本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種柔性顯示器及其制備方法。

背景技術(shù)：

柔性顯示器具有諸多優(yōu)點(diǎn)，例如耐沖擊，抗震能力強(qiáng)，重量輕、體積小，攜帶更加方便等特點(diǎn)。

目前主要的柔性顯示器大致可分為三種：電子紙(或柔性電泳顯示)、柔性有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)和柔性液晶等。

柔性屏體最大的特征就是可彎可折。在屏體彎折過程中，最容易引起失效損傷的是金屬與無(wú)機(jī)膜之間的接觸界面。由于疲勞特性的差異較大，在彎折時(shí)，無(wú)機(jī)膜易產(chǎn)生裂紋，金屬層易被無(wú)機(jī)層應(yīng)力破壞。

針對(duì)上述的技術(shù)問題，現(xiàn)有技術(shù)中，采用在金屬層和絕緣層之間直接設(shè)置緩沖層，以此實(shí)現(xiàn)彎曲過程的應(yīng)力能吸收。但是，形成該緩沖層的方法和結(jié)構(gòu)也未能很好解決彎曲過程對(duì)金屬電極的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的包括提供一種柔性顯示器及其制備方法，以解決現(xiàn)有柔性顯示器在彎曲時(shí)，損壞金屬電極而降低顯示效果的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種柔性顯示器的制備方法，該制備方法包括：

在柔性基板上由下至上依序形成溝道層、柵絕緣層、第一電極層和介質(zhì)層，介質(zhì)層包覆第一電極層并與柵絕緣層貼合疊加；

在介質(zhì)層和柵絕緣層中形成貫穿該介質(zhì)層和柵絕緣層的第一孔，該第一孔終止于溝道層上表面；

在第一孔處形成有至少能夠完全涂覆該第一孔表面的能夠吸收應(yīng)力的有機(jī)填充物；

去除部分有機(jī)填充物形成第二孔，該第二孔和第一孔之間形成具有吸收應(yīng)力的有機(jī)物層；

在第二孔沉積第二電極層。

進(jìn)一步地，形成有機(jī)填充物時(shí)，將第一孔布滿。

進(jìn)一步地，通過涂布方式或者打印加工工藝形成所述有機(jī)填充物。

進(jìn)一步地，所述第二孔縱截面為梯形、矩形或三角形。

進(jìn)一步地，采用掩膜工藝在有機(jī)填充物中形成所述第二孔。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種柔性顯示器，包括：

柔性基板；

在柔性基板上自下而上設(shè)置的溝道層、柵絕緣層、第一電極層和介質(zhì)層，其中，介質(zhì)層包覆第一電極層并與柵絕緣層貼合疊加；

第一孔，貫穿于介質(zhì)層和柵絕緣層并終止于溝道層上表面；

有機(jī)物層，被粘附于第一孔的表面，能夠吸收應(yīng)力；以及

第二電極層，沉積于第二孔。

進(jìn)一步地，有機(jī)物層由至少能夠完全涂覆在第一孔表面的有機(jī)填充物去除一部分后得到，該有機(jī)填充物填滿第一孔。

進(jìn)一步地，所述有機(jī)填充物通過涂布方式或者打印加工工藝形成。

進(jìn)一步地，所述第二孔縱截面為梯形、矩形或三角形。

進(jìn)一步地，所述第二孔采用掩膜工藝在有機(jī)填充物中形成。

本發(fā)明提供的柔性顯示器及其制備方法，在介質(zhì)層和柵絕緣層設(shè)置貫穿該二者并終止于溝道層上表面的第一孔，在第一孔內(nèi)設(shè)置有機(jī)物層，再在有機(jī)物層中形成第二孔，在第二孔沉積第二電極層。通過該方案，能夠避免在彎折柔性顯示器的時(shí)候損壞金屬電極，提高顯示穩(wěn)定性。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種柔性顯示器的制備方法的流程示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖2中A的局部放大圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的開設(shè)第一孔后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的填充有機(jī)填充物后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的開設(shè)第二孔后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的一種柔性顯示器及其制備方法及其具體實(shí)施方式、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效，詳細(xì)說明如后。

有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過具體實(shí)施方式的說明，當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

請(qǐng)參考圖1至圖3，圖1為一種柔性顯示器的制備方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中A的局部放大圖。如圖2所示，該柔性顯示器包括柔性基板11，在該柔性基板11上由下至上依序設(shè)置溝道層12、柵絕緣層13、第一電極層14和介質(zhì)層15，其中，介質(zhì)層15包覆第一電極層14并與柵絕緣層13貼合疊加；在該溝道層12、柵絕緣層13、第一電極層14和介質(zhì)層15形成的疊層結(jié)構(gòu)中形成有第一孔16，具體，該第一孔16貫穿于介質(zhì)層15和柵絕緣層13并終止于溝道層12上表面；本實(shí)施例中，在該第一孔16上具有有機(jī)物層17，該有機(jī)物層17被粘附于第一孔16的表面，能夠吸收應(yīng)力，該有機(jī)物層17由至少能夠完全涂覆在第一孔16表面的有機(jī)填充物18去除一部分后得到；有機(jī)物層17構(gòu)成了第二孔19，在該第二孔19內(nèi)沉積第二電極層20。詳細(xì)地，上述柔性顯示器通過以下方法得到，如圖1所示。具體為：在柔性基板上由下至上依序形成溝道層、柵絕緣層、第一電極層和介質(zhì)層，介質(zhì)層包覆第一電極層并與柵絕緣層貼合疊加；在介質(zhì)層和柵絕緣層中形成貫穿該介質(zhì)層和柵絕緣層的第一孔，該第一孔終止于溝道層上表面；在第一孔處形成有至少能夠完全涂覆該第一孔表面的能夠吸收應(yīng)力的有機(jī)填充物；去除部分有機(jī)填充物形成第二孔，該第二孔和第一孔之間形成具有吸收應(yīng)力的有機(jī)物層；在第二孔沉積第二電極層。

執(zhí)行步驟：在柔性基板上由下至上依序形成溝道層、柵絕緣層、第一電極層和介質(zhì)層，介質(zhì)層包覆第一電極層并與柵絕緣層貼合疊加。

該溝道層12為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層，即為薄膜晶體管(TFT)中的溝道層，該溝道層12決定了薄膜晶體管(TFT)中工作性能，其應(yīng)當(dāng)具有低功耗、響應(yīng)快以及工藝簡(jiǎn)單等功能。在本實(shí)施例中，該溝道層12可以為a-Si、p-Si、氧化物半導(dǎo)體或者其他形式半導(dǎo)體層，目的在于保證薄膜晶體管的工作性能，在本實(shí)施例不進(jìn)行贅述。具體在形成的時(shí)候，當(dāng)選用a-Si半導(dǎo)體材料時(shí)，采用化學(xué)氣相沉積方法制備；當(dāng)選用p-Si半導(dǎo)體材料制備該溝道層12的時(shí)候，則采用準(zhǔn)分子激光退火工藝制備；當(dāng)使用氧化物半導(dǎo)體制備該溝道層12時(shí)，則采用PVD物理氣相沉積工藝。由于上述工藝方法為目前半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的普遍工藝，因此不贅述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)是理解的，并且是可實(shí)現(xiàn)的。

柵絕緣層13為薄膜晶體管(TFT)的絕緣層，在本實(shí)施例中采用至少兩層結(jié)構(gòu)，可采用SiOx、TEOS、SiNx、SiNO等物質(zhì)制備，具體在生產(chǎn)的時(shí)候，可采用PECVD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或其他工藝制備。在制備該柵絕緣層13的時(shí)候，該柵絕緣層13將所述的溝道層12裹附，并且部分與柔性基板11貼合。

第一電極層14，作為導(dǎo)電電極，可采用Mo金屬通過PVD物理氣相沉積工藝制備，該層設(shè)置于所述柵絕緣層13上。

介質(zhì)層15，作為電極層和器件之間的絕緣層，其結(jié)構(gòu)采用至少兩層結(jié)構(gòu)，可采用SiOX、SiNx、SiNO等物質(zhì)制備，具體在生產(chǎn)的時(shí)候，可采用PECVD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或其他工藝。這些工藝是本領(lǐng)域常用的，不做贅述。

執(zhí)行步驟：在介質(zhì)層和柵絕緣層中形成貫穿該介質(zhì)層和柵絕緣層的第一孔，該第一孔終止于溝道層上表面。

為了解決電極層在使用彎曲過程中發(fā)生損壞，因此，本實(shí)施例中采用了有機(jī)物層17實(shí)現(xiàn)緩沖以吸附應(yīng)力能。請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的開設(shè)第一孔后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，設(shè)置了第一孔16，該第一孔16貫穿了介質(zhì)層15和柵絕緣層13，即由介質(zhì)層15的上表面開始延伸至柵絕緣層13的下表面，并終止與溝道層12的上表面。在形成該第一孔16的時(shí)候，采用干法刻蝕的方法得到，當(dāng)然也可以通過濕法刻蝕得到。干法刻蝕的時(shí)候，可以采用物理化學(xué)性刻蝕，通過活性離子對(duì)襯底的物理作用和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕，具有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。該法是集成電路制造工藝的通用方法，本領(lǐng)域的人員是應(yīng)當(dāng)可以實(shí)現(xiàn)的，此處不贅述。得到的第一孔16根據(jù)第二電極層20的需求選擇不同的刻蝕尺寸和形狀。在本實(shí)施例中，該第一孔16的縱截面為梯形狀。同樣，為了滿足不同的需求，該第一孔16可以是其他能夠滿足第二電極層20使用的任意形狀，例如為矩形或三角形狀等。

執(zhí)行步驟：在第一孔處形成有至少能夠完全涂覆該第一孔表面的能夠吸收應(yīng)力的有機(jī)填充物。請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的填充有機(jī)填充物后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，由于第一孔16是用于收容材質(zhì)為金屬的第二電極層20，為了保證在彎折時(shí)減少對(duì)該第二電極層20的損壞，得到了第一孔16后，在該第一孔16形成用于吸收應(yīng)力能的緩沖層。具體，通過涂布方式或者打印方式在該第一孔16內(nèi)填充有機(jī)填充物18，例如曝光制程中光刻膠的成膜工藝采用涂布工藝，如墨水性質(zhì)OLED材料，可以用噴墨打印方式實(shí)現(xiàn)。具體，該有機(jī)填充物18至少要能夠涂覆該第一孔16的表面，且具有一定的厚度，例如最薄處的厚度應(yīng)當(dāng)大于1微米。為了提高制備的便利性，有機(jī)填充物18布滿該第一孔16。其中有機(jī)填充物18可以是丙烯酸樹脂或者感光樹脂材料或者透明樹脂材料。填充時(shí)，有機(jī)填充物18是通過溶液的形式在第一孔16內(nèi)形成的，需要一定的時(shí)間穩(wěn)定，故而，需要采用升溫的方式烘干。另外，該有機(jī)填充物18采用樹脂材料。

執(zhí)行步驟：去除部分有機(jī)填充物形成第二孔，該第二孔和第一孔之間形成具有吸收應(yīng)力的有機(jī)物層。請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種柔性顯示器的開設(shè)第二孔后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，待有機(jī)填充物18穩(wěn)定后，去除部分有機(jī)填充物18，然后在第一孔16的表面形成具有吸收應(yīng)力能的有機(jī)物層17，該有機(jī)物層17是完全封閉了該第一孔16的內(nèi)表面，該有機(jī)物層17是具有均勻厚度的，厚度最好在于2-4微米之間。具體在形成該有機(jī)物層17的時(shí)候，采用掩膜工藝得到。該有機(jī)物層17形成第二孔19。

執(zhí)行步驟：在第二孔沉積第二電極層。在完成有機(jī)物層17的形成后，在第二孔19上沉積第二電極層20。第二電極層20可以采用Mo、Al等材料制備，通過PVD物理氣相沉積工藝得到。該第二電極層20的材料可以與第一電極層14是相同的，也可以不同。沉積第二電極層20時(shí)，將第二孔19填滿并封閉該第二孔19，然后該第二電極層20也可以部分覆蓋在介質(zhì)層15的上表面。同時(shí)，當(dāng)該第二電極層20部分覆蓋在介質(zhì)層15的上端面時(shí)，與介質(zhì)層15結(jié)合的部分也設(shè)置有機(jī)物層，以此緩沖在彎折過程中產(chǎn)生的應(yīng)變。在本發(fā)明實(shí)施例中，該第二孔19縱截面為梯形狀、矩形或三角形等。

當(dāng)形成了第二電極層20后，使用掩膜工藝完成第二電極層20的圖形化。目的在于實(shí)現(xiàn)金屬電極和金屬走線功能。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述所揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許變更或修飾等，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。