本發(fā)明涉及一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料及其應(yīng)用，且特別是涉及一種包括全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)階段的常見發(fā)光材料以熒光粉及量子點(diǎn)最為普遍。然而目前熒光粉市場(chǎng)已趨向飽和，且熒光粉的放光光譜的半高寬普遍過寬，而至今難以突破，此導(dǎo)致應(yīng)用于裝置上的技術(shù)受限制。于是人們紛紛趨向量子點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展使之成為現(xiàn)階段研究潮流。納米材料其顆粒介于1至100納米并依照大小而分類。半導(dǎo)體納米晶體(nanocrystals；NCs)又稱之為量子點(diǎn)(quantumdots；QDs)，其顆粒尺寸歸類為0維的納米材料。納米材料被廣泛使用于發(fā)光二極管、太陽能電池、生物標(biāo)記等應(yīng)用，其獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)及磁學(xué)特性使之成為研究新興產(chǎn)業(yè)。量子點(diǎn)具窄半高寬的特性，故其放光特性應(yīng)用于發(fā)光二極管裝置上將可有效解決傳統(tǒng)熒光粉色域不夠?qū)拸V的問題，格外引起關(guān)注。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為解決上述問題，本發(fā)明提供一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料及其應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種發(fā)光裝置，其包括一發(fā)光二極管芯片與一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可被發(fā)光二極管芯片射出的第一光線激發(fā)而發(fā)出不同于第一光線的波長(zhǎng)的第二光線。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，其包括兩種以上不同性質(zhì)的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：附圖說明圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖9為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖11為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖12為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖13為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖14為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖15為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖16為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖17為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)圖；圖18為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示模塊圖；圖19為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示模塊圖；圖20為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體圖；圖21為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的透視圖；圖22為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體圖；圖23至圖26為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法示意圖；圖27為本發(fā)明一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元圖；圖28為本發(fā)明一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元圖；圖29為本發(fā)明一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元圖；圖30為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置圖；圖31為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置對(duì)應(yīng)一像素部分的立體圖；圖32為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置對(duì)應(yīng)一像素部分的剖視圖；圖33為根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的X光繞射圖譜；圖34為根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的光激發(fā)熒光光譜圖；圖35為本發(fā)明實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的CIE圖譜位置；圖36為根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的X光繞射圖譜；圖37為根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的光激發(fā)熒光光譜圖；圖38顯示根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的CIE圖譜位置；圖39為根據(jù)實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的光激發(fā)熒光光譜圖；圖40為根據(jù)實(shí)施例的藍(lán)色發(fā)光二極管芯片搭配紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與黃色熒光粉的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的光激發(fā)熒光光譜圖；圖41顯示根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光色點(diǎn)的CIE圖譜位置分布；圖42為根據(jù)實(shí)施例的顯示發(fā)光二極管芯片激發(fā)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbBr3與CsPbI3時(shí)的光激發(fā)熒光光譜圖；圖43顯示發(fā)光二極管芯片激發(fā)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbBr3與CsPbI3時(shí)的CIE圖譜位置分布。符號(hào)說明102、202、302、3102、3202：發(fā)光二極管芯片302s：出光面3102S1、3102S2：表面104、204：基底106：外延結(jié)構(gòu)108：第一型半導(dǎo)體層110：主動(dòng)層112：第二型半導(dǎo)體層114、214、2048、3214、3214R、3214G、3214B、3214W：第一電極116、216、2050、3216：第二電極318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218、1318、1418、1518、1618、1718、2018、2218、2318：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)320、2761：基座321：固晶區(qū)322：杯壁323、1523：容置空間324、324A、324B、724、3124、3124R、3124G、3124B、3124W：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層326：反射墻326s：頂面428、628：結(jié)構(gòu)元件428a、628a：容置區(qū)530、1830、1830A、1830B、1830C、1830D：光學(xué)層1737、2837：透明膠體1134：間隔空間1536：導(dǎo)電件1822:光源1838：側(cè)光式背光模塊1938：直下式背光模塊2538、2638、3038：發(fā)光裝置1820：框架1840：反射片1842：導(dǎo)光板1842a：入光面1842b：出光面1844：反射片1946：光學(xué)層2051：直立部分2053：橫腳部分2352：導(dǎo)電板2354：導(dǎo)電條1855、2155、2555：電路板2456、2756、2856、2956：插件式發(fā)光單元2157：接墊2658：燈殼2660：散熱器2762：第一基板2764：第二基板2766：第一電極插腳2768：第二電極插腳2770：第一接觸墊2772：第二接觸墊2774：絕緣層3076：殼體3078：透明燈罩3080：電路板3082：驅(qū)動(dòng)電路3184：發(fā)光裝置S：間隔層具體實(shí)施方式此揭露內(nèi)容的實(shí)施例提出一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料及其應(yīng)用。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，其具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，能通過組成及/或尺寸改變發(fā)光波長(zhǎng)，使用彈性大。此外，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)能展現(xiàn)出半高寬窄的放光光譜及優(yōu)異的純色性，因此應(yīng)用在照明光源或顯示裝置等發(fā)光裝置時(shí)能提升發(fā)光效果，如演色性、顯色度、色域等。須注意的是，本發(fā)明并非顯示出所有可能的實(shí)施例，未于本發(fā)明提出的其他實(shí)施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。再者，附圖上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制。因此，說明書和圖示內(nèi)容僅作敘述實(shí)施例之用，而非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。另外，實(shí)施例中的敘述，例如細(xì)部結(jié)構(gòu)、制作工藝步驟和材料應(yīng)用等等，僅為舉例說明之用，并非對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。實(shí)施例的步驟和結(jié)構(gòu)各的細(xì)節(jié)可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)根據(jù)實(shí)際應(yīng)用制作工藝的需要而加以變化與修飾。以下是以相同/類似的符號(hào)表示相同/類似的元件做說明。實(shí)施例中，發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管芯片與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可被發(fā)光二極管芯片射出的第一光線激發(fā)而發(fā)出不同于第一光線的波長(zhǎng)的第二光線。實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，其具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。實(shí)施例的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有具優(yōu)異的量子效率，能展現(xiàn)出半高寬窄的放光光譜及優(yōu)異的純色性，因此應(yīng)用在發(fā)光裝置能提升發(fā)光效果。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可通過成分及/或尺寸的調(diào)整，依能帶寬度的差異(BandGap)改變發(fā)光顏色(第二光線波長(zhǎng))，例如從藍(lán)色、綠色到紅色色域，能夠彈性運(yùn)用。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有納米級(jí)尺寸。舉例來說，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為1nm至100nm，例如1nm至20nm。舉例來說，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a)3，其中0≤a≤1；或全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3，其中0≤b≤1。實(shí)施例中，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可為藍(lán)色量子點(diǎn)。舉例來說，在具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a)3的例子中，當(dāng)0<a≤1時(shí)，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為藍(lán)色量子點(diǎn)。及/或，粒徑范圍7nm至10nm的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為藍(lán)色量子點(diǎn)。一實(shí)施例中，從藍(lán)色量子點(diǎn)激發(fā)出的(第二)光線的波峰位置為400nm至500nm，半高寬為10nm至30nm。實(shí)施例中，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可為紅色量子點(diǎn)。舉例來說，在具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3的例子中，當(dāng)0.5≤b≤1時(shí)，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為紅色量子點(diǎn)。及/或，粒徑范圍10nm至14nm的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為的紅色量子點(diǎn)。一實(shí)施例中，從紅色量子點(diǎn)激發(fā)出的(第二)光線的波峰位置為570nm至700nm，半高寬為20nm至60nm。實(shí)施例中，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可為綠色量子點(diǎn)。舉例來說，在具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3的例子中，當(dāng)0≤b<0.5時(shí)，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為綠色量子點(diǎn)。及/或，粒徑范圍8nm至12nm的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為的綠色量子點(diǎn)。一實(shí)施例中，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)激發(fā)出的(第二)光線的波峰位置范圍為500～570nm，半高寬范圍為15nm～40nm。實(shí)施例中，發(fā)光裝置中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料(或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層)并不限于使用單一種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，換句話說，可使用兩種以上(即兩種、三種、四種、或更多種)性質(zhì)不同的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的性質(zhì)可依據(jù)材料化學(xué)式及/或尺寸改變。舉例來說，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)包括性質(zhì)不同的第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)混合。其他實(shí)施例中，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)還包括性質(zhì)不同于第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的第三、第四、或更多種的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)混合。舉例來說，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可具有不同的粒徑。其他實(shí)施例中，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)還包括粒徑不同于第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的第三、第四、或更多種的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)。一些實(shí)施例中，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)皆具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，0≤a≤1，0≤b≤1。其中，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有不同的a。及/或，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)具有不同的b。此概念也可延伸至具有第三、第四、或更多種的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的例子中。舉例來說，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可選自具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3且0.5≤b≤1的紅色量子點(diǎn)、具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3且0≤b<0.5的綠色量子點(diǎn)及具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a)3且0<a≤1的藍(lán)色量子點(diǎn)所組成的群組。或者，第一全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與第二全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可選自粒徑范圍為10nm至14nm的紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)、粒徑范圍為8nm至12nm的綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)及粒徑范圍為7nm至10nm的藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)所組成的群組。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)可應(yīng)用在各種發(fā)光裝置例如照明燈具或用于手機(jī)熒幕、電視熒幕等的顯示器的發(fā)光模塊(前光模塊、背光模塊)、顯示器的面板像素或次像素具有優(yōu)勢(shì)。再者，當(dāng)使用越多種不同成分的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，亦即使用越多種不同發(fā)光波的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)時(shí)，發(fā)光裝置的放射光譜越寬，甚至能達(dá)到全譜(fullspectrum)的需求。因此，使用本發(fā)明的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)能提高顯示裝置的色域，也能有效提升顯示裝置色純度與色彩真實(shí)性，也可大幅提升NTSC。舉例來說，一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置包括至少兩種具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3且性質(zhì)不同的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，能使得發(fā)光裝置的NTSC達(dá)到90％以上。一些實(shí)施例中，發(fā)光裝置包括至少四種具有化學(xué)通式CsPb(Br1-bIb)3且性質(zhì)不同的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)，能使得發(fā)光裝置能展現(xiàn)出至少75的平均演色性指數(shù)(Ra)。舉例來說，發(fā)光裝置可應(yīng)用在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)上。以白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)為例，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料含有綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)受藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)，或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料含有紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與黃色熒光粉受藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)，或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料含有綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與紅色熒光粉受藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)，或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料含有紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)、與藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)受紫外光發(fā)光二極管激發(fā)。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料(或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層)可還包括其他種熒光材料，包括無機(jī)熒光材料及/或有機(jī)熒光材料與全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)一起使用。此處無機(jī)熒光材料/有機(jī)熒光材料可指不同于所述的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a-bIb)3的其他種類熒光量子點(diǎn)及/或非量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的熒光材料。舉例來說，無機(jī)熒光材料例如鋁酸鹽熒光粉(如LuYAG、GaYAG、YAG等)、硅酸物熒光粉、硫化物熒光粉、氮化物熒光粉、氟化物熒光粉等。有機(jī)熒光材料選自由下列化合物所組成的群組，其群組包含單分子結(jié)構(gòu)、多分子結(jié)構(gòu)、寡聚物(Oligomer)以及聚合物(Polymer)，其化合物具有perylene基團(tuán)的化合物、具有benzimidazole基團(tuán)的化合物、具有Naphthalene基團(tuán)的化合物、具有anthracene基團(tuán)的化合物、具有phenanthrene基團(tuán)的化合物、具有fluorene基團(tuán)的化合物、具有9-fluorenone基團(tuán)的化合物、具有carbazole基團(tuán)的化合物、具有g(shù)lutarimide基團(tuán)的化合物、具有1,3-diphenylbenzene基團(tuán)的化合物、具有benzopyrene基團(tuán)的化合物、具有pyrene基團(tuán)的化合物、具有pyridine基團(tuán)的化合物、具有thiophene基團(tuán)的化合物、具有2,3-dihydro-1H-benzo[de]isoquinoline-1,3-dione基團(tuán)的化合物、具有benzimidazole基團(tuán)的化合物及其組合。舉例來說，黃色熒光材料例如YAG:Ce，及/或氮氧化物、硅酸鹽、氮化物成分的無機(jī)型黃色熒光粉，及/或有機(jī)型黃色熒光粉。紅色熒光粉例如包括氟化熒光粉A2[MF6]:Mn4+，其中A是選自于Li、Na、K、Rb、Cs、NH4、及其組合所構(gòu)成的群組，M是選自于Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其組合所構(gòu)成的群族?；蛘?，紅色熒光粉可包括(Sr,Ca)S:Eu、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu。圖1為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片102。發(fā)光二極管芯片102包括基底104、外延結(jié)構(gòu)106、第一電極114與第二電極116。外延結(jié)構(gòu)106包括從基底104依序堆疊的第一型半導(dǎo)體層108、主動(dòng)層110與第二型半導(dǎo)體層112。第一電極114與第二電極116分別連接第一型半導(dǎo)體層108與第二型半導(dǎo)體層112?；?04可包括絕緣材料(如:藍(lán)寶石材料)或半導(dǎo)體材料。第一型半導(dǎo)體層108與第二型半導(dǎo)體層112具有相反的導(dǎo)電類型。例如第一型半導(dǎo)體層108具有N型半導(dǎo)體層，而第二型半導(dǎo)體層112具有P型半導(dǎo)體層，其中第一電極114為N電極，第二電極116為P電極。例如第一型半導(dǎo)體層108具有P型半導(dǎo)體層，而第二型半導(dǎo)體層112具有N型半導(dǎo)體層，其中第一電極114為P電極，第二電極116為N電極。發(fā)光二極管芯片102的安裝型態(tài)可使用面朝上(face-up)安裝者、倒裝(flipchip)安裝者之任一者。在以倒裝安裝的實(shí)施中，并倒置發(fā)光二極管芯片102使第一電極114與第二電極116面向基板例如電路板而通過焊料電連接接觸墊。圖2為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片202，其是一個(gè)垂直式發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片202包括基底204與外延結(jié)構(gòu)106。外延結(jié)構(gòu)106包括從基底204依序堆疊的第一型半導(dǎo)體層108、主動(dòng)層110與第二型半導(dǎo)體層112。第一電極214與第二電極216分別連接基底204與第二型半導(dǎo)體層112?；?04的材料為選自于金屬、合金、導(dǎo)體、半導(dǎo)體及上述的組合的其中之一?；?04可包括導(dǎo)電型與第一型半導(dǎo)體層108相同的半導(dǎo)體材料，或可與第一型半導(dǎo)體層108形成歐姆接觸的導(dǎo)電材料例如金屬等。例如第一型半導(dǎo)體層108具有N型半導(dǎo)體層，而第二型半導(dǎo)體層112具有P型半導(dǎo)體層，其中第一電極214為N電極，第二電極216為P電極。例如第一型半導(dǎo)體層108具有P型半導(dǎo)體層，而第二型半導(dǎo)體層112具有N型半導(dǎo)體層，其中第一電極214為P電極，第二電極216為N電極。在一實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層可為P型GaN材料，而N型半導(dǎo)體層可為N型GaN材料。在一實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層可為P型AlGaN材料，而N型半導(dǎo)體層可為N型AlGaN材料。主動(dòng)層110是多重量子阱結(jié)構(gòu)。一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片102、202射出的第一光線的波長(zhǎng)為220nm至480nm。一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片102、202可為紫外光發(fā)光二極管芯片，發(fā)射出第一光線的波長(zhǎng)為200nm至400nm。一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片102、202可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，發(fā)射出第一光線的波長(zhǎng)為430nm至480nm。實(shí)施例中，發(fā)光裝置的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可包含在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層中，及/或摻雜在透光基材中。一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可涂布在發(fā)光二極管芯片的發(fā)光面上。以下發(fā)光裝置以一些使用波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的裝置為例說明。圖3為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318包括發(fā)光二極管芯片302、基座320、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與反射墻326。基座320具有一固晶區(qū)321以及一杯壁322圍繞固晶區(qū)321且定義出一容置空間323。發(fā)光二極管芯片302配置在容置空間323中，并且可以通過粘著膠固定在基座320的固晶區(qū)321上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324位于發(fā)光二極管芯片302的出光側(cè)，更詳細(xì)地說，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324位于容置空間323的上方對(duì)應(yīng)發(fā)光二極管芯片302的出光面302s，并且位于杯壁322的頂面上。反射墻326可環(huán)繞配置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的外側(cè)壁上并位于杯壁322的頂面上。反射墻326為具有光反射性質(zhì)且低漏光的材料，例如反射性玻璃、石英、光反射貼片、高分子塑料或其它合適的材料形成。高分子塑料可以為聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate,PMMA)、乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚乙烯(polypropylene,PP)、尼龍(polyamide,PA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、環(huán)氧樹脂(epoxy)以及硅膠(silicone)等的其中一種材料或兩種以上材料的組合。反射墻326的光反射能力可以通過添加其他填充粒子而改變。填充粒子可以具有不同粒徑或不同材質(zhì)的復(fù)合材料。填充粒子的材料可以為例如二氧化鈦(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氮化硼(BN)、氧化鋅(ZnO)等。此概念可應(yīng)用至其他實(shí)施例，且之后不再重復(fù)說明。此例中，發(fā)光二極管芯片302與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324之間是以杯壁322定義出的容置空間323中的空隙(airgap)互相隔開，換句話說，容置空間323中并未填充其他與發(fā)光二極管芯片302接觸的物質(zhì)。實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324包括一或更多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。因此，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318的發(fā)光性質(zhì)可通過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324予以調(diào)整。一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324也包括透光基材，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料摻雜于其中。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324例如至少包括一種上述全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a-bIb)3摻雜于透光基材中。實(shí)施例中，透光基材包括透明膠體，而透明膠體的材料可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate,PMMA)、乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚乙烯(polypropylene,PP)、尼龍(polyamide,PA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亞酰胺(polyimide,PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環(huán)氧樹脂(epoxy)以及硅膠(silicone)等的其中一種材料或兩種以上材料的組合。實(shí)施例中，透光基材包括玻璃材料或陶瓷材料，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)與玻璃材料或陶瓷材料混合制造成一玻璃量子點(diǎn)薄膜或一陶瓷量子點(diǎn)薄膜。一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與發(fā)光二極管芯片302(此例以容置空間323)互相隔開，這可避免波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324因太靠近發(fā)光二極管芯片302而影響熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，而能提高波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的壽命并提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的信賴性。此概念將不再重復(fù)說明。其他變換實(shí)施例中，杯壁322定義出的容置空間323中的空隙(airgap)也可以填入透明封裝膠體(未為)，透明封裝膠體可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate,PMMA)、乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚乙烯(polypropylene,PP)、尼龍(polyamide,PA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亞酰胺(polyimide,PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環(huán)氧樹脂(epoxy)以及硅膠(silicone)等其中一種材料或是包含兩種以上材料的組合。一些實(shí)施例中，此透明封裝膠體可摻雜一或更多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。其他變換實(shí)施例中，一或更多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可涂布在發(fā)光二極管芯片302的發(fā)光面上。因此，除了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光性質(zhì)更可通過含有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的封裝(透明)膠體及/或位于發(fā)光二極管芯片302的表面上的含有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的涂層予以調(diào)整。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324、封裝膠體及/或涂層的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的種類可視產(chǎn)品實(shí)質(zhì)需求適當(dāng)調(diào)整變化。此概念可應(yīng)用至其他實(shí)施例，且之后不再重復(fù)說明。圖4為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)418，其與圖3發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318的差異說明如下。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)418還包括結(jié)構(gòu)元件428用以支撐、封裝、或保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324。如圖所示，結(jié)構(gòu)元件428具有一容置區(qū)428a用以容置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324，使波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324之上、下表面被結(jié)構(gòu)元件428覆蓋。結(jié)構(gòu)元件428位于杯壁322的頂面上，由此支撐波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324位于容置空間323的上方對(duì)應(yīng)發(fā)光二極管芯片302的出光面302s。結(jié)構(gòu)元件428較佳以透明材質(zhì)或可透光材質(zhì)形成，以避免阻擋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的出光。結(jié)構(gòu)元件428也可具有封裝材料性質(zhì)。舉例來說，結(jié)構(gòu)元件428可包括石英、玻璃、高分子塑料的材料?；蛘?，結(jié)構(gòu)元件428能用以保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324，阻隔水氣或氧氣等會(huì)對(duì)其性質(zhì)造成負(fù)面影響的外界物質(zhì)。實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)元件428可為阻障膜(barrierfilm)及/或硅鈦氧化物設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面來阻隔水氣或氧氣等外界物質(zhì)。硅鈦氧化物可如SiTiO4之類玻璃材料，其具有光穿透性與抗氧化性，可以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面。阻障膜的材料可包括無機(jī)材料，例如金屬氧化物(如SiO2、Al2O3等)或金屬氮化物(如Si3N3等)，且可以是多層阻障膜以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面。此概念可應(yīng)用至其他實(shí)施例，且之后不再重復(fù)說明。反射墻326可環(huán)繞配置于結(jié)構(gòu)元件428的外側(cè)壁上并位于杯壁322的頂面上。圖5為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)518，其與圖4發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)418的差異在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)518還包括光學(xué)層530配置在反射墻326與結(jié)構(gòu)元件428上。光學(xué)層530可用以調(diào)整光的出光路徑。舉例來說，光學(xué)層530可為含有擴(kuò)散粒子的透明膠體，透明膠體可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate,PMMA)、乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚乙烯(polypropylene,PP)、尼龍(polyamide,PA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亞酰胺(polyimide,PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環(huán)氧樹脂(epoxy)以及硅膠(silicone)等其中一種材料或是包含兩種以上材料的組合。擴(kuò)散粒子可包括TiO2、SiO2、Al2O3、BN、ZnO等，擴(kuò)散粒子可具有相同或不同的粒徑。此概念也可應(yīng)用至其他實(shí)施例，之后不再重復(fù)說明。舉例來說，可應(yīng)用在圖3的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、圖6的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)618、圖10的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1018等等，在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324上設(shè)置一光學(xué)層530以調(diào)整光的出光路徑。圖6為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)618，其與圖3發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318的差異說明如下。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)618還包括結(jié)構(gòu)元件628，具有一容置區(qū)628a用以容置且支撐波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324跨過發(fā)光二極管芯片302并設(shè)置在杯壁322上。此種位于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324下表面的結(jié)構(gòu)元件628較佳以透明材質(zhì)或可透光材質(zhì)形成，以避免阻擋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的出光，例如石英、玻璃、高分子塑料、或其它合適的材料，此概念可應(yīng)用至其他實(shí)施例，且之后不再重復(fù)說明。圖7為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)718，其與圖3發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318的差異說明如下。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)718省略圖3所示的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與反射墻326，而包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724填滿在容置空間323中。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724可包括透明膠體與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。透明膠體可用作封裝膠體，且波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可摻雜在透明膠體中。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724可覆蓋發(fā)光二極管芯片302，或可進(jìn)一步覆蓋在基座320上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724的透明膠體可以是聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate,PMMA)、乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚乙烯(polypropylene,PP)、尼龍(polyamide,PA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亞酰胺(polyimide,PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環(huán)氧樹脂(epoxy)以及硅膠(silicone)等其中一種材料或是包含兩種以上材料的組合。圖8為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)818，其與圖7發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)718的差異在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)818還包括結(jié)構(gòu)元件628，跨過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724而配置在杯壁322上，能用以保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料不受外界物質(zhì)例如水氣或氧氣的損壞影響。實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)元件628可為阻障膜(barrierfilm)及/或硅鈦氧化物設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724表面來阻隔水氣或氧氣等外界物質(zhì)。硅鈦氧化物可如SiTiO4之類玻璃材料，其具有光穿透性與抗氧化性，可以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724表面。阻障膜的材料可包括無機(jī)材料，例如金屬氧化物(如SiO2、Al2O3等)或金屬氮化物(如Si3N3等)，且可以是多層阻障膜以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724表面。圖9為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)918，其包括基座320、發(fā)光二極管芯片302、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與反射墻326。發(fā)光二極管芯片302配置在基座320的固晶區(qū)上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324配置在發(fā)光二極管芯片302的出光面上。反射墻326配置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的側(cè)壁上。發(fā)光二極管芯片302可通過穿過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的開口(未顯示)的打線電連接基座320。圖10為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1018，其與圖9發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)918的差異說明如下。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1018還包括光學(xué)層530配置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與反射墻326上。發(fā)光二極管芯片302可通過穿過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與光學(xué)層530的開口(未顯示)的打線電連接基座320。打線可穿出光學(xué)層530的上表面或側(cè)表面拉出。圖11為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1118，其包括發(fā)光二極管芯片302、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與反射墻326。反射墻326環(huán)繞著發(fā)光二極管芯片302的側(cè)壁且形成一間隔空間1134，反射墻326的高度高于發(fā)光二極管芯片302。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324設(shè)置在反射墻326的頂面326s上，通過間隔空間1134與發(fā)光二極管芯片302保持一距離，這可避免因太靠近發(fā)光二極管芯片302而影響波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，能提高波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的壽命并提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的信賴性，此概念將不再重復(fù)說明。圖12為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1218，其與圖11的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1118差異在于，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324設(shè)置在反射墻326的內(nèi)側(cè)壁上。圖13為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318，其與圖11的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1118差異說明如下。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318還包括結(jié)構(gòu)元件428，其中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324設(shè)置在結(jié)構(gòu)元件428定義出的容置區(qū)428a中。結(jié)構(gòu)元件428能用以支撐、封裝、或保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324。包覆波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的結(jié)構(gòu)元件428設(shè)置在反射墻326的頂面326s上，而以間隔空間1134隔開發(fā)光二極管芯片302。結(jié)構(gòu)元件428較佳以透明材質(zhì)或可透光材質(zhì)形成，以避免阻擋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的出光，也可具有封裝材料性質(zhì)，舉例來說，結(jié)構(gòu)元件428可包括石英、玻璃、高分子塑料的材料。或者，結(jié)構(gòu)元件428能用以保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324，阻隔水氣或氧氣等會(huì)對(duì)其性質(zhì)造成負(fù)面影響的外界物質(zhì)。實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)元件428可為阻障膜(barrierfilm)及/或硅鈦氧化物設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面來阻隔水氣或氧氣等外界物質(zhì)。硅鈦氧化物可如SiTiO4之類玻璃材料，其具有光穿透性與抗氧化性，可以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面。阻障膜的材料可包括無機(jī)材料，例如金屬氧化物(如SiO2、Al2O3等)或金屬氮化物(如Si3N3等)，且可以是多層阻障膜以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324表面。一實(shí)施例中，間隔空間1134可以是未被其它材料填充的空隙(emptyspace)。另一實(shí)施例中，間隔空間1134較佳以透明材質(zhì)或可透光材質(zhì)形成，以避免阻擋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324的出光，例如石英、玻璃、高分子塑料、或其它合適的材料。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218或1318發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324/波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與黃色熒光粉YAG:Ce，其中0.5≤b≤1；及/或，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218或1318發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324/波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218或1318發(fā)出白光，發(fā)光二極管芯片302可為紫外光發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324/波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3、紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的a參數(shù)范圍是0<a≤1，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為7nm至10nm，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。圖14為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1418，其包括發(fā)光二極管芯片302、反射墻326與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324。反射墻326設(shè)置在發(fā)光二極管芯片302的側(cè)表面上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324配置在發(fā)光二極管芯片302的上表面(出光面)上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324可包括性質(zhì)不同的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324A與第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324B。一實(shí)施例中，舉例來說，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324A含有紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，出光波長(zhǎng)的波峰位置為570nm至700nm之間，第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324B含有綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，出光波長(zhǎng)的波峰位置為500nm至570nm之間，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為粒徑范圍8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm，但本發(fā)明并不限于此。發(fā)光二極管芯片302可以倒裝的方式通過其第一電極302a與第二電極302b電連接在基座或電路板(未顯示)。圖15為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1518，其包括基座320、發(fā)光二極管芯片302、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724與反射墻326。反射墻326設(shè)置在基座320上并定義出容置空間1523。發(fā)光二極管芯片302配置在容置空間1523中，并以倒裝的方式電連接基座320上的導(dǎo)電件1536。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724填充在容置空間1523中，并與發(fā)光二極管芯片302接觸。圖16為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1618，其與圖15的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1518差異在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1618還包括結(jié)構(gòu)元件628配置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724與反射墻326上，用以封裝、保護(hù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724，避免波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724受到外界物質(zhì)例如水氣或氧氣的影響而損壞。實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)元件628可為阻障膜(barrierfilm)及/或硅鈦氧化物設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724表面來阻隔水氣或氧氣等外界物質(zhì)。硅鈦氧化物可如SiTiO4之類玻璃材料，其具有光穿透性與抗氧化性，可以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724與反射墻326的表面。阻障膜的材料可包括無機(jī)材料，例如金屬氧化物(如SiO2、Al2O3等)或金屬氮化物(如Si3N3等)，且可以是多層阻障膜以涂布或貼膜方式設(shè)置于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724與反射墻326的表面。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1518、1618發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與黃色熒光粉YAG:Ce，其中0.5≤b≤1；及/或，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1518、1618發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1518、1618發(fā)出白光，發(fā)光二極管芯片302可為紫外光發(fā)光二極管芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724包含藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3、紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的a參數(shù)范圍是0<a≤1，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為7nm至10nm，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。圖17為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1718，其包括基座320、發(fā)光二極管芯片302、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與透明膠體1737。發(fā)光二極管芯片302以倒裝的方式電連接基座320。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324配置在發(fā)光二極管芯片302的上表面與側(cè)表面上，并可延伸至基座320的上表面上。一實(shí)施例中，舉例來說，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324A含有紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，出光波長(zhǎng)的波峰位置為570nm至700nm之間，第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324B含有綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，出光波長(zhǎng)的波峰位置為500nm至570nm之間，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1；及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為粒徑范圍8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm，但本發(fā)明并不限于此。透明膠體1737可用作封裝膠體，覆蓋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層324與基座320。圖18為根據(jù)一實(shí)施例的應(yīng)用在側(cè)光式背光模塊1838。側(cè)光式背光模塊1838包括框架1820、光源1822、導(dǎo)光板1842。光源1822包括一電路板1855位于框架1820上以及如圖13所述的多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318位于電路板1855上，其中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318的出光方向是面向?qū)Ч獍?842的一入光面1842a?？蚣?820具有反射片1840可助于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318射出的光線能集中往導(dǎo)光板1842，光線再經(jīng)由導(dǎo)光板1842的出光面1842b往上方的光學(xué)層1830(或顯示面板)射出。光學(xué)層1830可例如包括光學(xué)層1830A、1830B、1830C、1830D。舉例來說，光學(xué)層1830A與1830D可為擴(kuò)散片，光學(xué)層1830B、1830C可為增亮片。導(dǎo)光板1842的下方可配置反射片1844，以進(jìn)一步將光線向上導(dǎo)往光學(xué)層1830A、1830B、1830C、1830D(或顯示面板，未顯示)。實(shí)施例的側(cè)光式背光模塊并不限于使用如圖13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318，也可使用于此所揭露的其他發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。圖19為根據(jù)一實(shí)施例的應(yīng)用在直下式背光模塊1938，其包括二次光學(xué)1946設(shè)置在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318上。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318的出光方向是面向光學(xué)層1830。反射片1840可助于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318射出的光線能集中射往光學(xué)層1830(或顯示面板)。實(shí)施例的直下式背光模塊并不限于使用如圖13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1318，也可使用于此所揭露的其他發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。圖20與圖21分別為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018的立體圖與透視圖。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018包括第一電極2048與第二電極2050用于與外部作電連接，如連接在電路板2155的接墊2157上。如圖所示，第一電極2048與第二電極2050具有L形狀，其直立部分2051在基座320底部并裸露出基座320，連接直立部分2051的橫腳部分2053嵌在杯壁322中并裸露出杯壁322。發(fā)光二極管芯片302的正、負(fù)電極可以打線的方式電連接第一電極2048與第二電極2050的直立部分2051。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層724填充在由基座320、杯壁322所定義的容置空間323中。圖22為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2218的立體圖，其與圖20、圖21所示的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018的差異為L(zhǎng)形的第一電極2048與第二電極2050，其直立部分2051延伸超出基座320與杯壁322，且其橫腳部分2053連接直立部分2051并且往背向杯壁322的方向延伸而電連接電路板2155的接墊2157。一些實(shí)施例中，圖20及圖21的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018、圖22的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2218，其基座320與杯壁322為透明材質(zhì)所構(gòu)成，因此發(fā)光二極管芯片302發(fā)出的光線能從發(fā)光面直接(未被不透光材質(zhì)阻擋或經(jīng)反射材質(zhì)反射)射出發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018、2218，例如光線能以垂直于基座320的方向往上、下兩面射出，而廣角(例如大于180度)出光。圖23至圖26為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光裝置的制造方法。請(qǐng)參照?qǐng)D23，圖案化導(dǎo)電板2352，以在導(dǎo)電板2352形成互相分開的數(shù)個(gè)導(dǎo)電條2354?？梢晕g刻的方式對(duì)導(dǎo)電板2352進(jìn)行圖案化步驟。然后，配置發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318在導(dǎo)電板2352上，其中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318的第一電極與第二電極(未為)對(duì)應(yīng)導(dǎo)電條2354，使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318電連接導(dǎo)電板2352。一實(shí)施例中，可進(jìn)行回焊(reflow)制作工藝將第一電極與第二電極接合至不同的導(dǎo)電條2354。然后，對(duì)導(dǎo)電板2352進(jìn)行切割步驟，以得到如圖24所示的插件式發(fā)光單元2456。一實(shí)施例中，可以沖壓(punch)的方式進(jìn)行切割。請(qǐng)參照?qǐng)D25，然后，將插件式發(fā)光單元2456插設(shè)于電路板2555上，以得到具發(fā)光燈條型態(tài)的發(fā)光裝置2538。插件式發(fā)光單元2456可通過作為第一電極與第二電極的導(dǎo)電條2354電連接至電路板2555。一實(shí)施例中，電路板2555具有驅(qū)動(dòng)電路，能用以提供插件式發(fā)光單元2456作用所需的電力。請(qǐng)參照?qǐng)D26，將具發(fā)光燈條型態(tài)的發(fā)光裝置2538配置在散熱器2660上，并設(shè)置燈殼2658罩住發(fā)光裝置2538，而得到具燈管結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置2638。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318可例如應(yīng)用圖3至圖17所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218、1318、1418、1518、1618、1718。一些實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318應(yīng)用圖3至圖8的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818，其中基座320與杯壁322為透明材質(zhì)所構(gòu)成，因此發(fā)光二極管芯片302發(fā)出的光線能從發(fā)光面直接(未被不透光材質(zhì)阻擋或經(jīng)反射材質(zhì)反射)射出發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)318、418、518、618、718、818、2318，例如光線能以垂直于基座320的方向往上、下兩面射出，而廣角(例如大于180度)出光。一些實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318/插件式發(fā)光單元2456發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與黃色熒光粉YAG:Ce，其中0.5≤b≤1。及/或，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318/插件式發(fā)光單元2456發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1。及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2318/插件式發(fā)光單元2456發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為紫外光發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3、紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3。其中藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的a參數(shù)范圍是0<a≤1、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1。及/或，藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為7nm至10nm，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。圖27為根據(jù)一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元2756。插件式發(fā)光單元2756包括發(fā)光二極管芯片302、基座2761、第一電極插腳2766及第二電極插腳2768?；?761包括第一基板2762、第二基板2764與絕緣層2774。絕緣層2774配置在第一基板2762與第二基板2764之間，以電性隔離第一基板2762與第二基板2764。發(fā)光二極管芯片302配置在用作固晶板的基座2761內(nèi)的固晶區(qū)上，其中，發(fā)光二極管芯片302跨過絕緣層2774并且以倒裝方式配置在第一基板2762與第二基板2764上，且發(fā)光二極管芯片302的正、負(fù)電極電連接第一基板2762與第二基板2764上的第一接觸墊2770與第二接觸墊2772，由此電連接分別從第一基板2762與第二基板2764延伸的第一電極插腳2766及第二電極插腳2768。發(fā)光二極管芯片302可通過焊料(未顯示)電連接第一接觸墊2770與第二接觸墊2772。圖28為根據(jù)另一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元2856。插件式發(fā)光單元2856包括透明膠體2837與如圖27所述的插件式發(fā)光單元2756。透明膠體2837包覆整個(gè)發(fā)光二極管芯片302與基座2761，并包覆部分第一電極插腳2766及第二電極插腳2768。圖29為根據(jù)又另一實(shí)施例的插件式發(fā)光單元2956，其與圖28所示的插件式發(fā)光單元2856的主要差異在于，透明膠體2837包覆整個(gè)發(fā)光二極管芯片302，并包覆基座2761的與發(fā)光二極管芯片302相同側(cè)的部分表面，而未包覆第一電極插腳2766及第二電極插腳2768。實(shí)施例中，插件式發(fā)光單元2856或2956可包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料摻雜于透明膠體2837中，或含有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層設(shè)置于發(fā)光二極管芯片302的表面。實(shí)施例中，透明膠體2837可為任何具透光性的高分子膠材，例如，PMMA、PET、PEN、PS、PP、PA、PC、PI、PDMS、Epoxy、silicone或其他合適的材料，或上述的組合。透明膠體2837可視實(shí)際需求摻雜其他物質(zhì)以調(diào)整出光性質(zhì)。例如可摻雜擴(kuò)散粒子以改變出光路徑。擴(kuò)散粒子可包括TiO2、SiO2、Al2O3、BN、ZnO等，可具有相同或不同的粒徑。圖30為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光裝置3038。球燈泡型的態(tài)發(fā)光裝置3038包括如圖29所示的插件式發(fā)光單元2956、殼體3076、透明燈罩3078與電路板3080。插件式發(fā)光單元2956插設(shè)于電路板3080，并電連接電路板3080，由此電連接至電路板3080的驅(qū)動(dòng)電路3082。插件式發(fā)光單元2956連同電路板3080設(shè)置在由相連的殼體3076與透明燈罩3078所定義出的容置空間中。此揭露所述的透明膠體可為任何具透光性的高分子膠材，例如，PMMA、PET、PEN、PS、PP、PA、PC、PI、PDMS、Epoxy、silicone或其他合適的材料，或上述的組合。透明膠體可視實(shí)際需求摻雜其他物質(zhì)以調(diào)整出光性質(zhì)。例如可摻雜擴(kuò)散粒子以改變出光路徑。擴(kuò)散粒子可包括TiO2、SiO2、Al2O3、BN、ZnO等，可具有相同或不同的粒徑。實(shí)施例的發(fā)光裝置并不限于以上所述的范例，也可包括其他種設(shè)計(jì)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)、應(yīng)用于顯示裝置的發(fā)光模塊例如背光模塊或前光模塊、或照明裝置例如燈管、燈泡，或可具有其他型態(tài)結(jié)構(gòu)。單一個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)單元并不限于使用單一個(gè)發(fā)光二極管芯片，也可使用二或更多個(gè)相同或不同發(fā)光顏色/波長(zhǎng)的發(fā)光二極管芯片。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018、2218以及插件式發(fā)光單元2856、2956發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與黃色熒光粉YAG:Ce，其中0.5≤b≤1。及/或，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018、2218以及插件式發(fā)光單元2856、2956發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3與紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，其中綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1。及/或，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2018、2218以及插件式發(fā)光單元2856、2956發(fā)出白光。發(fā)光二極管芯片302可為紫外光發(fā)光二極管芯片，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包含藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3、紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3。其中藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的a參數(shù)范圍是0<a≤1、綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍是0≤b<0.5，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的b參數(shù)范圍0.5≤b≤1。及/或，藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為7nm至10nm，綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為8nm至12nm，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的粒徑范圍為10nm至14nm。實(shí)施例中，包括全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料亦可應(yīng)用至尺寸微縮化的發(fā)光裝置，例如微型發(fā)光二極管(MicroLED)比一般發(fā)光二極管尺寸更小。舉例來說，請(qǐng)同時(shí)參閱圖31與圖32，其分別為根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光裝置的立體圖與剖視圖。實(shí)施例中，發(fā)光裝置3184可為一微型化發(fā)光二極管裝置，包括一發(fā)光二極管芯片3102、數(shù)個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124以及數(shù)個(gè)間隔層S。發(fā)光二極管芯片3102包括互為相反側(cè)的表面3102S1與表面3102S2，其中表面3102S1是發(fā)光二極管芯片3102的出光面。這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124位于發(fā)光二極管芯片3102的出光側(cè)，更詳細(xì)地說，此等波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124間隔配置在發(fā)光二極管芯片3102的表面3102S1。這些間隔層S位于發(fā)光二極管芯片3102的表面3102S1上且間隔配置在這些波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124之間。一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片3102為垂直式發(fā)光二極管芯片，包括第一電極3214與第二電極3216，分別位于表面3102S1與表面3102S2上。發(fā)光二極管芯片3102的出光側(cè)與第一電極3214位于相同側(cè)。一實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124至少包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124R、3124G、3124B，其可被發(fā)光二極管芯片3102激發(fā)分別分出紅光、綠光、藍(lán)光。于此組態(tài)可做為一像素配置應(yīng)用于顯示器中，其中不同波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124可分為不同次像素，即對(duì)應(yīng)紅色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124R、對(duì)應(yīng)綠色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124G及對(duì)應(yīng)藍(lán)色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124B。實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124還包括一對(duì)應(yīng)白色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124W，也通過間隔層S與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124R、3124G、3124B隔開配置在發(fā)光二極管芯片3102的表面3102S1上。像素至少包括紅色次像素、綠色次像素及藍(lán)色次像素，也能根據(jù)設(shè)計(jì)配置白色次像素。像素或次像素能以陣列的方式排列。實(shí)施例中，間隔層S的材質(zhì)可包括吸收光物質(zhì)或反射光物質(zhì)，能避免對(duì)應(yīng)不同顏色的次像素的光線彼此影響，以提高顯示器的顯示效果。吸收光物質(zhì)可包括例如黑膠等。反射光物質(zhì)可包括例如白膠等。此外，第一電極3214可包括分別對(duì)應(yīng)紅色次像素、綠色次像素、藍(lán)色次像素及白色次像素的第一電極3214R、3214G、3214B、3214W。第二電極3216可為紅色次像素、綠色次像素、藍(lán)色次像素及白色次像素的共用電極，其他實(shí)施例中也可類似第一電極3214配置為對(duì)應(yīng)不同色的次像素的分開電極。通過分開控制的電極，不同色的次像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮。實(shí)施例中，舉例來說，發(fā)光二極管芯片3102可為紫外光發(fā)光二極管芯片，發(fā)射出第一光線的波長(zhǎng)為200nm至400nm?；虬l(fā)光二極管芯片3102可為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，發(fā)射出第一光線的波長(zhǎng)為430nm至480nm。實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)紅色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124R的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可包括紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，0.5≤b≤1，及/或粒徑范圍為10nm至14nm。對(duì)應(yīng)綠色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124G的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可包括綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，0≤b<0.5，及/或粒徑范圍為8nm至12nm。對(duì)應(yīng)藍(lán)色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124B的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可包括藍(lán)色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3，其中0<a≤1及/或粒徑范圍為7nm至10nm，及/或藍(lán)色熒光粉。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可摻雜在透光基材中。此外，在發(fā)光二極管芯片3102為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片的例子中，對(duì)應(yīng)藍(lán)色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124B可為透明的基材，直接由發(fā)光二極管芯片3102提供對(duì)應(yīng)藍(lán)色次像素的藍(lán)色光線。對(duì)應(yīng)白色次像素的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層3124W可包括黃色熒光粉，例如YAG:Ce，其可受發(fā)光二極管芯片3102發(fā)出的部分第一光線(藍(lán)光，波長(zhǎng)可為430nm至480nm)激發(fā)出黃光，黃光與剩余藍(lán)光混合而發(fā)出白光。實(shí)施例中，如圖31及圖32所示的微型發(fā)光二極管可應(yīng)用至微型發(fā)光二極管顯示器(MicroLEDdisplay)。與一般的發(fā)光二極管技術(shù)相比，微型發(fā)光二極管尺寸小，且像素間距從毫米級(jí)降至微米級(jí)，因此能在一個(gè)集成電路芯片上形成高密度且尺寸微小的發(fā)光二極管陣列，且色彩更容易準(zhǔn)確的調(diào)試，有更長(zhǎng)的發(fā)光壽命和更高的亮度以及具有較佳的材料穩(wěn)定性、壽命長(zhǎng)、無影像烙印等優(yōu)點(diǎn)。此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)尚能利用發(fā)光二極管高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，并且具自發(fā)光無需背光源的特性，更具節(jié)能、機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)易、體積小、薄型等優(yōu)勢(shì)。此外，微型發(fā)光二極管技術(shù)能達(dá)高分辨率。為讓本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例作詳細(xì)說明如下：【制備全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)】首先，合成Cs前驅(qū)物：將0.814g的Cs2CO3、40mL的十八烯(octadecene；ODE)及2.5mL的油酸(oleicacid；OA)加入100mL三頸瓶中，于真空且溫度120℃的環(huán)境下進(jìn)行除水一小時(shí)后，再于氮?dú)庀到y(tǒng)下加熱至150℃，直到Cs2CO3與油酸反應(yīng)完全而得Cs前驅(qū)物(油酸銫(Cs-Oleate)前驅(qū)物)。然后，將5mL的ODE與0.188mmol的PbX2(X＝Cl、Br、或I，其決定全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的鹵素成分)加入25mL三頸瓶，于真空且溫度120℃的環(huán)境下進(jìn)行除水一小時(shí)后，將0.5mL的油胺(oleylamine)及0.5mL的OA于氮?dú)庀到y(tǒng)下注射進(jìn)三頸瓶中，待溶液澄清后提高溫度至140-200℃(加熱溫度可調(diào)節(jié)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的顆粒大小)，接著將0.4mL的Cs-Oleate前驅(qū)物快速注射進(jìn)三頸瓶中并等待5秒后，以冰水浴冷卻反應(yīng)系統(tǒng)后，離心純化出全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a-bIb)3?！炯t色/綠色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3】圖33為全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3的X光繞射圖譜。圖33的由下方往上依序?yàn)镃sPbI3、CsPb(Br0.2I0.8)3、CsPb(Br0.3I0.7)3、CsPb(Br0.4I0.6)3、CsPb(Br0.5I0.5)3、CsPb(Br0.6I0.4)3，成核溫度皆為180℃時(shí)的XRD圖譜，將上述不同比例Br與I的鈣鈦礦量子點(diǎn)XRD圖譜與已知的立方體相(cubicphase)CsPbI3、CsPbBr3標(biāo)準(zhǔn)圖譜相比對(duì)，可發(fā)現(xiàn)所有合成的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3的XRD波峰位置皆與立方體相標(biāo)準(zhǔn)圖譜一致，表示合成的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3皆為立方體相。圖34為全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3的歸一化(Normalized)光激發(fā)熒光(PL)光譜圖，其中使用460nm激發(fā)光。其顯示的波峰位置(最強(qiáng)放光位置)與半高寬(FWHM)的數(shù)據(jù)列示于表1。圖35顯示全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3的CIE圖譜位置。表1從圖34、圖35及表1發(fā)現(xiàn)，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3隨著I元素含量增加且Br元素含量減少，即b值從0.4提升至1，發(fā)光波峰產(chǎn)生紅位移現(xiàn)象，即從557nm逐漸轉(zhuǎn)移至687nm。此現(xiàn)象可由量子局限效應(yīng)解釋之。亦即，由于I離子粒徑大于Br離子粒徑，當(dāng)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3中I元素含量增加時(shí)，材料尺寸將會(huì)變大而造成放光光譜發(fā)生紅位移現(xiàn)象。在全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3中，b＝0.5-1的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為紅色量子點(diǎn)。其中，紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br0.4I0.6)3的最強(qiáng)放光位置為625nm，符合市面上常用的紅色放光波段。而其光波半高寬為35nm，相對(duì)于目前常見商用紅色熒光粉更窄，亦即具有較佳的純色性，當(dāng)應(yīng)用在發(fā)光裝置時(shí)能提高產(chǎn)品的放光效率，或當(dāng)與其他種類熒光物質(zhì)混合制得發(fā)光裝置時(shí)能增加產(chǎn)品的演色性。在全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3中，b＝0.4(CsPb(Br0.6I0.4)3)的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為綠色量子點(diǎn)，其最強(qiáng)放光位置為557nm，符合市面上常用的綠色放光波段。而其光波半高寬為27nm，相對(duì)于目前常見商用綠色熒光粉更窄，亦即具有較佳的純色性，當(dāng)應(yīng)用在發(fā)光裝置時(shí)能提高產(chǎn)品的放光效率，或當(dāng)與其他種類熒光物質(zhì)混合制得發(fā)光裝置時(shí)能增加產(chǎn)品的演色性?！救珶o機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3】圖36為全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3的X光繞射圖譜。a＝0、0.5、1。與已知的立方體相(cubicphase)CsPBr3、CsPbCl3標(biāo)準(zhǔn)圖譜相比對(duì)，可發(fā)現(xiàn)所有合成的全無機(jī)鈣鈦礦CsPb(ClaBr1-a)3量子點(diǎn)的XRD波峰位置皆與立方體相標(biāo)準(zhǔn)圖譜一致，表示合成的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3皆符合立方體相。全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3的成核溫度皆為180℃。圖37為全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3的歸一化光激發(fā)熒光光譜圖(a＝0、0.5、1)。激發(fā)光波長(zhǎng)為380nm。其顯示的波峰位置(最強(qiáng)放光位置)與半高寬(FWHM)的數(shù)據(jù)列示于表2。圖38顯示全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3的CIE圖譜位置。表2從圖37、圖38及表2發(fā)現(xiàn)，全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3隨著Cl元素含量減少且Br元素含量增加，即a值從1降低提升至0，發(fā)光波峰產(chǎn)生紅位移現(xiàn)象，即從406nm逐漸轉(zhuǎn)移至514nm。此現(xiàn)象可由量子局限效應(yīng)解釋之。亦即，由于Cl離子粒徑小于Br離子粒徑，當(dāng)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3中Cl元素含量減少時(shí)，材料尺寸將會(huì)變大而造成放光光譜發(fā)生紅位移現(xiàn)象。在全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a)3中，a＝0(CsPbBr3，亦即化學(xué)式CsPb(Br1-bIb)3中b＝1)的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為綠色量子點(diǎn)，a＝0.5、1(CsPb(Cl0.5Br0.5)3、CsPbCl3)的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為藍(lán)色量子點(diǎn)。圖39為合并圖34及圖37的歸一化光激發(fā)熒光光譜圖，顯示出全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(ClaBr1-a-bIb)3其隨Cl、Br、I元素含量改變的發(fā)光特性。發(fā)光涵蓋紅色、綠色、藍(lán)色范圍，且各光波半高寬窄。因此，能據(jù)以調(diào)整全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的成分得到各種期望發(fā)光波峰位置，且當(dāng)應(yīng)用在發(fā)光裝置時(shí)能由此材料展現(xiàn)優(yōu)異的光電性質(zhì)?！景l(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)】圖40為藍(lán)色發(fā)光二極管芯片搭配紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br0.4I0.6)3與一般商用黃色熒光粉YAG:Ce的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的歸一化光激發(fā)熒光光譜圖。紅色全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br0.4I0.6)3的放光波長(zhǎng)為625nm。黃色熒光粉YAG:Ce的放光波長(zhǎng)為560nm。圖41顯示此發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光色點(diǎn)的CIE圖譜位置分布，接近于黑體輻射線，于商業(yè)存有應(yīng)用價(jià)值。表3列示此發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的相關(guān)色溫(CorrelatedColorTemperature；CCT)4010K為暖白色系，發(fā)光效率為56流明/瓦(lm/W)，平均演色性指數(shù)(ColorRenderingIndexRa；CRIRa)達(dá)83.9，現(xiàn)色性R9為40，能有效提高封裝產(chǎn)品的演色性。表3【使用多種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)】表4列示實(shí)施例1至5的條件與發(fā)光結(jié)果。各實(shí)施例使用發(fā)光二極管芯片激發(fā)不同種類全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3的組合。如表4所示，實(shí)施例1使用兩種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，分別為b＝0.3～0.4及b＝0.7～0.8，其展現(xiàn)出的光譜平均演色性指數(shù)(Ra)為40。實(shí)施例2使用三種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，分別為b＝0.1～0.2、0.5～0.6與0.6～0.7，其展現(xiàn)出的光譜平均演色性指數(shù)為60。實(shí)施例3使用四種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，分別為b＝0～0.1、0.2～0.3、0.4～0.5與0.6～0.7，其展現(xiàn)出的光譜平均演色性指數(shù)為75。實(shí)施例4使用五種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，分別為b＝0～0.1、0.3～0.4、0.5～0.6、0.7～0.8與0.8～0.9，其展現(xiàn)出的光譜平均演色性指數(shù)為90。實(shí)施例5使用六種全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3，分別為b＝0～0.1、0.2～0.3、0.5～0.6、0.6～0.7、0.7～0.8與0.9～1，其展現(xiàn)出的光譜平均演色性指數(shù)為95。表4b實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例4實(shí)施例50～0.1●●●0.1～0.2●0.2～0.3●●0.3～0.4●●0.4～0.5●0.5～0.6●●●0.6～0.7●●●0.7～0.8●●●0.8～0.9●0.9～1●CRI4060759095其他實(shí)施例中，如圖42與圖43所示，其分別為根據(jù)實(shí)施例的顯示發(fā)光二極管芯片激發(fā)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbBr3與CsPbI3時(shí)的光激發(fā)熒光光譜圖與CIE圖譜位置分布，以發(fā)光二極管芯片激發(fā)至少兩種不同組成全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(Br1-bIb)3可使NTSC達(dá)到90％以上。舉例來說，當(dāng)使用兩種的組合，其中b分別為0與1時(shí)，即發(fā)光二極管芯片激發(fā)全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbBr3與CsPbI3，NTSC達(dá)到119％。根據(jù)上述實(shí)施例，具有化學(xué)通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1的全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)能展現(xiàn)出半高寬窄的放光光譜及優(yōu)異的純色性，因此應(yīng)用在發(fā)光裝置時(shí)能提升發(fā)光效果。綜上所述，雖然結(jié)合以上較佳實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3