技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成在襯底上方的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括具有第一部分和第二部分的柵電極結(jié)構(gòu)以及位于柵電極結(jié)構(gòu)下面的第一導(dǎo)電層。此外，柵電極結(jié)構(gòu)的第一部分位于柵電極結(jié)構(gòu)的第二部分上方，以及柵電極結(jié)構(gòu)的第一部分的頂面的寬度大于柵電極結(jié)構(gòu)的第二部分的底面的寬度。本發(fā)明實(shí)施例涉及具有放大的柵電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：謝博文;謝文佳;羅以君;林米華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.19
技術(shù)公布日：2017.07.11