技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有散熱孔的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件包含封裝體及芯片，其中封裝體包覆芯片，而芯片提供半導(dǎo)體封裝件的功能。然而，芯片會產(chǎn)生高熱，且封裝體的熱傳導(dǎo)性通常不佳，導(dǎo)致芯片周圍溫度過高而影響其工作效率。因此，如何驅(qū)散芯片的熱量成為業(yè)界努力重點(diǎn)之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件具有散熱孔可驅(qū)散其芯片的熱量。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片、一封裝體、一導(dǎo)電件及一屏蔽膜。芯片設(shè)置于該導(dǎo)電件上且具有一散熱件貫穿芯片。封裝體包覆芯片及導(dǎo)電件，且具有一外側(cè)面及相對的一上表面及一下表面且包括一第一散熱孔及一第二散熱孔。第一散熱孔從散熱件延伸至該封裝體的該上表面，第二散熱孔從封裝體的上表面延伸至芯片上散熱件以外的一區(qū)域。屏蔽膜形成于封裝體的上表面及外側(cè)面并電性連接導(dǎo)電件。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一基板、一芯片、一封裝體及一屏蔽膜?；灏ㄒ唤拥丶Ｐ酒纬捎诨迳锨译娦赃B接基板，芯片具有一散熱件貫穿該芯片。封裝體包覆芯片且具有一外側(cè)面及相對的一上表面及一下表面且包括一第一散熱孔及一第二散熱孔。第一散熱孔從散熱件延伸至封裝體的上表面，第二散熱孔從封裝體的上表面延伸至芯片上散熱件以外的一區(qū)域。屏蔽膜形成于封裝體的上表面及外側(cè)面并電性連接基板的接地件。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖1B繪示圖1A的俯視圖。

圖2繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖4A繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖4B繪示圖4A的俯視圖。

圖5A繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖5B繪示圖5A的俯視圖。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖7，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖8繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖9A至9G繪示圖1A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

圖10A至10C繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

圖11A至11G繪示圖3的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

圖12A至12F繪示圖4A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

圖13A至13C繪示圖5A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

圖14A至14B繪示圖8的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

主要元件符號說明：

100、200、300、400、500、600、700、800：半導(dǎo)體封裝件

110：芯片

110a：主動面

110b：背面

111、471：散熱件

120：封裝體

120s、120s1、120s2、130s、140s、360s、470s、472s：外側(cè)面

120u、130u、470u：上表面

120b、140b、470b：下表面

121：散熱孔

1211：貫孔

1212：熱導(dǎo)材料

130：導(dǎo)電件

140：屏蔽膜

150：焊球

151：信號焊球

152：接地焊球

153：散熱焊球

360：導(dǎo)電架

470：基板

472：接地件

480：焊線

170：暫時(shí)基板

P、P1、P2：切割道

具體實(shí)施方式

請參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件100包括芯片110、封裝體120、導(dǎo)電件130、屏蔽膜140及焊球150。

芯片110具有相對的主動面110a與背面110b，芯片110以其主動面110a朝下方位設(shè)于導(dǎo)電件130上，且直接或間接接觸于導(dǎo)電件130，藉以通過導(dǎo)電件130電性連接于焊球150。

芯片110可以單層或多層結(jié)構(gòu)。芯片110更包括至少一散熱件111，其中散熱件111從芯片110的主動面110a延伸至芯片110的背面110b，即散熱件111貫穿芯片110。本例中，散熱件111散熱孔，例如，芯片110硅晶圓，而散熱件111硅穿孔(Through-Silicon Via,TSV)，然本發(fā)明實(shí)施例不限于此。另一例中，雖然圖未繪示，然芯片110的散熱件111包括至少一橫向延伸的散熱層及至少一直向延伸的散熱孔，其中散熱層連接于散熱孔，以構(gòu)成一散熱路徑。此外，散熱件111的材料包括導(dǎo)熱性佳的材料，如銅、鋁、金、銀或其組合。

封裝體120包覆芯片110且具有相對的上表面120u及下表面120b且包括至少一散熱孔121，散熱孔121從散熱件111延伸至封裝體120的上表面120u。本例中，散熱孔121及散熱件111沿一直線方向延伸，而共同構(gòu)成一垂直散熱路徑，此垂直散熱路徑較短或最短散熱路徑，可快速地傳導(dǎo)芯片110的熱量H至半導(dǎo)體封裝件100外部。此外，散熱孔121的材料包括導(dǎo)熱性佳的材料，如銅、鋁、金、銀或其組合。

封裝體120更具有外側(cè)面120s，而導(dǎo)電件130具有外側(cè)面130s，由于封裝體120的外側(cè)面120s與導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s于同一切割道中形成，使外側(cè)面120s與導(dǎo)電件130s實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面，如此的切割方法稱為“全穿切(full-cut)”。

封裝體120可包括酚醛基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹脂(epoxy-based resin)、硅基樹脂(silicone-based resin)或其他適當(dāng)?shù)陌矂?。封裝體120亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀的二氧化硅。可利用?shù)種封裝技術(shù)形成封裝體，例如是壓縮成型(compression molding)、注射成型(injection molding)或轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)。

導(dǎo)電件130例如是接墊(pad)或?qū)щ娖?conductive sheet)，其形成于芯片110的主動面110a及封裝體120的下表面120b。導(dǎo)電片另外以板金工法形成的元件。接墊可采用電鍍方法或合適的方法形成，其厚度可薄于導(dǎo)電片。屏蔽膜140形成于導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s，以電性連接于導(dǎo)電件130。此外，導(dǎo)電件130具有下表面130b，屏蔽膜140具有下表面140b，其中導(dǎo)電件130的下表面130b與屏蔽膜140的下表面140b實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面。

屏蔽膜140形成于封裝體120的上表面120u及外側(cè)面120s。本例中，屏蔽膜140共形屏蔽膜(conformal shielding)，亦即其覆蓋封裝體120的整個(gè)上表面120u及整個(gè)外側(cè)面120s，以完整包覆封裝體120，而提供電磁干擾屏蔽作用；然本發(fā)明實(shí)施例不限于此，屏蔽膜140亦可覆蓋封裝體120的部分上表面120u及/或部分外側(cè)面120s。

屏蔽膜140除了提供電磁干擾屏蔽作用，亦提供一大散熱面積。當(dāng)芯片110的熱量傳導(dǎo)至屏蔽膜140后，可通過屏蔽膜140有效地對流或傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝件100外部。

屏蔽膜140的材料鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼或上述材料的組合所制成，其可應(yīng)用例如是化學(xué)蒸鍍(Chemical Vapor Deposition,CVD)、無電鍍(electroless plating)、電鍍、印刷(printing)、噴布(spraying)、濺鍍或真空沉積(vacuum deposition)等技術(shù)制成。屏蔽膜140可以是單層或多層結(jié)構(gòu)，以多層結(jié)構(gòu)來說，屏蔽膜140三層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)層不銹鋼層、中間層銅層，而外層不銹鋼層；或者，屏蔽膜140雙層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)層銅層，而其外層不銹鋼層。

焊球150形成于導(dǎo)電件130上，使半導(dǎo)體封裝件100形成一球柵陣列封裝件；另一例中，可省略焊球150，使半導(dǎo)體封裝件100形成一平面柵格陣列(Land Grid Array,LGA)封裝件。

數(shù)個(gè)焊球150包含至少一信號焊球151，其通過導(dǎo)電件130電性連接于芯片110的主動面110a，以輸出芯片110的信號至半導(dǎo)體封裝件100外的電路元件及/或輸入來自于半導(dǎo)體封裝件100外的信號至芯片110。

數(shù)個(gè)焊球150包含至少一接地焊球152，其通過導(dǎo)電件130電性連接于屏蔽膜140。接地焊球152可電性連接一電子元件的接地端(未繪示)，使屏蔽膜140通過接地焊球152而接地。

數(shù)個(gè)焊球150包含至少一散熱焊球153，芯片110的熱量H可通過散熱件111及散熱焊球153傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝件100外部。經(jīng)由散熱焊球153、散熱件111及散熱孔121，芯片110的熱量H可同時(shí)往上及往下傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝件100外部。本例中，散熱焊球153、散熱件111與散熱孔121共同沿一直線延伸，而構(gòu)成一垂直散熱路徑，此垂直散熱路徑較短或最短散熱路徑，可快速地傳導(dǎo)芯片110的熱量H同時(shí)往上及往下至半導(dǎo)體封裝件100外部。

請參照圖1B，其繪示圖1A的俯視圖。散熱孔121的數(shù)量多個(gè)，其可排列成n×m陣列，其中n及m為相同或相異的正整數(shù)；另一例中，散熱孔121的數(shù)量可以是單個(gè)；然而，本發(fā)明實(shí)施例并不限制散熱孔121的數(shù)量。如圖1B所示，導(dǎo)電件130例如是走線，其可沿曲線及/或直線方向延伸，并可延伸至與芯片110重迭(如上下重迭)而電性連接于芯片110的主動面110a(圖1A)。

請參照圖2，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件200包括芯片110、封裝體120、導(dǎo)電件130、屏蔽膜140及焊球150(選擇性)。

封裝體120具有外側(cè)面120s，而導(dǎo)電件130具有上表面130u，屏蔽膜140形成于封裝體120的外側(cè)面120s及導(dǎo)電件130的上表面130u。導(dǎo)電件130更具有外側(cè)面130s，封裝體120的外側(cè)面120s與導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s分別于二不同切割工藝形成，使封裝體120的外側(cè)面120s相對導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)，如此的切割方法稱為“半穿切(half-cut)”。此外，屏蔽膜140更具有外側(cè)面140s，由于屏蔽膜140的外側(cè)面140s與導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s于同一切割道中形成，使外側(cè)面140s與導(dǎo)電件130s實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面。

請參照圖3，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件300包括芯片110、封裝體120、導(dǎo)電件130、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)及導(dǎo)電架360。

本例中，封裝體120具有第一外側(cè)面120s1及第二外側(cè)面120s2，第一外側(cè)面120s1及第二外側(cè)面120s2分別于二不同切割工藝形成，使第一外側(cè)面120s1相對第二外側(cè)面120s2內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)，如此的切割方法稱“半穿切”。詳細(xì)來說，導(dǎo)電架360具有外側(cè)面360s，封裝體120的第一外側(cè)面120s1與導(dǎo)電架360的外側(cè)面360s于同ㄧ切割工藝形成，使外側(cè)面360s與第一外側(cè)面120s1實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面。此外，屏蔽膜140具有外側(cè)面140s，而導(dǎo)電件130具有外側(cè)面130s，由于屏蔽膜140的外側(cè)面140s、封裝體120的第二外側(cè)面120s2與導(dǎo)電件130的外側(cè)面130s于另一切割工藝中形成，使外側(cè)面140s、第二外側(cè)面120s2與外側(cè)面130s實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面。

導(dǎo)電架360設(shè)于導(dǎo)電件130上。屏蔽膜140形成于導(dǎo)電架360的外側(cè)面360s，且通過導(dǎo)電架360電性連接于導(dǎo)電件130。其中一導(dǎo)電件130接地導(dǎo)電件，使屏蔽膜140通過此接地導(dǎo)電件接地，以疏導(dǎo)一電磁干擾至接地端

請參照圖4A，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件400包括芯片110、封裝體120、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)、基板470及至少一焊線480。

芯片110形成于基板470上。芯片110以其主動面110a朝上方位設(shè)于基板470上，并通過焊線480電性連接于基板470。

基板470可以是單層或多層結(jié)構(gòu)?；?70具有相對的上表面470u與下表面470b，且包括至少一散熱件471，其中散熱件471從上表面470u延伸至上表面470u。芯片110的散熱件111露出其背面110b以連接基板470的散熱件471，并延伸至芯片110的主動面110a。芯片110的熱量可通過基板470的散熱件471、芯片110的散熱件111、散熱焊球153及封裝體120的散熱孔121傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝件400的外部。本例中，基板470的散熱件471、散熱焊球153、散熱件111與散熱孔121共同沿一直線方向延伸，而構(gòu)成一垂直散熱路徑，此垂直散熱路徑較短或最短散熱路徑，可快速地傳導(dǎo)芯片110的熱量H至半導(dǎo)體封裝件400外部。另一例中，雖然圖未繪示，然基板470的散熱件471包括至少一橫向延伸的散熱層及至少一直向延伸的散熱孔，其中散熱層連接于散熱孔，以構(gòu)成一散熱路徑。

基板470更包括至少一接地件472，其延伸于基板470的上表面470u與下表面470b之間，本例從上表面470u延伸至下表面470b為例說明。雖然圖未繪示，然接地件472可通過基板470的導(dǎo)電層(未繪示)電性連接于焊線480及/或焊球150，藉以電性連接至接地端。

請參照圖4B，其繪示圖4A的俯視圖。接地件472的數(shù)量多個(gè)，其圍繞芯片110，而提供芯片110電磁感擾屏蔽功能。此外，基板470具有外側(cè)面470s，而封裝體120具有外側(cè)面120s，由于外側(cè)面470s與外側(cè)面120s于同一切割道中形成，使外側(cè)面470s與外側(cè)面120s實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面，如此的切割方法稱為“全穿切”。

請參照圖5A，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件500包括芯片110、封裝體120、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)、基板470及至少一焊線480。

芯片110設(shè)置于基板470上。芯片110以其主動面110a朝上方位設(shè)于基板470上，并通過焊線480電性連接于基板470。

請參照圖5B，其繪示圖5A的俯視圖。封裝體120具有外側(cè)面120s，而基板470具有外側(cè)面470s，由于外側(cè)面120s與外側(cè)面470s分別于二不同切割工藝形成，使外側(cè)面120s相對外側(cè)面470s內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)，如此的切割方法稱為“半穿切”。

請參照圖6，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件600包括芯片110、封裝體120、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)及基板470。相較于半導(dǎo)體封裝件400，本例的芯片110以其主動面110a朝下方位設(shè)于基板470上，且以至少一焊球電性連接于基板470。

請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件700包括芯片110、封裝體120、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)及基板470。相較于半導(dǎo)體封裝件600，本例的芯片110省略散熱件111，通過封裝體120的散熱孔121仍可傳導(dǎo)芯片110的熱量至半導(dǎo)體封裝件700外部。

請參照圖8，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件800包括芯片110、封裝體120、屏蔽膜140、焊球150(選擇性)及基板470。本例中，封裝體120省略散熱孔121。封裝體120具有上表面120u，芯片110的背面110b從封裝體120的上表面120u露出，其中封裝體120的上表面120u與芯片110的背面110b實(shí)質(zhì)上對齊，例如是共面。

請參照圖9A至9G，其繪示圖1A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖9A所示，提供暫時(shí)基板170。

如圖9A所示，形成至少一導(dǎo)電件130于暫時(shí)基板170上。本例中，導(dǎo)電件130導(dǎo)電片，其可采用例如是表面黏貼技術(shù)(SMT)放置于暫時(shí)基板170上。另一例中，導(dǎo)電件130亦可采用電鍍方式形成。

如圖9B所示，設(shè)置至少一芯片110于導(dǎo)電件130上，其中芯片110具有主動面110a及背面110b且包括至少一散熱件111，其中散熱件111從芯片110的主動面110a延伸至芯片110的背面110b。芯片110以其主動面110a朝下方位設(shè)置于導(dǎo)電件130上，其中散熱件111接觸導(dǎo)電件130。

如圖9C所示，可采用例如是壓縮成型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成封裝體120包覆芯片110及導(dǎo)電件130，其中封裝體120具有相對的上表面120u及下表面120b。

如圖9D所示，可采用例如是激光，形成至少一貫孔1211從封裝體120的上表面120u延伸至芯片110的背面110b，例如是延伸至散熱件111及/或芯片110的散熱件111以外的區(qū)域。

如圖9E所示，可采用例如材料形成技術(shù)，形成至少一熱導(dǎo)材料1212填入貫孔1211，其中熱導(dǎo)材料1212與貫孔1211構(gòu)成散熱孔121。熱導(dǎo)材料1212例如是銅、鋁、金、銀或其組合。此處的材料形成技術(shù)例如是化學(xué)氣相沉積、無電鍍法(electroless plating)、電解電鍍(electrolytic plating)、印刷、旋涂、噴涂、濺鍍(sputtering)或真空沉積法(vacuum deposition)。

如圖9F所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一切割道P經(jīng)過整個(gè)封裝體120、整個(gè)導(dǎo)電件130及部分暫時(shí)基板170，以完全切斷封裝體120及導(dǎo)電件130，如此的切割方法稱“全穿切”。切割后，封裝體120及導(dǎo)電件130分別形成外側(cè)面120s及130s，其中外側(cè)面120s及130s實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。

散熱件111與散熱孔121共同沿一直線方向延伸，而構(gòu)成一垂直散熱路徑，此垂直散熱路徑較短或最短散熱路徑，可快速地傳導(dǎo)芯片110的熱量H至半導(dǎo)體封裝件400外部。

如圖9G所示，可采用上述材料形成技術(shù)，形成屏蔽膜140于封裝體120的上表面120u及外側(cè)面120s上，其中屏蔽膜140電性接觸散熱孔121。當(dāng)芯片110的熱量H傳導(dǎo)至屏蔽膜140后，可通過屏蔽膜140的大面積進(jìn)行有效的散熱。

形成屏蔽膜140后，可移除暫時(shí)基板170，以露出導(dǎo)電件130的下表面；然后，形成圖1A的焊球150及散熱焊球153于導(dǎo)電件130的下表面，而形成至少一圖1A所示的半導(dǎo)體封裝件100。另一例中，焊球150及散熱焊球153可于切割道P形成前形成。另一例中，亦可不形成焊球150于導(dǎo)電件130上。

請參照圖10A至10C，其繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖10A所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第一切割道P1經(jīng)過封裝體120直到露出導(dǎo)電件130的上表面130u；或者，第一切割道P1可經(jīng)過部分導(dǎo)電件130但不切斷導(dǎo)電件130。切割后，封裝體120形成外側(cè)面120s。

如圖10B所示，可采用上述材料形成技術(shù)，形成屏蔽膜140覆蓋封裝體120的上表面120u及外側(cè)面120s上。本例中，屏蔽膜140覆蓋封裝體120的整個(gè)上表面120u及整個(gè)外側(cè)面120s，而形成一共形屏蔽膜。

如圖10C所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第二切割道P2經(jīng)過第一切割道P1、屏蔽膜140、導(dǎo)電件130及部分暫時(shí)基板170，以完全切斷屏蔽膜140及導(dǎo)電件130。本例的半導(dǎo)體封裝件200采用多個(gè)切割工藝完成，如此的切割方法稱“半穿切”。

形成屏蔽膜140后，可移除暫時(shí)基板170，以露出導(dǎo)電件130的下表面；然后，形成圖2的焊球150及散熱焊球153于導(dǎo)電件130的下表面，而形成至少一圖2所示的半導(dǎo)體封裝件200。另一例中，焊球150及散熱焊球153可于第一切割道P1或第二切割道P2形成前形成。另一例中，亦可不形成焊球150及散熱焊球153于導(dǎo)電件130上。

請參照圖11A至11G，其繪示圖3的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖11A所示，可采用例如是表面黏貼技術(shù)，設(shè)置至少一導(dǎo)電架360于導(dǎo)電件130上。導(dǎo)電架360橫跨在相鄰二導(dǎo)電件130之間。

如圖11B所示，可采用例如是壓縮成型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成封裝體120包覆芯片110、導(dǎo)電件130及導(dǎo)電架360，其中封裝體120具有相對的上表面120u及下表面120b。

如圖11C所示，可采用例如是激光，形成至少一貫孔1211從封裝體120的上表面120u延伸至芯片110的背面110b，例如是延伸至散熱件111及/或芯片110的散熱件111以外的區(qū)域。

如圖11D所示，可采用例如上述材料形成技術(shù)，形成至少一熱導(dǎo)材料1212填入貫孔1211，其中熱導(dǎo)材料1212與貫孔1211構(gòu)成散熱孔121。

如圖11E所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第一切割道P1經(jīng)過部分封裝體120及至少部分的導(dǎo)電架360。切割后，封裝體120及導(dǎo)電架360分別形成第一外側(cè)面120s1及外側(cè)面360s，其中第一外側(cè)面120s1與外側(cè)面360s實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。

如圖11F所示，可采用上述材料形成技術(shù)，形成屏蔽膜140覆蓋封裝體120的上表面120u、第一外側(cè)面120s1及導(dǎo)電架360的外側(cè)面360s。

如圖11G所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第二切割道P2經(jīng)過第一切割道P1、屏蔽膜140及部分暫時(shí)基板170，以完全切斷封裝體120、屏蔽膜140及導(dǎo)電件130。切割后，封裝體120、屏蔽膜140及導(dǎo)電件130分別形成第二外側(cè)面120s2、外側(cè)面140s及外側(cè)面130s，其中第二外側(cè)面120s2、外側(cè)面140s與外側(cè)面130s實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。本例的半導(dǎo)體封裝件300采用多個(gè)切割工藝完成，如此的切割方法稱“半穿切”。

形成屏蔽膜140后，可移除暫時(shí)基板170，以露出基板導(dǎo)電件130的下表面；然后，形成圖3的焊球150及散熱焊球153于導(dǎo)電件130的下表面，而形成至少一圖3所示的半導(dǎo)體封裝件300。另一例中，焊球150及散熱焊球153可于第一切割道P1或第二切割道P2形成前形成。另一例中，亦可不形成焊球150及散熱焊球153于導(dǎo)電件130上。

請參照圖12A至12F，其繪示圖4A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖12A所示，設(shè)置至少一芯片110于基板470上，其中芯片110具有主動面110a及背面110b且包括至少一散熱件111，其中散熱件111從芯片110的主動面110a延伸至芯片110的背面110b，且接觸基板470的散熱件471。芯片110以其主動面110a朝上方位設(shè)于導(dǎo)電件130上，并通過至少一焊線480電性連接于基板470。

如圖12B所示，可采用例如是壓縮成型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成封裝體120包覆芯片110及焊線480，其中封裝體120具有相對的上表面120u及下表面120b。

如圖12C所示，可采用例如是激光，形成至少一貫孔1211從封裝體120的上表面120u延伸至芯片110的主動面110a，例如是延伸至散熱件111及/或芯片110的散熱件111以外的區(qū)域。

如圖12D所示，可采用例如是上述材料形成技術(shù)，形成至少一熱導(dǎo)材料1212填入貫孔1211，其中熱導(dǎo)材料1212與貫孔1211構(gòu)成散熱孔121。

如圖12E所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一切割道P經(jīng)過封裝體120及基板470的接地件472，以完全切斷封裝體120及基板470的接地件472，如此的切割方法稱“全穿切”。切割后，封裝體120及基板470的接地件472分別形成外側(cè)面120s及472s，其中外側(cè)面120s及130s實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。

如圖12F所示，可采用上述材料形成技術(shù)，形成屏蔽膜140于封裝體120的上表面120u、外側(cè)面120s及接地件472的外側(cè)面472s上。

形成屏蔽膜140后，可形成圖4A的焊球150及散熱焊球153于基板470的下表面，而形成至少一圖4A所示的半導(dǎo)體封裝件400。另一例中，焊球150及散熱焊球153可于切割道P形成前形成。另一例中，亦可不形成焊球150于基板470上。

請參照圖13A至13C，其繪示圖5A的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖13A所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第一切割道P1經(jīng)過封裝體120直到露出基板470的接地件472。切割后，封裝體120形成外側(cè)面120s；或者，第一切割道P1可經(jīng)過整個(gè)封裝體120及部分接地件472，但不切斷接地件472。

如圖13B所示，可采用上述材料形成技術(shù)，形成屏蔽膜140覆蓋封裝體120的上表面120u、外側(cè)面120s及露出的接地件472。

如圖13C所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第二切割道P2經(jīng)過第一切割道P1、屏蔽膜140及基板470的接地件472，以完全切斷屏蔽膜140及基板470的接地件472。另一例中，第二切割道P2先后經(jīng)過基板470及屏蔽膜140至第一切割道P1，而完全切斷基板470及屏蔽膜140。本例的半導(dǎo)體封裝件500采用多個(gè)切割工藝完成，如此的切割方法稱“半穿切”。

形成屏蔽膜140后，可形成圖5的焊球150及散熱焊球153于基板470的下表面，而形成至少一圖5所示的半導(dǎo)體封裝件500。另一例中，焊球150及散熱焊球153可于第一切割道P1或第二切割道P2形成前形成。另一例中，亦可不形成焊球150于基板470上。

圖6的半導(dǎo)體封裝件600的制造方法相似于圖4A，容此不再贅述。圖7的半導(dǎo)體封裝件700的制造方法相似于圖4A，容此不再贅述。

請參照圖14A至14B，其繪示圖8的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。

如圖14A所示，可采用例如是壓縮成型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成封裝體120包覆芯片110。

如圖14B所示，可采用材料移除技術(shù)移除封裝體120部分材料，例如研磨(Grinding)，直到露出芯片110的散熱件111及封裝體120的上表面120u。移除封裝體120部分材料后，芯片110的背面110b及封裝體120的上表面120u實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。本例中，由于芯片110上方的封裝體材料被移除，故芯片110上方可不形成散熱孔121。芯片110通過自身的散熱件111仍可散熱。

半導(dǎo)體封裝件800的其余步驟相似于上述半導(dǎo)體封裝件400的對應(yīng)步驟，容此不再贅述。

綜上可知，半導(dǎo)體封裝件可采用全穿切或半穿切方法完成切割。以半穿切來說，封裝體形成第一外側(cè)面及第二外側(cè)面，其中封裝體的第一外側(cè)面相對封裝體的第二外側(cè)面內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)；或者，封裝體與基板各形成一外側(cè)面，其中封裝體與基板的一者的外側(cè)面相對另一者的外側(cè)面內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)；或者，基板形成第一外側(cè)面及第二外側(cè)面，其中基板的第一外側(cè)面相對基板的第二外側(cè)面內(nèi)凹而形成一橫向段差結(jié)構(gòu)。以全穿切來說，半導(dǎo)體封裝件的整個(gè)外側(cè)面實(shí)質(zhì)上對齊，如共面。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。