本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，尤其是一種金屬薄膜的檢測方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體工藝中，通過金屬布線實現(xiàn)器件之間的連接，實現(xiàn)電信號的傳遞。具體而言，需要通過沉積工藝或者濺射工藝形成金屬薄膜，隨后刻印圖形以形成互連金屬線以及填充通孔。

隨著半導(dǎo)體器件的高度集成化及高性能化的進展，對金屬薄膜的規(guī)范性也提出了越來越高的要求，包括金屬薄膜的類型、尺寸準確度，以及所述金屬薄膜與晶圓之間的對準精度。

例如，如果采用錯誤的金屬類型形成薄膜，將影響導(dǎo)電速率，甚至導(dǎo)致器件失效。

如果金屬薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格，沉積在晶圓邊緣位置的金屬薄膜容易導(dǎo)致后續(xù)工藝的缺陷。例如導(dǎo)致金屬柱狀剝離缺陷(metal pillar peeling defect)，進而發(fā)生導(dǎo)電層短路(bridge)現(xiàn)象，降低產(chǎn)品的良率。以鎢沉積工藝為例，如果鎢薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格，延伸至晶圓的邊緣區(qū)域，由于晶圓的邊緣在縱向上呈圓弧形，處于圓弧斜面區(qū)域(bevel area)上的鎢薄膜將無法被后續(xù)化學(xué)機械拋光(CMP)工藝去除。對于鋁濺射工藝，當鋁薄膜延伸至晶圓的邊緣區(qū)域，且鋁刻蝕工藝未能將圓弧斜面區(qū)域上的鋁薄膜去除干凈時，也存在發(fā)生剝離缺陷的風(fēng)險。而殘留的金屬薄膜一旦發(fā)生剝離(peeling)，將有可能以金屬顆粒的形式落到晶圓的功能區(qū)域，進而引起短路現(xiàn)象。

如果金屬薄膜尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格，由于邊緣圖案缺失，也有可能導(dǎo)致在晶圓邊緣處的良率降低的問題。

如果金屬薄膜與晶圓之間的對準精度不夠，發(fā)生了整體偏移，也即在中心對稱的不同區(qū)域，同時發(fā)生金屬薄膜尺寸大于以及小于預(yù)設(shè)規(guī)格的情況，這將有可能導(dǎo)致上述兩種問題同時發(fā)生，降低晶圓的良率。

現(xiàn)有技術(shù)中通常采用的是延后檢測或反饋式糾錯的處理方式。具體而言，在對機臺進行例行檢查時，才會以調(diào)整形成金屬薄膜的工藝參數(shù)，以及對金屬薄膜與晶圓的對準精度進行控制，或者在發(fā)生低良率(low yield)事件之后，才會查找原因并追溯至產(chǎn)線。在現(xiàn)有的處理方式中，由于反饋周期較長，發(fā)生問題時引起的危害較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種金屬薄膜的檢測方法，可以實時辨識金屬薄膜的異常情況，有效地避免在半導(dǎo)體襯底上形成的產(chǎn)品的良率降低。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種金屬薄膜的檢測方法，包括以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的表面具有金屬薄膜，所述半導(dǎo)體襯底的表面分中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域；在所述邊緣區(qū)域內(nèi)的多個預(yù)設(shè)位置，檢測光反射率值；根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常。

可選的，所述多個預(yù)設(shè)位置包括：分布于外邊緣線以外的第一檢測點和分布于內(nèi)邊緣線以內(nèi)的第二檢測點，所述外邊緣線是以所述半導(dǎo)體襯底的邊緣為基準向內(nèi)收縮第一距離得到的，所述內(nèi)邊緣線是以所述半導(dǎo)體襯底的邊緣為基準向內(nèi)收縮第二距離得到的，所述第一距離小于所述第二距離。

可選的，根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常包括：如果至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，和/或至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，則判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常。

可選的，判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常包括：如果存在至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，并且存在至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，則判斷所述金屬薄膜的圖案發(fā)生偏移。

可選的，判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常包括：如果存在至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，并且全部的所述第二檢測點的光反射率值位于所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，則判斷所述金屬薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格。

可選的，判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常包括：如果存在至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，并且全部的所述第一檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，則判斷所述金屬薄膜的尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格。

可選的，多個所述第一檢測點與所述半導(dǎo)體襯底的中心點等距，多個所述第二檢測點與所述半導(dǎo)體襯底的中心點等距。

可選的，多個所述第一檢測點在以所述半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心的同一圓周上呈均勻排列，多個所述第二檢測點在以所述半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心的同一圓周上呈均勻排列。

可選的，所述金屬薄膜的檢測方法還包括：對于多個所述第一檢測點的光反射率值，選擇最接近所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值作為第一極值點；對于多個所述第二檢測點的光反射率值，選擇最遠離所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值作為第二極值點；記錄所述第一極值點和所述第二極值點。

可選的，所述金屬薄膜的材料為金屬單質(zhì)或金屬化合物。

可選的，所述金屬薄膜的形成工藝選自：沉積工藝和濺射工藝。

可選的，所述檢測光反射率值包括：采用預(yù)設(shè)波長的光源檢測所述光反射率值，所述預(yù)設(shè)波長包括100納米至1000納米。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

本發(fā)明實施例提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的表面具有金屬薄膜，所述半導(dǎo)體襯底的表面分中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域；在所述邊緣區(qū)域內(nèi)的多個預(yù)設(shè)位置，檢測光反射率值；根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常。采用本發(fā)明實施例的方案，可以實時辨識金屬薄膜的異常情況，有效地避免在半導(dǎo)體襯底上形成的產(chǎn)品的良率降低。

進一步，通過在第一檢測點和第二檢測點檢測光反射率值，本發(fā)明實施例可以結(jié)合獲得的多個光反射率值，進一步判斷所述金屬薄膜的尺寸錯誤類型，從而對工藝過程中可能出現(xiàn)的問題類型進行預(yù)判，有助于減少排查步驟，提高解決效率。

進一步，本發(fā)明實施例可以在檢測到金屬薄膜的異常情況時，存儲所述金屬薄膜的異常記錄并且發(fā)出警示信息，有效地提醒操作者及時處理，減少再次發(fā)生同樣問題的頻率，有效地降低同類型問題導(dǎo)致的損失。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例中的一種金屬薄膜的檢測方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體襯底的俯視示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體襯底的剖面示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例中的一種金屬薄膜異常情況下的半導(dǎo)體襯底的俯視示意圖。

具體實施方式

如前所述，隨著半導(dǎo)體器件的高度集成化及高性能化的進展，對金屬薄膜的規(guī)范性也提出了越來越高的要求，包括金屬薄膜的類型、尺寸準確度，以及所述金屬薄膜與晶圓之間的對準精度。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，并沒有實時檢測的方法，對所述金屬薄膜的規(guī)范性進行判斷，一旦發(fā)生金屬薄膜異常問題，往往導(dǎo)致巨大損失。

本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，上述問題的關(guān)鍵是，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用的是延后檢測或反饋式糾錯的處理方式。具體而言，在對機臺進行例行檢查時，才會以調(diào)整形成金屬薄膜的工藝參數(shù)，以及對金屬薄膜與晶圓的對準精度進行控制，或者在發(fā)生低良率(low yield)事件之后，才會查找原因并追溯至產(chǎn)線。在現(xiàn)有的處理方式中，由于反饋周期較長，發(fā)生問題時引起的危害較大。

本發(fā)明實施例提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的表面具有金屬薄膜，所述半導(dǎo)體襯底的表面分中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域；在所述邊緣區(qū)域內(nèi)的多個預(yù)設(shè)位置，檢測光反射率值；根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常。采用本發(fā)明實施例的方案，可以實時辨識金屬薄膜的異常情況，有效地避免晶圓的良率降低。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

圖1是本發(fā)明實施例中的一種金屬薄膜的檢測方法的流程圖。參照圖1，所述金屬薄膜的檢測方法可以包括步驟S101至步驟S103：

步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的表面具有金屬薄膜，所述半導(dǎo)體襯底的表面分中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域。

步驟S102：在所述邊緣區(qū)域內(nèi)的多個預(yù)設(shè)位置，檢測光反射率值。

步驟S103：根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常。

在步驟S101的具體實施中，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的表面具有金屬薄膜，所述半導(dǎo)體襯底的表面分中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的邊緣區(qū)域。

其中，所述半導(dǎo)體襯底的材料可以為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，還可以為絕緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底。

金屬薄膜可以直接或間接地位于半導(dǎo)體襯底上，也即，金屬薄膜下方的近鄰材料可以是半導(dǎo)體襯底本身，或者也可以是半導(dǎo)體襯底上的其他材料，例如各種介質(zhì)層(氧化物、氮化物等)。通常而言，金屬薄膜通過沉積工藝或濺射工藝形成，位于半導(dǎo)體襯底的中心區(qū)域和包圍所述中心區(qū)域的部分邊緣區(qū)域。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解的是，在形成所述金屬薄膜之前，在所述半導(dǎo)體襯底上還可以經(jīng)由其它半導(dǎo)體工藝步驟形成一層或多層非金屬層或金屬層，本發(fā)明對此不作限制。

具體地，針對某一具體工藝形成的金屬薄膜，可以在邊緣區(qū)域中設(shè)置外邊緣線和內(nèi)邊緣線，符合規(guī)范的金屬薄膜的邊緣應(yīng)當位于所述外邊緣線和內(nèi)邊緣線之間。其中，外邊緣線距離半導(dǎo)體襯底的中心區(qū)域的距離遠于內(nèi)邊緣線距離中心區(qū)域的距離。具體而言，外邊緣線是以所述半導(dǎo)體襯底的邊緣為基準向內(nèi)收縮第一距離得到的，內(nèi)邊緣線是以所述半導(dǎo)體襯底的邊緣為基準向內(nèi)收縮第二距離得到的，所述第一距離小于所述第二距離。

參照圖2和圖3，圖2是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體襯底的俯視示意圖，圖3是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體襯底的剖面示意圖。在半導(dǎo)體襯底201上，具有金屬薄膜202。對于符合規(guī)范的金屬薄膜202，其邊緣應(yīng)當位于外邊緣線211和內(nèi)邊緣線212之間。

具體而言，在所述外邊緣線211之外的位置，不應(yīng)當形成有金屬薄膜202。進一步地，如果在所述外邊緣線211之外設(shè)置第一檢測點，并在第一檢測點出檢測到有金屬薄膜202存在，可以判斷所述金屬薄膜202的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格，或金屬薄膜202與半導(dǎo)體襯底201之間的對準精度不夠，向所述第一檢測點的位置方向偏移。

在所述內(nèi)邊緣線212之內(nèi)的位置，應(yīng)當完全覆蓋有金屬薄膜202，不應(yīng)當檢測到近鄰材料(例如襯底、介質(zhì)層等)。進一步地，如果在所述內(nèi)邊緣線212之內(nèi)設(shè)置第二檢測點，并在第二檢測點檢測到的材料并非所述金屬薄膜202，可以判斷所述金屬薄膜202的尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格，或金屬薄膜202與半導(dǎo)體襯底201之間的對準精度不夠，向所述第二檢測點的位置的相反方向偏移。

繼續(xù)參照圖1，在步驟S102的具體實施中，在所述邊緣區(qū)域內(nèi)的多個預(yù)設(shè)位置，檢測光反射率值。

進一步地，在所述外邊緣線之外，設(shè)置第一檢測點對光反射率值進行檢測，在所述內(nèi)邊緣線之內(nèi)，設(shè)置第二檢測點對光反射率值進行檢測。

其中，可以采用具有檢測光反射率功能的光學(xué)薄膜量測裝置，尤其是具有探測材料微結(jié)構(gòu)功能的裝置，例如橢偏光譜儀、分光光度計等。本發(fā)明對此不作限制。

在步驟S103的具體實施中，根據(jù)所述多個預(yù)設(shè)位置的光反射率值與預(yù)設(shè)閾值范圍的關(guān)系，判斷所述金屬薄膜是否出現(xiàn)異常。

由于所述金屬薄膜的光反射率值與近鄰材料(例如襯底、介質(zhì)層等)具有不完全相同的光反射率值范圍，可以根據(jù)金屬薄膜的厚度、成分等因素預(yù)設(shè)光反射率的閾值范圍，并且通過在所述金屬薄膜的形成區(qū)域內(nèi)外檢測光反射率值，可以判斷是否按照預(yù)設(shè)規(guī)格形成了金屬薄膜。

具體地，如果至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，或者至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，又或者同時存在至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，以及至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍的情況，則判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常。

圖4是本發(fā)明實施例中的一種金屬薄膜異常情況下的俯視示意圖。參照圖4，在半導(dǎo)體襯底301上，在外邊緣線311之外，設(shè)置第一檢測點321對光反射率值進行檢測，在內(nèi)邊緣線312之內(nèi)，設(shè)置第二檢測點322對光反射率值進行檢測。

當經(jīng)由第一檢測點321檢測得到的光反射率在所述金屬薄膜303的預(yù)設(shè)閾值范圍內(nèi)時，可以判斷為在外邊緣線311之外檢測到所述金屬薄膜303，則可以判斷所述金屬薄膜303出現(xiàn)異常，例如尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格，或金屬薄膜303與半導(dǎo)體襯底301之間的對準精度不夠，向第一檢測點321的位置靠近。

當經(jīng)由第二檢測點322檢測得到的光反射率超出所述金屬薄膜303的預(yù)設(shè)閾值范圍時，可以判斷為在內(nèi)邊緣線312之內(nèi)未能檢測到所述金屬薄膜303，則可以判斷所述金屬薄膜303出現(xiàn)異常，例如尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格，或金屬薄膜303與半導(dǎo)體襯底301之間的對準精度不夠，從第二檢測點322的位置偏離。

可以理解的是，設(shè)置的檢測點越多，可以越準確地判斷金屬薄膜303是否出現(xiàn)異常。

繼續(xù)參考圖1，在步驟S103的具體實施中，通過結(jié)合獲得的多個光反射率值的數(shù)據(jù)，可以對所述金屬薄膜的異常類型進行預(yù)判，例如預(yù)判所述金屬薄膜是否發(fā)生了整體偏移，以及所述金屬薄膜的尺寸是否大于或小于預(yù)設(shè)規(guī)格。

進一步地，如果存在至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，并且存在至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，則判斷所述金屬薄膜的圖案發(fā)生偏移。具體而言，既在外邊緣線之外檢測到金屬薄膜，又在內(nèi)邊緣線之內(nèi)檢測到近鄰材料，可以預(yù)判為金屬薄膜的圖案發(fā)生偏移。

如果存在至少一個所述第一檢測點的光反射率值在所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，并且全部的所述第二檢測點的光反射率值位于所述預(yù)設(shè)閾值范圍之內(nèi)，則判斷所述金屬薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格。具體而言，僅在外邊緣線之外檢測到金屬薄膜，卻未能在內(nèi)邊緣線之內(nèi)檢測到近鄰材料，可以預(yù)判為金屬薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格。

如果存在至少一個所述第二檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，并且全部的所述第一檢測點的光反射率值超出所述預(yù)設(shè)閾值范圍，則判斷所述金屬薄膜的尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格。具體而言，僅在內(nèi)邊緣線之內(nèi)檢測到近鄰材料，卻未能在外邊緣線之外檢測到金屬薄膜，可以預(yù)判為金屬薄膜的尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格。

進一步地，根據(jù)判斷得到的所述金屬薄膜的尺寸錯誤類型，本發(fā)明實施例可以對工藝過程中可能出現(xiàn)的問題進行預(yù)判，以有效提高解決效率。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在晶圓邊緣或側(cè)邊形成金屬層會導(dǎo)致金屬剝離缺陷，在晶圓背面形成金屬層會使晶圓應(yīng)力產(chǎn)生變化，嚴重時導(dǎo)致破片。

為了防止金屬層沉積在晶圓的邊緣位置，從而帶來后續(xù)工藝的缺陷，在實施沉積工藝形成金屬薄膜時，通常采用陰影環(huán)(shadow ring)在晶圓的邊緣進行遮擋，以確保向晶圓表面輸入的反應(yīng)氣體僅在所述陰影環(huán)范圍內(nèi)發(fā)生沉積反應(yīng)。

由于陰影環(huán)與晶圓之間存在距離，為避免在陰影環(huán)正下方的晶圓邊緣位置形成金屬薄膜，在晶背區(qū)域內(nèi)，可以通過向晶圓的正面法線方向輸入晶背氣體(backside gas)以與正面輸入的反應(yīng)氣體對沖，從而有效避免在晶圓側(cè)邊和晶背形成金屬沉積層。

在此過程中，需要確保所述陰影環(huán)的環(huán)形中心與所述晶圓的圓心重合，以及所述反應(yīng)氣體和晶背氣體的輸入壓力合適，以確保金屬薄膜的尺寸準確度，以及所述金屬薄膜與晶圓之間的對準精度。

在具體實施中，當所述異常記錄為沉積后所述金屬薄膜的圖案發(fā)生偏移時，可預(yù)判為所述陰影環(huán)的環(huán)形中心與所述晶圓的圓心的對準精度不夠，進而優(yōu)先對所述陰影環(huán)設(shè)備進行檢查。

當所述異常記錄為沉積后所述金屬薄膜的尺寸大于預(yù)設(shè)規(guī)格時，可預(yù)判為所述晶背氣體的輸入壓力不足，進而優(yōu)先對所述晶背氣體的工藝參數(shù)，例如輸入壓力參數(shù)進行檢查。

當所述異常記錄為沉積后所述金屬薄膜的尺寸小于預(yù)設(shè)規(guī)格時，可預(yù)判為晶面的反應(yīng)氣體濃度或壓力不足，進而優(yōu)先對所述反應(yīng)氣體的工藝參數(shù)，例如反應(yīng)氣體的濃度參數(shù)或輸入壓力參數(shù)進行檢查。

采用本發(fā)明實施例，通過在第一檢測點和第二檢測點檢測光反射率值，可以結(jié)合獲得的多個光反射率值，進一步判斷所述金屬薄膜的尺寸錯誤類型。從而對工藝過程中可能出現(xiàn)的問題類型進行預(yù)判，有助于減少排查步驟，提高解決效率。

在具體實施中，可以將多個所述第一檢測點設(shè)置為與所述半導(dǎo)體襯底的中心點等距，以及將多個所述第二檢測點設(shè)置為與所述半導(dǎo)體襯底的中心點等距。也即在以所述半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心、具有不同半徑的圓周上，取多個點作為檢測點。

由于在常規(guī)的沉積工藝或濺射工藝下，形成的金屬薄膜通常以半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心，且邊緣呈現(xiàn)成圓形，所以在以半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心的圓周上取檢測點，有助于增加判斷的準確性。

進一步地，多個所述第一檢測點在以所述半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心的同一圓周上呈均勻排列，多個所述第二檢測點在以所述半導(dǎo)體襯底的中心點為圓心的同一圓周上呈均勻排列。

在具體實施中，采用均勻排列的方式，有助于利于較少的檢測點獲得更加準確的判斷結(jié)果，特別是在判斷所述金屬薄膜的圖案發(fā)生偏移的過程中。這是因為，如果多個檢測點緊密地聚集在一起，將難以指示遠離檢測點的位置是否存在金屬薄膜異常。

作為一個非限制性例子，所述第一檢測點和第二檢測點可以分別設(shè)置為六個均勻排列的檢測點。六個檢測點的排列方式有助于在避開晶圓的校準缺口的基礎(chǔ)上，使檢測點在橫向和縱向上呈線性對稱排列。

在具體實施中，除了存儲所述金屬薄膜的異常記錄，還可以對所述金屬薄膜的光反射率值進行記錄，通過長期的數(shù)據(jù)跟蹤情況，判斷所述金屬薄膜的形成工藝的技術(shù)能力強度。

具體地，對于多個所述第一檢測點的光反射率值，選擇最接近所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值作為第一極值點。對于多個所述第二檢測點的光反射率值，選擇最遠離所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值作為第二極值點。記錄所述第一極值點和所述第二極值點。

由于所述第一檢測點分布于外邊緣線以外，最接近所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值即代表在第一檢測點中發(fā)生異?？赡苄宰畲蟮狞c；由于所述第二檢測點分布于內(nèi)邊緣線以內(nèi)，最遠離所述預(yù)設(shè)閾值范圍中心值的所述光反射率值即代表在第二檢測點中發(fā)生異常可能性最大的點。

進一步地，僅記錄發(fā)生異?？赡苄宰畲蟮狞c有助于簡化數(shù)據(jù)量，在進行長期的數(shù)據(jù)跟蹤工作中，有效提高分析工作的工作效率。

在具體實施中，金屬薄膜的材料可以為金屬單質(zhì)或金屬化合物。例如所述金屬單質(zhì)可以選自鎢、鈦、鋁、銅、鈷、鎳、釩、銀和金，例如所述金屬化合物可以包括氮化鈦或鎳釩合金。

可以理解的是，金屬薄膜的材料與近鄰材料(例如襯底、介質(zhì)層等)的光反射率值差異越大，越有助于對金屬材料是否存在異常做出準確判斷。本發(fā)明實施例對金屬薄膜的材料和近鄰材料的材料不做具體限制。

在具體實施中，所述金屬薄膜的形成工藝可以選自沉積工藝和濺射工藝。優(yōu)選地，本發(fā)明實施例應(yīng)用于以下工藝中具有更佳效果：鎢沉積工藝、鋁濺射工藝、鈦沉積工藝或氮化鈦沉積工藝。

進一步地，所述鎢沉積工藝的處理溫度可以為350攝氏度至450攝氏度，反應(yīng)壓力可以為90Torr至300Torr，形成的鎢薄膜的厚度可以為100納米至800納米。本發(fā)明對形成所述鎢金屬薄膜的具體工藝不作任何限制。

所述鋁濺射工藝的處理溫度可以為250攝氏度至450攝氏度，反應(yīng)壓力可以為小于10mT，形成的鋁薄膜的厚度可以為100納米至6微米。本發(fā)明對形成所述鋁金屬薄膜的具體工藝不作任何限制。

在具體實施中，可以采用預(yù)設(shè)波長的光源檢測所述光反射率值，以確保得到清楚、有效的光反射率值。作為一個非限制性例子，所述預(yù)設(shè)波長包括100納米至1000納米。

在具體實施中，在判斷所述金屬薄膜出現(xiàn)異常時，存儲所述金屬薄膜的異常記錄和/或發(fā)出警示信息。

其中，存儲所述金屬薄膜的異常記錄有助于長期地進行數(shù)據(jù)跟蹤，以有效分析金屬薄膜的形成工藝的技術(shù)能力強度。具體地，可以通過復(fù)用所述光反射率值的測試設(shè)備上的存儲模塊進行存儲，或者傳輸至用戶的其它存儲設(shè)備上進行存儲，本發(fā)明對此不做限制。

所述發(fā)出警示信息可以包括發(fā)出報警提示音或者顯示報警信息。具體地，報警提示音可以通過復(fù)用所述光反射率值的測試設(shè)備上的電聲裝置發(fā)出，也可以采用外加的電聲裝置發(fā)出。報警信息可以通過復(fù)用所述光反射率值的測試設(shè)備上的顯示裝置進行顯示，或者傳輸至用戶的其它顯示設(shè)備上進行顯示，本發(fā)明對此不做限制。

本發(fā)明實施例可以在檢測到金屬薄膜的異常情況時，存儲所述金屬薄膜的異常記錄并且發(fā)出警示信息，有效地提醒操作者及時處理，減少再次發(fā)生同樣問題的頻率，有效地降低同類型問題導(dǎo)致的損失。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。