本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是指一種屏蔽柵溝槽型MOSFET工藝方法。

背景技術(shù)：

屏蔽柵溝槽型MOSFET，作為一種功率器件，具有擊穿電壓高，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快的特點。如圖1所示，溝槽內(nèi)填充多晶硅，多晶硅分為兩部分：位于溝槽下部的多晶硅形成屏蔽柵多晶硅4，位于溝槽上部的多晶硅構(gòu)成多晶硅柵極6,兩層多晶硅之間隔有氧化硅膜層5。

當(dāng)前屏蔽柵溝槽型MOSFET的制造工藝，由于在多晶硅間氧化膜濕法刻蝕時會沿著光刻膠下方橫向刻蝕，且橫向刻蝕量不穩(wěn)定，所以，在有源區(qū)溝槽和終端區(qū)溝槽之間要放1～2個贗溝槽(dummy trench)，如圖1中1是有源區(qū)溝槽，3是終端區(qū)溝槽，2即為dummy trench。

具體的工藝來說，是在溝槽刻蝕形成之后，先淀積一層氧化膜，然后在溝槽中淀積填充多晶硅，之后進行回刻，將有源區(qū)溝槽的上半部多晶硅刻蝕掉，留下溝槽下半部的對晶硅，然后淀積層間氧化層并進行化學(xué)機械平坦化，再涂覆光刻膠定義出圖形，采用濕法刻蝕氧化硅，如圖2所示，濕法刻蝕在光刻膠下形成橫向的鉆蝕，在去除光刻膠后，可以看到光刻膠邊緣處溝槽內(nèi)壁氧化硅過刻蝕形成氧化硅空洞，在后續(xù)進行柵極多晶硅形成過程中會在原溝槽內(nèi)壁氧化硅空洞處殘留多晶硅，如圖1中虛線圈注處，造成工藝的不穩(wěn)定。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種屏蔽柵溝槽型MOSFET工藝方法，能節(jié)省管芯面積，同時提高工藝穩(wěn)定性。

為解決上述問題，本發(fā)明所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET工藝方法，包含如下的工藝步驟：

第1步，在硅片上刻蝕溝槽，淀積一層氧化膜，然后填充多晶硅并回刻；

第2步，再淀積一層氧化膜并進行化學(xué)機械研磨；

第3步，進行氧化硅刻蝕，將硅片表面的氧化硅去除；

第4步，光刻膠定義出圖形，進行有源區(qū)溝槽的氧化硅刻蝕；

第5步，剝離光刻膠，生長柵氧化膜，淀積多晶硅并回刻。

進一步地，所述第1步中，對有源區(qū)溝槽進行多晶硅回刻，保留有源區(qū)溝槽內(nèi)下部的多晶硅以形成屏蔽柵。

進一步地，所述第2步中，淀積的氧化膜作為層間氧化膜，化學(xué)機械研磨后殘留的氧化膜厚度不大于

進一步地，所述第3步中，所述的氧化硅刻蝕采用濕法刻蝕。

進一步地，所述第4步中，對有源區(qū)溝槽的氧化硅進行刻蝕，形成有源區(qū)溝槽內(nèi)多晶硅柵極與屏蔽柵之間的隔離介質(zhì)層。

進一步地，所述第5步中，淀積多晶硅并回刻至硅片表面，溝槽內(nèi)填充的多晶硅與硅片表面平齊，形成多晶硅柵極。

本發(fā)明所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET工藝方法，相比于傳統(tǒng)工藝，在層間氧化硅化學(xué)機械研磨之后增加一步濕法刻蝕，將硅片表面的氧化硅膜去除，避免了傳統(tǒng)工藝中多晶硅層間氧化膜濕法刻蝕時沿著光刻膠邊緣下方橫向刻蝕，因此，在版圖設(shè)計時就不再需要放置dummy trench，節(jié)省了管芯面積，同時增加了工藝穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是屏蔽柵MOSFET的剖面示意圖。

圖2是傳統(tǒng)工藝氧化硅濕法刻蝕的工藝示意圖，光刻膠下的氧化膜出現(xiàn)橫向刻蝕，溝槽內(nèi)壁的氧化膜層出現(xiàn)空洞。

圖3是傳統(tǒng)工藝溝槽內(nèi)壁的氧化膜層空洞處出現(xiàn)多晶硅殘留示意圖。

圖4～8是本發(fā)明各步工藝示意圖。

圖9是本發(fā)明工藝流程圖。

附圖標(biāo)記說明

1是有源區(qū)溝槽，2是dummy trench,3是終端區(qū)溝槽，4是屏蔽柵多晶硅，5是層間氧化膜，6是多晶硅(柵極)，7是光刻膠。

具體實施方式

本發(fā)明所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET工藝方法，包含如下的工藝步驟：

第1步，如圖4所示，在硅片上刻蝕溝槽，包括有源區(qū)溝槽1及終端區(qū)溝槽3。淀積一層氧化膜，氧化膜5覆蓋硅片表面及溝槽內(nèi)壁。然后淀積多晶硅，使溝槽內(nèi)填充滿多晶硅。再對有源區(qū)溝槽進行多晶硅回刻，保留有源區(qū)溝槽內(nèi)下部的多晶硅以形成屏蔽柵4。

第2步，如圖5所示，再淀積一層氧化膜并進行化學(xué)機械研磨；淀積的氧化膜作為層間氧化膜5，化學(xué)機械研磨后殘留的氧化膜厚度不大于

第3步，進行氧化硅的濕法刻蝕，將硅片表面的氧化硅去除，如圖6所示。

第4步，光刻膠7定義出圖形，進行有源區(qū)溝槽的氧化硅刻蝕。如圖7所示，對有源區(qū)溝槽的氧化硅進行刻蝕，形成有源區(qū)溝槽內(nèi)多晶硅柵極與屏蔽柵之間的隔離介質(zhì)層。

第5步，剝離光刻膠，生長柵氧化膜，淀積多晶硅并回刻硅片表面形成多晶硅柵極6，如圖8所示。

通過上述工藝步驟，本發(fā)明優(yōu)化了工藝程序，在層間氧化硅化學(xué)機械研磨之后增加一步濕法刻蝕，將硅片表面的氧化硅膜提前去除，后續(xù)的光刻膠直接形成在硅片表面，避免了傳統(tǒng)工藝中多晶硅層間氧化膜濕法刻蝕時，光刻膠下的氧化膜在光刻膠邊緣處出現(xiàn)橫向刻蝕。因此，在版圖設(shè)計時就不再需要放置dummy trench 2，節(jié)省了管芯面積，同時增加了工藝穩(wěn)定性。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限定本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。