1.一種全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，包括襯底、沉積于襯底上的N型半導(dǎo)體、分別沉積于N型半導(dǎo)體兩側(cè)臺(tái)階上的量子點(diǎn)和N型電極、依次沉積于量子點(diǎn)上的P型半導(dǎo)體和P型電極；
所述N型半導(dǎo)體為n-GeAs、n-GeSb、n-SiAs、n-SiSb中的一種；
所P型半導(dǎo)體為p-GeAs、p-GeSb、p-SiAs、p-SiSb中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述襯底為鋼性襯底或柔性襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述鋼性襯底為紅包石、尖晶石、二氧化硅、玻璃中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述柔性襯底為聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚苯乙烯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚乙烯醇膜中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述量子點(diǎn)為核殼量子點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述核殼量子點(diǎn)的核為CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、PbSeS、InP、GaP、CuInS、CuGaS中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述核殼量子點(diǎn)的殼為ZnS、ZnSe、CdS中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述型電極為Al、Ti/Al、LiF/Al、Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ag、Ca/Ag、BaF2、BaF2/Al、BaF2/Ag、BaF2/Ca/Al、BaF2/Ca、Ag、Mg、CsF/Al、CsCO3/Al中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全無(wú)機(jī)QLED，其特征在于，所述P型電極為銦錫氧化物、氟摻氧化錫、銦鋅氧化物、鋁摻氧化鋅、鎵摻氧化鋅、鎘摻氧化鋅、銅銦氧化物、氧化錫、氧化鋯、石墨烯、納米碳管、鎳、金、鉑、鈀中的一種或多種。
10.一種如權(quán)利要求1~9任一所述的全無(wú)機(jī)QLED的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、準(zhǔn)備一襯底；
B、在襯底上沉積N型半導(dǎo)體；
C、在N型半導(dǎo)體兩側(cè)臺(tái)階上分別沉積量子點(diǎn)和N型電極；
D、在量子點(diǎn)上依次沉積P型半導(dǎo)體和P型電極，得到全無(wú)機(jī)QLED；
所述N型半導(dǎo)體為n-GeAs、n-GeSb、n-SiAs、n-SiSb中的一種；
所述P型半導(dǎo)體為p-GeAs、p-GeSb、p-SiAs、p-SiSb中的一種。