技術(shù)特征：

1.一種脊條形半導(dǎo)體激光器有源區(qū)腔體側(cè)壁鈍化的優(yōu)化方法，其特征在于：該方法步驟如下：

(一)對(duì)GaN樣品進(jìn)行刻蝕，形成P-GaN有源區(qū)脊條；

(二)在不進(jìn)行去膠步驟的情況下，在步驟(一)所得產(chǎn)品上直接沉積一層Al薄層；

(三)在步驟(二)所得產(chǎn)品上再直接沉積一層SiO₂；

(四)將步驟(三)所得產(chǎn)品剝離光刻膠，使全部被刻蝕露出的表面與SiO₂層之間都鍍上一層Al薄層；

(五)重復(fù)步驟(一)-(四)標(biāo)準(zhǔn)光刻步驟進(jìn)行N型區(qū)域開窗以及鍍擴(kuò)展電極工藝操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脊條形半導(dǎo)體激光器有源區(qū)腔體側(cè)壁鈍化的優(yōu)化方法，其特征在于：所述步驟(一)中形成的脊條是產(chǎn)生激光的諧振腔，步驟(一)所用的刻蝕技術(shù)是ICP-RIE干法刻蝕技術(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脊條形半導(dǎo)體激光器有源區(qū)腔體側(cè)壁鈍化的優(yōu)化方法，其特征在于：所述步驟(二)中沉積Al薄層的鍍膜技術(shù)包括ALD、電子束沉積、熱蒸發(fā)沉積；所鍍Al薄層生長(zhǎng)于脊條結(jié)構(gòu)側(cè)壁和整個(gè)SiO₂層下面部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脊條形半導(dǎo)體激光器有源區(qū)腔體側(cè)壁鈍化的優(yōu)化方法，其特征在于：所述步驟(二)中沉積Al薄層的溫度為300℃，所沉積Al薄層的厚度為5-50nm。