本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件由多層結(jié)構(gòu)形成。在半導(dǎo)體器件的制造中，每個(gè)層狀結(jié)構(gòu)將與它之前的層狀結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)。每個(gè)層狀結(jié)構(gòu)利用光掩模形成。光掩模的圖案被轉(zhuǎn)移到目標(biāo)層以在目標(biāo)層中形成層狀結(jié)構(gòu)。層狀結(jié)構(gòu)利用位于其之前的層狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的疊加標(biāo)記(overlaymark)與其之前的層狀結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)。
如果由于疊加標(biāo)記的差的圖像質(zhì)量光掩模未被恰當(dāng)對準(zhǔn)，則層狀結(jié)構(gòu)不能與它之前的層狀結(jié)構(gòu)正確地對準(zhǔn)。這能導(dǎo)致器件故障或低器件性能。由于半導(dǎo)體持續(xù)在尺寸上收縮，所以對疊加標(biāo)記的高圖像質(zhì)量的需求變得更加迫切。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體器件的方法被如下提供。目標(biāo)層被形成。硬掩模層形成在目標(biāo)層上。硬掩模層被圖案化以形成包括第一掩模圖案和臺地形掩模圖案的疊加掩模圖案。第一掩模圖案圍繞臺地形掩模圖案。第一掩模圖案與臺地形掩模圖案間隔開。目標(biāo)層利用疊加掩模圖案被圖案化從而形成冗余鰭以及臺地形疊加標(biāo)記。冗余鰭被去除。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，一種形成半導(dǎo)體器件的方法被如下提供。將要被圖案化為臺地形疊加標(biāo)記和多個(gè)有源鰭的目標(biāo)層被形成。硬掩模層被形成在目標(biāo)層上。硅層被形成在硬掩模層上。硅層被圖案化從而形成多個(gè)線形硅圖案以及第一環(huán)形硅圖案和第二環(huán)形硅圖案。線形硅圖案以第一距離彼此間隔開，并且第一環(huán)形硅圖案以小于第一距離的第二距離與第二環(huán)形硅圖案間隔開。氧化物層被形成在線形硅圖案、第一環(huán)形硅圖案和第二環(huán)形硅圖案上，使得氧化物層完全填充第一環(huán)形硅圖案和第二環(huán)形硅圖案之間的間隙。各向異性蝕刻工藝對氧化物層執(zhí)行從而形成多個(gè)線形氧化物圖案、以及第一環(huán)形氧化物圖案、第二環(huán)形氧化物圖案和第三環(huán)形氧化物圖案。線形氧化物圖案被形成在線形硅圖案的側(cè)壁上。第一環(huán)形氧化物圖案被形成在第一環(huán)形硅圖案的外部側(cè)壁上。第二環(huán)形氧化物圖案被形成在第一環(huán)形硅圖案的內(nèi)部側(cè)壁和第二環(huán)形硅圖案的外部側(cè)壁之間并且完全填充第一環(huán)形硅圖案和第二環(huán)形硅圖案之間的間隙。第三環(huán)形氧化物圖案被形成在第二環(huán)形硅圖案的內(nèi)部側(cè)壁上。線形硅圖案、第一環(huán)形硅圖案和第二環(huán)形硅圖案被去除。有機(jī)平坦化層(opl)被形成，使得opl的側(cè)壁位于第二環(huán)形氧化物圖案的上表面上。opl具有第一厚度。硬掩模層利用線形氧化物圖案以及opl和第二環(huán)形氧化物圖案的組合結(jié)構(gòu)被圖案化以分別形成多個(gè)線形掩模圖案和形成臺地形掩模圖案。目標(biāo)層利用線形掩模圖案和臺地形掩模圖案被圖案化，使得有源鰭在線形掩模圖案下方形成，以及臺地形疊加標(biāo)記在臺地形掩模圖案下方形成。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，一種形成半導(dǎo)體器件的方法被如下提供。目標(biāo)層被形成在襯底上。目標(biāo)層具有器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域。器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域被蝕刻從而分別形成多個(gè)有源鰭和形成臺地形疊加標(biāo)記。金屬層被形成在有源鰭上。光掩模利用臺地形疊加標(biāo)記與有源鰭對準(zhǔn)。光掩模被用來圖案化金屬層以形成多個(gè)柵電極。
附圖說明
通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，本發(fā)明構(gòu)思的這些及其它特征將變得更加明顯，其中：
圖1示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的透視圖；
圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的制造器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的流程圖；
圖3到5示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的透視圖；
圖6示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的在制造finfet的鰭型結(jié)構(gòu)的工藝中形成臺地形疊加標(biāo)記的流程圖；
圖7示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖8a到10a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
圖8b到10b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的沿圖8a到10a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖11示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖6的步驟1200的圖案化硬掩模層以形成掩模圖案和臺地形掩模圖案的流程圖；
圖12示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖13a到17a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
圖13b到17b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的沿圖13a到17a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖14c示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的保形地形成在圖13a和13b的所得結(jié)構(gòu)上的初始下部掩模層；
圖18示出圖6的步驟1300的圖案化目標(biāo)層的流程圖；
圖19到22示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖23示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖11的步驟1220的圖案化下部型芯層的流程圖；
圖24示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖25a到28a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
圖25b到28b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的沿圖25a到28a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖26c示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的被保形地形成在圖26a和26b的所得結(jié)構(gòu)上的初始上部掩模層；
圖29示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖23的步驟1224的圖案化上部型芯層的流程圖；
圖30示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖31a到34a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
圖31b到34b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的沿圖31a到34a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖；
圖35是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊；
圖36是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖；以及
圖37是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。
將理解，為了圖示的簡明和清晰，圖中示出的元件不必需按比例繪制。例如，為了清晰，一些元件的尺寸相對于其它元件被夸大。此外，在被認(rèn)為適當(dāng)?shù)那闆r下，附圖標(biāo)記在圖中已經(jīng)被重復(fù)以標(biāo)出相應(yīng)或相似的元件。
盡管一些剖視圖(們)的相應(yīng)俯視圖和/或透視圖可以不被示出，但是此處示出的器件結(jié)構(gòu)的剖視圖(們)為如同在俯視圖中示出那樣沿兩個(gè)不同方向和/或如同在透視圖中示出那樣在三個(gè)不同方向上延伸的多個(gè)器件結(jié)構(gòu)提供支持。所述兩個(gè)不同方向可以彼此正交或可以不彼此正交。所述三個(gè)不同方向可以包括第三方向，該第三方向可以與所述兩個(gè)不同方向正交。所述多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以被集成到同一電子器件中。例如，當(dāng)一器件結(jié)構(gòu)(例如存儲單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))在剖視圖中示出時(shí)，電子器件可以包括多個(gè)所述器件結(jié)構(gòu)(例如存儲單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))，如同被所述電子器件的俯視圖示出那樣。所述多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以布置成陣列和/或成二維圖案。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式將在以下被參考附圖詳細(xì)描述。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于此處闡釋的實(shí)施方式。在圖中，為了清晰，層和區(qū)域的厚度可以被夸大。還將理解，當(dāng)一元件被稱為“在”另外的元件或襯底“上”時(shí)，它可以直接在所述另外的元件或襯底上，或居間層也可以存在。還將理解，當(dāng)一元件被稱為“聯(lián)接到”或“連接到”另外的元件時(shí)，它可以直接聯(lián)接到或連接到所述另外的元件，或居間元件也可以存在。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的透視圖。半導(dǎo)體器件1000包括具有器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的襯底100。
器件區(qū)域1000a包括有源元件，諸如其有源區(qū)域被形成為鰭型結(jié)構(gòu)(在此情形下，其可以被稱為有源鰭)200的晶體管。在一示例實(shí)施方式中，晶體管由鰭型場效應(yīng)晶體管(finfet)形成。鰭型結(jié)構(gòu)200在第一方向(x軸)上排列并且彼此間隔開。鰭型結(jié)構(gòu)200平行地沿第二方向(y軸)延伸。每個(gè)鰭型結(jié)構(gòu)200從襯底100向第三方向(z軸)突出。在一示例實(shí)施方式中，鰭型結(jié)構(gòu)200可以從襯底100外延生長。在一示例實(shí)施方式中，鰭型結(jié)構(gòu)200可以通過蝕刻襯底100形成。
例如，疊加標(biāo)記區(qū)域1000b包括疊加標(biāo)記300，疊加標(biāo)記300用于為將后續(xù)圖案與包括鰭型結(jié)構(gòu)200的目標(biāo)圖案對準(zhǔn)提供基準(zhǔn)。疊加標(biāo)記300可以具有高精度圖像特征，并且可以被定位來使得疊加標(biāo)記300不影響后續(xù)晶片加工工藝或器件性能。在一示例實(shí)施方式中，目標(biāo)圖案可以是鰭型結(jié)構(gòu)200，并且后續(xù)圖案可以是柵電極。
沿第三方向延伸的疊加標(biāo)記300包括平坦的上表面300a和邊緣邊界300b。平坦的上表面300a填充由邊緣邊界300b限定的區(qū)域。平坦的上表面300a連續(xù)地延伸直到邊緣邊界300b，邊緣邊界300b限定疊加標(biāo)記300的形狀。邊緣邊界300b是連續(xù)且閉合的。在一示例實(shí)施方式中，光刻設(shè)備可以利用例如平坦的上表面300a和外部區(qū)域400之間的對比度差異檢測邊緣邊界300b以定位并識別疊加標(biāo)記。
當(dāng)沿第三方向觀察時(shí)，疊加標(biāo)記300具有十字標(biāo)線形狀。本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且疊加標(biāo)記300可以具有各種形狀。在下文中，疊加標(biāo)記300可以被稱為臺地形疊加標(biāo)記(plateau-shapedoverlaymark)。
在一示例實(shí)施方式中，可以在邊緣邊界300b內(nèi)圖案化兩個(gè)或更多個(gè)鰭型結(jié)構(gòu)。在這種情況下，邊緣邊界300b不必是連續(xù)的，并且不必具有平坦的上表面300a。例如，邊緣邊界300b可以是不連續(xù)的，并且疊加標(biāo)記的上表面不必是連續(xù)的。相比于臺地形疊加標(biāo)記，可以被稱作疊加鰭標(biāo)記的在邊緣邊界300b內(nèi)具有鰭型結(jié)構(gòu)的疊加標(biāo)記可以提供更小的對比度差異。
參考圖2到5，將描述在finfet的制造中疊加標(biāo)記300的使用。圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的制造器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的流程圖。圖3到5示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的透視圖。根據(jù)一示例實(shí)施方式，臺地形疊加標(biāo)記被用來對準(zhǔn)光掩模，使得finfet的柵電極被形成在鰭型結(jié)構(gòu)上。鰭型結(jié)構(gòu)可以提供finfet的溝道區(qū)域。臺地形疊加標(biāo)記可以使用用于形成鰭型結(jié)構(gòu)的工藝步驟形成。
圖3示出執(zhí)行圖2的步驟1000之后形成的鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300。
在步驟1000中，目標(biāo)層100被制造為具有臺地形疊加標(biāo)記300和鰭型結(jié)構(gòu)200。目標(biāo)層100可以包括襯底、外延生長的硅層或外延生長的sige合金層。襯底可以由硅形成。為了描述的方便，目標(biāo)層100被假定為襯底。臺地形疊加標(biāo)記300和鰭型結(jié)構(gòu)200可以利用光掩模(此處未示出)由襯底同時(shí)形成。
鰭型結(jié)構(gòu)200形成在襯底100的器件區(qū)域1000a上，并且臺地形疊加標(biāo)記300形成在襯底100的疊加標(biāo)記區(qū)域1000b上。臺地形疊加標(biāo)記300沿第三方向(z軸)從疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中的外部區(qū)域400突出。臺地形疊加標(biāo)記300包括平坦的上表面300a和邊緣邊界300b。平坦的上表面300a是臺地形的，并且填充由邊緣邊界300b限定的區(qū)域。在這種情況下，外部區(qū)域400是目標(biāo)層100的上表面。
圖4示出執(zhí)行圖2的步驟2000之后形成的柵電極層500。在步驟2000中，柵電極層500形成在圖3的所得結(jié)構(gòu)上。例如，柵電極層500被形成在器件區(qū)域1000a中的鰭型結(jié)構(gòu)200和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中的臺地形疊加標(biāo)記300上。
蝕刻掩模圖案600被形成在器件區(qū)域1000a中的柵電極層500上。在步驟3000中，光刻工藝可以被執(zhí)行以在柵電極層500上形成蝕刻掩模圖案600。在光刻工藝中，光致抗蝕劑層(此處未示出)被形成在柵電極層500上，并且光掩模利用臺地形疊加標(biāo)記300與鰭型結(jié)構(gòu)200對準(zhǔn)使得光掩模的圖案被轉(zhuǎn)移以形成蝕刻掩模圖案600。本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，蝕刻掩模圖案600可以由包括硅氮化物、硅氧化物或非晶硅的硬掩模材料形成。
臺地形疊加標(biāo)記300相比于由多個(gè)疊加鰭型結(jié)構(gòu)形成的疊加鰭標(biāo)記可以為后續(xù)工藝提供可靠的疊加標(biāo)記。在一示例實(shí)施方式中，臺地形疊加標(biāo)記300相比于具有多個(gè)疊加鰭型結(jié)構(gòu)的疊加鰭標(biāo)記提供具有增大的對比度差異的邊緣邊界300b。在外形或形狀方面，疊加鰭型結(jié)構(gòu)可以類似于形成在器件區(qū)域1000a中的鰭型結(jié)構(gòu)。
圖5示出執(zhí)行圖3的步驟4000之后形成的柵電極700。在步驟4000中，使用蝕刻掩模圖案600作為蝕刻掩模，柵電極層500被圖案化為柵電極700。柵電極700使用蝕刻工藝形成，在該蝕刻工藝中，通過蝕刻掩模圖案600暴露的柵電極層500可以被去除從而形成柵電極700。
在一示例實(shí)施方式中，柵電極700平行于第一方向(x軸)延伸，并且鰭型結(jié)構(gòu)200平行于交叉第一方向的第二方向(y軸)延伸。鰭型結(jié)構(gòu)200的與柵電極700的重疊區(qū)域可以用作finfet的溝道。
如果臺地形疊加標(biāo)記300在圖案化用于形成柵電極700的蝕刻掩模圖案600的光刻工藝中具有差的對比度，則柵電極700可以偏離到包括柵電極700和鰭型結(jié)構(gòu)200的finfet可以不能工作或具有低性能的程度。如以上所述，臺地形疊加標(biāo)記300在邊緣邊界中提供平坦的表面，因此在finfet的形成中具有可靠的對比度。
柵氧化物層(此處未示出)可以被插置在柵電極700和鰭型結(jié)構(gòu)200之間。柵氧化物層可以由硅氧化物或其介電常數(shù)大于硅氧化物的介電常數(shù)的高k電介質(zhì)材料形成。柵電極700由摻雜硅、金屬或它們的組合形成。在一示例實(shí)施方式中，金屬柵電極和高k電介質(zhì)柵氧化物的組合可以用于finfet。
在下文中，將參考流程圖以及根據(jù)所述流程圖形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖描述臺地形疊加標(biāo)記300的形成。
參考圖6、7、8a到10a以及8b到10b，疊加標(biāo)記的形成將被描述。圖6示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的在制造finfet的鰭型結(jié)構(gòu)的工藝中形成臺地形疊加標(biāo)記的流程圖。圖7示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。圖8a到10a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖。圖8b到10b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的，沿圖8a到10a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。
圖7示出執(zhí)行圖6的步驟1100之后形成的硬掩模層801。在一示例實(shí)施方式中，硬掩模層801可以由硅氮化物形成。本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
硬掩模層801被形成在目標(biāo)層100上。在一示例實(shí)施方式中，目標(biāo)層100可以是外延生長的硅層或外延生長的sige合金層。在一示例實(shí)施方式中，目標(biāo)層100可以由硅或sixge1-x形成，其中x是小于1的正實(shí)數(shù)。為了描述的方便，目標(biāo)層被假定為外延生長的硅層。
目標(biāo)層100包括器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b。器件區(qū)域1000a是finfet的鰭型結(jié)構(gòu)將要被形成的區(qū)域；疊加標(biāo)記區(qū)域1000b是臺地形疊加標(biāo)記將要被形成的區(qū)域。
圖8a和8b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖6的步驟1200之后形成的硬掩模圖案801b和疊加掩模圖案801a。圖8a是硬掩模圖案801b和疊加掩模圖案801a的俯視圖，圖8b是沿圖8a的線x-x'截取的剖視圖。為了描述的方便，在圖8a和8b中示出一個(gè)疊加掩模圖案801a。在一示例實(shí)施方式中，至少兩個(gè)疊加掩模圖案可以被形成從而形成至少兩個(gè)彼此間隔開的疊加標(biāo)記。
硬掩模層801利用蝕刻工藝被圖案化為器件區(qū)域1000a中的硬掩模圖案801b以及疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中的疊加掩模圖案801a。
例如，硬掩模圖案801b被用于圖案化目標(biāo)層100以形成圖3的鰭型結(jié)構(gòu)200。在此情形下，硬掩模圖案801b也可以被稱為鰭掩模圖案。硬掩模圖案801b平行于第二方向(y軸)延伸。
例如，疊加掩模圖案801a被用于圖案化圖3的臺地形疊加標(biāo)記300。疊加掩模圖案801a包括第一疊加掩模圖案(其也可稱為第一掩模圖案)801a-1以及第二疊加掩模圖案(其也可稱為臺地形掩模圖案)801a-2。第一疊加掩模圖案801a-1是環(huán)型形狀的。例如，第一疊加掩模圖案801a-1是關(guān)于中心對稱的，并且是連續(xù)且閉合的環(huán)。在第一疊加掩模圖案801a-1的中心，第二疊加掩模圖案801a-2被形成為具有十字標(biāo)線形狀。在一示例實(shí)施方式中，第一疊加掩模圖案801a-1和第二疊加掩模圖案801a-2是同心的。疊加掩模圖案801a的形成將參考圖11被描述。
圖9a和9b示出執(zhí)行圖6的步驟1300之后分別在器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中形成的鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300。目標(biāo)層100通過蝕刻工藝被圖案化從而形成鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300，該蝕刻工藝將圖8a和8b的掩模圖案801b以及圖8a和8b的疊加掩模圖案801a用作蝕刻掩模圖案。在一示例實(shí)施方式中，鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300可以用相同的蝕刻工藝形成。在這種情況下，鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300可以基本同時(shí)被形成。在臺地形疊加標(biāo)記300的形成中，冗余鰭型結(jié)構(gòu)805被形成在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中。在一示例實(shí)施方式中，冗余鰭型結(jié)構(gòu)805的上表面和臺地形疊加標(biāo)記300的上表面是基本共面的。冗余鰭型結(jié)構(gòu)805可以減小目標(biāo)層100的疊加標(biāo)記300和外部區(qū)域400之間的對比度差異。如果冗余鰭型結(jié)構(gòu)805留在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中，則其可以防止臺地形疊加標(biāo)記300的邊緣邊界300b在光刻工藝中被檢測到。因此，冗余鰭型結(jié)構(gòu)805可以在后續(xù)工藝中被去除。
圖10a和10b示出圖6的步驟1400之后冗余鰭型結(jié)構(gòu)805的去除。圖9a和9b的冗余鰭型結(jié)構(gòu)805從疊加標(biāo)記區(qū)域1000b去除。在一示例實(shí)施方式中，疊加標(biāo)記區(qū)域1000b可以包括臺地形疊加標(biāo)記300和鄰近于臺地形疊加標(biāo)記300的外部區(qū)域400，并且光刻設(shè)備比較外部區(qū)域400和臺地形疊加標(biāo)記300之間的對比度以檢測臺地形疊加標(biāo)記300的邊緣邊界300b。在一示例實(shí)施方式中，鄰近于臺地形疊加標(biāo)記300的外部區(qū)域400不具有冗余鰭型結(jié)構(gòu)805。在器件區(qū)域1000a中，鰭型結(jié)構(gòu)200被形成。
在下文中，硬掩模層801的圖案化(圖6的步驟1200)將參考圖11、12、13a和13b、14a-14c、15a和15b、16a和16b以及17a和17b被描述。圖11示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖6的步驟1200的圖案化硬掩模層以形成掩模圖案和臺地形掩模圖案的流程圖。圖12示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。圖13a到17a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖。圖13b到17b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的，沿圖13a到17a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。圖14c示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的保形地形成在圖13a和13b的所得結(jié)構(gòu)上的初始下部型芯層。
圖12示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的剖視圖。圖13a到17a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的俯視圖。圖13b到17b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的，沿圖13a到17a的線x-x'截取的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的剖視圖。
圖12示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖11的步驟1210后形成的下部型芯層802。下部型芯層802被形成在圖7的所得結(jié)構(gòu)上。在步驟1210中，下部型芯層802被形成在硬掩模層801上。下部型芯層802可以是對于硬掩模層801具有蝕刻選擇性的材料。例如，硬掩模層801可以由硅氮化物形成，并且下部型芯層802由硅形成。
圖13a和13b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖12的步驟1220后形成的下部型芯802a和802b。在步驟1220中，使用蝕刻工藝，下部型芯層802被圖案化成下部型芯802a和802b。在器件區(qū)域1000a中，下部型芯802b平行地沿第二方向(y軸)延伸，并且下部型芯802b以第一距離d11彼此間隔開。在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中，下部型芯802a包括第一下部型芯802a-1和第二下部型芯802a-2。第一下部型芯802a-1和第二下部型芯802a-2以小于第一距離d11的第二距離d21彼此間隔開。第一和第二下部型芯802a-1和802a-2是閉合圖案并且是同心的。第二下部型芯802a-2被置于第一下部型芯802a-1內(nèi)。
在一示例實(shí)施方式中，第一距離d11和第二距離d21被預(yù)先確定，使得如圖14c所示，初始下部掩模層803在具有第一距離d11的第一間隙g1中不必接觸，并且初始下部掩模層803填充具有第二距離d21的第二間隙g2。初始下部掩模層803將參考圖14c被描述。
圖14a和14b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖11的步驟1230后形成的下部掩模圖案803a和803b。在步驟1230中，下部掩模圖案803a和803b形成在下部型芯802a和802b的側(cè)壁上。下部掩模圖案803b以第一厚度t11形成在器件區(qū)域1000a中的下部型芯802b的側(cè)壁上。疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的下部掩模圖案803a具有兩個(gè)厚度t21和t22。例如，下部掩模圖案803a具有第二厚度t21和第三厚度t22。形成在第一下部型芯802a-1和第二下部型芯802a-2之間的下部掩模圖案803a具有第二厚度t21。在第一下部型芯802a-1的外部側(cè)壁上以及在第二下部型芯802a-2的內(nèi)部側(cè)壁上形成的下部掩模圖案803a具有第三厚度t22。在一示例實(shí)施方式中，第三厚度t22與第一厚度t11基本相同，并且小于第二厚度t21。在一示例實(shí)施方式中，下部掩模圖案803b可以具有不足以填充器件區(qū)域1000a中兩相鄰下部型芯802b之間的第一間隙g1的厚度t11。在一示例實(shí)施方式中，下部掩模圖案803a可以具有不足以填充形成在第二下部型芯802a-2內(nèi)的第三間隙g3的厚度t22。例如，第三間隙g3由第二下部型芯802a-2的內(nèi)部側(cè)壁限定。在一示例實(shí)施方式中，在第二間隙g2中，下部掩模圖案803a被合并從而具有第二厚度t21。具有第二間隙g2、第一下部型芯802a-1和第二下部型芯802a-2的區(qū)域可以被稱為疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的邊界限定區(qū)域bdr。在一示例實(shí)施方式中，第二厚度t21可以是第三厚度t22的大約兩倍，或者可以小于第三厚度的大約兩倍并且大于第三厚度t22。
圖14c示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的保形地形成在圖13a和13b的所得結(jié)構(gòu)上的初始下部掩模層803。在一示例實(shí)施方式中，初始下部掩模層803可以由氧化物形成。在一示例實(shí)施方式中，初始下部掩模層803可以由硅氧化物形成。初始下部掩模層的厚度t11和t22使得初始下部掩模層803完全填充邊界限定區(qū)域bdr中兩個(gè)下部型芯802a-1和802a-2之間的第二間隙g2；并且使得在器件區(qū)域1000a中，初始下部掩模層803被保形地形成在圖13b的所得結(jié)構(gòu)上而不完全填充兩個(gè)相鄰下部型芯之間的第一間隙g1。
在一示例實(shí)施方式中，例如，包括反應(yīng)離子蝕刻(rie)工藝的各向異性蝕刻工藝可以應(yīng)用于圖14c的所得結(jié)構(gòu)從而形成圖14a和14b的下部掩模圖案803a和803b。在rie工藝中，初始下部掩模層803的上部和下部被去除，從而形成留在下部型芯802a和802b的側(cè)壁上的下部掩模圖案803a和803b。
圖15a和15b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖11的步驟1240后的下部型芯802a和802b的去除。在步驟1240中，下部型芯802a和802b可以用蝕刻工藝去除，在硬掩模層801上留下下部掩模圖案803a和803b。下部掩模圖案803a包括第一下部掩模圖案803a-1、第二下部掩模圖案803a-2和第三下部掩模圖案803a-3。下部掩模圖案803a-1到803a-3是環(huán)形的和同心的。
在一示例實(shí)施方式中，具有第二厚度t21的下部掩模圖案803a-2被置于邊界限定區(qū)域bdr內(nèi)。邊界限定區(qū)域bdr中的下部掩模圖案803a-2可以具有是第三厚度t22或第一厚度t11的大約兩倍的厚度t21。在圖15a中，在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中邊界限定區(qū)域bdr圍繞布置在第二下部掩模圖案803a-2內(nèi)的第三下部掩模圖案803a-3。第一下部掩模圖案803a-1圍繞邊界限定區(qū)域bdr。
圖16a和16b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖11的步驟1250后形成的有機(jī)平坦化層(opl)804。在步驟1250中，opl804被形成來覆蓋由疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中的第二下部掩模圖案803a-2限定的內(nèi)側(cè)。opl804的邊緣邊界位于具有第二厚度t21的第二下部掩模圖案803a-2的上表面內(nèi)，第二厚度t21大于其它下部掩模圖案803a-1和803a-3。在一示例實(shí)施方式中，第二下部掩模圖案803a-2的上表面被opl804部分覆蓋，并且第三下部掩模圖案803a-2被opl804完全覆蓋。第一下部掩模圖案803a-1不被opl804覆蓋。
在opl804的形成之后，疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的硬掩模層801被opl和下部掩模圖案803a-2和803a-1覆蓋。利用opl和下部掩模圖案803a-2和803a-1作為蝕刻掩模圖案，硬掩模層801被圖案化。在一示例實(shí)施方式中，代替opl804，硅抗反射涂層(arc)或無定形碳層可以被使用。
圖17a和17b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖11的步驟1260后形成的圖8a和8b的硬掩模圖案801a和801b。在步驟1260中，在硬掩模圖案801a和801b形成的同時(shí)下部掩模圖案803a和803b被部分去除，因此下部掩模圖案803a和803b的厚度需要是足夠的以致在硬掩模圖案801a和801b的形成中下部掩模圖案803a和803b不被完全去除。
在一示例實(shí)施方式中，使用opl804和第二下部掩模圖案803a-2的組合掩模結(jié)構(gòu)作為圖案化硬掩模層801中的蝕刻掩模，用于圖1的臺地形疊加標(biāo)記300的硬掩模圖案801a-2被形成。
在下文中，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式目標(biāo)層100的圖案化(圖6的步驟1300)將參考圖18到22被描述。圖18示出圖6的步驟1300的圖案化目標(biāo)層100的流程圖。目標(biāo)層100的圖案化使用圖17a和17b的硬掩模圖案801a和801b被執(zhí)行。圖19到22示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的剖視圖。
圖19示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖18的步驟1310后形成的opl804的部分去除。在步驟1310中，opl804的厚度被減小到opl在后續(xù)步驟1320中被基本上去除的程度。在一示例實(shí)施方式中，步驟1310可以被省略。
圖20示出執(zhí)行圖18的步驟1320后形成的圖1的鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300。在步驟1320中，例如，包括rie工藝的各向異性蝕刻工藝可以被應(yīng)用以將目標(biāo)層100的上部區(qū)域圖案化成鰭型結(jié)構(gòu)200和臺地形疊加標(biāo)記300。在所述蝕刻工藝中冗余鰭型結(jié)構(gòu)805也被形成。在所述蝕刻工藝中，下部掩模圖案803a和803b以及opl804可以被部分蝕刻。在執(zhí)行步驟1320之后，下部掩模圖案803a和803b可以留在硬掩模圖案801a和801b上，并且opl804被完全去除。
圖21示出執(zhí)行步驟1330后的所得結(jié)構(gòu)。在步驟1330中，opl灰化工藝和清潔工藝可以被應(yīng)用于圖20的所得結(jié)構(gòu)。opl灰化工藝可以被應(yīng)用以去除opl804的任何殘留物。清潔工藝可包括hf清潔工藝。在這種情況下，下部掩模圖案803a和803b可被部分去除從而具有減小的厚度。在一示例實(shí)施方式中，器件區(qū)域1000a的下部掩模圖案803b可以被完全去除；疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的下部掩模圖案803a可以仍然存在而具有減小的厚度。
圖22示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖6的步驟1400之后的所得結(jié)構(gòu)。在步驟1400中，疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的冗余鰭型結(jié)構(gòu)805被去除。在一示例實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝可以被應(yīng)用以去除圖21的下部掩模圖案803a。
在下文中，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，下部型芯層的圖案化(圖11的步驟1220)將參考圖23、24、25a到28a、25b到28b以及26c被描述。
圖23示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖11的步驟1220的圖案化下部型芯層802的流程圖。圖24示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的剖視圖。圖25a到28a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的俯視圖。圖25b到28b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的沿圖25a到28a的線x-x'截取的器件區(qū)域1000a和疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的剖視圖。圖26c示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的，被保形地形成在圖26a和26b的所得結(jié)構(gòu)上的初始上部掩模層。
圖24示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1222后形成在下部型芯層802上的上部型芯層806。下部型芯層802被形成在硬掩模層801上。上部型芯層806被形成在圖12的所得結(jié)構(gòu)上。在一示例實(shí)施方式中，硬掩模層801可以利用下部型芯層802和上部型芯層806被圖案化以用作用于圖案化目標(biāo)層100的蝕刻掩模。在一示例實(shí)施方式中，上部型芯層806可以由無定形碳形成。
圖25a和25b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1224后形成的上部型芯806a和806b。上部型芯806a和806b被形成在下部型芯層802上。在器件區(qū)域1000a中，上部型芯806b平行地沿第二方向(y軸)延伸。在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中，上部型芯806a包括第一上部型芯806a-1和第二上部型芯806a-2。第一上部型芯806a-1是環(huán)形的，并且第二上部型芯806a-2是十字標(biāo)線形狀的。第一上部型芯806a-1圍繞第二上部型芯806a-2。在一示例實(shí)施方式中，第二上部型芯806a-2位于第一上部型芯806a-1的中心。
圖26a和26b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1226后形成的上部掩模圖案807a和807b。上部掩模圖案807a和807b形成在上部型芯806a和806b的側(cè)壁上。下部型芯層802通過上部掩模圖案807a和807b被暴露。
圖26c示出保形地形成在圖25a和25b的所得結(jié)構(gòu)上的初始上部掩模層807。初始上部掩模層807的厚度使得初始上部掩模層807不完全填充器件區(qū)域1000a中兩個(gè)上部型芯806b之間的間隙。初始上部掩模層807的厚度使得初始上部掩模層807不完全填充疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中兩個(gè)上部型芯806a-1和806a-2之間的間隙。
在一示例實(shí)施方式中，例如，包括反應(yīng)離子蝕刻(rie)工藝的各向異性蝕刻工藝可以應(yīng)用于圖26c的所得結(jié)構(gòu)，使得初始上部掩模層807的上部和下部被去除從而形成留在上部型芯806a和806b的側(cè)壁上的上部掩模圖案807a和807b。
圖27a和27b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1227后上部型芯806a和806b的去除。在蝕刻工藝中，上部型芯806a和806b被去除，留下上部掩模圖案807a和807b。
圖28a和28b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1228后形成的下部型芯802a和802b。在使用包括rie工藝的各向異性蝕刻工藝的蝕刻工藝中，下部型芯層802被圖案化成下部型芯802a和802b。在器件區(qū)域1000a中，下部型芯802b以均勻距離彼此間隔開；在疊加標(biāo)記區(qū)域1000b中，下部型芯802a例如以不同距離d21和d22彼此間隔開。
在一示例實(shí)施方式中，下部型芯802a包括第一下部型芯802a-1、第二下部型芯802a-2和第三下部型芯802a-3。為了描述的方便，圖13a和13b省略了第三下部型芯802a-3。第一下部型芯802a-1和第二下部型芯802a-2以第二距離d21彼此間隔開；第一下部型芯802a-1和第三下部型芯802a-3以第三距離d22彼此間隔開。
在一示例實(shí)施方式中，上部掩模圖案807a和807b可以被去除從而形成圖13a和13b的所得結(jié)構(gòu)。為了描述的方便，疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的最外面的或第三下部型芯802a-3在圖13a和13b中被省略。例如，圖13a和13b示出兩個(gè)內(nèi)部的下部型芯802a-1和802a-2。疊加標(biāo)記區(qū)域1000b的下部型芯802a-1到802a-3是環(huán)形的和同心的。
在下文中，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，上部型芯層806的圖案化(圖23的步驟1224)將參考圖29、30、31a到34a以及31b到34b被描述。
圖29示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的圖23的步驟1224的圖案化上部型芯層806的流程圖。圖30示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。圖31a到34a示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的俯視圖。圖31b到34b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的，沿圖31a到34a的線x-x'截取的器件區(qū)域和疊加標(biāo)記區(qū)域的剖視圖。
圖30示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖29的步驟1224-a到1224-c后以所列順序形成在上部型芯層806上的氧化物層901、上部opl902和sin層903。
圖31a和31b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行圖29的步驟1224-d后形成的光致抗蝕劑圖案904a和904b。在器件區(qū)域1000a中光致抗蝕劑圖案904b平行地沿第二方向(y軸)延伸。光致抗蝕劑圖案904a包括疊加標(biāo)記區(qū)域1000b上的第一光致抗蝕劑圖案904a-1和第二光致抗蝕劑圖案904a-2。第一光致抗蝕劑圖案904a-1是環(huán)形的，并且第二光致抗蝕劑圖案904a-2位于第一光致抗蝕劑圖案904a-1的中心。第一和第二光致抗蝕劑圖案904a-1和904a-2彼此間隔開。
光致抗蝕劑層(此處未示出)可以由光致抗蝕劑材料形成，并且可以形成在sin層903上。光致抗蝕劑層使用光刻工藝被圖案化成光致抗蝕劑圖案904a和904b。
圖32a和32b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1224-e后形成的sin圖案903a和903b以及上部opl圖案902a和902b。sin層903和上部opl902通過蝕刻經(jīng)光致抗蝕劑圖案904a和904b暴露的區(qū)域被圖案化從而形成sin圖案903a和903b以及上部opl圖案902a和902b。例如，光致抗蝕劑圖案904a和904b的圖案化的結(jié)構(gòu)可以被轉(zhuǎn)移到sin層903和上部opl902從而形成sin圖案903a和903b以及上部opl圖案902a和902b。蝕刻工藝可以使用相對于氧化物層901具有蝕刻選擇性的上部opl902和sin層903的蝕刻劑。在該蝕刻工藝中，光致抗蝕劑圖案904a和904b被去除。在一示例實(shí)施方式中，光致抗蝕劑圖案904a和904b可以被部分去除。
圖33a和33b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1224-f后形成的氧化物圖案901a和901b。氧化物層901通過蝕刻經(jīng)sin圖案903a和903b以及opl圖案902a和902b暴露的區(qū)域被圖案化從而形成氧化物圖案901a和901b。蝕刻工藝可以使用相對于上部型芯層806具有蝕刻選擇性的氧化物層901的蝕刻劑。在該蝕刻工藝中，sin圖案903a和903b被去除。在一示例實(shí)施方式中，sin圖案903a和903b可被部分去除。
圖34a和34b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的執(zhí)行步驟1224-g后形成的上部型芯806a和806b。上部型芯層806形成在下部型芯層802上。上部型芯層806通過蝕刻經(jīng)氧化物圖案901a和901b暴露的區(qū)域被圖案化從而形成上部型芯806a和806b。該蝕刻工藝可以使用相對于下部型芯層802具有蝕刻選擇性的上部型芯層806的蝕刻劑。在一示例實(shí)施方式中，氧化物圖案901a和901b可以被去除使得上部型芯層806被圖案化成上部型芯806a和806b，例如如圖25a和25b所示。
在一示例實(shí)施方式中，圖1的鰭型結(jié)構(gòu)200和疊加標(biāo)記300的形成可以根據(jù)圖2、6(圖2的步驟1000)、11(圖6的步驟1200)、18(圖6的步驟1300)、23(圖11的步驟1220)和29(圖23的步驟1224)的流程圖的一示例實(shí)施方式被執(zhí)行。
圖35是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊。
參考圖35，半導(dǎo)體模塊500包括根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件530。半導(dǎo)體器件530被安裝在半導(dǎo)體模塊基板510上。半導(dǎo)體模塊500進(jìn)一步包括安裝在半導(dǎo)體模塊基板510上的微處理器520。輸入/輸出端子540被布置在半導(dǎo)體模塊基板510的至少一側(cè)。半導(dǎo)體模塊500可以被包括在存儲卡或固態(tài)驅(qū)動器(ssd)中。在一示例實(shí)施方式中，微處理器520可以包括根據(jù)一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件。
圖36是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。
參考圖36，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件被應(yīng)用于電子系統(tǒng)600。電子系統(tǒng)600包括主體610、微處理器單元620、電源630、功能單元640和顯示控制器單元650。主體610可以包括具有印刷電路板(pcb)或類似物的系統(tǒng)板或母板。微處理器單元620、電源630、功能單元640和顯示控制器單元650被安裝或布置在主體610上。顯示單元660被布置在主體610的上表面上或主體610外。例如，顯示單元660被布置在主體610的表面上，顯示由顯示控制器單元650處理的圖像。電源630從外部電源接收恒定電壓，產(chǎn)生各種電壓電平以將電壓供給到微處理器單元620、功能單元640、顯示控制器單元650等。微處理器單元620自電源630接收電壓以控制功能單元640和顯示單元660。功能單元640可以執(zhí)行電子系統(tǒng)600的各種功能。例如，當(dāng)電子系統(tǒng)600是諸如蜂窩電話等的移動電子產(chǎn)品時(shí)，功能單元640可以包括各種部件以通過與外部設(shè)備670的通信執(zhí)行諸如撥號、至顯示單元660的視頻輸出或至揚(yáng)聲器的聲音輸出的無線通信功能，并且當(dāng)攝像頭被包括時(shí)，它可以用作圖像處理器。如果電子系統(tǒng)600被連接到存儲卡以擴(kuò)展容量，則功能單元640可以用作存儲卡控制器。功能單元640可以通過有線或無線通信單元680與外部設(shè)備670交換信號。此外，當(dāng)電子系統(tǒng)600需要通用串行總線(usb)以擴(kuò)展功能時(shí)，功能單元640可以用作接口控制器。功能單元640可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件。
圖37是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。
參考圖37，電子系統(tǒng)700可以被包括在移動設(shè)備或計(jì)算機(jī)中。例如，電子系統(tǒng)700包括存儲系統(tǒng)712、微處理器714、隨機(jī)存取存儲器(ram)716以及被配置為使用總線720進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的用戶接口718。微處理器714可以編程并控制電子系統(tǒng)700。ram716可以用作微處理器714的運(yùn)行存儲器。例如，微處理器714或ram716可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件。
微處理器714、ram716和/或其它部件可以被組裝在單個(gè)封裝中。用戶接口718可以用于輸入數(shù)據(jù)到電子系統(tǒng)700或從電子系統(tǒng)700輸出數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)712可以存儲微處理器714的操作代碼、微處理器714處理的數(shù)據(jù)或從外部接收的數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)712可以包括控制器和存儲器。
盡管本發(fā)明構(gòu)思已經(jīng)參考其示例實(shí)施方式被示出和描述，但是對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將明顯的是，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不背離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。
本申請要求在美國專利商標(biāo)局于2015年10月28日提交的第62/247243號以及于2016年6月16日提交的第15/184315號美國專利申請的權(quán)益，其公開通過引用全文合并于此。