0.021≤d/b≤0.422的范圍。當所述陶瓷主體的總厚度的一半是a并且所述下覆蓋層的厚度是b時，所述下覆蓋層的厚度b與所述陶瓷主體的厚度的一半a的比率(b/a)可以滿足0.329≤b/a≤1.522的范圍。當所述下覆蓋層的厚度是b并且所述活性層的總厚度的一半是c時，所述活性層c的厚度的一半c與所述下覆蓋層的厚度b的比率(c/b)可以滿足0.146≤c/b≤2.458的范圍。由于當施加電壓時所述活性層的中心部中產(chǎn)生的應(yīng)變與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的應(yīng)變不同，形成在所述陶瓷主體的兩個端部的拐點(pi)可以形成在所述陶瓷主體的沿厚度方向的中心部的下方。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于安裝多層陶瓷電容器(mlcc)的電路板，該電路板包括：印刷電路板，該印刷電路板的上部上形成有第一電極墊和第二電極墊；以及mlcc，該mlcc安裝在pcb上，其中所述mlcc包括：陶瓷主體，該陶瓷主體中層疊有多個介電層；活性層，該活性層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極并形成電容，該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極形成為交替地暴露在所述陶瓷主體的兩個端面并使所述介電層插入第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間；上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所述活性層的上部上；下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述活性層的下部上并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度，以及第一外電極和第二外電極，該第一和外電極第二外電極形成在所述陶瓷主體的兩個端面上并且通過焊料連接于所述第一電極墊和第二電極墊，其中當形成在所述內(nèi)電極的沿長度方向的端部和所述陶瓷主體的一個端面之間的l-邊部的寬度為lm，形成在所述內(nèi)電極的沿寬度方向的側(cè)和所述陶瓷主體的一個側(cè)面之間的w-邊部的寬度為wm，并且所述下覆蓋層的厚度為b時，滿足0.3≤lm/b≤2.0以及0.5≤b/wm≤5.0，并且其中，lm大于wm，當所述陶瓷主體的總厚度的一半是a，所述下覆蓋層的厚度是b，所述活性層的總厚度的一半是c，所述活性層的厚度是d時，所述活性層的中心部偏離所述陶瓷主體的中心部的比率(b+c)/a滿足1.063≤(b+c)/a≤1.745。當所述下覆蓋層的厚度是b并且所述上覆蓋層的厚度是d時，所述上覆蓋層的厚度d與所述下覆蓋層的厚度b之間的比率(d/bord：b)可以滿足0.021≤d/b≤0.422的范圍。當所述陶瓷主體的總厚度的一半是a并且所述下覆蓋層的厚度是b時，所述下覆蓋層的厚度b與所述陶瓷主體的厚度的一半a的比率可以滿足0.329≤b/a≤1.522的范圍。當所述下覆蓋層的厚度是b并且所述活性層的總厚度的一半是c時，所述活性層的厚度的一半c與所述下覆蓋層的厚度b的比率(c/b)可以滿足0.146≤c/b≤2.458的范圍。由于當施加電壓時所述活性層的中心部中產(chǎn)生的應(yīng)變與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的應(yīng)變不同，形成在所述陶瓷主體的兩個端部的拐點(pi)可以形成在所述陶瓷主體的沿厚度方向的中心部的下方。附圖說明通過下文結(jié)合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征和另外的優(yōu)點以下將被更加清楚地理解，附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的多層陶瓷電容器(mlcc)的局部切除的立體示意圖；圖2是圖1的mlcc的從所述mlcc的沿寬度方向的中心部沿長度和厚度方向截取的橫截面視圖；圖3是圖1的mlcc的從所述mlcc的沿長度方向的中心部沿寬度和厚度方向截取的橫截面視圖；圖4是圖1的mlcc的從所述mlcc的沿寬度方向的中心部沿長度和厚度方向截取的以顯示所述mlcc所包括的元件的尺寸關(guān)系的示意截面圖；圖5是圖1的mlcc的從所述mlcc的沿長度方向的中心部沿寬度方向和厚度方向截取的以顯示所述mlcc所包括的元件的尺寸關(guān)系的示意截面圖；圖6是說明安裝在印刷電路板(pcb)上的圖1的mlcc的立體圖；圖7是圖6的mlcc和pcb沿長度方向截取的橫截面圖；以及圖8是說明安裝在pcb上的圖6的mlcc在施加電壓時變形的橫截面示意圖。具體實施方式現(xiàn)在將結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明可以通過多種不同形式實施并且不應(yīng)理解為由在此展示的實施方式所限制。相反地，提供的這些實施方式便于全面和充分地公開本發(fā)明，并且將對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分表述本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚起見，元件的形狀和尺寸可能被放大，并且相同的引用數(shù)字將始終用于指示相同或者類似的元件。同樣地，在各個實施方式的附圖中闡述相同概念范圍內(nèi)具有相同功能的元件將使用相同的引用數(shù)字描述。為了使本發(fā)明的實施方式清楚，可以如下定義六面體的方向：圖1中標示的l、w以及t分別指示長度方向、寬度方向和厚度方向。在此，厚度方向可以與層疊介電層的層疊方向具有相同的概念。同樣地，在本實施方式中，為了描述的目的，沿陶瓷主體的長度方向形成第一外電極和第二外電極的表面被設(shè)定為水平端面，并且垂直于該水平端面的表面被設(shè)定為左側(cè)面或者右側(cè)面。多層陶瓷電容器(mlcc)參見圖1至圖3，根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的mlcc100可以包括：陶瓷主體110；活性層115，該活性層115具有第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122；上覆蓋層112和下覆蓋層113；以及第一外電極131和第二外電極132，該第一外電極和第二外電極覆蓋陶瓷主體110的兩個端面。陶瓷主體110通過層疊多個介電層111然后進行燒結(jié)(fire)而形成，并且陶瓷主體110的構(gòu)造和尺寸以及介電層111的層疊數(shù)量不受本實施方式中所顯示的限制。同樣地，形成陶瓷主體110的多個介電層111處于燒結(jié)狀態(tài)并且鄰近的介電層50可以成為一體，由此不使用掃描電子顯微鏡(sem)的情況下可能無法明顯分辨介電層111和介電層50之間的界限。陶瓷主體110可以包括：活性層115，該活性層115作為用于形成電容的電容器的一部分；上層112和下層113(上層112和下層113作為邊部(marginportion))形成在活性層115的上部和下部上；l-邊部116(l-邊部116作為長度方向的邊部)形成在活性層115和陶瓷主體110的端面之間；以及w-邊部117(w-邊部117作為寬度方向的邊部)形成在活性層115和陶瓷主體110的側(cè)面之間?；钚詫?15可以通過重復(fù)地層疊第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122并使介電層115插入第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間來形成。在此，介電層111的厚度可以根據(jù)mlcc的電容量設(shè)計隨意變化。優(yōu)選地，燒結(jié)操作完成后，一個介電層111的厚度可以在0.1μm至10.0μm的范圍內(nèi)，但是本發(fā)明并不限制于此。同樣地，介電層111可以由具有高介電常數(shù)(或者高k-電介質(zhì)(highk-dielectrics))的陶瓷粉制成，例如，鈦酸鋇(batio3)基的粉末，鈦酸鍶基(srtio3)基的粉末等，但是本發(fā)明并不限制于此。上覆蓋層112和下覆蓋層123可以由與介電層111相同材料制成并且具有與介電層111相同的構(gòu)造，除了它們不包括內(nèi)電極。上覆蓋層112和下覆蓋層123可以通過在活性層115的上表面和下表面上層疊單個介電層或者兩個或者更多個介電層來形成，并且基本上用于阻止第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122由于物理或者化學(xué)壓力而引起的損壞。另外，通過將介電層的層疊數(shù)量增加到大于上覆蓋層112的介電層的層疊數(shù)量，下覆蓋層113的厚度可以大于上覆蓋層112的厚度。另外，根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的mlcc可以進一步包括一個或多個假電極(dummyelectrode)，該假電極沿陶瓷主體110的厚度方向?qū)盈B在上覆蓋層112內(nèi)，由此它們可以從陶瓷主體110的上表面st看到。因此，可以清楚地分辨形成上覆蓋層112所在的上表面st和形成下覆蓋層113所在的下表面sb。因此，當將mlcc100安裝在pcb上時，可以容易地檢查mlcc的垂直安裝方向，以阻止mlcc倒置安裝，由此，可以提高安裝板的裝配性并且可以降低安裝板的損壞率(defectrate)。在此，為了能夠從陶瓷主體110的上表面容易地看到假電極，上覆蓋層112的上表面部分(在該上表面部分中沒有形成假電極)的厚度e可以在滿足安全可靠性的厚度范圍內(nèi)具有最小厚度。另外，為了能夠從陶瓷主體110的上表面容易地看到假電極，設(shè)置在上覆蓋層112內(nèi)的位于最上部上的假電極可以形成為盡可能地靠近陶瓷主體110的上表面st。假電極可以形成為內(nèi)電極并沿與設(shè)置在活性層115的最上部上的第一內(nèi)電極121相同的方向形成，并且假電極不具有不同極性的內(nèi)電極層疊并使介電層插入不同極性的內(nèi)電極之間的結(jié)構(gòu)。因此，除了由于受到形成在陶瓷主體110的沿長度方向的兩端部上的外電極131和132或者形成電容量的活性層115的影響而產(chǎn)生的寄生電容量，假電極對于電容的形成沒有貢獻。根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的假電極的結(jié)構(gòu)可以根據(jù)需要進行多種修改，并且本發(fā)明不限制于此。另外，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122(第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122為具有不同極性的一對電極)可以通過(在陶瓷生片上)印刷包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電糊以具有預(yù)定的厚度，由此第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122沿介電層111的層疊方向交替暴露于兩個端面，并且第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以通過設(shè)置在第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間的介電層111彼此絕緣。也就是，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可以通過其交替暴露于陶瓷主體110的兩個端面的部分電連接于第一外電極131和第二外電極132。因此，當向第一外電極131和第二外電極132施加電壓時，相互面對的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122之間積累電荷并且，在此，mlcc100的電容量與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的相互重疊的區(qū)域的面積成比例。第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的厚度可以根據(jù)需要決定。例如，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的厚度的范圍可以從0.2μm至1.0μm，但是本發(fā)明不限制于此。另外，包含在導(dǎo)電糊中的形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的導(dǎo)電金屬可以是鎳(ni)、銅(cu)、鈀(pd)或者它們的合金，但是本發(fā)明并不限制于此。另外，導(dǎo)電糊可以通過使用絲網(wǎng)方法(screeningmethod)、凹版印刷方法等進行印刷，但是本發(fā)明并不限制于此。第一外電極131和第二外電極132可以由包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電糊制成，并且導(dǎo)電金屬可以是鎳(ni)、銅(cu)、鈀(pd)、金(au)或者它們的合金，但是本發(fā)明并不限制于此。在下文中，將描述包括在根據(jù)本發(fā)明實施方式的mlcc中的構(gòu)成元件和聲噪聲之間的關(guān)系。參見圖4，陶瓷主體110的總厚度的一半是a，下覆蓋層113的厚度是b，活性層115的總厚度的一半是c，以及上覆蓋層112的厚度是d。在此，陶瓷主體110的總厚度指陶瓷主體110的上表面st至陶瓷主體110的下表面sb的距離，并且活性層115的總厚度指從形成在活性層115的最上部上的第一內(nèi)電極121的上表面至形成在活性層115的最下部上的第二內(nèi)電極122的下表面的距離。另外，下覆蓋層113的厚度b指沿厚度方向從形成在活性層115的最下部上的第二內(nèi)電極122的下表面至陶瓷主體110的下表面sb的距離，并且上覆蓋層112的厚度d指沿厚度方向從形成在活性層115的最上部上的第一內(nèi)電極121的上表面至陶瓷主體110的上表面st的距離。當具有不同電極的電壓施加于形成在mlcc100的兩個端部上的第一外電極131和第二外電極132時，陶瓷主體110由于介電層111的反壓電效應(yīng)(inversepiezoelectriceffect)而沿厚度方向伸長和收縮，而第一外電極131和第二外電極132的兩端部由于泊松效果(poissoneffect)而收縮和伸長，該收縮和伸長沿厚度方向并與陶瓷主體110的伸長和收縮相反。在此，活性層115的中心部是陶瓷主體110的兩端部中的沿第一外電極131和第二外電極132的長度方向伸縮最大的部分，由此產(chǎn)生聲噪聲。也就是，在本實施方式中，為了降低當施加電壓時由于活性層150的中心部cla中產(chǎn)生的應(yīng)變與下覆蓋層113中產(chǎn)生的應(yīng)變之間的不同導(dǎo)致的聲噪聲，在陶瓷主體110的沿厚度方向的中心部clc的下方，可以在陶瓷主體110的兩個端部形成拐點(pointofinflection)(pi)。在此，為了進一步降低聲噪聲，優(yōu)選地，活性層115的中心部cla偏離陶瓷主體110的中心部的比率((b+c)：a)滿足1.063≤(b+c)/a≤1.745的范圍。另外，陶瓷主體110的厚度d的一半(a)與下覆蓋層113的厚度b的比率(b：a)(或者b/a)滿足0.329≤b/a≤1.522的范圍。另外，下覆蓋層113的厚度b和活性層115的厚度的一半(c)的比率可以滿足0.146≤c/b≤2.458的范圍。接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的mlcc所包括的構(gòu)成元件的尺寸和產(chǎn)生的缺陷(crack)之間的關(guān)系。參見圖4和圖5，形成在內(nèi)電極的沿長度方向的端部和陶瓷主體110的一個端面之間的l-邊部的寬度是lm，形成在內(nèi)電極的沿寬度方向的側(cè)與陶瓷主體部110的一個側(cè)面之間的w-邊部117的寬度是wm，并且a、b、c以及d如上述定義。在此，l-邊部116所指的區(qū)域中，內(nèi)電極沒有沿陶瓷主體110的長度方向重疊，沒有形成電容量，并且w-邊部117所指的區(qū)域中，內(nèi)電極沒有沿陶瓷主體110的寬度方向重疊。另外，lm指在長度-厚度方向的橫截面(lt橫截面)中，活性層115和陶瓷主體110的一個端面之間的距離，wm指在寬度-厚度方向的橫截面(wt橫截面)中，活性層115和陶瓷主體110的一個側(cè)面之間的距離。在mlcc100的情況下，活性層115和邊部之間由于內(nèi)電極的存在或不存在或者內(nèi)電極的數(shù)量的不同而產(chǎn)生密度差別(densitydifference)，由此在燒結(jié)工序中產(chǎn)生應(yīng)力以導(dǎo)致在陶瓷主體110中產(chǎn)生裂紋或者導(dǎo)致陶瓷主體110的分層。另外，當在燒結(jié)工序中沒有平穩(wěn)地實施脫脂(debinding)時，會產(chǎn)生裂紋。因此，為了阻止由于燒結(jié)密度的不同而產(chǎn)生的裂紋和分層，優(yōu)選地，l-邊部116的寬度lm與下覆蓋層113的厚度b的比率滿足0.3≤lm/b≤2.0，并且下覆蓋層113的厚度b與w-邊部117的寬度wm的比率滿足0.5≤b/wm≤5.0。試驗實例以下將進行根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器(mlcc)以及對比性示例。通過以下步驟制作根據(jù)示例的mlcc。首先，將包括粉末例如鈦酸鋇(batio3)等的漿料涂覆到承載膜，然后干燥以制備多個厚度為1.8μm的陶瓷生片。接下來，內(nèi)電極通過使用絲網(wǎng)(screen)在陶瓷生片上涂覆用于鎳內(nèi)電極的導(dǎo)電糊來形成內(nèi)電極。層疊大約370個陶瓷生片，并且在此，相比層疊在其上形成有內(nèi)電極的陶瓷生片的上方的那些沒有內(nèi)電極的陶瓷生片來說，層疊在其上形成有內(nèi)電極的陶瓷生片的下方的、沒有內(nèi)電極的陶瓷生片的數(shù)量更多。在85℃以1000kgf/cm2的壓力條件下等靜壓(isostactic-press)層疊(或者層疊體)。將完成擠壓的陶瓷生片分割為單個的片條，并且通過將分割的片條在大氣環(huán)境下以230℃保持60小時來進行脫脂工序。此后，在10-11atm～10-10atm(低于ni/nio均衡氧分壓(ni/nioequilibriumoxygenpartialpressure)的氧分壓(oxygenpartialpressure)中，在還原性氣氛條件下燒結(jié)生片，使得內(nèi)電極不會被氧化。在燒結(jié)操作后，層疊的片狀電容器(chipcapacitor)的片條尺寸(長度×寬度(l×w))為1.64mm×0.88mm(l×w，1608規(guī)格(size))。這里，將制造公差設(shè)定成長×寬為±0.1mm，并且檢測(表1)滿足所述制造公差的片條的聲噪聲，以及觀察裂紋的產(chǎn)生并在8585檢測中測量(表2)絕緣電阻缺陷(insulationresistancedefect)。此后，片條將進行例如外電極形成工序、電鍍工序等工序以制成mlcc。【表1】*表示對比例，an為聲噪聲表1中的數(shù)據(jù)通過基于掃描電子顯微鏡(sem)獲取的影像測量mlcc100的陶瓷主體110的中心部的截面的尺寸獲得，該截面從陶瓷主體110的沿圖3所示的寬度(w)方向的中心部沿長度方向(l)和厚度方向(t)截取。在此，如上描述，a定義為陶瓷主體110的總厚度的一半，b定義為下覆蓋層113的厚度，c定義為活性層115的總厚度的一半以及d定義為上覆蓋層112的厚度。為了測量聲噪聲，每個板(board)的用于測量聲噪聲的單個樣本(mlcc)沿垂直方向進行辨別并且安裝在pcb板上，然后將板安裝在測量夾具(measurementjig)中。此后，通過使用dc電源和信號發(fā)生器(或者函數(shù)發(fā)生器(functiongenerator))向在安裝在檢測夾具中的樣本的兩端施加dc電壓和交流電壓。通過直接安裝在pcb上方的傳聲器(microphone)測量聲噪聲。在表1中，樣本1至樣本3是具有覆蓋對稱結(jié)構(gòu)的對比樣本，其中下覆蓋層113的厚度b和上覆蓋層的厚度d基本相同，并且樣本4至樣本13是具有其中上覆蓋層112的厚度d大于下覆蓋層的厚度b的結(jié)構(gòu)的對比樣本。樣本14、樣本15以及樣本35至樣本37是具有其中下覆蓋層113的厚度d大于上覆蓋層112的厚度d的結(jié)構(gòu)的對比樣本，并且樣本16至樣本34是本發(fā)明的實施方式。在此，當(b+c)/a接近1時，意味著活性層115的中心部沒有過多地偏離陶瓷主體110的中心部。樣本1至樣本3的(b+c)/a值具有覆蓋對稱結(jié)構(gòu)，其中下覆蓋層113的厚度b以及上覆蓋層112的厚度d基本上相同，接近為1。當(b+c)/a大于1時，可能意味著活性層115的中心部沿向上的方向偏離陶瓷主體110的中心部，并且當(b+c)/a小于1時，可能意味著活性層115的中心部沿向下的方向偏離陶瓷主體110的中心部。參見表1，可以看出，在樣本16至樣本34中，活性層115的中心部偏離陶瓷主體110的中心部的比率(b+c)/a滿足1.063≤(b+c)/a≤1.745的范圍，聲噪聲明顯減少至小于20db。另外，樣本1至樣本15中，活性層115的中心部偏離陶瓷主體110的中心部的比率(b+c)/a小于1.063，樣本1至樣本15具有的結(jié)構(gòu)中，活性層115的中心部幾乎沒有偏離陶瓷主體110的中心部或者活性層115的中心部沿向下的方向偏離陶瓷主體110的中心部。樣本1至樣本15的(b+c)/a小于1.063，具有從25db至32.5db的聲噪聲范圍，因此可以看出樣本1至樣本15相比于本發(fā)明的實施方式?jīng)]有降低聲噪聲的效果。另外，在樣本35至樣本37的情況下，其中活性層115的中心部偏離陶瓷主體110的中心部的比率(b+c)/a超過1.745，電容量低于目標值，產(chǎn)生缺陷電容(defectivecapacitance)。在表1中，標示為“ng”的電容實施率(即電容量與目標電容量值的比率)表示當目標電容量值為100％時，電容量值相對于目標電容量值小于80％。另外，可以看出，上覆蓋層112的厚度d與下覆蓋層113的厚度b之間的比率(d：b)滿足0.021≤d/b≤0.422的范圍的實施方式已經(jīng)明顯降低了聲噪聲。同時，可以看出，上覆蓋層112的厚度d與下覆蓋層113的厚度b之間的比率(d：b)超過0.422的對比樣本沒有降低聲噪聲的效果。如果上覆蓋層112的厚度d與下覆蓋層113的厚度b之間的比率(d：b)小于0.021，下覆蓋層113的厚度b顯著地大于上覆蓋層112的厚度d，可能產(chǎn)生裂紋和分層以及由于相對于目標電容量較低的電容量所導(dǎo)致的缺陷電容。在各實施方式中，可以看出，在下覆蓋層113的厚度b與陶瓷主體110的厚度a的比率(b/a)以及活性層115的厚度c與下覆蓋層113的厚度b的比率(c/b)分別滿足0.329≤b/a≤1.522和0.146≤c/b≤2.458的樣本19至樣本34中，聲噪聲進一步減少至小于18db。另外，可以看出，在下覆蓋層113的厚度b與陶瓷主體110的厚度a的比率(b/a)超過1.522或者活性層115的厚度c與下覆蓋層113的厚度b的比率(c/b)小于0.146的樣本35至樣本37中，相對于目標電容的電容非常低，以至于產(chǎn)生缺陷電容?！颈?】樣本lm/bb/wm燒結(jié)后產(chǎn)生的裂紋絕緣電阻缺陷1*0.17.012/20018/2002*0.26.00/2007/20030.35.00/2000/20040.44.00/2000/20050.53.00/2000/20060.62.00/2000/20070.81.00/2000/20081.00.80/2000/20092.00.50/2000/20010*3.00.38/2009/20011*4.00.213/20021/200*表示對比例表2中的數(shù)據(jù)通過基于掃描電子顯微鏡(sem)獲取的影像測量mlcc100的陶瓷主體110的橫截面(圖4)的尺寸和mlcc100的陶瓷主體110的橫截面(圖5)的尺寸獲得，圖4的橫截面從陶瓷主體110的沿寬度方向(w)上的中心部沿長度方向(l)和厚度方向(t)截取，圖5的橫截面從陶瓷主體110的沿長度方向(l)的中心部沿寬度方向(w)和厚度方向(t)截取。在此，如上所描述，b、lm以及wm指下覆蓋層113的厚度、l-邊部116的寬度以及w-邊部117的寬度。為了測量絕緣電阻缺陷，將mlcc的樣本放在濕度是85％、溫度是85℃的環(huán)境下，并且檢測和測量絕緣電阻值等于或者小于105ω的樣本。如表2所示，當lm/b小于0.3并且b/wm大于5.0時，由于燒結(jié)密度差異而產(chǎn)生裂紋，或者絕緣電阻缺陷較高，并且當lm/b超過2.0并且b/wm小于0.5時，脫脂無法順利實施而由此產(chǎn)生裂紋。特別地，在樣本2的情況中，燒結(jié)工序結(jié)束后沒有產(chǎn)生裂紋，但是它具有較高的絕緣電阻缺陷率。因此，優(yōu)選地，mlcc的尺寸滿足0.3≤lm/b≤2.0以及0.5≤b/wm≤5.0。安裝有mlcc的電路板參見圖6和圖7，根據(jù)本發(fā)明的mlcc100的安裝板200可以包括：pcb210，mlcc100水平安裝在該pcb210上；以及第一電極墊221和第二電極墊222，第一電極墊221和第二電極墊222形成在pcb210的上表面上并彼此間隔開。在此，在mlcc100的下覆蓋層113設(shè)置在底部并且第一外電極131和第二外電極132與第一電極墊221和第二電極墊222在第一電極221和第二電極222上接觸的狀態(tài)下，mlcc100可以通過焊料230電連接于pcb210。在mlcc100安裝在pcb210上的狀態(tài)下，當施加電壓時，可能產(chǎn)生聲噪聲。在此，第一電極墊221和第二電極墊222的尺寸可以是用于確定將第一和外電極131第二外電極132連接于第一電極墊221和第二電極墊222的焊料230的數(shù)量的指示物(indicator)，并且可以根據(jù)焊料230的數(shù)量調(diào)整聲噪聲的幅度。參見圖8，pcb210上安裝有mlcc100，當不同極性的電壓施加于形成在mlcc100的兩個端部上的第一外電極131和第二外電極132時，陶瓷主體110由于介電層111的反壓電效應(yīng)沿厚度方向伸長和收縮，而第一外電極131和第二外電極132的兩個端部由于泊松效應(yīng)收縮和伸長，并且該收縮和伸長沿厚度方向并與陶瓷主體110的伸長和收縮相反。在此，活性層115的中心部是第一外電極131和第二外電極132的兩端部中沿長度方向伸縮最大的部分，產(chǎn)生聲噪聲。當mlcc100的沿長度方向的兩個端部伸長最大時，產(chǎn)生了由于伸長導(dǎo)致向外推動焊料230的上部的力①，以及在焊料230的下部通過推向外側(cè)的力產(chǎn)生了推動外電極的收縮力②。因此，在本實施方式中，當由于在施加電壓時活性層115的中心部cla中產(chǎn)生的應(yīng)變與下覆蓋層113中產(chǎn)生的應(yīng)變不同而導(dǎo)致形成在陶瓷主體的兩個端部的拐點(pi)形成為低于焊料的高度時，聲噪聲可以進一步地減少。在此，活性層115，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，上覆蓋層112和下覆蓋層113，以及陶瓷主體110的第一外電極131和第二外電極132的結(jié)構(gòu)類似于如上描述的實施方式的形式，因此將省略對這些結(jié)構(gòu)的詳細描述以避免冗余。如前所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，mlcc中產(chǎn)生的振動減少，由此，當mlcc安裝在pcb上時，聲噪聲可以減少。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以通過調(diào)整mlcc的覆蓋層和邊部的尺寸來減少裂紋和分層的產(chǎn)生。雖然已經(jīng)結(jié)合實施方式圖示和描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可以在不脫離本發(fā)明的由隨附的權(quán)利要求限定的精神和范圍的前提下進行修改和更改是顯而易見的。當前第1頁12