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火花塞的制作方法

文檔序號:11593276閱讀:1731來源:國知局

本發(fā)明涉及一種火花塞,特別涉及一種具有能夠維持高溫環(huán)境下的耐電壓性能的絕緣體的火花塞。



背景技術(shù):

在汽車發(fā)動機等內(nèi)燃機中使用的火花塞例如具有利用以氧化鋁(al2o3)為主要成分的氧化鋁基燒結(jié)體形成的火花塞用絕緣體(也稱作“絕緣體”。)。作為該絕緣體利用氧化鋁基燒結(jié)體形成的理由,可列舉氧化鋁基燒結(jié)體在耐熱性和機械強度等方面優(yōu)異。為了獲得這種氧化鋁基燒結(jié)體,一直以來,以燒制溫度的降低和燒結(jié)性的提高為目的,使用了包括例如氧化硅(sio2)-氧化鈣(cao)-氧化鎂(mgo)的三種成分類的燒結(jié)助劑等。

安裝有這種火花塞的內(nèi)燃機的燃燒室有時溫度達到例如700℃左右,因而,火花塞被要求能在從室溫到700℃左右的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮優(yōu)異的耐電壓性能。提出了適合這種能發(fā)揮耐電壓性能的火花塞的絕緣體等采用的氧化鋁基燒結(jié)體。

例如,在專利文獻1中記載有“……一種火花塞用絕緣體,其特征在于,該火花塞用絕緣體由以al2o3(氧化鋁)為主要成分并含有從ca(鈣)成分、sr(鍶)成分、ba(鋇)成分中選擇的至少一種以上的成分(以下,表示為e.成分)的氧化鋁基燒結(jié)體構(gòu)成,該氧化鋁基燒結(jié)體的至少一部分中存在有至少含有所述e.成分與al(鋁)成分的粒子、即含有將al成分進行氧化物換算后的含有量相對于將e.成分進行氧化物換算后的含有量的摩爾比處于4.5~6.7的范圍內(nèi)的化合物的粒子,而且,該氧化鋁基燒結(jié)體的相對密度為90%以上”(專利文獻1的權(quán)利要求1)。根據(jù)該發(fā)明,公開了能夠提供一種具有如下的絕緣體的火花塞,該絕緣體抑制了由存在于氧化鋁基燒結(jié)體中的晶界處的殘留氣孔、晶界中的低熔點玻璃相的影響引起的絕緣破壞的產(chǎn)生、且與以往的材料相比較在700℃附近這樣的高溫下的耐電壓特性更優(yōu)異(專利文獻1的0007欄等)。

另外,在專利文獻2中,以提供一種具有發(fā)揮較高的耐電壓特性和高溫強度的絕緣體的火花塞為目的(專利文獻2的0014欄),公開了“一種火花塞,其特征在于,……所述絕緣體由具有1.50μm以上的平均晶粒粒徑da(al)的致密的氧化鋁基燒結(jié)體構(gòu)成,該氧化鋁基燒結(jié)體是以如下的比例含有si成分、基于iupac1990年建議的周期表的第2族元素中的mg和ba作為必須含有的元素并且含有除mg和ba以外的至少其他一種元素的第2族元素(2a)成分、以及稀土類元素(re)成分而成的,即:所述si成分的含有率s(氧化物換算質(zhì)量%)相對于所述含有率s與所述第2族元素(2a)成分的含有率a(氧化物換算質(zhì)量%)的合計含有率(s+a)而言的比值為0.60以上。”(專利文獻2的權(quán)利要求1)。

在專利文獻3中,以強度和耐電壓性能的提高為目的,公開了“一種絕緣體,其特征在于,……稀土類元素與基于iupac1990年建議的周期表的第2族元素的、使用質(zhì)量百分率表示的氧化物換算時的含有比例滿足0.1≤稀土類元素的含有率/第2族元素的含有率≤1.4,而且,所述稀土類元素與氧化鋇的使用質(zhì)量百分率表示的氧化物換算時的含有比例滿足0.2≤氧化鋇的含有率/稀土類元素的含有率≤0.8,在所述燒結(jié)體的剖面上的任意的630μm×480μm的區(qū)域內(nèi),存在有至少一個以上的、對含有所述稀土類元素的晶體進行包圍的7.5μm×50μm的假想的長方形框,含有所述稀土類元素的晶體的面積相對于所述長方形框的面積的占有率為5%以上,而且,將所述長方形框沿長邊方向3等分時的各個分割區(qū)域內(nèi)的、含有所述稀土類元素的晶體的面積的占有率中的最大面積的占有率與最小面積的占有率之間的比率為5.5以下?!?專利文獻3的權(quán)利要求1)。

在專利文獻4中,公開了“一種陶瓷材料,其用于火花塞的絕緣體,其中,包括在所述陶瓷材料的重量百分比(重量%)中占98.00重量%~99.50重量%的量的氧化鋁(al2o3)、占0.16重量%~0.70重量%的量的二族堿土類金屬的至少一種氧化物(二族氧化物)以及占0.25重量%~0.75重量%的量的二氧化硅(sio2)?!?專利文獻4的權(quán)利要求1)。根據(jù)該發(fā)明,公開了能夠提供一種具有比以往大的絕緣破壞強度的陶瓷材料(專利文獻4的0064欄等)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開2001-155546號公報

專利文獻2:國際公開第2009/119098號公報

專利文獻3:日本特開2014-187004號公報

專利文獻4:日本特開2013-529355號公報



技術(shù)實現(xiàn)要素:

發(fā)明要解決的問題

可是,近年來,為了謀求內(nèi)燃機的高輸出化和提高燃油經(jīng)濟性而傾向于提高燃燒室內(nèi)的溫度。因此,構(gòu)成火花塞的絕緣體有時暴露于比以往更高的溫度、例如約900℃這樣的高溫中。因而,要求一種能夠維持約900℃這樣的高溫環(huán)境下的耐電壓性能的絕緣體。在上述專利文獻中,未假定絕緣體暴露于約900℃這樣的高溫環(huán)境下。因此,對于上述專利文獻所記載的絕緣體,有可能在約900℃這樣的高溫環(huán)境下無法發(fā)揮足夠水平的耐電壓性能。

本發(fā)明的目的在于提供一種具有能夠維持高溫環(huán)境下的耐電壓性能的絕緣體的火花塞。

用于解決問題的方案

用于解決上述問題的技術(shù)方案是

[1]一種火花塞,該火花塞包括:絕緣體,其具有沿著軸線方向延伸的軸孔;中心電極,其設(shè)于所述軸孔的頂端側(cè);主體金屬殼體,其設(shè)于所述絕緣體的外周;以及接地電極,其固定于所述主體金屬殼體的頂端,該火花塞的特征在于,

所述絕緣體相對于所述絕緣體中含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量含有90.0質(zhì)量%~98.1質(zhì)量%的al2o3,氣孔率a為5%以下,若將下述加熱處理后的所述絕緣體的氣孔率設(shè)為b,則加熱處理前后的氣孔率的差即b-a為3.5%以下,

進行如下這樣的加熱處理,

將所述絕緣體放到爐內(nèi),使?fàn)t內(nèi)的溫度以升溫速度7℃/分鐘從室溫升溫至1400℃,在以1400℃保持了30分鐘之后,以每5分鐘10℃以下的降溫速度從1400℃降溫到400℃,然后使溫度降至室溫。

上述[1]的優(yōu)選技術(shù)方案如以下所述。

[2]在對利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面進行所述加熱處理之后,利用電子探針分析儀進行分析,將si成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例rasi為0.3質(zhì)量%以上。

[3]在上述[1]或[2]所記載的火花塞中,所述絕緣體的將na成分和k成分進行氧化物換算時的合計質(zhì)量相對于所述絕緣體中含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例為200ppm以下。

[4]在上述[1]~[3]中任一項所記載的火花塞中,所述氣孔率a為1.2%以下,所述加熱處理前后的氣孔率的差即b-a為2.0%以下。

[5]在上述[2]~[4]中任一項所記載的火花塞中,所述比例rasi為0.8質(zhì)量%以上。

[6]在上述[1]~[5]中任一項所記載的火花塞中,利用電子探針分析儀對利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面進行分析,將ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例分別設(shè)為rba、rmg、rca以及rsr,該比例的單位為質(zhì)量%,此時,滿足下述條件①~條件④。

①0.4≤rba≤5.0

②0≤rmg≤0.5

③0≤rca≤0.8

④0≤rsr≤1.5

[7]在上述[1]~[6]中任一項所記載的火花塞中,對于利用與所述軸線正交的平面剖切得到的所述絕緣體的剖面,在進行所述加熱處理之后利用電子探針分析儀進行分析,將ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例分別設(shè)為raba、ramg、raca以及rasr,該比例的單位為質(zhì)量%,此時,滿足下述條件~條件

0.3≤raba≤4.9

0≤ramg≤0.4

0≤raca≤0.7

0≤rasr≤1.4

發(fā)明的效果

本發(fā)明的火花塞由于絕緣體含有90.0質(zhì)量%~98.1質(zhì)量%的al2o3,氣孔率a為5%以下,所述加熱處理前后的絕緣體的氣孔率的差(b-a)為3.5%以下,因此即使在例如約900℃這樣的高溫環(huán)境下進行使用,也能夠維持耐電壓性能。因而,根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種具有能夠在高溫環(huán)境下維持耐電壓性能的絕緣體的火花塞。

附圖說明

圖1是作為本發(fā)明的火花塞的一實施例的火花塞的局部剖視的整體說明圖。

圖2是表示在實施例中用于測量耐電壓性能的耐電壓測量裝置的概略剖視圖。

附圖標記說明

1火花塞;2軸孔;3絕緣體;4中心電極;5端子金屬殼體;6連接部;7主體金屬殼體;8接地電極;9電極頭;11后端側(cè)主體部;12大徑部;13頂端側(cè)主體部;14腿部;15凸臺部(日文:棚部);16凸緣部;17臺階部;18錐形部;19板密封件;21電阻體;22第1密封體;23第2密封體;24螺紋部;25氣體密封部;26工具卡合部;27彎邊部;28、29密封件;30滑石;32突起部;34后端部;35棒狀部;70耐電壓測量用絕緣體;71耐電壓測量裝置;72環(huán)狀構(gòu)件;73加熱器;74中心電極;g火花放電間隙。

具體實施方式

將作為本發(fā)明的火花塞的一實施例的火花塞表示在圖1中。圖1是作為本發(fā)明的火花塞的一實施例的火花塞1的局部剖視的整體說明圖。另外,在圖1中將紙面下方、即配置有后述的接地電極的那一側(cè)作為軸線o的頂端方向、將紙面上方作為軸線o的后端方向來進行說明。

如圖1所示,該火花塞1包括:大致圓筒形狀的絕緣體3,其具有沿著軸線o方向延伸的軸孔2;大致棒狀的中心電極4,其設(shè)于所述軸孔2內(nèi)的頂端側(cè);端子金屬殼體5,其設(shè)于所述軸孔2內(nèi)的后端側(cè);連接部6,其在所述軸孔2內(nèi)將所述中心電極4與所述端子金屬殼體5之間電連接;大致圓筒形狀的主體金屬殼體7,其設(shè)于所述絕緣體3的外周;以及接地電極8,其具有固定于所述主體金屬殼體7的頂端的基端部和以隔著間隙g與所述中心電極4相對的方式配置的頂端部。

所述絕緣體3具有沿軸線o方向延伸的軸孔2,具有大致圓筒形狀。絕緣體3包括后端側(cè)主體部11、大徑部12、頂端側(cè)主體部13以及腿部14。后端側(cè)主體部11用于收納端子金屬殼體5,并將端子金屬殼體5與主體金屬殼體7之間絕緣。大徑部12在比該后端側(cè)主體部靠頂端側(cè)的位置向徑向外側(cè)突出。頂端側(cè)主體部13在該大徑部12的頂端側(cè)收納連接部6,具有比大徑部12小的外徑。腿部14在該頂端側(cè)主體部13的頂端側(cè)收納中心電極4,具有比頂端側(cè)主體部13小的外徑和內(nèi)徑。頂端側(cè)主體部13與腿部14之間的內(nèi)周面借助凸臺部15相連接。后述的中心電極4的凸緣部16與該凸臺部15抵接地配置,中心電極4固定于軸孔2內(nèi)。頂端側(cè)主體部13與腿部14之間的外周面借助臺階部17相連接。后述的主體金屬殼體7的錐形部18隔著板密封件19抵接于該臺階部17,絕緣體3固定于主體金屬殼體7。絕緣體3在絕緣體3的頂端方向的端部自主體金屬殼體7的頂端面突出的狀態(tài)下固定于主體金屬殼體7。絕緣體3由具有機械強度、熱強度、電強度的材料形成。后面說明作為本發(fā)明的特征部分的絕緣體3的詳細內(nèi)容。

在所述絕緣體3的軸孔2內(nèi),在其頂端側(cè)設(shè)有中心電極4,在后端側(cè)設(shè)有端子金屬殼體5,在中心電極4與端子金屬殼體5之間設(shè)有連接部6。連接部6將中心電極4和端子金屬殼體5固定于軸孔2內(nèi)并且將它們之間電連接。所述連接部6由電阻體21、第1密封體22以及第2密封體23形成。電阻體21是為了減少傳播噪聲而配置的。第1密封體22設(shè)置在該電阻體21與中心電極4之間。第2密封體23設(shè)置在該電阻體21與端子金屬殼體5之間。電阻體21是對含有玻璃粉末、非金屬導(dǎo)電性粉末及金屬粉末等的組合物進行燒結(jié)而形成的,其電阻值通常為100ω以上。第1密封體22和第2密封體23是對含有玻璃粉末和金屬粉末等的組合物進行燒結(jié)而形成的,其電阻值通常為100mω以下。該實施方式中的連接部6由電阻體21、第1密封體22以及第2密封體23形成,但是也可以由電阻體21、第1密封體22以及第2密封體23中的至少一者形成。

所述主體金屬殼體7具有大致圓筒形狀,形成為通過內(nèi)置絕緣體3來保持絕緣體3。在主體金屬殼體7的頂端方向的外周面上形成有螺紋部24。利用該螺紋部24將火花塞1安裝在未圖示的內(nèi)燃機的缸蓋上。所述主體金屬殼體7在螺紋部24的后端側(cè)具有凸緣狀的氣體密封部25,在氣體密封部25的后端側(cè)具有供扳手、扳鉗等工具卡合的工具卡合部26,在工具卡合部26的后端側(cè)具有彎邊部27。在彎邊部27及工具卡合部26的內(nèi)周面與絕緣體3的外周面之間形成的環(huán)狀的空間內(nèi)配置有環(huán)狀的密封件28、29以及滑石30,絕緣體3相對于主體金屬殼體7固定。螺紋部24的內(nèi)周面的頂端側(cè)部分配置為相對于腿部14具有空間。而且,向徑向內(nèi)側(cè)突出的突起部32的后端側(cè)的呈錐狀擴徑的錐形部18與絕緣體3的臺階部17隔著環(huán)狀的板密封件19相抵接。主體金屬殼體7能夠由導(dǎo)電性的鋼鐵材料、例如低碳鋼形成。

端子金屬殼體5是用于從外部對中心電極4施加用于在中心電極4與接地電極8之間進行火花放電的電壓的端子。端子金屬殼體5在其一部分自絕緣體3的后端側(cè)露出的狀態(tài)下插入到軸孔2內(nèi)并被第2密封體23固定。端子金屬殼體5能夠由低碳鋼等金屬材料形成。

所述中心電極4具有與所述連接部6相接觸的后端部34和從所述后端部34向頂端側(cè)延伸的棒狀部35。后端部34具有向徑向外側(cè)突出的凸緣部16。該凸緣部16以抵接于絕緣體3的凸臺部15的方式進行配置,在軸孔2的內(nèi)周面與后端部34的外周面之間填充有第1密封體22,從而中心電極4在其頂端自絕緣體3的頂端面突出的狀態(tài)下固定于絕緣體3的軸孔2內(nèi),相對于主體金屬殼體7絕緣地被保持。中心電極4的后端部34與棒狀部35能夠由ni合金等應(yīng)用于中心電極4的公知的材料形成。中心電極4也可以由外層和芯部形成,該外層由ni合金等形成,該芯部由導(dǎo)熱率比ni合金的導(dǎo)熱率高的材料形成、并以同心埋入該外層的內(nèi)部的軸心部的方式形成。作為形成芯部的材料,例如能夠列舉cu、cu合金、ag、ag合金、純ni等。

所述接地電極8例如形成為大致棱柱形狀,基端部接合于主體金屬殼體7的頂端部,在中途彎曲為大致l字狀,并且,接地電極8形成為在其頂端部與中心電極4的頂端部之間隔著間隙g地中心電極4相對。該實施方式中的間隙g是中心電極4的頂端與接地電極8的側(cè)面之間的最短距離。該間隙g通常設(shè)定為0.3mm~1.5mm。所述接地電極8能夠由ni合金等應(yīng)用于接地電極8的公知的材料形成。另外,也可以與中心電極4相同地,在接地電極的軸芯部設(shè)有由導(dǎo)熱率比ni合金的導(dǎo)熱率高的材料形成的芯部。

以下詳細說明作為本發(fā)明的特征部分的絕緣體。

所述絕緣體3相對于所述絕緣體3中含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量含有90.0質(zhì)量%~98.1質(zhì)量%的al2o3。若絕緣體3以所述含有率含有al2o3(氧化鋁),則耐電壓性能及機械特性等優(yōu)異。若al2o3的含有率超過98.1質(zhì)量%,則在燒制的過程中容易在絕緣體3形成連續(xù)孔,耐電壓性能降低。若al2o3的含有率小于90.0質(zhì)量%,則玻璃相的比例相對增大,因此例如在900℃這樣的高溫環(huán)境下進行使用時,玻璃相進行移動,易于形成氣孔,導(dǎo)致耐電壓性能降低。

在近年來的發(fā)動機中,由于火花塞暴露于高溫環(huán)境下,因此絕緣體的絕緣電阻易于降低,耐電壓性能易于降低。發(fā)明人為了使包括以al2o3為主要成分的氧化鋁燒結(jié)體的絕緣體提高高溫環(huán)境下的耐電壓性能,而認真進行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn),僅通過減小絕緣體的氣孔率a,無法抑制由于在高溫環(huán)境下使用而引起的絕緣體3的耐電壓性能的降低,而在絕緣體3的氣孔率a與后述的加熱處理后的氣孔率b處于規(guī)定的范圍內(nèi)的情況下,能夠維持高溫環(huán)境下的耐電壓性能。

所述絕緣體3在包括al2o3的含有率處于所述范圍內(nèi)的氧化鋁燒結(jié)體時,氣孔率a為5%以下,在將下述加熱處理后的所述絕緣體的氣孔率設(shè)為了b時,若加熱處理前后的氣孔率的差(b-a)為3.5%以下,則即使在例如900℃這樣的高溫環(huán)境下進行使用,也能夠維持耐電壓性能。

(加熱處理)

將所述絕緣體放到爐內(nèi),使?fàn)t內(nèi)的溫度以升溫速度7℃/分鐘從室溫升溫至1400℃,在1400℃的溫度下保持了30分鐘之后以每5分鐘10℃以下的降溫速度從1400℃降溫到400℃,之后使溫度降至室溫。

所述絕緣體3的氣孔率a越高,越易于引起電場集中,因此氣孔率a為5%以下,優(yōu)選為1.2%以下。若氣孔率a超過5%,則因電場集中而使絕緣體3的劣化加速。所述加熱處理后的絕緣體3的氣孔率b與加熱處理前的氣孔率a相比有所增大。該增大量(差(b-a))越大,高溫環(huán)境下的耐電壓性能越容易降低,因此該增大量(差(b-a))為3.5%以下,優(yōu)選為2.0%以下。該增大量越小,越能夠抑制高溫環(huán)境下的耐電壓性能的降低。若所述加熱處理前后的氣孔率的差(b-a)超過3.5%,則高溫環(huán)境下的耐電壓性能降低。

具體說明所述加熱處理和對氣孔率a、b的測量方法。首先,利用與軸線o正交、并且通過密封件19的面剖切火花塞1,使絕緣體3的剖面暴露。將使剖面暴露的絕緣體3埋入熱固性樹脂內(nèi),對剖面進行鏡面研磨。利用掃描型電子顯微鏡(sem)對鏡面研磨后的研磨面進行觀察,調(diào)整對比度等以能夠僅對氣孔進行檢測,例如以500倍進行拍攝。使用圖像分析軟件,將拍攝到的圖像二值化為氣孔和除氣孔以外的部分,接著,計算出氣孔的面積相對于圖像整體的面積的比例,從而求出氣孔率a。

接著,在進行加熱處理之前,對絕緣體3進行加熱并從熱塑性樹脂中取出絕緣體3。將取出的絕緣體3例如放置到電爐內(nèi),并進行加熱處理,即,在大氣氣氛下,使電爐內(nèi)的溫度以7℃/分鐘的升溫速度從室溫(25℃)升溫至1400℃,在1400℃的溫度下保持了30分鐘之后,以每5分鐘10℃以下的降溫速度從1400℃降溫到400℃,之后使溫度降至室溫。

接著,利用sem對加熱處理后的絕緣體3的研磨面進行觀察,與氣孔率a的求法相同地求出氣孔率b。

氣孔率a、b能夠通過適當(dāng)?shù)馗淖優(yōu)榱诵纬山^緣體3而準備的、以氧化鋁為主要成分的氧化鋁粉末的組成、粒度分布、形成成形體時的沖壓壓力等沖壓條件、燒制條件等來進行調(diào)整。

所述絕緣體3通常含有si成分。si成分作為氧化物、離子等存在于絕緣體3中。si成分在燒結(jié)時熔融并通常產(chǎn)生液相,因此作為促進氧化鋁燒結(jié)體的致密化的燒結(jié)助劑發(fā)揮作用。si成分在燒結(jié)后有時在氧化鋁粒子的晶界形成玻璃相,有時與al等其他元素一起形成結(jié)晶相。

關(guān)于絕緣體3所含有的si成分,對于利用與軸線o正交的平面剖切得到的絕緣體3的剖面,在進行加熱處理之后利用電子探針分析儀(epma)進行分析,將si成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例rasi優(yōu)選為0.3質(zhì)量%以上,更優(yōu)選為0.8質(zhì)量%以上。絕緣體3中的si成分有時包含在存在于氧化鋁粒子的晶界的玻璃相中,有時包含在結(jié)晶相中,可以認為在以在1400℃這樣的高溫下保持規(guī)定時間的方式進行了加熱處理之后,結(jié)晶相所含有的si成分殘留在絕緣體3的剖面上。絕緣體3所含有的si成分中的、包含在結(jié)晶相中的si成分越多,高溫環(huán)境下的耐電壓性能越優(yōu)異。因而,若所述比例rasi為0.3質(zhì)量%以上,特別是0.8質(zhì)量%以上,則能夠提供具有高溫環(huán)境下的耐電壓性能更優(yōu)異的絕緣體3的火花塞1。若所述比例rasi超過3.5質(zhì)量%,則絕緣體3的導(dǎo)通路徑變多,高溫環(huán)境下的耐電壓性能有可能降低,因此優(yōu)選所述比例rasi為3.5質(zhì)量%以下。

優(yōu)選的是,所述絕緣體3所含有的na成分和k成分較少。具體地說,優(yōu)選的是,將na成分和k成分進行氧化物換算時的合計質(zhì)量相對于絕緣體3所含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例為200ppm以下。若絕緣體3中的na成分和k成分的合計質(zhì)量的比例(氧化物換算)為200ppm以下,則易于將加熱處理后的氣孔率b的值調(diào)整為3.5%以下,其結(jié)果,能夠抑制高溫環(huán)境下的耐電壓性能的降低。

所述絕緣體3中的na成分和k成分的含有率能夠利用icp發(fā)射光譜分析法來求出。

所述絕緣體3通常含有基于iupac1990年建議的周期表的第2族元素的成分(以下,稱作第2族元素成分)。第2族元素成分作為氧化物、離子等存在于絕緣體3中。第2族元素成分在燒結(jié)時熔融并通常產(chǎn)生液相,因此作為促進氧化鋁燒結(jié)體的致密化的燒結(jié)助劑發(fā)揮作用。若氧化鋁燒結(jié)體含有第2族元素成分,則成為致密的氧化鋁燒結(jié)體,耐電壓性能和高溫強度提高?;诘投拘缘挠^點考慮,絕緣體3所含有的第2族元素成分優(yōu)選為ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分。絕緣體3優(yōu)選含有ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分中的至少ba成分,對于除ba成分以外的成分而言,既可以含有,也可以不含有,但優(yōu)選的是含有mg成分、ca成分以及sr成分中的至少一種。

關(guān)于絕緣體3所含有的第2族元素成分,利用電子探針分析儀(epma)對利用與軸線o正交的平面剖切得到的絕緣體3的剖面進行分析,將ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例(質(zhì)量%)分別設(shè)為rba、rmg、rca以及rsr,此時,優(yōu)選的是滿足下述條件①~條件④。

①0.4≤rba≤5.0

②0≤rmg≤0.5

③0≤rca≤0.8

④0≤rsr≤1.5

關(guān)于絕緣體3所含有的第2族元素成分,若滿足條件①~條件④,則能夠更進一步抑制高溫環(huán)境下的耐電壓性能的降低。若超過條件①~條件④所示的各成分的質(zhì)量比例的上限值,則玻璃相形成得較多,高溫環(huán)境下的耐電壓性能有可能降低。ba元素在第2族元素中原子半徑較大,在高溫環(huán)境下及施加高電壓時不易產(chǎn)生遷移。另外,ba成分由于在燒結(jié)時形成液相,在燒結(jié)后易于形成結(jié)晶相,因此當(dāng)在燒結(jié)助劑中含有較多的ba成分時,能夠提供一種具有耐電壓性能優(yōu)異的絕緣體3的火花塞1。因而,優(yōu)選的是,絕緣體3在第2族元素成分中含有較多的ba成分。原子半徑的大小按照ba、sr、ca、mg的順序依次減小。原子半徑越大的元素,越不易產(chǎn)生遷移,因此優(yōu)選的是按照從多到少的順序依次含有ba、sr、ca、mg。

關(guān)于絕緣體所含有的第2族元素成分,對于利用與軸線o正交的平面剖切得到的絕緣體3的剖面,在進行加熱處理之后利用電子探針分析儀(epma)進行分析,將ba成分、mg成分、ca成分以及sr成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例(質(zhì)量%)分別設(shè)為raba、ramg、raca以及rasr,此時,優(yōu)選的是滿足下述條件~條件

0.3≤raba≤4.9

0≤ramg≤0.4

0≤raca≤0.7

0≤rasr≤1.4

關(guān)于所述加熱處理后的絕緣體3所含有的第2族元素成分,若滿足條件~條件則能夠更進一步抑制高溫環(huán)境下的耐電壓性能的降低。對表示加熱處理前的絕緣體3所含有的各成分的質(zhì)量比例的條件①~條件④與表示加熱處理后的絕緣體3所含有的各成分的質(zhì)量比例的條件~條件進行比較,加熱處理后的上限值和下限值較小,其原因在于,在以在1400℃這樣的高溫下保持規(guī)定時間的方式進行了加熱處理之后,存在于絕緣體3的剖面的玻璃相有時從絕緣體3的剖面向內(nèi)部移動。ba成分、sr成分、ca成分以及mg成分有時包含在存在于氧化鋁粒子的晶界的玻璃相中,有時包含在結(jié)晶相中。包含在結(jié)晶相中的ba成分、sr成分、ca成分以及mg成分即使在加熱處理后也易于殘留在絕緣體3的剖面上。因而,優(yōu)選的是,以在加熱處理后滿足條件~條件的方式含有ba成分、sr成分、ca成分以及mg成分。另外,優(yōu)選的是,與加熱處理前相同地,即使在加熱處理后也按照從多到少的順序依次含有ba、sr、ca、mg。

所述絕緣體3也可以含有稀土類元素成分。稀土類元素成分作為氧化物、離子等存在于絕緣體3中。稀土類元素成分有時與si成分等一起形成玻璃相,也有時與al成分等一起形成氧化鋁結(jié)晶相。作為稀土類元素成分,能夠列舉sc成分、y成分、la成分、ce成分、pr成分、nd成分、pm成分、sm成分、eu成分、gd成分、tb成分、dy成分、ho成分、er成分、tm成分、yb成分以及l(fā)u成分。

優(yōu)選的是,所述絕緣體3含有氧化鋁和至少一種除氧化鋁以外的結(jié)晶相。作為除氧化鋁以外的結(jié)晶相,例如能夠例舉鋇長石。若絕緣體3含有除氧化鋁以外的結(jié)晶相,則在高溫環(huán)境下使火花塞1工作時能夠更進一步抑制耐電壓性能的降低。這些結(jié)晶相的存在例如能夠通過對利用x射線衍射獲得的x射線衍射圖和例如jcpds卡進行對比來確認。

形成絕緣體3的氧化鋁燒結(jié)體含有al成分作為必需成分,通常含有si成分和第2族元素成分。而且,在不損害本發(fā)明的目的的范圍內(nèi),也可以含有na成分、k成分、稀土類元素成分及其他成分。作為其他成分,例如可列舉mn、co、cr、ni、zn等。優(yōu)選的是,其他成分的合計含有量在氧化物換算時例如相對于絕緣體3所含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量為1.0質(zhì)量%以下。

所述火花塞1例如如下所述那樣進行制造。首先,說明作為本發(fā)明的特征部分的絕緣體3的制造方法。

首先,在漿料中混合原料粉末即al化合物粉末、si化合物粉末以及第2族元素化合物粉末。在此,各種粉末的混合比例例如能夠設(shè)定為與包括氧化鋁燒結(jié)體的絕緣體3中的各個成分的含有率相同。對于該混合,優(yōu)選混合8小時以上,以使原料粉末的混合狀態(tài)均勻、并且能夠使所獲得的燒結(jié)體高度致密化。

al化合物粉末只要是通過燒制轉(zhuǎn)化為al成分的化合物,就沒有特別限制,通常使用氧化鋁(al2o3)粉末。al化合物粉末在現(xiàn)實中不可避免地含有雜質(zhì)、例如na等,因此優(yōu)選使用高純度的al化合物粉末,例如,優(yōu)選的是al化合物粉末的純度為99.5%以上。為了獲得致密的氧化鋁燒結(jié)體,通常使用平均粒徑為0.1μm~5.0μm的al化合物粉末較好。在此,平均粒徑是利用日機裝株式會社制的microtrac粒度分布測量裝置(mt-3000)通過激光衍射法測量的值。

si化合物粉末只要是通過燒制轉(zhuǎn)化為si成分的化合物,就沒有特別限制,例如,能夠例舉si的氧化物(包括復(fù)合氧化物。)、氫氧化物、碳酸鹽、氯化物、硫酸鹽、硝酸鹽等、磷酸鹽等各種無機類粉末。具體地說,能夠例舉sio2粉末等。另外,在作為si化合物粉末使用除氧化物以外的粉末的情況下,其使用量利用換算為氧化物時的氧化物換算質(zhì)量%來掌握。si化合物粉末的純度與al化合物粉末基本上相同。

第2族元素化合物粉末只要是通過燒制轉(zhuǎn)化為第2族元素成分例如ba成分、sr成分、ca成分以及mg成分的化合物,就沒有特別限制,例如,能夠列舉第2族元素的氧化物(包括復(fù)合氧化物。)、氫氧化物、碳酸鹽、氯化物、硫酸鹽、硝酸鹽等、磷酸鹽等各種無機類粉末。優(yōu)選的是,第2族元素化合物粉末為ba化合物粉末、sr化合物粉末、ca化合物粉末和/或mg化合物粉末。具體地說,作為ba化合物粉末可列舉bao粉末、baco3粉末,作為sr化合物粉末可列舉sro粉末、srco3粉末,作為ca化合物粉末可列舉cao粉末、caco3粉末,作為mg化合物粉末可列舉mgo粉末、mgco3粉末等。另外,在使用除氧化物以外的粉末作為第2族元素化合物粉末的情況下,其使用量能夠利用換算為氧化物時的氧化物換算質(zhì)量%來掌握。第2族元素化合物粉末的純度與al化合物粉末基本上相同。

使該原料粉末分散于溶劑中,作為粘合劑例如混合親水性結(jié)合劑,從而在漿料中混合。作為此時使用的溶劑,例如能夠列舉水、酒精等。作為親水性結(jié)合劑,例如能夠列舉聚乙烯醇、水溶性丙烯酸樹脂、阿拉伯樹膠、糊精等。這些親水性結(jié)合劑和溶劑既能夠單獨使用一種,也可以同時使用兩種以上。對于親水性結(jié)合劑和溶劑的使用比例,在將原料粉末設(shè)為100質(zhì)量份時,親水性結(jié)合劑為0.1質(zhì)量份~5.0質(zhì)量份,優(yōu)選為0.5質(zhì)量份~3.0質(zhì)量份,在作為溶劑使用水的情況下水為40質(zhì)量份~120質(zhì)量份,優(yōu)選為50質(zhì)量份~100質(zhì)量份。

接著,利用噴霧干燥法等對該漿料進行噴霧干燥并造粒為平均粒徑50μm~200μm,優(yōu)選為70μm~150μm。該平均粒徑均是利用激光衍射法(日機裝株式會社制、microtrac粒度分布測量裝置(mt-3000))測量的值。

接著,例如利用橡膠沖壓或模具沖壓等對該造粒物進行沖壓成形,優(yōu)選獲得具有所述絕緣體3的形狀和尺寸的未燒制成形體。優(yōu)選的是,沖壓成形在50mpa~200mpa的加壓下進行。若沖壓壓力處于所述范圍內(nèi),則易于將所獲得的氧化鋁燒結(jié)體的氣孔率a調(diào)整為5%以下。所獲得的未燒制成形體通過利用樹脂磨石等對其外表面進行研磨來修整形狀。

在大氣氣氛下以1450℃~1700℃、優(yōu)選1550℃~1650℃的范圍內(nèi)的規(guī)定溫度將研磨整形為期望的形狀的未燒制成形體保持1小時~8小時、優(yōu)選3小時~7小時并進行燒制,從而獲得氧化鋁燒結(jié)體。若氧化鋁燒結(jié)體的燒制溫度為1450℃~1700℃,則燒結(jié)體易于充分致密化,難以產(chǎn)生氧化鋁成分的異常粒生長,因此能夠確保所獲得的氧化鋁燒結(jié)體的耐電壓性能和機械強度。另外,若燒制時間為1小時~8小時,則燒結(jié)體易于充分地致密化,難以產(chǎn)生氧化鋁成分的異常粒生長,因此能夠確保所獲得的氧化鋁燒結(jié)體的耐電壓性能和機械強度。作為氧化鋁燒結(jié)體的燒制條件,在將燒制未燒制成形體時的最高溫度設(shè)為了c時,優(yōu)選的是,將溫度從c℃下降到c-400℃時的降溫速度設(shè)為每5分鐘10℃以下。通過將降溫速度設(shè)為所述范圍,從而能夠?qū)⒓訜崽幚砬昂蟮臍饪茁实牟?b-a)調(diào)整為3.5%以下。另外,通過將降溫速度設(shè)為所述范圍,從而易于析出除氧化鋁以外的結(jié)晶相,能夠獲得致密的氧化鋁燒結(jié)體。

如此獲得包括氧化鋁燒結(jié)體的絕緣體3。具有該絕緣體3的火花塞1例如如下那樣進行制造。即,將ni合金等電極材料加工為規(guī)定的形狀和尺寸并制作出中心電極4和接地電極8。也能夠連續(xù)地進行電極材料的調(diào)整及加工。例如,使用真空熔化爐,調(diào)整具有期望的組成的ni合金等的熔液,通過真空鑄造從各個熔液調(diào)整了鑄錠,之后對該鑄錠進行熱加工、拉絲加工等,適當(dāng)?shù)卣{(diào)整為規(guī)定的形狀和規(guī)定的尺寸,能夠制作出中心電極4和接地電極8。

接著,通過電阻焊接等將接地電極8的一端部接合于通過塑性加工等成形為規(guī)定的形狀和尺寸的主體金屬殼體7的端面。接著,利用公知的方法在絕緣體3上組裝中心電極4,將形成第1密封體22的組合物、形成電阻體21的組合物以及形成第2密封體23的組合物依次預(yù)壓縮并且填充于軸孔2內(nèi)。接著,從軸孔2內(nèi)的端部壓入端子金屬殼體5并且對組合物進行壓縮加熱。如此燒結(jié)所述組合物而形成電阻體21、第1密封體22以及第2密封體23。接著,在接合有接地電極8的主體金屬殼體7上組裝固定有該中心電極4等的絕緣體3。最后,將接地電極8的頂端部向中心電極4側(cè)彎折,使接地電極8的一端與中心電極4的頂端部相對,制造出火花塞1。

本發(fā)明的火花塞1作為汽車用的內(nèi)燃機、例如汽油發(fā)動機等的點火器來進行使用,所述螺紋部24螺紋接合于在劃分形成內(nèi)燃機的燃燒室的缸蓋(未圖示)上設(shè)置的螺紋孔內(nèi),并固定于規(guī)定的位置。本發(fā)明的火花塞1也能夠在任何內(nèi)燃機中進行使用。本發(fā)明的火花塞1即使在高溫環(huán)境下進行使用也具有優(yōu)異的耐電壓性能,因此特別適合于燃燒室內(nèi)成為例如900℃這樣的高溫的內(nèi)燃機。

本發(fā)明的火花塞1并不限定于上述實施例,在能夠達到本發(fā)明的目的的范圍內(nèi),能夠進行各種變更。例如,也可以取代沖壓成形而利用注射成型來獲得未燒制成形體。在利用注射成型來形成未燒制成形體的情況下,在能夠省略之后的研磨整形工序方面是優(yōu)選的。

【實施例】

(絕緣體的制作)

將氧化鋁粉末、si化合物粉末、第2族元素化合物粉末以及期望的稀土類化合物粉末混合而獲得原料粉末。向該原料粉末中添加作為溶劑的水與親水性結(jié)合劑并調(diào)制出漿料。

利用噴霧干燥法對所獲得的漿料進行噴霧干燥并造粒出平均粒徑約為100μm的粉末。對該粉末進行沖壓成形并成形了成為絕緣體3的原形的未燒制成形體。在大氣氣氛下且在燒制溫度1450℃~1700℃的范圍內(nèi)對該未燒制成形體進行燒制,并將燒制時間設(shè)定為1小時~8小時,之后,使溫度以每5分鐘10℃以下的降溫速度從燒制溫度的最高溫度c降溫至c-400℃,使溫度降至室溫。接著,對規(guī)定的部位涂上釉藥并進行最終燒制,從而獲得包括具有圖1所示的形狀的氧化鋁燒結(jié)體的絕緣體。

(加熱處理前后的氣孔率a、b及各成分的測量)

利用與軸線o正交的面、即通過密封件的頂端的面剖切火花塞1,使絕緣體3的剖面暴露。將使剖面暴露的絕緣體3埋入熱固性樹脂內(nèi),對剖面進行鏡面研磨。利用掃描型電子顯微鏡(sem)對鏡面研磨后的研磨面進行觀察(加速電壓20kv、光點直徑60μm),調(diào)整對比度等以能夠僅對氣孔進行檢測,以500倍進行攝影。使用圖像分析軟件,將拍攝到的圖像二值化為氣孔和除氣孔以外的部分,接著,計算出氣孔的面積相對于圖像整體的面積的比例,從而求出氣孔率a。

另外,利用電子探針分析儀(epma)對所述研磨面進行分析,求出分別將al成分、si成分、第2族元素成分以及稀土類元素成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例。

另外,從絕緣體3中提取樣品并利用icp發(fā)射光譜分析法進行分析,求出將na成分和k成分進行氧化物換算時的合計質(zhì)量相對于絕緣體3所含有的元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例。

在進行加熱處理之前,對絕緣體3進行加熱并從熱塑性樹脂中取出絕緣體3。將取出的絕緣體3放置在電爐內(nèi)進行加熱處理,即,在大氣氣氛下,使電爐內(nèi)的溫度以升溫速度7℃/分鐘從室溫(25℃)升溫至1400℃,在1400℃下保持了30分鐘之后,使溫度以每5分鐘10℃以下的降溫速度從1400℃降溫到400℃,然后使溫度降至室溫。

接著,利用sem對加熱處理后的絕緣體3的研磨面進行觀察,與氣孔率a的求法相同地求出氣孔率b。另外,利用epma對加熱處理后的絕緣體的研磨面進行分析,求出分別將al成分、si成分、第2族元素成分以及稀土類元素成分進行氧化物換算時的質(zhì)量相對于檢測出的全部元素的氧化物換算時的合計質(zhì)量的比例。

將這些結(jié)果表示在表1和表2中。在表1和表2中,對于未進行所述分析的項目,用“-”進行表示。另外,試驗編號21~試驗編號50的絕緣體均是氣孔率a為5%以下,差(b-a)為3.5%以下。

(耐電壓試驗i)

與所述“絕緣體的制作”基本上相同地分別制造出圖2所示的耐電壓測量用絕緣體70。該耐電壓測量用絕緣體70在其軸線方向的中心部具有軸孔并且軸孔的頂端部成為封閉的狀態(tài)。使用圖2所示的耐電壓測量裝置71,測量該耐電壓測量用絕緣體70在900℃時的耐電壓值(kv)。如圖2所示,該耐電壓測量裝置71包括與耐電壓測量用絕緣體70的頂端部隔開間隔地配置的金屬制的環(huán)狀構(gòu)件72和對耐電壓測量用絕緣體70進行加熱的加熱器73。在耐電壓測量用絕緣體70的軸孔內(nèi)將中心電極74插入配置至其頂端部,在耐電壓測量用絕緣體70的頂端部配置環(huán)狀構(gòu)件72,測量作為氧化鋁燒結(jié)體的耐電壓測量用絕緣體70的耐電壓。具體地說,在利用加熱器73將耐電壓測量用絕緣體70的頂端部加熱到900℃并使環(huán)狀構(gòu)件72的溫度達到900℃的狀態(tài)下,向中心電極74與環(huán)狀構(gòu)件72之間施加電壓,以0.5kv/s進行升壓。測量耐電壓測量用絕緣體70產(chǎn)生絕緣破壞時、即耐電壓測量用絕緣體70貫穿而電壓無法升高時的電壓值。耐電壓性能按照以下基準進行評價,在表1中用“1”~“10”的符號進行表示。將結(jié)果表示在表1中。

1:小于14kv

2:14kv以上且小于16kv

3:16kv以上且小于18kv

4:18kv以上且小于20kv

5:20kv以上且小于22kv

6:22kv以上且小于24kv

7:24kv以上且小于26kv

8:26kv以上且小于28kv

9:28kv以上且小于30kv

10:30kv以上

【表1】

如表1所示,al2o3的含有率、氣孔率a以及氣孔率差(b-a)中的任一項處于本發(fā)明的范圍外的試驗編號4、6、7、10的絕緣體的評價結(jié)果為“1”、耐電壓性能較差,與此相對地,處于本發(fā)明的范圍內(nèi)的試驗編號1~試驗編號3、5、8、9、11~17的絕緣體的評價結(jié)果為“5”~“10”,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號11與試驗編號12~試驗編號17進行比較,試驗編號11的評價結(jié)果為“6”,與此相對地,試驗編號12~試驗編號17的評價結(jié)果為“7”~“10”,加熱處理后的sio2的比例為0.3質(zhì)量%以上的試驗編號12~試驗編號17的絕緣體與加熱處理后的sio2的比例為0.1質(zhì)量%的試驗編號11的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號12與試驗編號13~試驗編號17進行比較,試驗編號12的評價結(jié)果為“7”,與此相對地,試驗編號13~試驗編號17的評價結(jié)果為“8”~“10”,加熱處理后的sio2的比例為0.8質(zhì)量%以上的試驗編號13~試驗編號17的絕緣體與加熱處理后的sio2的比例為0.3質(zhì)量%的試驗編號12的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號14、15與試驗編號11~試驗編號13、16進行比較,試驗編號14、15的評價結(jié)果為“9”,與此相對地,試驗編號11~試驗編號13、16的評價結(jié)果為“6”~“8”,na成分和k成分的比例為200ppm以下的試驗編號14、15的絕緣體與na成分和k成分的比例為400ppm的試驗編號11~試驗編號13、16的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

(耐電壓試驗ii)

在進行耐電壓試驗i之前,在環(huán)狀構(gòu)件72的溫度達到900℃的狀態(tài)下,在中心電極74與環(huán)狀構(gòu)件72之間利用直流電源施加10kv的電壓5分鐘,除此以外,進行與耐電壓試驗i相同的試驗。耐電壓性能按照以下基準進行評價,在表1中用“1”~“10”的符號進行表示。將結(jié)果表示在表1中。

1:小于14kv

2:14kv以上且小于16kv

3:16kv以上且小于18kv

4:18kv以上且小于20kv

5:20kv以上且小于22kv

6:22kv以上且小于24kv

7:24kv以上且小于26kv

8:26kv以上且小于28kv

9:28kv以上且小于30kv

10:30kv以上

【表2】

如表2所示,對試驗編號22、23及25與試驗編號24、26進行比較,試驗編號22、23及25的評價結(jié)果分別為“7”、“8”以及“5”,與此相對地,試驗編號24、26的評價結(jié)果為“1”,bao的質(zhì)量比例rba為0.4質(zhì)量%~5.0質(zhì)量%的試驗編號22、23以及25的絕緣體與bao的質(zhì)量比例rba分別為0.1質(zhì)量%和5.1質(zhì)量%的試驗編號24、26的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號27、28與試驗編號29進行比較,試驗編號27、28的評價結(jié)果分別為“8”和“7”,與此相對地,試驗編號29的評價結(jié)果為“1”,mgo的質(zhì)量比例rmg為0質(zhì)量%~0.5質(zhì)量%的試驗編號27、28的絕緣體與mgo的質(zhì)量比例rmg為1.0質(zhì)量%的試驗編號29的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號30、31與試驗編號32進行比較,試驗編號30及31的評價結(jié)果為“8”,與此相對地,試驗編號32的評價結(jié)果為“1”,cao的質(zhì)量比例rca為0質(zhì)量%~0.8質(zhì)量%的試驗編號30、31的絕緣體與cao的質(zhì)量比例rca為1.0質(zhì)量%的試驗編號32的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號33、34與試驗編號35進行比較,試驗編號33、34的評價結(jié)果分別為“8”和“7”,與此相對地,試驗編號35的評價結(jié)果為“1”,sro的質(zhì)量比例rsr為0質(zhì)量%~1.5質(zhì)量%的試驗編號33、34的絕緣體與sro的質(zhì)量比例rsr為2.0質(zhì)量%的試驗編號35的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號21與試驗編號36進行比較,試驗編號21、36的評價結(jié)果均為“10”,另外,對試驗編號23與試驗編號37進行比較,試驗編號23、37的評價結(jié)果均為“8”,耐電壓性能不會因稀土類元素的有無而變化,耐電壓性能均優(yōu)異。

對試驗編號39、40與試驗編號38、41進行比較,試驗編號39、40的評價結(jié)果分別為“8”和“5”,與此相對地,試驗編號38、41的評價結(jié)果分別為“3”和“1”,加熱處理后的bao的質(zhì)量比例raba為0.3質(zhì)量%~4.9質(zhì)量%的試驗編號39、40的絕緣體與bao的質(zhì)量比例raba分別為0.2質(zhì)量%和5.0質(zhì)量%的試驗編號38、41的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號42、43與試驗編號44進行比較,試驗編號42、43的評價結(jié)果分別為“8”和“7”,與此相對地,試驗編號44的評價結(jié)果為“1”,加熱處理后的mgo的質(zhì)量比例ramg為0質(zhì)量%~0.4質(zhì)量%的試驗編號42、43的絕緣體與mgo的質(zhì)量比例ramg為0.8質(zhì)量%的試驗編號44的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號45、46與試驗編號47進行比較,試驗編號45、46的評價結(jié)果為“8”,與此相對地,試驗編號47的評價結(jié)果為“1”,加熱處理后的cao的質(zhì)量比例raca為0質(zhì)量%~0.7質(zhì)量%的試驗編號45、46的絕緣體與cao的質(zhì)量比例raca為0.9質(zhì)量%的試驗編號47的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

對試驗編號48、49與試驗編號50進行比較,試驗編號48、49的評價結(jié)果分別為“8”和“7”,與此相對地,試驗編號50的評價結(jié)果為“1”,加熱處理后的sro的質(zhì)量比例rasr為0質(zhì)量%~1.4質(zhì)量%的試驗編號48、49的絕緣體與sro的質(zhì)量比例rasr為1.8質(zhì)量%的試驗編號50的絕緣體相比,耐電壓性能優(yōu)異。

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