1.一種晶硅柔性電池，其特征在于，所述晶硅柔性電池包括封裝膜和設于封裝膜內的電池組件，所述電池組件由下至上依次由鋁背電極層、單晶硅基底層、圓柱形硅陣列結構層、PN結層、SiNx鈍化層和ITO薄膜層組成。
2.根據權利要求1所述的晶硅柔性電池，其特征在于，所述圓柱形硅陣列結構層的陣列單元的直徑為1μm～2μm，陣列單元的高為2μm～4μm，相鄰陣列單元之間的中心間距為3μm～8μm；和/或，所述PN結層的結深為0.2μm～0.42μm；和/或，所述SiNx鈍化層中，Si與N的原子比在0.743與1.014之間，所述SiNx鈍化層的厚度為50nm～80nm。
3.根據權利要求1或2所述的晶硅柔性電池，其特征在于，所述單晶硅基底層的厚度為20μm～100μm；和/或，所述ITO薄膜層的光透過率T＞90％，電阻率ρ＜4×10-4Ω·cm，折射率n為2.1～2.5。
4.一種如權利要求1～3中任一項所述的晶硅柔性電池的制備方法，包括以下步驟：
(1)化學刻蝕：在單晶硅上進行化學刻蝕，刻蝕出圓柱形硅陣列結構，得到圓柱形硅陣列結構層；
(2)擴散：在圓柱形硅陣列結構層上采用擴散工藝制備PN結，得到PN結層；
(3)制備SiNx鈍化層：在PN結層上采用PECVD工藝制備SiNx鈍化層；
(4)鍍ITO薄膜層：在SiNx鈍化層上采用PECVD工藝鍍ITO薄膜，得到ITO薄膜層；
(5)刻蝕硅背面：在步驟(1)保留的單晶硅背面進行刻蝕剪薄，得到單晶硅基底層；
(6)鍍鋁背電極：在單晶硅基底層的背面絲網印刷鋁漿，經燒結后，得到鋁背電極層；
(7)封裝：將步驟(1)～(6)分別制備的各結構層組成的電池組件進行封裝，得到晶硅柔性電池。
5.根據權利要求4所述的晶硅柔性電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述擴散工藝包括如下過程：先在O2和N2氣氛中于600℃～800℃下氧化3min～5min，然后通POCl3、O2和N2，在擴散溫度為800℃～825℃下擴散3min～5min，再升高溫度至810℃～835℃，在POCl3、O2和N2氣氛中深擴散3min～5min，進一步推深PN結。
6.根據權利要求4所述的晶硅柔性電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，所述PECVD工藝的條件為：真空壓力為180Pa～230Pa，鍍膜溫度為430℃～450℃，通入SiH4和NH3，SiH4與NH3的氣體流量比為4200∶500，射頻功率為3500W～4000W。
7.根據權利要求4～6中任一項所述的晶硅柔性電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(6)中，所述燒結過程如下：先將鋁漿烘干，烘干溫度為100℃～200℃，烘干時間為10min～20min，然后在400℃～450℃下燒結30min～60min，再于600℃～900℃下燒結10min～25min，形成歐姆接觸。
8.根據權利要求4～6中任一項所述的晶硅柔性電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)中，所述封裝的材料為聚二甲基硅氧烷。