1.一種嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供所述嵌入式閃存的有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖；
根據(jù)所述有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖，確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度，所述實(shí)際蝕刻區(qū)域?yàn)橥ㄟ^干蝕刻工藝蝕刻多晶硅的區(qū)域；
根據(jù)所述實(shí)際蝕刻版區(qū)域的版圖密度和位于所述多晶硅下的氧化層在蝕刻后的預(yù)設(shè)厚度，選擇對(duì)應(yīng)的干蝕刻工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，所述確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度包括：
根據(jù)所述有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖，確定所述浮柵區(qū)與所述有源區(qū)的重合區(qū)域；
根據(jù)所述有源區(qū)的版圖密度和所述重合區(qū)域的版圖密度確定所述實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，根據(jù)所述有源區(qū)的版圖密度和所述重合區(qū)域的版圖密度確定所述實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度包括：利用所述有源區(qū)的版圖密度減去所述重合區(qū)域的版圖密度，以得到所述實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，所述重合區(qū)域的版圖密度等于所述浮柵區(qū)的版圖密度乘以預(yù)設(shè)的第一比值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，所述確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度包括：
根據(jù)所述有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖，確定所述浮柵區(qū)與所述有源區(qū)的重合區(qū)域，所述重合區(qū)域的版圖密度作為第一版圖密度；
確定所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度，作為第二版圖密度；
根據(jù)所述有源區(qū)的版圖密度、所述第一版圖密度與第二版圖密度，確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，根據(jù)所述有源區(qū)的版圖密度、所述第一版圖密度與第二版圖密度，確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度包括：利用所述有源區(qū)的版圖密度減去所述第一版圖密度再加上所述第二版圖密度，以得到所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，其特征在于，所述確定所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度包括：
根據(jù)所述浮柵區(qū)內(nèi)實(shí)際蝕刻的多晶硅的體積計(jì)算所述多晶硅的蝕刻深度值；
根據(jù)所述蝕刻深度值計(jì)算相同深度下所述浮柵區(qū)的體積；
計(jì)算所述浮柵區(qū)內(nèi)實(shí)際蝕刻的多晶硅的體積與所述浮柵區(qū)的體積的比值；
利用所述浮柵區(qū)的版圖密度乘以所述比值，以確定所述浮柵區(qū)的實(shí)際蝕刻區(qū)域的版圖密度。