技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板、其制作方法及顯示面板，在薄膜晶體管中設(shè)置由碳納米管半導(dǎo)體層和非摻雜非晶硅層組成的有源層，并且將非摻雜非晶硅層設(shè)置于碳納米管半導(dǎo)體層與源極和漏極之間。這樣，在薄膜晶體管打開時(shí)，主要通過有源層中的碳納米管半導(dǎo)體層導(dǎo)電，碳納米管半導(dǎo)體層具有較高的電子遷移率，并形成較大的開態(tài)電流，在薄膜晶體管關(guān)閉時(shí)，漏電流主要通過有源層中的非摻雜非晶硅層進(jìn)行釋放，具有較小的漏電流，從而使薄膜晶體管具有較高的開關(guān)電流比。

技術(shù)研發(fā)人員：白金超;劉建濤;郭會(huì)斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201610916022
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.20
技術(shù)公布日：2017.02.15