技術總結
本發(fā)明公開了一種p型CuMInO非晶氧化物半導體薄膜，其中M為III族元素B、Al、Ga、Sc、Y中的一種，Cu為+1價，M為+3價，In為+3價，Cu、M、In三種元素與O結合共同形成具有p型導電特性的非晶材料，同時In具有球形電子軌道，在非晶狀態(tài)下電子云能高度重合，起到空穴傳輸通道的作用。CuMInO的化學式為CuMxInyO2，其中0.2≦x≦0.8，0.2≦y≦0.8，且x+y=1。本發(fā)明還提供了p型CuMInO非晶氧化物半導體薄膜的制備方法及其在薄膜晶體管中作為溝道層的應用。本發(fā)明制得的p型CuAlInO非晶氧化物半導體薄膜的空穴濃度1013~1015cm?3，可見光透過率≧85%。以本發(fā)明制得的CuAlInO為溝道層，制備TFT，所得的p型非晶CuAlInO?TFT開關電流比104~105，場效應遷移率5.2~12.7cm2/Vs。

技術研發(fā)人員：呂建國;孟璐
受保護的技術使用者：浙江大學
文檔號碼：201610914012
技術研發(fā)日：2016.10.20
技術公布日：2017.05.24