技術(shù)領(lǐng)域

一個或更多個示例性實施例涉及一種薄膜晶體管陣列基底、一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及一種包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種包括用于改善顯示質(zhì)量的精細(xì)接觸孔的薄膜晶體管陣列基底、一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及一種包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發(fā)光顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

諸如有機發(fā)光顯示設(shè)備和液晶顯示設(shè)備的顯示設(shè)備通常包括薄膜晶體管(“TFT”)、電容器和多條布線。其上制造有顯示設(shè)備的基底包括具有TFT、電容器和布線的精細(xì)圖案，其中，顯示設(shè)備是基于TFT、電容器和布線之間的復(fù)雜連接而操作的。

近來，隨著對緊湊且高分辨率顯示設(shè)備的需求增大，對布置在顯示設(shè)備中的TFT、電容器和布線之間的有效空間布置和連接結(jié)構(gòu)的要求正在提高。

有機發(fā)光顯示設(shè)備通常包括有機發(fā)射元件，有機發(fā)射元件包括空穴注入電極、電子注入電極以及置于空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發(fā)射層，并且有機發(fā)光顯示設(shè)備是當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)切換到基態(tài)時發(fā)射光的自發(fā)光顯示設(shè)備，其中，激子隨著通過空穴注入電極注入的空穴與通過電子注入電極注入的電子在有機發(fā)射層中結(jié)合而產(chǎn)生。

由于作為自發(fā)光顯示設(shè)備的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以不包括單獨的光源，所以有機發(fā)光顯示設(shè)備可以用低電壓驅(qū)動，可以是纖薄且重量輕的顯示設(shè)備，并且具有寬視角、高對比度和快的響應(yīng)速度，因此，有機發(fā)光顯示設(shè)備廣泛地應(yīng)用于從諸如MP3播放器和移動電話的個人便攜式裝置到電視機(“TV”)的電子裝置中。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了實現(xiàn)緊湊且高分辨率的有機發(fā)光顯示設(shè)備，期望減小有機發(fā)光顯示設(shè)備中包括的元件的尺寸并且增加元件的數(shù)量。隨著有機發(fā)光顯示設(shè)備中包括的元件的數(shù)量增加以實現(xiàn)高分辨率，在有機發(fā)光顯示設(shè)備的基底中形成的接觸孔的數(shù)量增大。然而，不容易在基底中形成具有精細(xì)且均勻尺寸的多個接觸孔。

一個或更多個示例性實施例包括通過在不損壞絕緣層的情況下形成精細(xì)接觸孔而具有改善的顯示質(zhì)量的薄膜晶體管陣列基底、制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發(fā)光顯示設(shè)備。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種薄膜晶體管陣列基底包括：基底；第一晶體管的第一有源層，在基底的上方并且包括源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)；導(dǎo)電層，在第一有源層上并且經(jīng)由接觸孔電連接到源區(qū)或漏區(qū)；第一絕緣層和第二絕緣層，在第一有源層與導(dǎo)電層之間，其中，接觸孔通過第一絕緣層和第二絕緣層限定；第一支撐層，位于第一絕緣層與第二絕緣層之間，并且圍繞接觸孔的至少一部分。

在示例性實施例中，第一支撐層可以包括金屬。

在示例性實施例中，薄膜晶體管陣列基底還可以包括：第一晶體管的第一柵電極，在第一絕緣層與第二絕緣層之間并且在平面圖中與溝道區(qū)疊置，其中，第一支撐層可以包括與第一柵電極相同的材料。

在示例性實施例中，薄膜晶體管陣列基底還可以包括：第三絕緣層，在第一絕緣層和第一有源層之間，其中，接觸孔通過第三絕緣層限定；第二晶體管，電連接到第一晶體管；電容器，在平面圖中與第二晶體管疊置。在這樣的實施例中，第二晶體管可以包括與第一有源層位于同一層中的第二有源層以及在第三絕緣層上以與第二有源層的至少一部分疊置的第二柵電極，電容器可以包括通過第二柵電極限定的第一電極以及面對第二柵電極的第二電極。

在示例性實施例中，第一支撐層可以與第二電極位于同一層中，并且可以包括與第二電極相同的材料。

在示例性實施例中，薄膜晶體管陣列基底還可以還包括：第二支撐層，在第三絕緣層與第一絕緣層之間并且圍繞接觸孔的至少一部分。

在示例性實施例中，薄膜晶體管陣列基底還可以包括：掩模圖案，在第二絕緣層與導(dǎo)電層之間并且圍繞接觸孔的至少一部分，其中，掩模圖案可以直接接觸導(dǎo)電層。

在示例性實施例中，掩模圖案可以包括金屬。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種制造薄膜晶體管陣列基底的方法包括下述步驟：在基底上設(shè)置第一晶體管的包括源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)的第一有源層；在基底上設(shè)置覆蓋第一有源層的第一絕緣層；在第一絕緣層上設(shè)置在平面圖中與第一有源層的至少一部分疊置并且包括金屬的第一支撐層；在第一絕緣層上設(shè)置第二絕緣層，以覆蓋第一支撐層；通過蝕刻第一絕緣層和第二絕緣層來形成至少部分地接觸第一支撐層的接觸孔，以暴露源區(qū)的至少一部分或漏區(qū)的至少一部分；在第二絕緣層上設(shè)置經(jīng)由接觸孔連接到源區(qū)或漏區(qū)的導(dǎo)電層。

在示例性實施例中，所述方法還可以包括：在設(shè)置第一絕緣層之后，在第一絕緣層上設(shè)置在平面圖中與溝道區(qū)疊置并且與第一支撐層分隔開的第一柵電極，其中，在同一掩模工藝期間執(zhí)行設(shè)置第一柵電極的步驟和設(shè)置第一支撐層的步驟。

在示例性實施例中，所述方法還可以包括設(shè)置電連接到第一晶體管的第二晶體管以及在平面圖中與第二晶體管疊置的電容器，其中，設(shè)置第二晶體管和電容器的步驟可以包括：在設(shè)置第一絕緣層之前，將第二晶體管的第二有源層與第一有源層設(shè)置在同一層中；在基底上設(shè)置第三絕緣層以覆蓋第一有源層和第二有源層；在第三絕緣層上設(shè)置與第二有源層的至少一部分疊置的第二柵電極；在設(shè)置第一絕緣層之后，在第一絕緣層上設(shè)置電容器的面對第二柵電極的第二電極，其中，第二柵電極作用電容器的第一電極。

在示例性實施例中，可以在同一掩模工藝期間執(zhí)行設(shè)置第二電極的步驟和設(shè)置第一支撐層的步驟。

在示例性實施例中，所述方法還可以包括在設(shè)置導(dǎo)電層之前，在第二絕緣層上設(shè)置接觸導(dǎo)電層的掩模圖案，其中，設(shè)置掩模圖案的步驟可以包括：設(shè)置金屬層以覆蓋第二絕緣層的整個頂表面；在金屬層上設(shè)置光致抗蝕劑；通過使用半色調(diào)掩模將光照射到光致抗蝕劑上，半色調(diào)掩模包括使光透射通過的透光部分、使光局部地透射通過的局部透射部分和阻擋光的擋光部分；通過去除光致抗蝕劑的被光照射的部分來設(shè)置光致抗蝕劑圖案，光致抗蝕劑圖案包括與擋光部分對應(yīng)的第一區(qū)域、與局部透射部分對應(yīng)并且具有比第一區(qū)域的高度低的高度的第二區(qū)域以及與透光部分對應(yīng)的開口；通過去除金屬層的被光致抗蝕劑圖案的開口暴露的部分以及第一絕緣層和第二絕緣層的與金屬層的被光致抗蝕劑圖案的開口暴露的部分對應(yīng)的部分，形成接觸孔；通過灰化工藝去除光致抗蝕劑圖案的與局部透射部分對應(yīng)的整個部分以及光致抗蝕劑圖案的與擋光部分對應(yīng)的部分；通過去除金屬層的被局部去除的光致抗蝕劑圖案暴露的部分來形成掩模圖案。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：基底；第一晶體管的第一有源層，在基底上并且包括源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)；導(dǎo)電層，在第一有源層的上方并且經(jīng)由接觸孔電連接到源區(qū)或漏區(qū)；第一絕緣層和第二絕緣層，在第一有源層與導(dǎo)電層之間，其中，接觸孔通過第一絕緣層和第二絕緣層限定；第一支撐層，在第一絕緣層與第二絕緣層之間，并且圍繞接觸孔的至少一部分；通孔絕緣層，覆蓋第一晶體管；第一電極，在通孔絕緣層上；第二電極，面對第一電極；有機發(fā)射層，在第一電極與第二電極之間。

在示例性實施例中，第一支撐層可以包括金屬。

有機發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括：第一晶體管的第一柵電極，在第一絕緣層與第二絕緣層之間并且在平面圖中與溝道區(qū)疊置，其中，第一支撐層可以包括與第一柵電極相同的材料。

在示例性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括：第三絕緣層，在第一有源層和第一絕緣層之間，其中，接觸孔通過第三絕緣層限定；第二晶體管，電連接到第一晶體管；電容器，在平面圖中與第二晶體管疊置。在這樣的實施例中，第二晶體管可以包括與第一有源層位于同一層中的第二有源層以及位于第三絕緣層上以與第二有源層的至少一部分疊置的第二柵電極，電容器可以包括通過第二柵電極限定的第一電極以及面對第二柵電極的第二電極。

在示例性實施例中，第一支撐層可以與第二電極位于同一層中，并且可以包括與第二電極相同的材料。

在示例性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括：第二支撐層，在第三絕緣層與第一絕緣層之間并且圍繞接觸孔的至少一部分。

在示例性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括：掩模圖案，在第二絕緣層與導(dǎo)電層之間并且圍繞接觸孔的至少一部分，其中，掩模圖案可以直接接觸導(dǎo)電層并且包括金屬。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對示例性實施例的描述，發(fā)明的示例性實施例的這些和/或其他特征將變得清楚和更容易理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的像素的等效電路圖；

圖2是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖3是根據(jù)可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖4是根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖5是根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；

圖6A至圖6F是示出制造圖5的有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的實施例的剖視圖；

圖7是示出根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的像素的等效電路圖；

圖8是根據(jù)可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；以及

圖9是根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照示例性實施例，其示例在附圖中示出，其中，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。在這方面，本示例性實施例可具有不同形式并不應(yīng)被解釋為局限于在此所闡述的描述。因此，為了解釋本描述的多個方面，以下僅通過參照附圖來描述示例性實施例?！盎颉币馕吨昂?或”。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項中的一個或更多個的任意和全部組合。諸如“……中的至少一個(者/種)”的表達(dá)在一列要素(元件)之后時，修飾整列要素(元件)而不修飾所述列中的個別要素(元件)。

將理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等在此可用于描述各種組件，但這些組件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個組件與另一個組件區(qū)分開。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式的“一個(種)”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。

還將理解的是，術(shù)語“包括”和/或“包含”用在本說明書中時，表示存在陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或添加一個或更多個其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在整個說明書中，將理解的是，當(dāng)一部分被稱作“連接到”另一部分時，這部分可以“直接連接到”所述另一部分，或者可以經(jīng)由另一元件“電連接到”所述另一部分。

此外，除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確地如此定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域和本公開的上下文中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過于正式的含義來解釋它們。

在此參照作為理想實施例的示意圖的剖視圖來描述示例性實施例。如此，預(yù)計將出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實施例不應(yīng)被解釋為局限于如這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域可以通常具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圓。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本權(quán)利要求書的范圍。

為了便于解釋，可以夸大附圖中的元件的尺寸。換句話說，由于為了便于解釋而任意地示出了附圖中的組件的尺寸和厚度，所以下面的實施例并不局限于此。

此外，雖然為了便于說明在附圖中示出了具有7Tr-1Cap結(jié)構(gòu)(其中，單個像素包括7個薄膜晶體管(“TFT”)和一個電容器)的有源矩陣(“AM”)型有機發(fā)光顯示設(shè)備以及具有2Tr-1Cap結(jié)構(gòu)(其中，單個像素包括2個TFT和一個電容器)的AM型有機發(fā)光顯示設(shè)備，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。因此，在有機發(fā)光顯示設(shè)備中，單個像素可以包括多個TFT以及一個或更多個電容器，其中，可以通過形成附加的布線或省略存在的布線來構(gòu)造各種結(jié)構(gòu)。像素表示用于顯示圖像的最小單元，有機發(fā)光顯示設(shè)備經(jīng)由多個像素來顯示圖像。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。

圖1是示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備1的像素的等效電路圖。

參照圖1，有機發(fā)光顯示設(shè)備1的實施例包括薄膜晶體管陣列基底11和在薄膜晶體管陣列基底11上的有機發(fā)光器件(“OLED”)。有機發(fā)光顯示設(shè)備1可以包括多個像素，其中，OLED布置在多個像素中的每個像素中。薄膜晶體管陣列基底11包括用于驅(qū)動各個像素的像素電路和用于將電信號施加到像素電路的多條布線。

布線可以包括用于傳輸掃描信號Sn和Sn-1的掃描線SLn和SLn-1、用于經(jīng)由其傳輸數(shù)據(jù)信號Data的數(shù)據(jù)線DLm以及用于將驅(qū)動電壓ELVDD傳輸?shù)较袼仉娐返尿?qū)動電壓線PL。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此，如圖1中所示，布線還可以包括用于將初始化電壓V_INT傳輸?shù)奖∧ぞw管陣列基底11的初始化電壓線VL以及用于將發(fā)射控制信號En傳輸?shù)奖∧ぞw管陣列基底11的發(fā)射控制線ELn。在一個實施例中，例如，多個像素可以分別布置在沿第一方向延伸的多條布線與沿第二方向延伸的多條布線交叉的點處。

每個像素包括發(fā)光的OLED以及從布線接收信號并基于所述信號來驅(qū)動OLED的像素電路。像素電路可以包括晶體管(例如，至少兩個晶體管)和電容器(例如，至少一個電容器)。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此，如圖1中所示，像素電路可以包括七個晶體管T11至T17和一個電容器Cst1。

在實施例中，如圖1中所示，晶體管T11至T17可以包括驅(qū)動晶體管T11、開關(guān)晶體管T12、補償晶體管T13、第一初始化晶體管T14、第一發(fā)射控制晶體管T15、第二發(fā)射控制晶體管T16和第二初始化晶體管T17。

在這樣的實施例中，驅(qū)動晶體管T11包括驅(qū)動?xùn)烹姌OG11、驅(qū)動源電極S11和驅(qū)動漏電極D11。驅(qū)動?xùn)烹姌OG11連接到電容器Cst1的第一電極Cst11，驅(qū)動源電極S11經(jīng)由第一發(fā)射控制晶體管T15連接到驅(qū)動電壓線PL，驅(qū)動漏電極D11經(jīng)由第二發(fā)射控制晶體管T16電連接到OLED的第一電極。驅(qū)動晶體管T11在開關(guān)晶體管T12的數(shù)據(jù)傳輸操作期間(例如，在開關(guān)晶體管T12被導(dǎo)通的時間段期間)接收數(shù)據(jù)信號Data，并且將驅(qū)動電流I_d供應(yīng)給OLED。

開關(guān)晶體管T12包括開關(guān)柵電極G12、開關(guān)源電極S12和開關(guān)漏電極D12。開關(guān)柵電極G12連接到掃描線SLn，開關(guān)源電極S12連接到數(shù)據(jù)線DLm，開關(guān)漏電極D12連接到驅(qū)動源電極S11并且經(jīng)由第一發(fā)射控制晶體管T15連接到驅(qū)動電壓線PL。開關(guān)晶體管T12響應(yīng)于經(jīng)由掃描線SLn傳輸?shù)膾呙栊盘朣n而導(dǎo)通，并且執(zhí)行用于將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLm傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號Data傳輸?shù)津?qū)動源電極S11的數(shù)據(jù)傳輸操作。

補償晶體管T13包括補償柵電極G13、補償源電極S13和補償漏電極D13。補償柵電極G13連接到掃描線SLn，補償源電極S13連接到驅(qū)動漏電極D11并且經(jīng)由第二發(fā)射控制晶體管T16連接到OLED的第一電極。補償漏電極D13連接到電容器Cst1的第一電極Cst11、第一初始化晶體管T14的第一初始化源電極S14和驅(qū)動?xùn)烹姌OG11。當(dāng)補償晶體管T13響應(yīng)于經(jīng)由掃描線SLn傳輸?shù)膾呙栊盘朣n而導(dǎo)通時，補償晶體管T13將驅(qū)動?xùn)烹姌OG11和驅(qū)動漏電極D11彼此連接，從而二極管式連接驅(qū)動晶體管T11。

第一初始化晶體管T14包括第一初始化柵電極G14、第一初始化漏電極D14和第一初始化源電極S14。第一初始化柵電極G14連接到前一條掃描線SLn-1，第一初始化漏電極D14連接到初始化電壓線VL。第一初始化源電極S14連接到電容器Cst1的第一電極Cst11、補償漏電極D13和驅(qū)動?xùn)烹姌OG11。第一初始化晶體管T14響應(yīng)于經(jīng)由前一條掃描線SLn-1接收的前一個掃描信號Sn-1而導(dǎo)通，并且通過將初始化電壓V_INT傳輸?shù)津?qū)動?xùn)烹姌OG11而執(zhí)行用于重置驅(qū)動?xùn)烹姌OG11的電壓的初始化操作。

第一發(fā)射控制晶體管T15包括第一發(fā)射控制柵電極G15、第一發(fā)射控制源電極S15和第一發(fā)射控制漏電極D15。第一發(fā)射控制柵電極G15連接到發(fā)射控制線ELn。第一發(fā)射控制源電極S15連接到驅(qū)動電壓線PL，第一發(fā)射控制漏電極D15連接到驅(qū)動源電極S11和開關(guān)漏電極D12。第一發(fā)射控制晶體管T15連接在驅(qū)動電壓線PL與驅(qū)動晶體管T11之間。第一發(fā)射控制晶體管T15響應(yīng)于經(jīng)由發(fā)射控制線ELn傳輸?shù)陌l(fā)射控制信號En而導(dǎo)通并且將驅(qū)動電壓ELVDD傳輸?shù)津?qū)動晶體管T11。

第二發(fā)射控制晶體管T16包括第二發(fā)射控制柵電極G16、第二發(fā)射控制源電極S16和第二發(fā)射控制漏電極D16。第二發(fā)射控制柵電極G16連接到發(fā)射控制線ELn，第二發(fā)射控制源電極S16連接到驅(qū)動漏電極D11和補償源電極S13。第二發(fā)射控制漏電極D16電連接到OLED的第一電極。第一發(fā)射控制晶體管T15和第二發(fā)射控制晶體管T16響應(yīng)于經(jīng)由發(fā)射控制線ELn傳輸?shù)陌l(fā)射控制信號En而同時導(dǎo)通，驅(qū)動電壓ELVDD傳輸?shù)絆LED，并且驅(qū)動電流I_d流入OLED。

第二初始化晶體管T17包括第二初始化柵電極G17、第二初始化源電極S17和第二初始化漏電極D17。第二初始化柵電極G17連接到前一條掃描線SLn-1。第二初始化源電極S17連接到OLED的第一電極。第二初始化漏電極D17連接到初始化電壓線VL。第二初始化晶體管T17響應(yīng)于經(jīng)由前一條掃描線SLn-1接收的前一個掃描信號Sn-1而導(dǎo)通并且使OLED的第一電極初始化。

以上參照圖1描述了第一初始化晶體管T14和第二初始化晶體管T17連接到前一條掃描線SLn-1的實施例，實施例不限于此。根據(jù)可替換實施例，第一初始化晶體管T14可以連接到前一條掃描線SLn-1并且響應(yīng)于前一個掃描信號Sn-1而被驅(qū)動，第二初始化晶體管T17可以連接到另一條掃描線(未示出)并且可以響應(yīng)于通過所述另一條掃描線傳輸?shù)牧硪粋€掃描信號(未示出)而被驅(qū)動。

在實施例中，如圖1中所示，電容器Cst1的第二電極Cst12連接到驅(qū)動電壓線PL，OLED的第二電極連接到共電壓ELVSS的線。因此，OLED從驅(qū)動晶體管T11接收驅(qū)動電流I_d并且發(fā)光，從而顯示圖像。

圖2是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參照圖2，有機發(fā)光顯示設(shè)備1'的實施例包括薄膜晶體管陣列基底11'和在薄膜晶體管陣列基底11'上的OLED。薄膜晶體管陣列基底11'包括基底110以及在基底110上的開關(guān)晶體管T12的開關(guān)有源層A12。開關(guān)有源層A12包括開關(guān)源區(qū)S12、開關(guān)溝道區(qū)C12和開關(guān)漏區(qū)D12。薄膜晶體管陣列基底11'還包括導(dǎo)電層SE12，其中，導(dǎo)電層SE12位于開關(guān)有源層A12上并且經(jīng)由接觸孔CH1電連接到開關(guān)源區(qū)S12或開關(guān)漏區(qū)D12。薄膜晶體管陣列基底11'還包括在開關(guān)有源層A12與導(dǎo)電層SE12之間并且經(jīng)由其限定接觸孔CH1的頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117、以及在頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117之間并且圍繞接觸孔CH1的至少一部分的第二支撐層116。

基底110可以包括具有玻璃、金屬和塑料材料(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚酰亞胺等)的各種材料中的一種。

在實施例中，薄膜晶體管陣列基底11'還可以包括設(shè)置在基底110上的緩沖層111。緩沖層111有效地防止雜質(zhì)原子的引入并且使基底110的表面平坦化。緩沖層111可以包括氧化硅(SiO₂)和氮化硅(SiN_x)中的至少一者。根據(jù)可替換實施例，緩沖層111可以包括單個氧化硅(SiO₂)層、單個氮化硅(SiN_x)層、或者包括氧化硅(SiO₂)層和氮化硅(SiN_x)層的堆疊件的雙層。

在這樣的實施例中，驅(qū)動晶體管T11和開關(guān)晶體管T12設(shè)置在緩沖層111上。驅(qū)動晶體管T11和開關(guān)晶體管T12分別包括驅(qū)動有源層A11和開關(guān)有源層A12。驅(qū)動有源層A11和開關(guān)有源層A12可以設(shè)置在同一層中或者直接設(shè)置在同一層(例如，緩沖層111)上。這里，圖2的開關(guān)晶體管T12、開關(guān)有源層A12、驅(qū)動晶體管T11和驅(qū)動有源層A11可以分別被稱為第一晶體管、第一有源層、第二晶體管和第二有源層，但是不限于此。

驅(qū)動有源層A11可以包括通過摻雜有雜質(zhì)而導(dǎo)電并且彼此分隔開的驅(qū)動源區(qū)S11和驅(qū)動漏區(qū)D11以及在驅(qū)動源區(qū)S11與驅(qū)動漏區(qū)D11之間并且包括半導(dǎo)體材料的驅(qū)動溝道區(qū)C11。開關(guān)有源層A12可以包括通過摻雜有雜質(zhì)而導(dǎo)電并且彼此分隔開的開關(guān)源區(qū)S12和開關(guān)漏區(qū)D12以及在開關(guān)源區(qū)S12與開關(guān)漏區(qū)D12之間并且包括半導(dǎo)體材料的開關(guān)溝道區(qū)C12。驅(qū)動晶體管T11和開關(guān)晶體管T12可以彼此電連接。在一個實施例中，例如，驅(qū)動源區(qū)S11和開關(guān)漏區(qū)D12可以是同一區(qū)域。這里，圖2的開關(guān)源區(qū)S12、開關(guān)溝道區(qū)C12和開關(guān)漏區(qū)D12可以分別被稱為源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)，但是不限于此。

開關(guān)晶體管T12還可以包括虛設(shè)有源層DU12。虛設(shè)有源層DU12可以接近開關(guān)源區(qū)S12，并且可以包括與開關(guān)溝道區(qū)C12相同的材料，即，半導(dǎo)體材料。

在實施例中，薄膜晶體管陣列基底11'還可以包括設(shè)置在緩沖層111上的底部柵極絕緣層113。在這樣的實施例中，底部柵極絕緣層113覆蓋驅(qū)動有源層A11、開關(guān)有源層A12和虛設(shè)有源層DU12。在這樣的實施例中，與驅(qū)動有源層A11的至少一部分疊置的驅(qū)動?xùn)烹姌OG11、與開關(guān)有源層A12的至少一部分疊置的開關(guān)柵電極G12以及與虛設(shè)有源層DU12的至少一部分疊置的第一支撐層114可以設(shè)置在底部柵極絕緣層113上。這里，圖2的底部柵極絕緣層113、驅(qū)動?xùn)烹姌OG11和第一支撐層114可以分別被稱為第三絕緣層、第二柵電極和第二支撐層。

底部柵極絕緣層113可以設(shè)置在驅(qū)動有源層A11、開關(guān)有源層A12和虛設(shè)有源層DU12與頂部柵極絕緣層115之間，并且通過底部柵極絕緣層113限定或形成接觸孔CH1。底部柵極絕緣層113可以是包括無機材料或有機材料的單層薄膜或多層薄膜。在底部柵極絕緣層113是單層薄膜的實施例中，單層薄膜可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。

盡管未示出，但是底部柵極絕緣層113可以包括多層薄膜。根據(jù)這樣的實施例，底部柵極絕緣層113可以包括含有氧化硅(SiO₂)的底部薄膜以及含有氮化硅(SiN_x)的頂部薄膜。在這樣的實施例中，當(dāng)抗蝕刻性(etchant-resistant)比氧化硅(SiO₂)強的氮化硅(SiN_x)設(shè)置在氧化硅(SiO₂)上時，可以在柵電極的圖案化工藝期間減小對底部柵極絕緣層113的損壞。

驅(qū)動?xùn)烹姌OG11可以限定或者用作以上參照圖1描述的電容器Cst1的第一電極(或底部電極)Cst11。

開關(guān)柵電極G12設(shè)置在底部柵極絕緣層113與頂部柵極絕緣層115之間，并且在平面圖中或者在沿薄膜晶體管陣列基底11'的厚度方向從俯視圖觀看時可以與開關(guān)溝道區(qū)C12疊置。

第一支撐層114可以設(shè)置在底部柵極絕緣層113與頂部柵極絕緣層115之間，并且可以圍繞接觸孔CH1的至少一部分。

驅(qū)動?xùn)烹姌OG11、開關(guān)柵電極G12、第一支撐層114可以包括彼此相同的材料。驅(qū)動?xùn)烹姌OG11、開關(guān)柵電極G12和第一支撐層114中的每個可以包括單層或多層，所述單層或多層包括從鋁(Al)、銀(Ag)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鋅(ZnO_x)、氧化銦錫(“ITO”)、氧化錫(SnO_x)、氧化銦(InO_x)、氧化鎵(GaO_x)和氧化銦鋅(“IZO”)中選擇的至少一種材料。

覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌OG11、開關(guān)柵電極G12和第一支撐層114的頂部柵極絕緣層115可以設(shè)置在底部柵極絕緣層113上。這里，圖2的頂部柵極絕緣層115可以被稱為第一絕緣層。頂部柵極絕緣層115可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。

在實施例中，第二支撐層116和電容器Cst1的第二電極(或頂部電極)Cst12可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層115上。在這樣的實施例中，第二支撐層116和電容器Cst1的第二電極Cst12可以設(shè)置在同一層中，并且可以包括彼此相同的材料。權(quán)利要求書中的第一支撐層可以是圖2的第二支撐層116。

第二支撐層116和電容器Cst1的第二電極Cst12可以通過同一金屬層來限定。在一個實施例中，例如，第二支撐層116和電容器Cst1的第二電極Cst12可以包括從鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中選擇的至少一者。

接觸孔CH1可以通過第二支撐層116來限定或形成，使得第二支撐層116可以圍繞接觸孔CH1的至少一部分。

電容器Cst1可以設(shè)置為在平面圖中或從俯視圖觀看時與驅(qū)動晶體管T11疊置。在這樣的實施例中，電容器Cst1可以包括驅(qū)動?xùn)烹姌OG11和電容器Cst1的第二電極Cst12，驅(qū)動?xùn)烹姌OG11限定或用作以上參照圖1描述的電容器Cst1的第一電極Cst11，電容器Cst1的第二電極Cst12跨過頂部柵極絕緣層115而面對驅(qū)動?xùn)烹姌OG11。構(gòu)成電容器Cst1的第一電極Cst11和第二電極Cst12越大，Cst1的容量越高。

覆蓋第二支撐層116和電容器Cst1的第二電極Cst12的層間絕緣層117可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層115上。這里，圖2的層間絕緣層117可以被稱為第二絕緣層。層間絕緣層117可以包括氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)。

在這樣的實施例中，暴露開關(guān)源區(qū)S12的接觸孔CH1限定在底部柵極絕緣層113、頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117中，或者通過底部柵極絕緣層113、頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117來限定。根據(jù)實施例，當(dāng)?shù)撞繓艠O絕緣層113、頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117被蝕刻以形成接觸孔CH1時，第一支撐層114和第二支撐層116保護頂部柵極絕緣層115與層間絕緣層117的下部，因此，可以有效地防止頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117被損壞。因此，在這樣的實施例中，可以通過底部柵極絕緣層113、頂部柵極絕緣層115和層間絕緣層117有效地限定更精細(xì)的接觸孔CH1。

開關(guān)晶體管T12的導(dǎo)電層SE12可以設(shè)置在層間絕緣層117上。導(dǎo)電層SE12可以經(jīng)由接觸孔CH1連接到開關(guān)源區(qū)S12，并且可以電連接到以上參照圖1描述的數(shù)據(jù)線DLm。在這樣的實施例中，開關(guān)源區(qū)S 12可以經(jīng)由導(dǎo)電層SE12電連接到數(shù)據(jù)線DLm。根據(jù)實施例，導(dǎo)電層SE12可以通過從其延伸的數(shù)據(jù)線DLm的一部分來限定。

在實施例中，薄膜晶體管陣列基底11'還可以包括設(shè)置在層間絕緣層117上并且覆蓋驅(qū)動晶體管T11和開關(guān)晶體管T12的通孔絕緣層119以及設(shè)置在通孔絕緣層119上的OLED的第一電極121。

通孔絕緣層119可以包括諸如丙烯酸有機材料、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(“BCB”)的有機絕緣材料，或者可以由所述有機絕緣材料形成。通孔絕緣層119可以保護布置在其下方的元件(例如，晶體管)，并且可以使薄膜晶體管陣列基底11'的頂表面平坦化。

第一電極121可以包括具有高逸出功的材料或由具有高逸出功的材料形成，并且可以包括反射金屬或透明導(dǎo)電材料中的至少一者。在一個實施例中，例如，第一電極121可以包括從ITO、IZO、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(In₂O₃)、氧化銦鎵(“IGO”)、氧化鋁鋅(“AZO”)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)和鉻(Cr)中選擇的至少一種材料。

盡管未示出，但是薄膜晶體管陣列基底11'還可以包括設(shè)置在通孔絕緣層119上并且限定各個像素的像素限定層(未示出)。像素限定層(未示出)包括暴露第一電極121的頂表面的開口，并且可以覆蓋第一電極121的周邊。

在實施例中，包括有機發(fā)射層1222的中間層122可以設(shè)置在通過像素限定層(未示出)暴露的第一電極121上。中間層122可以包括有機發(fā)射層1222、布置在第一電極121與有機發(fā)射層1222之間的底部公共層1221以及布置在有機發(fā)射層1222與第二電極123之間的頂部公共層1223。在這樣的實施例中，有機發(fā)射層1222可以設(shè)置在第一電極121與第二電極123之間。

面對第一電極121的第二電極123可以設(shè)置在像素限定層(未示出)和中間層122的上方。OLED可以包括第一電極121、中間層122和第二電極123。

盡管未示出，但是包封基底(未示出)或包封層(未示出)可以設(shè)置在第二電極123的上方。

根據(jù)有機發(fā)光顯示設(shè)備1'的實施例，針對大集成限定精細(xì)的接觸孔，并且有效地防止了通過其限定精細(xì)的接觸孔的絕緣層被顯著損壞，以減少短路的危險。因此，在這樣的實施例中，可以大幅地改善顯示質(zhì)量。

在下文中，將描述有機發(fā)光顯示設(shè)備的可替換實施例。在下文中，將省略或簡化相同或類似元件的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。

圖3是根據(jù)可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參照圖3，有機發(fā)光顯示設(shè)備1”的實施例包括薄膜晶體管陣列基底11”和在薄膜晶體管陣列基底11”上的OLED。薄膜晶體管陣列基底11”包括：基底210；開關(guān)晶體管T22的開關(guān)有源層A22，在基底210上并且包括開關(guān)源區(qū)S22、開關(guān)溝道區(qū)C22和開關(guān)漏區(qū)D22；導(dǎo)電層SE22，在開關(guān)有源層A22上并且經(jīng)由接觸孔CH2電連接到開關(guān)源區(qū)S22或開關(guān)漏區(qū)D22；底部柵極絕緣層213和頂部柵極絕緣層215，在開關(guān)有源層A22與導(dǎo)電層SE22之間并且通過其限定接觸孔CH2；第一支撐層214，在底部柵極絕緣層213與頂部柵極絕緣層215之間并且圍繞接觸孔CH2的至少一部分。

這里，圖3的開關(guān)晶體管T22和開關(guān)有源層A22可以分別與第一晶體管和第一有源層相同，但是不限于此。

開關(guān)有源層A22包括開關(guān)源區(qū)S22、開關(guān)漏區(qū)D22、開關(guān)溝道區(qū)C22以及布置為接近開關(guān)源區(qū)S22的虛設(shè)有源層DU22。這里，圖3的開關(guān)源區(qū)S22、開關(guān)溝道區(qū)C22和開關(guān)漏區(qū)D22可以分別與源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)相同，但是不限于此。

在這樣的實施例中，薄膜晶體管陣列基底11'還可以包括與開關(guān)有源層A22的至少一部分疊置的開關(guān)柵電極G22以及與虛設(shè)有源層DU22的至少一部分疊置的第一支撐層214。在這樣的實施例中，開關(guān)柵電極G22和第一支撐層214可以設(shè)置在底部柵極絕緣層213上。這里，圖3的底部柵極絕緣層213可以與第一絕緣層相同。

底部柵極絕緣層213可以設(shè)置在開關(guān)有源層A22與頂部柵極絕緣層215之間和虛設(shè)有源層DU22與頂部柵極絕緣層215之間。接觸孔CH2可以通過底部柵極絕緣層213限定。這里，圖3的頂部柵極絕緣層215可以與第二絕緣層相同。

開關(guān)柵電極G22可以設(shè)置在底部柵極絕緣層213與頂部柵極絕緣層215之間，并且在平面圖中可以與開關(guān)溝道區(qū)C22疊置。這里，圖3的開關(guān)柵電極G22可以被稱為第一柵電極。

第一支撐層214可以設(shè)置在底部柵極絕緣層213與頂部柵極絕緣層215之間，并且可以圍繞接觸孔CH2的至少一部分。在實施例中，第一支撐層214可以包括與開關(guān)柵電極G22相同的材料。

層間絕緣層217可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層215上。

在這樣的實施例中，暴露開關(guān)源區(qū)S22的接觸孔CH2通過底部柵極絕緣層213、頂部柵極絕緣層215和層間絕緣層217來限定或形成。根據(jù)實施例，當(dāng)?shù)撞繓艠O絕緣層213、頂部柵極絕緣層215和層間絕緣層217被蝕刻以形成接觸孔CH2時，第一支撐層214保護頂部柵極絕緣層215的下部，因此，可以有效地防止頂部柵極絕緣層215被損壞。因此，在這樣的實施例中，可以通過底部柵極絕緣層213、頂部柵極絕緣層215和層間絕緣層217有效地形成更精細(xì)的接觸孔CH2。

圖4是根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參照圖4，有機發(fā)光顯示設(shè)備1”'的實施例包括薄膜晶體管陣列基底11”'和在薄膜晶體管陣列基底11”'上的OLED。薄膜晶體管陣列基底11”'包括：基底310；開關(guān)晶體管T32的開關(guān)有源層A32，在基底310上并且包括開關(guān)源區(qū)S32、開關(guān)溝道區(qū)C32和開關(guān)漏區(qū)D32；導(dǎo)電層SE32，在開關(guān)有源層A32上并且經(jīng)由接觸孔CH3電連接到開關(guān)源區(qū)S32或開關(guān)漏區(qū)D32；頂部柵極絕緣層315和層間絕緣層317，在開關(guān)有源層A32與導(dǎo)電層SE32之間并且包括接觸孔CH3；第一支撐層316，在頂部柵極絕緣層315與層間絕緣層317之間并且圍繞接觸孔CH3的至少一部分。

這里，圖4的開關(guān)晶體管T32、開關(guān)有源層A32、驅(qū)動晶體管T31和驅(qū)動有源層A31可以分別與第一晶體管、第一有源層、第二晶體管和第二有源層相同，但是不限于此。

在這樣的實施例中，驅(qū)動有源層A31可以包括驅(qū)動源區(qū)S31、驅(qū)動漏區(qū)D31和驅(qū)動溝道區(qū)C31。在這樣的實施例中，開關(guān)有源層A32可以包括開關(guān)源區(qū)S32、開關(guān)漏區(qū)D32和開關(guān)溝道區(qū)C32。這里，圖4的開關(guān)源區(qū)S32、開關(guān)溝道區(qū)C32和開關(guān)漏區(qū)D32可以分別被稱為源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)，但是不限于此。

在這樣的實施例中，如圖4中所示，覆蓋驅(qū)動有源層A31和開關(guān)有源層A32的底部柵極絕緣層313設(shè)置緩沖層311上，與驅(qū)動有源層A31的至少一部分疊置的驅(qū)動?xùn)烹姌OG31以及與開關(guān)有源層A32的至少一部分疊置的開關(guān)柵電極G32可以設(shè)置在底部柵極絕緣層313上。這里，圖4的底部柵極絕緣層313和驅(qū)動?xùn)烹姌OG31可以分別被稱為第三絕緣層和第二柵電極。

在這樣的實施例中，接觸孔CH3通過底部柵極絕緣層313來限定或形成。

驅(qū)動?xùn)烹姌OG31可以限定或用作電容器Cst3的第一電極(例如，底部電極)Cst31。

開關(guān)柵電極G32布置在底部柵極絕緣層313與頂部柵極絕緣層315之間，并且在平面圖中可以與開關(guān)溝道區(qū)C32疊置。

覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌OG31和開關(guān)柵電極G32的頂部柵極絕緣層315可以設(shè)置在底部柵極絕緣層313上。這里，圖4的頂部柵極絕緣層315可以與第一絕緣層相同。

第一支撐層316和電容器Cst3的第二電極(例如，頂部電極)Cst32可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層315上。在這樣的實施例中，第一支撐層316和電容器Cst3的第二電極Cst32可以設(shè)置在同一層上，其中，第一支撐層316可以圍繞接觸孔CH3的至少一部分。

電容器Cst3可以布置為在平面圖中與驅(qū)動晶體管T31疊置。在這樣的實施例中，電容器Cst3可以包括驅(qū)動?xùn)烹姌OG31和電容器Cst3的第二電極Cst32，驅(qū)動?xùn)烹姌OG31限定或用作電容器Cst3的第一電極Cst31，電容器Cst3的第二電極Cst32跨過頂部柵極絕緣層315而面對驅(qū)動?xùn)烹姌OG31。

覆蓋第一支撐層316和電容器Cst2的第二電極Cst32的層間絕緣層317可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層315上。這里，圖4的層間絕緣層317可以與第二絕緣層相同。

在這樣的實施例中，暴露開關(guān)源區(qū)S32的接觸孔CH3可以通過底部柵極絕緣層313、頂部柵極絕緣層315和層間絕緣層317來限定或形成。根據(jù)實施例，當(dāng)?shù)撞繓艠O絕緣層313、頂部柵極絕緣層315和層間絕緣層317被蝕刻以形成接觸孔CH3時，第一支撐層316保護層間絕緣層317的下部，因此，可以有效地防止層間絕緣層117被損壞。因此，可以通過底部柵極絕緣層313、頂部柵極絕緣層315和層間絕緣層317有效地形成更精細(xì)的接觸孔CH3。

圖5是根據(jù)另一個可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參照圖5，根據(jù)另一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備1""包括薄膜晶體管陣列基底11""和在薄膜晶體管陣列基底11""上的OLED。薄膜晶體管陣列基底11""包括：基底410；開關(guān)晶體管T42的開關(guān)有源層A42，在基底410上并且包括開關(guān)源區(qū)S42、開關(guān)溝道區(qū)C42和開關(guān)漏區(qū)D42；導(dǎo)電層SE42，在開關(guān)有源層A42上并且經(jīng)由接觸孔CH4電連接到開關(guān)源區(qū)S42或開關(guān)漏區(qū)D42；頂部柵極絕緣層415和層間絕緣層417，在開關(guān)有源層A42與導(dǎo)電層SE42之間并且包括接觸孔CH4；第二支撐層416，在頂部柵極絕緣層415與層間絕緣層417之間并且圍繞接觸孔CH4的至少一部分。

這里，圖5的開關(guān)晶體管T42、開關(guān)有源層A42、驅(qū)動晶體管T41和驅(qū)動有源層A41可以分別與第一晶體管、第一有源層、第二晶體管和第二有源層相同，但是不限于此。

這里，圖5的開關(guān)源區(qū)S42、開關(guān)溝道區(qū)C42和開關(guān)漏區(qū)D42可以分別與源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)相同，但是不限于此。

這里，圖5的底部柵極絕緣層413、驅(qū)動?xùn)烹姌OG41和第一支撐層414可以分別與第三絕緣層、第二柵電極和第二支撐層相同。

在這樣的實施例中，圖5的頂部柵極絕緣層415可以與第一絕緣層相同。

在這樣的實施例中，圖5的第二支撐層416可以與第一支撐層相同。

在這樣的實施例中，圖5的層間絕緣層417可以與第二絕緣層相同。

在這樣的實施例中，薄膜晶體管陣列基底11""還可以包括設(shè)置在層間絕緣層417上的掩模圖案418和開關(guān)晶體管T42的導(dǎo)電層SE42。

掩模圖案418可以設(shè)置在層間絕緣層417與導(dǎo)電層SE42之間，并且可以圍繞接觸孔CH4的至少一部分。掩模圖案418可以包括金屬或由金屬形成。

導(dǎo)電層SE42可以設(shè)置在掩模圖案418上以直接接觸掩模圖案418，并且可以經(jīng)由接觸孔CH4連接到開關(guān)源區(qū)S42。導(dǎo)電層SE42的端部可以連接到掩模圖案418的端部而沒有臺階。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

根據(jù)如上所述的這樣的實施例，即使位于源電極或漏電極的下方的掩模圖案包括金屬并且在源電極或漏電極與掩模圖案之間形成氧化物層，通過有效地防止因氧化物層而造成的像素之間的短路，有機發(fā)光顯示設(shè)備1""也具有改善的顯示質(zhì)量。

在下文中，將參照圖6A至圖6F詳細(xì)描述制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的實施例。

圖6A至圖6F是示出制造圖5的有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的實施例的剖視圖。

該方法的這樣的實施例可以不僅用于制造圖5的有機發(fā)光顯示設(shè)備的組件，而且用于制造圖2至圖4中示出的有機發(fā)光顯示設(shè)備的相同組件。

參照圖6A，在這樣的實施例中，在基底410上設(shè)置(例如，形成)開關(guān)晶體管T42的包括開關(guān)源區(qū)S42、開關(guān)溝道區(qū)C42和開關(guān)漏區(qū)D42的開關(guān)有源層A42。

在這樣的實施例中，為了形成開關(guān)有源層A42，首先可以在基底410上設(shè)置或形成緩沖層411，然后可以在緩沖層411上設(shè)置或形成驅(qū)動半導(dǎo)體圖案(未示出)和開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)。驅(qū)動半導(dǎo)體圖案(未示出)和開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)可以彼此連接。

在這樣的實施例中，在基底410上設(shè)置或形成覆蓋驅(qū)動半導(dǎo)體圖案(未示出)和開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)的底部柵極絕緣層413。在這樣的實施例中，在底部柵極絕緣層413上設(shè)置或形成金屬層，并且將底部柵極絕緣層413上的金屬層圖案化。因此，可以通過被圖案化的金屬層在底部柵極絕緣層413上設(shè)置第一支撐層414、開關(guān)柵電極G42和驅(qū)動?xùn)烹姌OG41。

在這樣的實施例中，第一支撐層414可以設(shè)置或形成為在平面圖中與開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)的至少一部分疊置。開關(guān)柵電極G42可以設(shè)置或形成為在平面圖中與開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)的至少一部分疊置并且與第一支撐層414分隔開，驅(qū)動?xùn)烹姌OG41可以設(shè)置或形成為在平面圖中與驅(qū)動半導(dǎo)體圖案(未示出)的至少一部分疊置。

如上所述，可以使用同一掩模工藝來形成驅(qū)動?xùn)烹姌OG41、開關(guān)柵電極G42和第一支撐層414。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

在這樣的實施例中，通過使用限定驅(qū)動?xùn)烹姌OG41、開關(guān)柵電極G42和第一支撐層414的被圖案化的金屬層作為掩模，可以通過向驅(qū)動半導(dǎo)體圖案(未示出)和開關(guān)半導(dǎo)體圖案(未示出)摻雜離子雜質(zhì)來形成驅(qū)動有源層A41、開關(guān)有源層A42和虛設(shè)有源層DU42。虛設(shè)有源層DU42未被摻雜雜質(zhì)，可以由與驅(qū)動溝道區(qū)C41和開關(guān)溝道區(qū)C42相同的半導(dǎo)體材料形成，并且可以設(shè)置在接近開關(guān)源區(qū)S42的區(qū)域處。

參照圖6B，在底部柵極絕緣層413上設(shè)置或形成頂部柵極絕緣層415，以覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌OG41、開關(guān)柵電極G42和第一支撐層414。在這樣的實施例中，在頂部柵極絕緣層415上形成金屬層，并且將金屬層圖案化。因此，可以通過被圖案化的金屬層在頂部柵極絕緣層415上形成第二支撐層416和電容器Cst4的第二電極(例如，頂部電極)Cst42。

在這樣的實施例中，第二支撐層416可以設(shè)置或形成為在平面圖中與第一支撐層414的至少一部分疊置，電容器Cst4的第二電極Cst42可以設(shè)置或形成為面對驅(qū)動?xùn)烹姌OG41。在實施例中，如圖6B中所示，第二支撐層416可以具有圍繞接觸孔CH4的類似閉環(huán)的形狀，但是發(fā)明構(gòu)思不限于此。

在實施例中，如上所述，可以使用同一掩模工藝來形成第二支撐層416和電容器Cst4的第二電極Cst42。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

參照圖6C，在頂部柵極絕緣層415上設(shè)置或形成層間絕緣層417，以覆蓋第二支撐層416和電容器Cst4的第二電極Cst42。

在這樣的實施例中，在形成金屬層418'以覆蓋層間絕緣層417的整個頂表面之后，可以在金屬層418'上形成光致抗蝕劑PR。

在金屬層418'上形成光致抗蝕劑PR之后，通過使用半色調(diào)掩模M將光照射到光致抗蝕劑PR，其中，半色調(diào)掩模M包括使光透射通過的透光部分Ma、使光局部地透射通過的局部透射部分Mb以及阻擋光的擋光部分Mc。光致抗蝕劑PR可以是被光照射的區(qū)域溶于顯影劑的正性光致抗蝕劑。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

參照圖6D，可以通過向光致抗蝕劑PR照射光并且去除光致抗蝕劑PR的被光照射的部分來形成包括與擋光部分Mc對應(yīng)的第一區(qū)域PR1、與局部透射部分Mb對應(yīng)并且具有比第一區(qū)域PR1的高度低的高度的第二區(qū)域PR2、以及與透光部分Ma對應(yīng)的開口的光致抗蝕劑圖案。

參照圖6E，蝕刻層間絕緣層417、頂部柵極絕緣層415和底部柵極絕緣層413以暴露開關(guān)源區(qū)S42的至少一部分，因此，可以通過層間絕緣層417、頂部柵極絕緣層415和底部柵極絕緣層413來形成包括與第一支撐層414和第二支撐層416接觸的至少一部分的接觸孔CH4。

在這樣的實施例中，可以通過去除被光致抗蝕劑圖案的開口暴露的金屬層418'以及層間絕緣層417、頂部柵極絕緣層415和底部柵極絕緣層413的布置在金屬層418'的所述暴露部分的下方的各個部分來形成接觸孔CH4。

在這樣的實施例中，當(dāng)正在蝕刻層間絕緣層417時，形成在層間絕緣層417下方的第二支撐層416可以有效地防止層間絕緣層417的下部被過度地蝕刻。在這樣的實施例中，當(dāng)正在蝕刻頂部柵極絕緣層415時，形成在頂部柵極絕緣層415下方的第一支撐層414可以有效地防止頂部柵極絕緣層415的下部被過度地蝕刻。如上所述，根據(jù)實施例，當(dāng)正在蝕刻包括接觸孔的一個或更多個絕緣層時，不會過度地蝕刻并且可以均勻地蝕刻一個或更多個絕緣層，從而可以更精確地形成精細(xì)的接觸孔。

在這樣的實施例中，通過灰化工藝，可以通過去除光致抗蝕劑圖案的與局部透射部分Mb對應(yīng)的整個部分以及與光致抗蝕劑圖案的與擋光部分Mc對應(yīng)的部分的一部分來形成第三光致抗蝕劑PR3。

參照圖6F，可以通過去除金屬層的被局部去除的光致抗蝕劑圖案暴露的部分來形成掩模圖案418。掩模圖案418可以圍繞接觸孔CH4的至少一部分。

在這樣的實施例中，在層間絕緣層417上形成經(jīng)由接觸孔CH4連接到開關(guān)源區(qū)S42的導(dǎo)電層SE42。

在實施例中，可以在層間絕緣層417上形成覆蓋掩模圖案418的導(dǎo)電材料，以形成導(dǎo)電層SE42。這里，導(dǎo)電材料可以埋置在底部柵極絕緣層413、頂部柵極絕緣層415和層間絕緣層417中包括的接觸孔CH4中。在這樣的實施例中，可以通過將布置在層間絕緣層417上的導(dǎo)電材料圖案化來在掩模圖案418上形成直接接觸掩模圖案418的導(dǎo)電層SE42。

根據(jù)實施例，如上所述，通過在不同的掩模工藝中形成掩模圖案418和導(dǎo)電層SE42，可以防止因形成在掩模圖案418上的氧化物層而不蝕刻掩模圖案418的現(xiàn)象。因此，可以有效地防止像素之間的短路，因此可以制造出具有改善的顯示質(zhì)量的有機發(fā)光顯示設(shè)備1""。

圖7是示出根據(jù)可替換實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的像素的等效電路圖。

參照圖7，有機發(fā)光顯示設(shè)備2的實施例包括薄膜晶體管陣列基底12和在薄膜晶體管陣列基底12上的OLED。

薄膜晶體管陣列基底12中包括的布線可以包括用于傳輸掃描信號Scan的掃描線SLn、用于傳輸數(shù)據(jù)信號Data的數(shù)據(jù)線DLm以及用于傳輸驅(qū)動電壓ELVDD的驅(qū)動電壓線PL。

根據(jù)實施例，如圖7中所示，像素電路可以包括兩個晶體管(例如，驅(qū)動晶體管T21和開關(guān)晶體管T22)和一個電容器Cst2。

在這樣的實施例中，驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動?xùn)烹姌OG21連接到電容器Cst2的第一電極Cst21，驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動源電極S21連接到驅(qū)動電壓線PL，驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動漏電極D21電連接到OLED的第一電極521(圖8中示出)。驅(qū)動晶體管T21根據(jù)開關(guān)晶體管T22的開關(guān)操作來接收數(shù)據(jù)信號Data，并且將驅(qū)動電流I_d供應(yīng)給OLED。

開關(guān)晶體管T22的開關(guān)柵電極G22連接到掃描線SLn，開關(guān)晶體管T22的開關(guān)源電極S22連接到數(shù)據(jù)線DLm，開關(guān)晶體管T22的開關(guān)漏電極D22連接到驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動?xùn)烹姌OG21。開關(guān)晶體管T22響應(yīng)于經(jīng)由掃描線SLn接收的掃描信號Scan而導(dǎo)通，并且執(zhí)行用于將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLm接收的數(shù)據(jù)信號Data傳輸?shù)津?qū)動晶體管T21的驅(qū)動?xùn)烹姌OG21的開關(guān)操作。

電容器Cst2的第二電極Cst22連接到驅(qū)動電壓線PL，電容器Cst2的第一電極Cst21連接到驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動?xùn)烹姌OG21。電容器Cst2被充以將要傳輸?shù)津?qū)動晶體管T21的驅(qū)動?xùn)烹姌OG21的數(shù)據(jù)信號Data，并且即使在開關(guān)晶體管T22被截止后仍保持?jǐn)?shù)據(jù)信號Data。

OLED的第一電極521(圖8中所示)連接到驅(qū)動晶體管T21的驅(qū)動漏電極D21，OLED的第二電極523(圖8中所示)接收共電壓ELVSS。因此，OLED通過從驅(qū)動晶體管T21接收驅(qū)動電流I_d來顯示圖像并且發(fā)光。

圖8是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

參照圖8，有機發(fā)光顯示設(shè)備2'的實施例包括薄膜晶體管陣列基底12'和在薄膜晶體管陣列基底12'上的OLED。在這樣的實施例中，薄膜晶體管陣列基底12'包括：基底510；驅(qū)動晶體管T51的驅(qū)動有源層A51，在基底510上并且包括驅(qū)動源區(qū)S51、驅(qū)動溝道區(qū)C51和驅(qū)動漏區(qū)D51；驅(qū)動源電極SE51，在驅(qū)動有源層A51上并且經(jīng)由驅(qū)動源極接觸孔CH51電連接到驅(qū)動源區(qū)S51；驅(qū)動漏電極DE51，在驅(qū)動有源層A51上并且經(jīng)由驅(qū)動漏極接觸孔CH52電連接到驅(qū)動漏區(qū)D51；底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515，設(shè)置在驅(qū)動有源層A51與驅(qū)動源電極SE51和驅(qū)動漏電極DE51之間；第一支撐層5141，在底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515之間并且圍繞驅(qū)動源極接觸孔CH51的至少一部分；第二支撐層5142，在底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515之間并且圍繞驅(qū)動漏極接觸孔CH52的至少一部分。在這樣的實施例中，驅(qū)動源極接觸孔CH51和驅(qū)動漏極接觸孔CH52通過底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515來限定或形成。

薄膜晶體管陣列基底12'還可以包括設(shè)置在基底510上的緩沖層511。包括驅(qū)動有源層A51的驅(qū)動晶體管T51設(shè)置在緩沖層511上。在這樣的實施例中，圖8的驅(qū)動晶體管T51和驅(qū)動有源層A51可以與第一晶體管和第一有源層相同，但是不限于此。

驅(qū)動有源層A51可以包括通過摻雜有雜質(zhì)而導(dǎo)電并且彼此分隔開的驅(qū)動源區(qū)S51和驅(qū)動漏區(qū)D51、以及在驅(qū)動源區(qū)S51與驅(qū)動漏區(qū)D51之間并且包括半導(dǎo)體材料的驅(qū)動溝道區(qū)C51。在這樣的實施例中，圖8的驅(qū)動源區(qū)S51、驅(qū)動溝道區(qū)C51和驅(qū)動漏區(qū)D51可以分別與源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)相同，但是不限于此。

驅(qū)動晶體管T51還可以包括第一虛設(shè)有源層DU51和第二虛設(shè)有源層DU52。第一虛設(shè)有源層DU51和第二虛設(shè)有源層DU52可以分別接近驅(qū)動源區(qū)S51和驅(qū)動漏區(qū)D51，并且可以包括與驅(qū)動溝道區(qū)C51相同的材料，即，半導(dǎo)體材料。

覆蓋驅(qū)動有源層A51的底部柵極絕緣層513設(shè)置在緩沖層511上，與驅(qū)動有源層A51的至少一部分疊置的驅(qū)動?xùn)烹姌OG51、與第一虛設(shè)有源層DU51的至少一部分疊置的第一支撐層5141以及與第二虛設(shè)有源層DU52的至少一部分疊置的第二支撐層5142可以設(shè)置在底部柵極絕緣層513上。在這樣的實施例中，圖8的底部柵極絕緣層513可以與第一絕緣層相同，圖8的第一支撐層5141和第二支撐層5142可以與第一支撐層相同。

底部柵極絕緣層513布置在驅(qū)動有源層A51、第一虛設(shè)有源層DU51和第二虛設(shè)有源層DU52與頂部柵極絕緣層515之間。在這樣的實施例中，驅(qū)動源極接觸孔CH51和驅(qū)動漏極接觸孔CH52可以通過底部柵極絕緣層513來限定。這里，圖8的頂部柵極絕緣層515可以與第二絕緣層相同。

驅(qū)動?xùn)烹姌OG51布置在底部柵極絕緣層513與頂部柵極絕緣層515之間，并且在平面圖中可以與驅(qū)動溝道區(qū)C51疊置。在這樣的實施例中，圖8的驅(qū)動?xùn)烹姌OG51可以與第一柵電極相同。

第一支撐層5141布置在底部柵極絕緣層513與頂部柵極絕緣層515之間，并且可以圍繞驅(qū)動源極接觸孔CH51的至少一部分。

第二支撐層5142布置在底部柵極絕緣層513與頂部柵極絕緣層515之間，并且可以圍繞驅(qū)動漏極接觸孔CH52的至少一部分。

驅(qū)動?xùn)烹姌OG51、第一支撐層5141和第二支撐層5142可以包括彼此相同的材料。

覆蓋驅(qū)動?xùn)烹姌OG51、第一支撐層5141和第二支撐層5142的頂部柵極絕緣層515可以設(shè)置在底部柵極絕緣層513上。

在這樣的實施例中，分別暴露驅(qū)動源區(qū)S51和驅(qū)動漏區(qū)D51的驅(qū)動源極接觸孔CH51和驅(qū)動漏極接觸孔CH52通過底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515來限定。根據(jù)實施例，當(dāng)?shù)撞繓艠O絕緣層513和頂部柵極絕緣層515被蝕刻以形成驅(qū)動源極接觸孔CH51和驅(qū)動漏極接觸孔CH52時，第一支撐層5141和第二支撐層5142保護頂部柵極絕緣層515的下部，從而防止頂部柵極絕緣層515被損壞。因此，可以通過底部柵極絕緣層513和頂部柵極絕緣層515更精確地形成精細(xì)的接觸孔。

驅(qū)動晶體管T51的驅(qū)動源電極SE51和驅(qū)動漏電極DE51可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層515上。驅(qū)動源電極SE51可以經(jīng)由驅(qū)動源極接觸孔CH51連接到驅(qū)動源區(qū)S51，驅(qū)動漏電極DE51可以經(jīng)由驅(qū)動漏極接觸孔CH52連接到驅(qū)動漏區(qū)D51。

覆蓋驅(qū)動源電極SE51和驅(qū)動漏電極DE51的通孔絕緣層519可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層515上。根據(jù)實施例，通孔絕緣層519可以包括諸如丙烯酸有機材料、聚酰亞胺或BCB的有機材料或由所述有機材料形成。通孔絕緣層519可以保護設(shè)置在其下方的像素電路的元件(例如，薄膜晶體管)并且可以使基底510的頂表面平坦化。

在這樣的實施例中，暴露驅(qū)動晶體管T51的驅(qū)動漏電極DE51的通孔VIA5可以限定在通孔絕緣層519中。驅(qū)動晶體管T51的驅(qū)動漏電極DE51可以設(shè)置在限定在頂部柵極絕緣層515中的驅(qū)動漏極接觸孔CH52中。驅(qū)動漏電極DE51和OLED的第一電極521可以經(jīng)由通孔VIA5而彼此電連接。在這樣的實施例中，第一電極521可以經(jīng)由驅(qū)動漏極接觸孔CH52和通孔VIA5而電連接到驅(qū)動晶體管T51。

OLED的第一電極521可以設(shè)置在通孔絕緣層519上。根據(jù)實施例，有機發(fā)光顯示設(shè)備2'可以是在從基底510向上的方向上顯示圖像的頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備。在這樣的實施例中，第一電極521可以包括具有銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)或鉻(Cr)的金屬反射層。在這樣的實施例中，第一電極521可以包括具有ITO、IZO、ZnO或氧化銦錫鋅(“ITZO”)的透明導(dǎo)電層。根據(jù)可替換實施例，有機發(fā)光顯示設(shè)備2'可以是在從基底510向下的方向上顯示圖像的底發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備。在這樣的實施例中，第一電極521可以包括具有ITO、IZO、ZnO或ITZO的透明導(dǎo)電層，并且還可以包括半透明金屬層。

限定各個像素的像素限定層525可以設(shè)置在通孔絕緣層519上。像素限定層525包括暴露第一電極521的頂表面的開口，并且可以覆蓋第一電極521的邊緣部分。

包括有機發(fā)射層5222的中間層522可以設(shè)置在第一電極521的被像素限定層525暴露的部分上。有機發(fā)射層5222可以發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光。中間層522可以包括有機發(fā)射層5222、設(shè)置在第一電極521與有機發(fā)射層5222之間的底部公共層5221、以及設(shè)置在有機發(fā)射層5222與第二電極523之間的頂部公共層5223。

底部公共層5221可以包括空穴注入層(“HIL”)和/或空穴傳輸層(“HTL”)，頂部公共層5223可以包括電子傳輸層(“ETL”)和/或電子注入層(“EIL”)。根據(jù)實施例，除了上述層以外的各種功能層可以設(shè)置在第一電極521與第二電極523之間。

第二電極523可以設(shè)置在中間層522上。在有機發(fā)光顯示設(shè)備2'是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備的實施例中，第二電極523可以包括透明或半透明電極。在有機發(fā)光顯示設(shè)備2'是底發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備的可替換實施例中，第二電極523可以包括反射電極。

在實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備2'還可以包括設(shè)置在第二電極523上的包封基底(未示出)或包封層(未示出)。

根據(jù)實施例，有機發(fā)光顯示設(shè)備2'可以因精細(xì)的接觸孔而被高度集成，并且可以基于因減少損壞的絕緣層的布置而減小的短路危險來展現(xiàn)改善的顯示質(zhì)量。

在下文中，將描述有機發(fā)光顯示設(shè)備的另一個可替換實施例。

圖9是根據(jù)另一個實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

圖9中所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備與圖8中所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備基本相同，在下文中，將省略或簡化圖9中所示的同樣或類似元件的任何重復(fù)的詳細(xì)描述。

參照圖9，有機發(fā)光顯示設(shè)備2”的實施例包括薄膜晶體管陣列基底12”和在薄膜晶體管陣列基底12”上的OLED。在這樣的實施例中，薄膜晶體管陣列基底12”包括：基底610；驅(qū)動晶體管T61的驅(qū)動有源層A61，在基底610上并且包括驅(qū)動源區(qū)S61、驅(qū)動溝道區(qū)C61和驅(qū)動漏區(qū)D61；驅(qū)動源電極SE61，在驅(qū)動有源層A61上并且經(jīng)由驅(qū)動源極接觸孔CH61電連接到驅(qū)動源區(qū)S61；驅(qū)動漏電極DE61，在驅(qū)動有源層A61上并且經(jīng)由驅(qū)動漏極接觸孔CH62電連接到驅(qū)動漏區(qū)D61；底部柵極絕緣層613和頂部柵極絕緣層615，設(shè)置在驅(qū)動有源層A61與驅(qū)動源電極SE61和驅(qū)動漏電極DE61之間，并且包括驅(qū)動源極接觸孔CH61和驅(qū)動漏極接觸孔CH62；第一支撐層6141，在底部柵極絕緣層613和頂部柵極絕緣層615之間并且圍繞驅(qū)動源極接觸孔CH61的至少一部分；第二支撐層6142，在底部柵極絕緣層613和頂部柵極絕緣層615之間并且圍繞驅(qū)動漏極接觸孔CH62的至少一部分。

在這樣的實施例中，掩模圖案616、驅(qū)動晶體管T61的驅(qū)動源電極SE61以及驅(qū)動晶體管T61的驅(qū)動漏電極DE61可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層615上。

在這樣的實施例中，掩模圖案616可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層615與驅(qū)動源電極SE61之間，并且圍繞驅(qū)動源極接觸孔CH61的至少一部分。在這樣的實施例中，掩模圖案616可以設(shè)置在頂部柵極絕緣層615與驅(qū)動漏電極DE61之間，并且圍繞驅(qū)動漏極接觸孔CH62的至少一部分。在這樣的實施例中，掩模圖案616可以包括金屬或由金屬形成。

驅(qū)動源電極SE61和驅(qū)動漏電極DE61可以設(shè)置在掩模圖案616上，以直接接觸掩模圖案616。驅(qū)動源電極SE61的端部和驅(qū)動漏電極DE61的端部可以連接到掩模圖案616的端部而沒有臺階。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。

根據(jù)實施例，即使當(dāng)位于源電極或漏電極的下方的掩模圖案包括金屬并且在源電極或漏電極與掩模圖案之間形成氧化物層時，通過有效地防止因氧化物層導(dǎo)致的像素之間的短路，有機發(fā)光顯示設(shè)備2”也具有改善的顯示質(zhì)量。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例，可以提供一種可以被高度集成并且因在沒有損壞絕緣層的情況下形成的精細(xì)的接觸孔而展現(xiàn)改善的顯示質(zhì)量的薄膜晶體管陣列基底、一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及一種包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發(fā)光顯示設(shè)備。

應(yīng)該理解的是，這里描述的示例性實施例應(yīng)被視為僅僅是描述性的，并不為了限制的目的。對每個示例性實施例中的特征或方面的描述通常應(yīng)該被認(rèn)為可用于其他示例性實施例中的其他相似的特征或方面。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了一個或更多個示例性實施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。