本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示器。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode,OLED)具有自發(fā)光、低能耗、寬視角、色彩豐富、快速響應(yīng)及可制備柔性屏等諸多優(yōu)異特性，引起了科研界和產(chǎn)業(yè)界極大的興趣，被認為是極具潛力的下一代顯示技術(shù)。

目前廣泛應(yīng)用到顯示領(lǐng)域的OLED屏幕通常采用頂發(fā)射(top-emitting)的器件結(jié)構(gòu)，OLED器件由陽極、有機層和陰極組成，其中陽極通常為高功函高反射率的氧化銦錫(ITO)與銀(Ag)的ITO/Ag/ITO三層疊加結(jié)構(gòu)組成，有機層包含空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，陰極為低功函的金屬鎂與銀的Mg/Ag合金。

由于有機層和陰極對水、氧氣非常敏感，故在制備柔性O(shè)LED屏幕時，需采用各種手段來封裝有機發(fā)光元器件。當前，薄膜封裝(thin film encapsulation，TFE)技術(shù)已經(jīng)被成功應(yīng)用到柔性O(shè)LED屏幕。如圖1所示，目前薄膜封裝采用最普遍的技術(shù)就是聚合物有機薄膜21和無機薄膜22交替沉積在柔性O(shè)LED基板10表面，其中，柔性O(shè)LED基板10包括襯底基板11、設(shè)于襯底基板11上的TFT層12、及設(shè)于TFT層12上的OLED層13，TFE層的無機薄膜22具有良好的水氧阻隔性，聚合物有機薄膜21可以很好的吸收與分散層與層之間的應(yīng)力，避免致密的無機薄膜22產(chǎn)生裂痕而降低對水氧的阻隔性。

如圖2所示，通常在TFE層的成膜過程中，不可避免的會引入少量的顆粒(particle)，導致無機薄膜22產(chǎn)生缺陷(空洞、微裂紋等)。此外在后續(xù)的制成工藝，或者屏幕的使用(外力沖擊、彎折、落摔)過程中，TFE層中的無機薄膜22可能產(chǎn)生新的缺陷或者增大原來的缺陷。而這些缺陷會成為水氧滲透的通道，降低TFE層的阻水性能，使大氣環(huán)境中的水氧接觸到OLED發(fā)光器件，影響OLED發(fā)光器件的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器，其薄膜封裝層具有一層或者多層水氧淬滅層(Moisture/Oxygen Quenching Laryer，MOQL)，能夠有效地避免水氧對OLED器件的損壞，從而提升OLED器件的使用壽命，同時還能夠起到釋放薄膜封裝層中無機鈍化層應(yīng)力的作用，減少薄膜封裝層的層數(shù)和厚度，從而整體減薄OLED顯示器厚度，提升彎折性能。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示器，包括襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的TFT陣列層、設(shè)于所述TFT陣列層上的OLED層、及設(shè)于所述TFT陣列層及OLED層上且覆蓋所述OLED層的薄膜封裝層；

所述薄膜封裝層包括無機鈍化層、有機緩沖層、及水氧淬滅層；所述薄膜封裝層中，無機鈍化層和有機緩沖層交替層疊設(shè)置，且無機鈍化層比有機緩沖層在層數(shù)上多一層，所述無機鈍化層和有機緩沖層共同構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)；

所述水氧淬滅層為第一水氧淬滅層、第二水氧淬滅層、或兩者的組合，其中，所述第一水氧淬滅層設(shè)于所述OLED層上，位于所述層疊結(jié)構(gòu)與OLED層之間，所述第二水氧淬滅層設(shè)于所述層疊結(jié)構(gòu)之中，位于兩層無機鈍化層之間。

所述OLED顯示器具有位于中央的顯示區(qū)域、及位于顯示區(qū)域四周的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有數(shù)個陣列排布的子像素區(qū)域、及剩余的間隔區(qū)域；

所述第一水氧淬滅層包括環(huán)狀的外圍部、及位于環(huán)狀的外圍部內(nèi)的中心部，所述外圍部對應(yīng)所述非顯示區(qū)域設(shè)置，所述中心部分布于所述顯示區(qū)域內(nèi)的間隔區(qū)域，所述中心部為對應(yīng)所述間隔區(qū)域的呈網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的整體、或者為分布于間隔區(qū)域的數(shù)個淬滅個體的組合。

所述第一水氧淬滅層的材料為堿金屬、堿土金屬、或者兩者的合金。

所述第一水氧淬滅層的材料為Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、及Ba中的一種或多種的合金。

所述淬滅個體的形狀為圓形、矩形、或L字形；

每一淬滅個體對應(yīng)于一個、或者多個子像素區(qū)域，或者每一個子像素區(qū)域?qū)?yīng)于多個淬滅個體。

第一水氧淬滅層、及第二水氧淬滅層的厚度均為5nm-100nm。

所述第二水氧淬滅層位于一層無機鈍化層和一層有機緩沖層之間，所述第二水氧淬滅層的上、下兩表面分別與該有機緩沖層、及該無機鈍化層相接觸；所述第二水氧淬滅層的材料為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料。

所述第二水氧淬滅層位于一層無機鈍化層和一層有機緩沖層之間，所述第二水氧淬滅層的上、下兩表面分別與該無機鈍化層、及該有機緩沖層相接觸；所述第二水氧淬滅層的材料為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料。

所述第二水氧淬滅層為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料均勻分散于有機材料中所形成的膜層，所述第二水氧淬滅層同時作為有機緩沖層。

所述第二水氧淬滅層為顆粒狀的物理吸附材料均勻分散于有機材料中所形成的膜層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的OLED顯示器，其薄膜封裝層包括無機鈍化層、有機緩沖層、及水氧淬滅層，其中，所述無機鈍化層和有機緩沖層共同構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)，所述水氧淬滅層為位于所述層疊結(jié)構(gòu)與OLED層之間第一水氧淬滅層、或位于層疊結(jié)構(gòu)中兩層無機鈍化層之間的第二水氧淬滅層、或兩者的組合，所述薄膜封裝層中，水氧淬滅層在不影響OLED器件發(fā)光性能的前提下，通過物理吸附或者化學反應(yīng)，并與無機鈍化層、有機緩沖層協(xié)同作用，能夠有效地避免水氧對OLED器件的損壞，從而提升OLED器件的使用壽命，同時還能夠起到釋放薄膜封裝層中無機鈍化層應(yīng)力的作用，減少薄膜封裝層的層數(shù)和厚度，從而整體減薄OLED顯示器厚度，提升柔性的OLED顯示器的彎折性能。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為一種現(xiàn)有的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的OLED顯示器的封裝結(jié)構(gòu)中無機薄膜具有缺陷被水氧侵蝕的示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第一種形狀示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第二種形狀示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第三種形狀示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第四種形狀示意圖；

圖8為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第五種形狀示意圖；

圖9為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例中第一水氧淬滅層的第六種形狀示意圖；

圖10為本發(fā)明的OLED顯示器的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明的OLED顯示器的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明的OLED顯示器的第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明的OLED顯示器的第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖3，為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實施例中，所述OLED顯示器，包括襯底基板100、設(shè)于所述襯底基板100上的TFT陣列層200、設(shè)于所述TFT陣列層200上的OLED層300、及設(shè)于所述TFT陣列層200及OLED層300上且覆蓋所述OLED層300的薄膜封裝層400。

所述薄膜封裝層400包括無機鈍化層401、有機緩沖層402、及水氧淬滅層403；所述薄膜封裝層400中，無機鈍化層401和有機緩沖層402交替層疊設(shè)置，且無機鈍化層401比有機緩沖層402在層數(shù)上多一層，所述無機鈍化層401和有機緩沖層402共同構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)。

所述水氧淬滅層403為第一水氧淬滅層4031、第二水氧淬滅層4032、或兩者的組合，其中，所述第一水氧淬滅層4031設(shè)于所述OLED層300上，位于所述層疊結(jié)構(gòu)與OLED層300之間，所述第二水氧淬滅層4032設(shè)于所述層疊結(jié)構(gòu)之中，位于兩層無機鈍化層401之間。具體地，如圖3所示，在本實施例中，所述水氧淬滅層403為第一水氧淬滅層4031。

具體地，所述OLED顯示器，具有位于中央的顯示區(qū)域(Active Area，AA)、及位于顯示區(qū)域四周的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有數(shù)個陣列排布的子像素區(qū)域、及剩余的間隔區(qū)域。

具體地，所述TFT陣列層200包括數(shù)個陣列排布的與所述數(shù)個子像素區(qū)域一一對應(yīng)的TFT器件，其中，所述TFT器件可以采用非晶硅(a-Si)、低溫多晶硅(LTPS)、氧化物半導體(oxide semiconductor)等等作為有源層。

具體地，所述OLED層300包括數(shù)個陣列排布的與所述數(shù)個子像素區(qū)域一一對應(yīng)的OLED器件，每一OLED器件包括由上至下依次排列的陽極、有機層301、及陰極302，所述有機層301包括由上至下依次排列的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，其中，所述數(shù)個OLED器件的陰極302為整面結(jié)構(gòu)，陰極302的四側(cè)邊緣由顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域。所述陰極302由Mg和Ag共蒸形成，其中Mg和Ag在陰極302中的組成比例可依據(jù)器件的性能需要靈活調(diào)控，具體地Mg和Ag在陰極302中的組成比例為1:9-9:1。

具體地，所述第一水氧淬滅層4031的材料為堿金屬(如，鋰Li、鈉Na、鉀K、銣Ru、銫Cs等)、堿土金屬(如，鎂Mg、鈣Ca、鋇Ba等)、或者兩者的合金。當水氧滲透到OLED顯示器中時，第一水氧淬滅層4031比陰極302、及有機層301的化學活性更高，可通過化學反應(yīng)很快與水氧反應(yīng)掉，從而能夠避免對OLED器件中的有機層301和陰極302的破壞。

具體地，所述無機鈍化層401的材料為氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO_X)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO2)、或氧化鋯(ZrO2)；所述第有機緩沖層402為聚合物透明材料，例如壓克力、聚碳酸酯類聚合物、聚苯乙烯，從而可以有效地緩解無機鈍化層401成膜過程中的應(yīng)力。

優(yōu)選地，所述第一水氧淬滅層4031的材料為Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、及Ba中的一種或多種的合金。

具體地，所述第一水氧淬滅層4031分布于所述顯示區(qū)域外的非顯示區(qū)域、及顯示區(qū)域內(nèi)的間隔區(qū)域，從而避免影響子像素區(qū)域的出光效果；所述第一水氧淬滅層4031包括環(huán)狀的外圍部、及位于環(huán)狀的外圍部內(nèi)的中心部。

具體地，在整個顯示區(qū)域外的非顯示區(qū)域第一水氧淬滅層4031的外圍部整面覆蓋所述陰極302在非顯示區(qū)域的陰極環(huán)(cathode ring)，如圖4-9所示，第一水氧淬滅層4031的中心部可依據(jù)實際制程靈活設(shè)計，第一水氧淬滅層4031的中心部可以為與所述間隔區(qū)域?qū)?yīng)、環(huán)繞每一子像素區(qū)域的四周而呈網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的整體，也可以為數(shù)個呈圓形，方形(可包含圓角)、矩形、L字形以及其他形狀的分布在子像素區(qū)域的四周的淬滅個體的組合，其中，每一淬滅個體對應(yīng)于一個、或者多個子像素區(qū)域，或者每一個子像素區(qū)域?qū)?yīng)于多個淬滅個體。

具體地，所述第一水氧淬滅層4031的厚度為5nm-100nm。

具體地，所述襯底基板100為柔性基板。

本發(fā)明的OLED顯示器的第一實施例，在OLED層300之上引入第一水氧淬滅層4031，在不影響OLED器件發(fā)光性能的前提下，通過化學反應(yīng)能夠有效地避免水氧對OLED器件損壞，從而提升OLED器件的使用壽命，并能夠減少薄膜封裝層400的層數(shù)和厚度，從而整體減薄OLED顯示器厚度，提升柔性的OLED顯示器的彎折性能。

請參閱圖10，為本發(fā)明的OLED顯示器的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，與上述第一實施例相比，在本實施例中，所述水氧淬滅層403為第二水氧淬滅層4032。

具體地，所述第二水氧淬滅層4032位于一層無機鈍化層401和一層有機緩沖層402之間，所述第二水氧淬滅層4032設(shè)于該層無機鈍化層401上，所述第二水氧淬滅層4032的上、下兩表面分別與該有機緩沖層402、及該無機鈍化層401相接觸；所述第二水氧淬滅層4032的材料與第一水氧淬滅層4031的材料不同，為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料，例如，所述物理吸附材料為透明多孔類硅膠、微納米復合結(jié)構(gòu)的硅膠、或者丙烯類樹脂等高透光性的材料；所述第二水氧淬滅層4031的厚度為5nm-100nm。其他與上述第一實施例相同，在此不再贅述。

本發(fā)明的OLED顯示器的第二實施例，在所述無機鈍化層401和有機緩沖層402的層疊結(jié)構(gòu)中引入高透光性的第二水氧淬滅層4032，在不影響OLED器件發(fā)光性能的前提下，通過物理吸附能夠有效地避免水氧對OLED器件損壞，從而提升OLED器件的使用壽命，并能夠減少薄膜封裝層400的層數(shù)和厚度，從而整體減薄OLED顯示器厚度，提升柔性的OLED顯示器的彎折性能。

請參閱圖11，為本發(fā)明的OLED顯示器的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，與上述第二實施例相比，在本實施例中，所述第二水氧淬滅層4032位于一層無機鈍化層401和一層有機緩沖層402之間，所述第二水氧淬滅層4032設(shè)于該層有機緩沖層402上，所述第二水氧淬滅層4032的上、下兩表面分別與該無機鈍化層401、及該有機緩沖層402相接觸；其他與上述第二實施例相同，在此不再贅述。

請參閱圖12，為本發(fā)明的OLED顯示器的第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，與上述第二實施例相比，在本實施例中，所述第二水氧淬滅層4032為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料均勻分散于有機材料中所形成的膜層，所述第二水氧淬滅層4032同時作為有機緩沖層402。

具體地，所述第二水氧淬滅層4032為納米級或微米級的顆粒狀的物理吸附材料均勻分散于有機材料中所形成的膜層，所述物理吸附材料的尺寸為10nm-10μm，例如，將所述物理吸附材料制成納米級或微米級的微球，然后將其均勻分散于有機材料中制成膜層，得到第二水氧淬滅層4032。其他與上述第二實施例相同，在此不再贅述。

請參閱圖13，為本發(fā)明的OLED顯示器的第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，與上述第二實施例相比，在本實施例中，所述水氧淬滅層403為第一水氧淬滅層4031與第二水氧淬滅層4032組合，其中，第二水氧淬滅層4032為具有透光性、及吸濕性的物理吸附材料；所述第一水氧淬滅層4031通過化學反應(yīng)，來避免水氧對OLED器件損壞，所述第二水氧淬滅層4032通過物理吸附，來避免水氧對OLED器件損壞。其他與上述第一實施例相同，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明的OLED顯示器，其薄膜封裝層包括無機鈍化層、有機緩沖層、及水氧淬滅層，其中，所述無機鈍化層和有機緩沖層共同構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)，所述水氧淬滅層為位于所述層疊結(jié)構(gòu)與OLED層之間第一水氧淬滅層、或位于層疊結(jié)構(gòu)中兩層無機鈍化層之間的第二水氧淬滅層、或兩者的組合，所述薄膜封裝層中，水氧淬滅層在不影響OLED器件發(fā)光性能的前提下，通過物理吸附或者化學反應(yīng)，并與無機鈍化層、有機緩沖層協(xié)同作用，能夠有效地避免水氧對OLED器件的損壞，從而提升OLED器件的使用壽命，同時還能夠起到釋放薄膜封裝層中無機鈍化層應(yīng)力的作用，減少薄膜封裝層的層數(shù)和厚度，從而整體減薄OLED顯示器厚度，提升柔性的OLED顯示器的彎折性能。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。