本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種裸片測(cè)試方法及晶圓。

背景技術(shù)：

晶圓(wafer)是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之芯片(IC)產(chǎn)品。一種常見的芯片封裝形式為玻璃基板上芯片(COG)封裝技術(shù)，由于該封裝技術(shù)可以有效的減少應(yīng)用模塊體積，且易于大批量生產(chǎn)，因此已成為現(xiàn)在主流的封裝形式。所述裸片(die)，就是指經(jīng)過晶圓切割沒有經(jīng)過封裝的芯片，其上只有用于封裝的壓焊點(diǎn)。COG封裝技術(shù)主要的工藝流程為研磨、切割、挑晶，然后將封裝好的芯片應(yīng)用于小屏液晶顯示面板等終端。然而一般來說，在COG封裝工藝完成后，并沒有進(jìn)行測(cè)試，而是直接將封裝好的芯片安裝于顯示面板等終端上，此時(shí)，為了測(cè)試面板上芯片的性能，就需要使用具有處理裸片測(cè)試能力的晶圓測(cè)試機(jī)臺(tái)。而一般具有這種特殊測(cè)試能力的晶圓測(cè)試機(jī)臺(tái)需要另外配置手動(dòng)晶圓上片機(jī)和晶圓測(cè)試機(jī)鐵圈處理臺(tái)，這兩臺(tái)設(shè)備大約需要100萬美元，資金投入相當(dāng)巨大。即使具有了這兩臺(tái)設(shè)備，由于一般的晶圓測(cè)試機(jī)只能處理8寸或12寸的晶圓測(cè)試，因此，現(xiàn)有的晶圓測(cè)試機(jī)的測(cè)試范圍也有限。因而，開發(fā)一種新的裸片測(cè)試方式，來降低測(cè)試成本，提高測(cè)試效率，是目前研究的熱點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種裸片測(cè)試方法及晶圓，用提降低裸片測(cè)試成本，提高測(cè)試效率。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種裸片測(cè)試方法，包括如下步驟：提供一晶圓，所述晶圓具有多個(gè)偽芯片圖形；將所述晶圓粘貼在具有外框的保護(hù)膜上；切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形并代之以待測(cè)試裸片；取下外框，并將所述保護(hù)膜裁成晶圓的形狀；將帶有待測(cè)試裸片的晶圓放置于晶圓測(cè)試機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。

優(yōu)選的，所述具有多個(gè)偽芯片圖形的晶圓是8寸或12寸晶圓。

優(yōu)選的，切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形并代之以待測(cè)試裸片的步驟包括：切掉所述晶圓邊緣的至少一偽芯片圖形后形成一區(qū)域，將待測(cè)試裸片粘貼于該區(qū)域。

優(yōu)選的，所述保護(hù)膜為藍(lán)膜。

優(yōu)選的，所述偽芯片圖形的形狀與所述待測(cè)試裸片的形狀相同。

優(yōu)選的，切掉的所述偽芯片圖形的數(shù)目大于待測(cè)試裸片的數(shù)目。

優(yōu)選的，切掉的所述偽芯片圖形的數(shù)目與待測(cè)試裸片的數(shù)目相等。

本發(fā)明還提供了一種晶圓，所述晶圓上具有放置待測(cè)試裸片的區(qū)域。

優(yōu)選的，所述區(qū)域的形狀與待測(cè)試裸片的形狀相同。

本發(fā)明提供的裸片測(cè)試方法及晶圓，在晶圓上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測(cè)試裸片替換偽芯片圖形，進(jìn)而將保護(hù)膜裁成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測(cè)試機(jī)上進(jìn)行測(cè)試，操作方法簡(jiǎn)單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測(cè)試成本大幅度降低，測(cè)試效率得到很大提升。

附圖說明

附圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式的裸片測(cè)試方法流程圖；

附圖2A是本發(fā)明具體實(shí)施方式的具有偽芯片圖形的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2B是本發(fā)明具體實(shí)施方式的晶圓粘貼在具有外框的保護(hù)膜上之后的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2C是本發(fā)明具體實(shí)施方式的以待測(cè)試裸片替換偽芯片圖形之后的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2D是本發(fā)明具體實(shí)施方式的置于晶圓測(cè)試機(jī)上的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的方案做詳細(xì)說明。

本發(fā)明提供了一種裸片測(cè)試方法，附圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式的裸片測(cè)試方法流程圖。如圖1所示，本發(fā)明所述的裸片測(cè)試方法包括如下步驟：

步驟S11，提供一晶圓21，所述晶圓21具有多個(gè)偽芯片圖形22。附圖2A是本發(fā)明具體實(shí)施方式的具有偽芯片圖形的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。如果2A所示，在所述晶圓21上形成有多個(gè)偽芯片圖形22，所述偽芯片圖形22的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，可以多于待測(cè)試裸片的數(shù)量，可以與待測(cè)試裸片的數(shù)量相同。由于現(xiàn)有的晶圓測(cè)試機(jī)一般只能處理8寸或12寸晶圓的測(cè)試，因此，為了簡(jiǎn)化測(cè)試步驟，優(yōu)選的，所述具有偽芯片圖形22的晶圓21的形狀為8寸或12寸晶圓形狀。在所述晶圓21上制作偽芯片圖形22的方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的化學(xué)蝕刻法。為了簡(jiǎn)化制作工藝，也便于后續(xù)測(cè)試，優(yōu)選每一所述偽芯片圖形22的形狀與待測(cè)試裸片25的形狀相同。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在其掌握的普通技術(shù)知識(shí)基礎(chǔ)之上，也可以改變偽芯片圖形的形狀，使得所述偽芯片圖形22的形狀與待測(cè)試裸片25的形狀不同，而是通過多個(gè)偽芯片圖形22組合成待測(cè)試裸片25的形狀，當(dāng)采用此種方法制作偽芯片圖形時(shí)，所述晶圓21就能夠適用于多種不同形狀的裸片的測(cè)試，實(shí)現(xiàn)批量測(cè)試，使得測(cè)試效率進(jìn)一步提高。

步驟S12，將所述晶圓21粘貼在具有外框24的保護(hù)膜23上。附圖2B是本發(fā)明具體實(shí)施方式的晶圓粘貼在具有外框的保護(hù)膜上之后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2B所示，在將所述晶圓粘貼在具有外框24的保護(hù)膜23上的步驟中，為了便于后續(xù)對(duì)所述保護(hù)膜23的裁切，優(yōu)選的，所述保護(hù)膜23的面積大于所述晶圓21的面積。其中，所述外框24可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的鐵圈，也可以是與鐵圈具有相同功能的其他組件；所述保護(hù)膜23優(yōu)選為藍(lán)膜；可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的膠黏劑具有偽芯片圖形22的晶圓21粘貼在具有外框24的保護(hù)膜23上。

步驟S13，切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22并代之以待測(cè)試裸片25。附圖2C是本發(fā)明具體實(shí)施方式的以待測(cè)試裸片替換偽芯片圖形之后的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2C所示，在所述晶圓21的邊緣切掉一偽芯片圖形22，形成一區(qū)域，再將待測(cè)試裸片25放置于該區(qū)域處。其中，可以采用內(nèi)圓切割、外圓切割或金剛石線鋸切割等本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的切割技術(shù)切割掉至少一偽芯片圖形22從而在所述晶圓21上形成一用于后續(xù)容納所述待測(cè)試裸片25的區(qū)域。其中，切割掉的所述偽芯片圖形22的數(shù)量取決于待測(cè)試裸片25的數(shù)量。當(dāng)所述偽芯片圖形22的形狀與所述待測(cè)試裸片25的形狀相同時(shí)，優(yōu)選切割掉的偽芯片圖形22的數(shù)量與待測(cè)試裸片25的數(shù)量相等；當(dāng)所述偽芯片圖形22的形狀與所述待測(cè)試裸片25的形狀不同時(shí)，優(yōu)選切掉的所述偽芯片圖形22的數(shù)量大于所述待測(cè)試裸片的數(shù)量，使得所述區(qū)域能夠完全容納所述待測(cè)試裸片25。為了簡(jiǎn)化操作步驟，優(yōu)選的，切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22并代之以待測(cè)試裸片的步驟包括：切掉所述晶圓21邊緣的至少一偽芯片圖形22后形成一區(qū)域，將待測(cè)試裸片25粘貼于該區(qū)域。

步驟S14，取下外框24，并將所述保護(hù)膜23裁成晶圓21的形狀。附圖2D是本發(fā)明具體實(shí)施方式的置于晶圓測(cè)試機(jī)上的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2D所示，由于現(xiàn)有的晶圓測(cè)試機(jī)只能處理8寸或12寸的晶圓測(cè)試，因而，在以所述待測(cè)試裸片25替換掉至少一偽芯片圖形22之后，還需要將所述保護(hù)膜23裁成晶圓21的形狀，由于所述晶圓21的形狀優(yōu)選為8寸或12寸的晶圓形狀，因而，所述保護(hù)膜23將被裁成8寸或12寸的晶圓形狀。

步驟S15，將帶有待測(cè)試裸片25的晶圓21放置于晶圓測(cè)試機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。

本發(fā)明提供的裸片測(cè)試方法，在裸硅片上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測(cè)試裸片替換偽芯片圖形，進(jìn)而剪切藍(lán)膜形成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測(cè)試機(jī)上進(jìn)行測(cè)試，在整個(gè)過程中都不需要使用手動(dòng)晶圓上片機(jī)和晶圓測(cè)試機(jī)鐵圈處理臺(tái)，使得裸片的測(cè)試成本大幅度降低，測(cè)試效率得到很大提升。

本發(fā)明提供的裸片測(cè)試方法，在晶圓上設(shè)置偽芯片圖形，采用待測(cè)試裸片替換偽芯片圖形，進(jìn)而將保護(hù)膜裁成規(guī)則晶圓圖形，再在常規(guī)的晶圓測(cè)試機(jī)上進(jìn)行測(cè)試，操作方法簡(jiǎn)單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測(cè)試成本大幅度降低，測(cè)試效率得到很大提升。

不僅如此，本發(fā)明還提供了一種晶圓21，所述晶圓21上具有放置待測(cè)試裸片25的區(qū)域。具體來說，所述晶圓21上形成有多個(gè)偽芯片圖形22，優(yōu)選的，每一所述偽芯片圖形22的形狀與待測(cè)試裸片25的形狀相同。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在其掌握的普通技術(shù)知識(shí)基礎(chǔ)之上，也可以改變偽芯片圖形的形狀，使得所述偽芯片圖形22的形狀與待測(cè)試裸片25的形狀不同，而是通過多個(gè)偽芯片圖形22組合成待測(cè)試裸片25的形狀，當(dāng)采用此種方法制作偽芯片圖形時(shí)，所述晶圓21就能夠適用于多種不同形狀的裸片的測(cè)試，實(shí)現(xiàn)批量測(cè)試，使得測(cè)試效率進(jìn)一步提高。在所述晶圓21的邊緣切掉一偽芯片圖形22，形成一區(qū)域，再將待測(cè)試裸片25放置于該區(qū)域處。

本發(fā)明提供的晶圓，在其上設(shè)置有放置待測(cè)試裸片的區(qū)域，通過將待測(cè)試裸片放置于所述晶圓上的所述區(qū)域后，就可以采用常規(guī)的晶圓測(cè)試機(jī)對(duì)待測(cè)試裸片進(jìn)行測(cè)試，操作方法簡(jiǎn)單，不需要使用昂貴設(shè)備，使得裸片的測(cè)試成本大幅度降低，測(cè)試效率得到很大提升。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。