本發(fā)明是關(guān)于一種近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

近場(chǎng)通訊(Near Field Communication；NFC)是在無線射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification；RFID)和互聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上融合演變而來的一種新技術(shù)，是一種短距離無線通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。通過在終端設(shè)備上集成近場(chǎng)通訊晶片，從而實(shí)現(xiàn)使用終端設(shè)備進(jìn)行小額電子支付、讀取標(biāo)簽信息、進(jìn)行點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)據(jù)交換等功能，NFC技術(shù)受到了各通訊設(shè)備廠家的廣泛關(guān)注。

然而，目前NFC裝置主要在晶圓上制作，因此，使得NFC裝置的使用受限于晶圓尺寸與材料。具體而言，晶圓的尺寸較小，可能較難同時(shí)制作NFC裝置與其他元件(例如感測(cè)器)于晶圓上，不利NFC裝置與其他元件的搭配。此外，晶圓材料可能會(huì)限制NFC裝置的可撓性較差，而使NFC裝置較難以在穿戴裝置的領(lǐng)域上實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，在非晶圓的基板上設(shè)置有雙柵極薄膜晶體管以及頂柵型薄膜晶體管，除了能達(dá)到較佳的信號(hào)波型傳遞并符合NFC傳輸頻率之外，相較于晶圓制作的裝置，本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置不受晶圓尺寸與材料的限制。具體而言，非晶圓的基板對(duì)于量產(chǎn)的成本較低，而且非晶圓的基板能承載更多元件，因此具有量產(chǎn)上的優(yōu)勢(shì)。

根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式，一種近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置包含感測(cè)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、數(shù)字處理模塊以及負(fù)載調(diào)變器。感測(cè)器設(shè)置于基板上，且用以測(cè)量一目標(biāo)信息，其中基板不包含晶圓。模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器設(shè)置于基板上，且電性連接感測(cè)器，用以將目標(biāo)信息轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，其中模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器包含至少一雙柵極薄膜晶體管。數(shù)字處理模塊設(shè)置于基板上，且電性連接模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，用以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸送信號(hào)，其中數(shù)字處理模塊包含至少一頂柵型薄膜晶體管。負(fù)載調(diào)變器設(shè)置于基板上，且其接收輸送信號(hào)，并將輸送信號(hào)轉(zhuǎn)換成一發(fā)射信號(hào)藉由第一天線發(fā)射出去給予外在裝置。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，外在裝置具有第二天線，第二天線接受發(fā)射信號(hào)。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置更包含整流器，設(shè)置于基板上，以將外在信號(hào)轉(zhuǎn)換為電力，以供給電力予感測(cè)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器以及數(shù)字處理模塊。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管包含第一柵極、第二柵極、第一半導(dǎo)體層、第一源極以及第一漏極，其中第一半導(dǎo)體層夾設(shè)于第一柵極與第二柵極之間、第一源極與第一漏極分別與第一半導(dǎo)體層的二端連接。頂柵型薄膜晶體管包含第三柵極、第二半導(dǎo)體層、第二源極以及第二漏極，其中第二半導(dǎo)體層位于第三柵極之下，第二源極與第二漏極分別與第二半導(dǎo)體層的二端連接。第一半導(dǎo)體層與第一柵極之間夾設(shè)有第一柵極介電層，第一柵極介電層延伸至第二半導(dǎo)體層之下方，以使得第二半導(dǎo)體層位于第一柵極介電層上。第二半導(dǎo)體層與第三柵極之間夾設(shè)有第二柵極介電層。第一半導(dǎo)體層與第二柵極之間夾設(shè)有第三柵極介電層。近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置包含第一介電層，第一介電層覆蓋第三柵極、第二半導(dǎo)體層與第一柵極介電層。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體材料。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，頂柵型薄膜晶體管的該第二半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)，其中該通道區(qū)的長(zhǎng)度小于或等于2微米且大于0。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，第二柵極位于該第三柵極介電層上方。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，第三柵極介電層覆蓋該頂柵型薄膜晶體管。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置更包括第二介電層，設(shè)置于第一半導(dǎo)體層上，且位于第一源極與第一漏極下方。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置更包括保護(hù)層，覆蓋第一介電層與第二柵極。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置更包括第二介電層，位于第二柵極下方，且覆蓋第一源極與第一漏極。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置更包括第二介電層，覆蓋第二柵極，且第一源極與第一漏極穿過第二介電層與第一半導(dǎo)體層接觸。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，數(shù)字處理模塊包含時(shí)脈產(chǎn)生器、數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器以及編碼器。數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器與時(shí)脈產(chǎn)生器電性連接，以產(chǎn)生一數(shù)據(jù)信號(hào)，其中數(shù)據(jù)信號(hào)與數(shù)字信號(hào)合成為一合成信號(hào)。編碼器與時(shí)脈產(chǎn)生器電性連接，用以將合成信號(hào)編碼以產(chǎn)生輸送信號(hào)，其中時(shí)脈產(chǎn)生器、數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器以及編碼器其中至少之一者具有頂柵型薄膜晶體管。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器包含放大器，其中放大器包含數(shù)個(gè)薄膜晶體管，薄膜晶體管其中至少一個(gè)為雙柵極薄膜晶體管。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的方塊示意圖。

圖2A為圖1的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的電路方塊圖。

圖2B為圖2A的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的放大器的電路圖。

圖2C為圖2A的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的比較器的電路圖。

圖3A至圖3H為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式制作近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

圖6為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

圖8為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。

其中，附圖標(biāo)記：

100：近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置 132：時(shí)脈產(chǎn)生器

101：基板 134：數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器

102：阻障層 136：編碼器

103：第一柵極 140：負(fù)載調(diào)變器

104：第一柵極介電層 150：第一天線

105a：第一半導(dǎo)體層 160：整流器

105b：第二半導(dǎo)體層 200：外在裝置

106a：蝕刻停止層 210：第二天線

106b：第二柵極介電層 300：第三柵極介電層

107a：電極層 301：第二柵極

107b：第三柵極 302：保護(hù)層

107c：第一源極 S1～S3：線路

107d：第一漏極 A1：目標(biāo)信息

107e：第二柵極 A2：數(shù)字信號(hào)

108a：第一介電層 A3：合成信號(hào)

108b：開口 A4：輸送信號(hào)

108c：第二介電層 A5：發(fā)射信號(hào)

108d：開口 C1：時(shí)脈信號(hào)

109a：第二源極 C2：數(shù)據(jù)信號(hào)

109b：第二漏極 O1：外在信號(hào)

109c：第二柵極 DG：雙柵極薄膜晶體管

109d：第一源極 TG：頂柵型薄膜晶體管

109e：第一漏極 V_in+：輸入端

110：感測(cè)器 V_in-：輸入端

120：模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器 V_in：信號(hào)

122：放大器 V_ref：信號(hào)

122a～122e：薄膜晶體管 V_bias：偏壓電位

124：比較器 V_BG1～V_BG5：柵極控制電位

124a～124f：薄膜晶體管 V_out：輸出端

126：控制邏輯 V_DD：電壓源

128：計(jì)數(shù)器

130：數(shù)字處理模塊

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式為之。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的方塊示意圖。近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100包含感測(cè)器110、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(analog-to-digital convertor；ADC)120、數(shù)字處理模塊130、負(fù)載調(diào)變器140、第一天線150。感測(cè)器110設(shè)置于基板101上，且用以測(cè)量一目標(biāo)信息，其中基板101不包含晶圓，舉例而言基板101材質(zhì)可為玻璃、石英、陶瓷、金屬、合金或聚亞酰胺(polyimide；PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚酰胺(polyamide；PA)等有機(jī)材料或其它合適的材料或上述至少兩種材料的結(jié)合。模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120設(shè)置于基板101上，且電性連接感測(cè)器110，用以將目標(biāo)信息A1轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)A2，其中模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120包含至少一雙柵極薄膜晶體管。數(shù)字處理模塊130設(shè)置于基板101上，且電性連接模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120，用以將數(shù)字信號(hào)A2轉(zhuǎn)換為輸送信號(hào)A4，其中數(shù)字處理模塊130包含至少一頂柵型薄膜晶體管。負(fù)載調(diào)變器140設(shè)置于基板101上，且其接收輸送信號(hào)A4，并將輸送信號(hào)A4轉(zhuǎn)換成一發(fā)射信號(hào)A5藉由第一天線150發(fā)射出去給予外在裝置200。

本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管的臨界電壓可以通過柵極電壓操控，適用于容易受波形失真影響的模擬電路，例如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120。頂柵型薄膜晶體管可以是自我對(duì)準(zhǔn)薄膜晶體管，其通道長(zhǎng)度(channel length)因受曝光遮罩所決定可以盡可能地縮小，可降低元件尺寸，有利于降低薄膜晶體管內(nèi)的寄生電容并縮短信號(hào)延遲的時(shí)間，以符合國際標(biāo)準(zhǔn)化組織(ISO Standards)所規(guī)定的近場(chǎng)通訊(Near Field Communication；NFC)傳輸頻率，適用于決定信號(hào)頻率的數(shù)字處理模塊130。據(jù)此，本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，在非晶圓的基板101上設(shè)置有雙柵極薄膜晶體管以及頂柵型薄膜晶體管，除了能達(dá)到較佳的信號(hào)波型傳遞并符合NFC傳輸頻率之外，相較于晶圓制作的裝置，本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100不受晶圓尺寸與材料的限制。舉例而言，通過本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的設(shè)計(jì)，可以制作較大基板的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100，而能承載較多元件。或者，通過本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的設(shè)計(jì)，可以在玻璃或塑膠上制作近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100。更甚者，也可以在可撓性材料上制作近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100。

以下進(jìn)一步介紹近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與外在裝置200內(nèi)的元件，以說明其運(yùn)作方式。

首先，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100中，感測(cè)器110可以是溫度感測(cè)器、濕度感測(cè)器、心跳檢測(cè)器、水質(zhì)感測(cè)器、空氣品質(zhì)感測(cè)器等，用以測(cè)量各種目標(biāo)信息，例如人的生理信息(如體溫、心跳、血壓、血糖)、物品或環(huán)境的信息(如溫度、濕度、懸浮微粒指數(shù))，以產(chǎn)生目標(biāo)信息A1。舉例而言，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100可以是穿戴裝置，例如配戴于使用者手腕上的溫度感測(cè)手環(huán)，藉由電子?xùn)趴诟袘?yīng)使用者身上的溫度感測(cè)手環(huán)，可以檢測(cè)多個(gè)使用者的人體溫度。

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120可將來自感測(cè)器110的目標(biāo)信息A1轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)A2。圖2A為圖1的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的電路方塊圖。在此，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120以雙斜率型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(dual-slope ADC)為例，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120可包含放大器(amplifier)122、比較器(comparator)124、控制邏輯126以及計(jì)數(shù)器(counter)128。通過在不同時(shí)序?qū)ň€路S1、線路S2與線路S3，可以通過放大器122、比較器124、控制邏輯126、計(jì)數(shù)器128等，藉由積分方式將信號(hào)V_in(在此為目標(biāo)信息A1)與信號(hào)V_ref轉(zhuǎn)換為時(shí)間間隔，并以時(shí)間間隔表示數(shù)字信號(hào)(在此為數(shù)字信號(hào)A2)。

圖2B為圖2A的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的放大器122的電路圖。同時(shí)參考圖2A與圖2B。于此，放大器122包含數(shù)個(gè)薄膜晶體管122a～122e，其中如圖2B所示，放大器122的數(shù)個(gè)薄膜晶體管122a～122e中至少一個(gè)為雙柵極薄膜晶體管，且雙柵極薄膜晶體管包含兩個(gè)柵極。本實(shí)施例，較佳為數(shù)個(gè)薄膜晶體管122a～122e皆為雙柵極薄膜晶體管，但不限于此。其中，圖2B中，雙柵極薄膜晶體管的實(shí)心三角形的位置為雙柵極薄膜晶體管的漏極。舉例而言，薄膜晶體管122a的一柵極連接偏壓電位V_bias，薄膜晶體管122a的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG1。薄膜晶體管122b的一柵極連接輸入端V_in+，薄膜晶體管122b的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG2。薄膜晶體管122d的一柵極連接輸入端V_in-，薄膜晶體管122d的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG2。薄膜晶體管122c的一柵極連接薄膜晶體管122b的源極，薄膜晶體管122c的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG3。薄膜晶體管122e的一柵極連接輸出端V_out，薄膜晶體管122e的另一柵極連接電位V_BG3。此外，薄膜晶體管122a的源極連接薄膜晶體管122b的漏極與薄膜晶體管122d的漏極，且薄膜晶體管122a的漏極連接接地端;薄膜晶體管122b的源極連接薄膜晶體管122c的漏極;薄膜晶體管122d的源極連接至薄膜晶體管122e的漏極與輸出端V_out;電壓源VDD連接至薄膜晶體管122c的源極與薄膜晶體管122e的源極。至此，通過控制放大器122的數(shù)個(gè)薄膜晶體管122a～122e的柵極控制電位V_BG1～V_BG3，可以調(diào)整各個(gè)薄膜晶體管122a～122e的臨界電壓，藉以降低放大器122中容易失真的問題。

同樣地，圖2C為圖2A的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的比較器124的電路圖。同時(shí)參考圖2A與圖2B。于此，比較器124包含數(shù)個(gè)薄膜晶體管124a～124f，其中如圖2B所示，比較器124的數(shù)個(gè)薄膜晶體管124a～124f中至少一個(gè)為雙柵極薄膜晶體管，且雙柵極薄膜晶體管包含兩個(gè)柵極。本實(shí)施例，較佳為數(shù)個(gè)薄膜晶體管124a～124f皆為雙柵極薄膜晶體管，但不限于此。其中，圖2C中，雙柵極薄膜晶體管的實(shí)心三角形的位置為雙柵極薄膜晶體管的漏極。舉例而言，薄膜晶體管124a的一柵極連接偏壓電位V_bias，薄膜晶體管124a的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG1。薄膜晶體管124b的一柵極連接輸入端V_in+，薄膜晶體管124b的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG2。薄膜晶體管124c的一柵極連接薄膜晶體管124b的源極，薄膜晶體管124c的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG3。薄膜晶體管124e的一柵極連接薄膜晶體管124d的源極、薄膜晶體管124e的漏極與薄膜晶體管124f的一柵極，而薄膜晶體管122e的另一柵極連接電位V_BG3。薄膜晶體管124d的一柵極連接輸入端V_in-，薄膜晶體管124d的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG2。薄膜晶體管124f的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG4。薄膜晶體管124g的一柵極連接薄膜晶體管124g的源極、電壓源V_DD、薄膜晶體管124e的源極與薄膜晶體管124c的源極，而薄膜晶體管124g的另一柵極連接?xùn)艠O控制電位V_BG5。此外，薄膜晶體管124a的源極連接薄膜晶體管124b的漏極與薄膜晶體管124d的漏極，且薄膜晶體管124a的漏極連接接地端;薄膜晶體管124b的源極連接薄膜晶體管124c的漏極;薄膜晶體管124g的漏極連接輸出端V_out與薄膜晶體管124f的薄膜晶體管124f的源極;薄膜晶體管124f的漏極連接接地端。同樣地，通過控制比較器124的數(shù)個(gè)薄膜晶體管124a～124f的柵極控制電位V_BG1～V_BG5，可以調(diào)整各個(gè)數(shù)個(gè)薄膜晶體管124a～124f的臨界電壓，藉以降低比較器124中容易失真的問題。應(yīng)了解到，圖2B與圖2C中的柵極控制電位V_BG1～V_BG5、輸入端V_in+、輸入端V_in-、偏壓電位V_bias、輸出端V_out、電壓源V_DD以相同的符號(hào)表示，但其僅用以分別描述放大器122與比較器124的架構(gòu)，并非意圖限定兩者的柵極控制電位、輸入端、偏壓電位、輸出端或電壓源的電位相同，本領(lǐng)域的技術(shù)人士可以依照實(shí)際需求做調(diào)整。

于部分實(shí)施方式中，可以設(shè)計(jì)放大器122與比較器124其中至少一個(gè)的薄膜晶體管為雙柵極薄膜晶體管，放大器122與比較器124其中的另一個(gè)的薄膜晶體管可以皆是一般薄膜晶體管(僅具有一個(gè)柵極)。有鑒于放大器122對(duì)于整體輸出波形的影響較大，因此實(shí)際配置上，以放大器122配置有雙柵極薄膜晶體管為主來設(shè)計(jì)近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100，比較器124的薄膜晶體管可以選擇性地為雙柵極薄膜晶體管或一般薄膜晶體管(僅具有一個(gè)柵極者)?；蛘?，于其他實(shí)施方式中，放大器122的薄膜晶體管122a～122e可以僅有部分為雙柵極薄膜晶體管，比較器124的薄膜晶體管124a～124f可以僅有部分為雙柵極薄膜晶體管。

應(yīng)了解到，實(shí)際應(yīng)用上并不限于雙斜率型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120可以采用其他種該領(lǐng)域常見的配置方式，例如電壓-頻率模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、階梯型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(staircase ADC)或并聯(lián)型模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等，并搭配本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的概念設(shè)計(jì)其中任一元件(可以是放大器、比較器或其他功能元件)的晶體管為雙柵極薄膜晶體管，如此一來，可以防止將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的過程中因模擬信號(hào)波形失真而致使數(shù)字信號(hào)錯(cuò)誤的情況。

其后，數(shù)字處理模塊130接收來自模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的數(shù)字信號(hào)A2，并將其轉(zhuǎn)換為輸送信號(hào)A4。于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，數(shù)字處理模塊130包含時(shí)脈產(chǎn)生器132、數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器134以及編碼器136。時(shí)脈產(chǎn)生器132用以產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)脈信號(hào)C1。數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器134與時(shí)脈產(chǎn)生器132電性連接，以產(chǎn)生一數(shù)據(jù)信號(hào)C2，數(shù)據(jù)信號(hào)C2包含系統(tǒng)所需的數(shù)據(jù)碼，例如感測(cè)裝置100的辨識(shí)碼以及與外在裝置200所需的存取的暫存器數(shù)據(jù)碼等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)C2與來自模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的數(shù)字信號(hào)A2合成為一合成信號(hào)A3。舉例而言，可以將數(shù)據(jù)信號(hào)C2與數(shù)字信號(hào)A2直接加總以得到合成信號(hào)A3。編碼器136與時(shí)脈產(chǎn)生器132電性連接，用以將合成信號(hào)A3編碼(例如藉由曼徹斯特編碼；MANCHESTER Encoding)以產(chǎn)生輸送信號(hào)A4，藉以降低錯(cuò)誤率。

于本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，時(shí)脈產(chǎn)生器132、數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器134以及編碼器136可以包含該領(lǐng)域各種常見的電路配置，其中時(shí)脈產(chǎn)生器132、數(shù)據(jù)碼產(chǎn)生器134以及編碼器136至少之一者具有頂柵型薄膜晶體管。如前所述，頂柵型薄膜晶體管能盡可能縮短通道長(zhǎng)度有利于降低薄膜晶體管內(nèi)的寄生電容并縮短信號(hào)延遲的時(shí)間，以符合國際標(biāo)準(zhǔn)化組織所規(guī)定的近場(chǎng)通訊傳輸頻率，適用于決定信號(hào)頻率的數(shù)字處理模塊130。舉例而言，以ISO 14443的A型與B型為例，數(shù)據(jù)傳輸速率需達(dá)到每秒106千位元(106kbit/s)。于部分實(shí)施方式中，有鑒于時(shí)脈產(chǎn)生器132可實(shí)質(zhì)上決定數(shù)字處理模塊130的多個(gè)信號(hào)的頻率，因此，可設(shè)計(jì)時(shí)脈產(chǎn)生器132具有頂柵型薄膜晶體管。更甚者，時(shí)脈產(chǎn)生器可實(shí)質(zhì)上決定模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的多個(gè)信號(hào)的頻率，例如圖2A中，時(shí)脈產(chǎn)生器132將電性連接到計(jì)數(shù)器128。

于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100更包含整流器160，其設(shè)置于基板101上且電性連接第一天線150。如此一來，當(dāng)外在裝置200發(fā)射一外在信號(hào)O1。近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的第一天線150能接收來自外在裝置200的外在信號(hào)O1，并通過整流器160將來自外在裝置200的外在信號(hào)O1轉(zhuǎn)換為電力，以供給電力予感測(cè)器110、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120以及數(shù)字處理模塊130。

雖然在此將第一天線150繪示于基板之外，但實(shí)際應(yīng)用上第一天線150也可以選擇性地設(shè)置于基板101上或不設(shè)計(jì)于基板101上，并不以圖中所繪為限。

于此，外在裝置200可具有第二天線210，第二天線210能發(fā)射外在信號(hào)O1，并接受來自近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的發(fā)射信號(hào)A5。外在裝置200可以是任何具可顯示信息或具有因信息不同而有對(duì)應(yīng)作動(dòng)方式的裝置，例如智慧型手機(jī)、智慧型手表、電腦、電子?xùn)趴诘入娮友b置。至此，當(dāng)外在裝置200接收到來自近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的發(fā)射信號(hào)A5時(shí)，可以將該發(fā)射信號(hào)A5的信息顯示在屏幕上，或者可以傳遞信號(hào)作動(dòng)裝置，例如決定是否開啟柵口讓使用者通過。

圖3A至圖3H為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式制作近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。以下，介紹在同一基板101上形成雙柵極薄膜晶體管DG與頂柵型薄膜晶體管TG的制作方法與結(jié)構(gòu)配置關(guān)系，其中雙柵極薄膜晶體管DG為圖1中模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器120的其中至少一個(gè)晶體管；頂柵型薄膜晶體管TG為圖1中數(shù)字處理模塊130的其中至少一個(gè)晶體管。

參考圖3A，首先在基板101上形成阻障層102，以避免后序制程中金屬離子沉積時(shí)擴(kuò)散入基板101，然阻障層102可以使用者實(shí)際需求做選擇，并非限制本發(fā)明。其后，在阻障層102上形成雙柵極薄膜晶體管DG的第一柵極103。于此，可以通過金屬離子沉積與圖案化制程而形成第一柵極103。第一柵極103可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為鉬(molybdenum)、鉭(tantalum)、鉻(chromium)、鎢(tungsten)、鋁(aluminum)、銅、銀、金、合金、其他可導(dǎo)電材料、或前述可導(dǎo)電材料的氮化物、或前述可導(dǎo)電材料的氧化物、或前述可導(dǎo)電材料的氮氧化物。

參考圖3B，接著，在阻障層102與第一柵極103上形成第一柵極介電層104。第一柵極介電層104至少覆蓋于第一柵極103上。于此，可以利用化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)方法全面設(shè)置第一柵極介電層104于基板101上。于其他實(shí)施方式中，可以選擇性地圖案化第一柵極介電層104，使其僅覆蓋于第一柵極103上。第一柵極介電層104可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無機(jī)材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他適合的介電材料、有機(jī)材料(例如：聚亞酰胺(polyimide)、丙烯酸樹脂(acrylicresin)、苯基環(huán)丁烯(benzocyclobutene；BCB)或其他適合的介電材料)或其它適合的介電材料。

其后，在第一柵極介電層104上，形成雙柵極薄膜晶體管DG的第一半導(dǎo)體層105a與頂柵型薄膜晶體管TG的第二半導(dǎo)體層105b。第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b兩者是互相分離，且不接觸。于此，可以通過化學(xué)氣相沉積方法全面設(shè)置一半導(dǎo)體層于第一柵極介電層104與基板101上，再利用微影及蝕刻方式，圖案化該半導(dǎo)體層形成第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b。第一半導(dǎo)體層105a正投影于基板101的投影范圍與第一柵極103投影于基板101的正投影范圍是互相重疊。第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料較佳為金屬氧化物半導(dǎo)體材料，例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide；IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)，然其他合適半導(dǎo)體材料(例如非晶硅、微晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料)也應(yīng)當(dāng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍中。

于此，雙柵極薄膜晶體管DG的第一半導(dǎo)體層105a于第一柵極103上的投影較佳設(shè)置于落在第一柵極103內(nèi)，使得后續(xù)完成的雙柵極薄膜晶體管DG中，第一半導(dǎo)體層105a整體可以作為通道區(qū)并由第一柵極103控制開啟與否。

參考圖3C，形成第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a，其中第二柵極介電層106b覆蓋第二半導(dǎo)體層105b，蝕刻停止層106a位于第一半導(dǎo)體層105a上，蝕刻停止層106a正投影于基板101的投影范圍與第一柵極103投影于基板101的正投影范圍是互相重疊的，且蝕刻停止層106a于第一半導(dǎo)體層105a上的投影不覆蓋第一半導(dǎo)體層105a的兩端。于其它實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層105a上不存在蝕刻停止層106a，即蝕刻停止層106a可選擇性的形成于第一半導(dǎo)體層105a上。

于此，可以通過化學(xué)氣相沉積方法全面設(shè)置一介電層(圖未繪示)于第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b上，再利用微影及蝕刻方式，圖案化該介電層形成第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a。第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a的材料可以選自第一柵極介電層104所述的材料，且第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a的材料可不同于第一柵極介電層104的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一柵極介電層104的材料。于部分實(shí)施方式中，針對(duì)金屬蝕刻，第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a的材料相較于第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b俱有較低的蝕刻率，而能保護(hù)第一半導(dǎo)體層105a與第二半導(dǎo)體層105b。

參考圖3D，形成第三柵極107b以及一電極層107a。第三柵極107b設(shè)置于第二柵極介電層106b上。于此，可以通過化學(xué)氣相沉積方法全面設(shè)置一金屬層于第二柵極介電層106b與蝕刻停止層106a上，再利用微影及蝕刻方式，圖案化該金屬層分別形成第三柵極107b以及電極層107a。第三柵極107b以及電極層107a可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可選自第一柵極103所述的材料，且第三柵極107b以及電極層107a的材料可不同于第一柵極103的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一柵極103的材料。

于部分實(shí)施方式中，第三柵極107b于第二半導(dǎo)體層105b上的投影未覆蓋第二半導(dǎo)體層105b的兩端，即第三柵極107b會(huì)暴露出第二半導(dǎo)體層105b的兩端。因此，第三柵極107b正投影于基板101的投影范圍與第二半導(dǎo)體層105b正投影于基板101的投影范圍互相重疊。至此，可以在圖案化金屬層形成第三柵極107b以及電極層107a的同時(shí)或之后，藉由第三柵極107b以及電極層107a作為光罩，蝕刻第二柵極介電層106b，以露出第二半導(dǎo)體層105b的兩端。然后，對(duì)第二半導(dǎo)體層105b的兩端進(jìn)行離子植入，藉以使第二半導(dǎo)體層105b的兩端具有導(dǎo)電性。藉此，第二半導(dǎo)體層105b的通道區(qū)的長(zhǎng)度為小于或等于5微米且大于0，或者較佳為小于或等于2微米且大于0，即約等于或小于第三柵極107b的長(zhǎng)度。

另一方面，雙柵極薄膜晶體管DG中，電極層107a覆蓋于第一半導(dǎo)體層105a上，更確切而言，電極層107a會(huì)覆蓋于第一半導(dǎo)體層105a的兩端，且電極層107a與第三柵極107b兩者是互相分離，且不接觸。

參考圖3E，形成第一介電層108a，第一介電層108a覆蓋于第三柵極107b與第二半導(dǎo)體層105b上，但第一介電層108a并未覆蓋于電極層107a、第二半導(dǎo)體層105a與第一柵極103之上。第一介電層108a具有開口108b以露出第二半導(dǎo)體層105b的兩端，即開口108b未覆蓋第二半導(dǎo)體層105b的兩端或稱為開口108b與第二半導(dǎo)體層105b的兩端于垂直投影于基板101上相互重疊。第一介電層108a可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料選自第一柵極介電層104或第二柵極介電層106b其中至少一者所述的材料，且第一介電層108a的材料可不同于第一柵極介電層104或第二柵極介電層106b其中至少一者所述的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一柵極介電層104或第二柵極介電層106b其中至少一者所述的材料。

參考圖3F，圖案化電極層107a(參考圖3E)以形成第一源極107c以及第一漏極107d。于此，第一源極107c與第一漏極107d分別覆蓋第一半導(dǎo)體層105a的兩端，且第一源極107c以及第一漏極107d之間具有間隙G1，以使兩者分離。第一源極107c以及第一漏極107d覆蓋部分的蝕刻停止層106a，使得蝕刻停止層106a位于第一源極107c與第一漏極107d下方。間隙G1于第一半導(dǎo)體層105a及蝕刻停止層106a上的垂直投影與第一半導(dǎo)體層105a及蝕刻停止層106a至少部份重疊，即間隙G1會(huì)露出未被第一源極107c以及第一漏極107d所覆蓋部分的蝕刻停止層106a。至此，蝕刻停止層106a可以避免在圖案化電極層107a(參考圖3E)時(shí)，傷害第一半導(dǎo)體層105a。

參考圖3G，形成第二源極109a以及第二漏極109b，第二源極109a以及第二漏極109b分別穿過第一介電層108a的開口108b與第二半導(dǎo)體層105b的二端連接。第二源極109a以及第二漏極109b可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可以選自第一柵極103所述的材料，且第二源極109a以及第二漏極109b的材料可不同于第一柵極103的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一柵極103的材料。另外，第一源極107c、第一漏極107d與第二源極109a、第二漏極109b的材料可以實(shí)質(zhì)上相同或不同。

參考圖3H，形成第三柵極介電層300，以覆蓋頂柵型薄膜晶體管TG以及雙柵極薄膜晶體管DG已形成的各個(gè)元件上。其中，第三柵極介電層300至少覆蓋第二源極109a以及第二漏極109b之間的間隙G1，且至少位于第一半導(dǎo)體層105a上。第三柵極介電層300可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可選自第一介電層108a所述的材料，且第三柵極介電層300的材料可不同于第一介電層108a所述的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一介電層108a所述的材料。另外，第一柵極介電層103、第二柵極介電層104與第三柵極介電層106b的材料可以實(shí)質(zhì)上相同或不同。

其后，形成第二柵極301，其位于第三柵極介電層300上方，第二柵極301、第一半導(dǎo)體層105a與第一柵極103的正投影于基板101垂直投影范圍三者至少部分重疊。使第一半導(dǎo)體層105a可夾設(shè)于第一柵極103與第二柵極301之間。于此，可以通過化學(xué)氣相沉積方法全面設(shè)置一金屬層于第三柵極介電層300上，再利用微影及蝕刻方式，圖案化該金屬層形成第二柵極301。第二柵極301可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可以第一柵極103所述的材料，且第二柵極301的材料可不同于第一柵極103的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一柵極103的材料。另外，第一柵極103、第二柵極301與第三柵極107b的材料實(shí)質(zhì)上相同或不同。

至此，雙柵極薄膜晶體管DG包含第一柵極103、第二柵極301、第一半導(dǎo)體層105a、第一源極107c以及第一漏極107d，其中第一半導(dǎo)體層105a夾設(shè)于第一柵極103與第二柵極301之間、第一源極107c與第一漏極107d分別與第一半導(dǎo)體層105a的二端連接。換言之，第一柵極103位于第一半導(dǎo)體層105a的下方，可被稱為底柵極，第二柵極301位于第一半導(dǎo)體層105a的上方，可被稱為頂柵極，則雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。頂柵型薄膜晶體管TG包含第三柵極107b、第二半導(dǎo)體層105b、第二源極109a以及第二漏極109b，其中第二半導(dǎo)體層105b位于第三柵極107b之下，第二源極109a與第二漏極109b分別與第二半導(dǎo)體層105b的二端連接。第一半導(dǎo)體層105a與第一柵極103之間夾設(shè)有第一柵極介電層104，第一柵極介電層104延伸至第二半導(dǎo)體層105b的下方，以使得第二半導(dǎo)體層105b位于第一柵極介電層104上。第二半導(dǎo)體層105b與第三柵極107b之間夾設(shè)有第二柵極介電層106b。第一半導(dǎo)體層105a與第二柵極301之間夾設(shè)有第三柵極介電層300。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。本實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與圖3H的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100相似，差別在于：本實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管DG的第二柵極107e與第一源極107c以及第一漏極107d由同一導(dǎo)電層所圖案化而來。具體而言，藉由圖案化電極層107a(參考圖3D與圖3E)，可以形成第一源極107c、第一漏極107d以及第二柵極107e。必需說明的是，第二柵極107e與第一源極107c以及第一漏極107d相互分隔開來，而第二柵極107e位于蝕刻終止層106a上，且位于第一源極107c與第一漏極107d之間。此時(shí)，蝕刻終止層106a就做為第二柵極107e與第一半導(dǎo)體層105a之間的柵極介電層。如此一來，不需要設(shè)置額外的金屬層來形成第二柵極(參考圖3H)，可以簡(jiǎn)化制程步驟。此時(shí)，本實(shí)施例所述的雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。

在完成頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG后，可以選擇性地形成保護(hù)層302以覆蓋頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG上，即本實(shí)施例的保護(hù)層302不做為雙柵極薄膜晶體管DG的柵極介電層，而是用以保護(hù)頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG。舉例而言，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置可包括保護(hù)層302，覆蓋第一介電層108a與第二柵極107e上。其中，保護(hù)層302可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料，可選自第一介電層108a所述的材料，且保護(hù)層302的材料可不同于第一介電層108a所述的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一介電層108a所述的材料。

本實(shí)施方式的其他細(xì)節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。本實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與圖3H的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100相似，差別在于：本實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管DG的第二柵極109c與第二源極109a以及第二漏極109b由同一層體所圖案化而來。具體而言，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100更包括一第二介電層108c。第二介電層108c覆蓋第一源極107c與第一漏極107d上。第二柵極109c設(shè)置于第二介電層108c上。必需說明的是，第二柵極109c與第二源極109a以及第二漏極109b相互分隔開來。此時(shí)，第二介電層108c就做為第二柵極109c與第一半導(dǎo)體層105a之間的柵極介電層。如此一來，不需要設(shè)置額外的金屬層來形成第二柵極(參考圖3H)，可以簡(jiǎn)化制程步驟。此時(shí)，本實(shí)施例所述的雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。

在制程方面，在形成第一介電層108a的同時(shí)，形成第二介電層108c。其后，在形成第二源極109a以及第二漏極109b的同時(shí)，形成第二柵極109c。在完成頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG后，可以選擇性地形成保護(hù)層302以覆蓋頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG上，即本實(shí)施例的保護(hù)層302不做為雙柵極薄膜晶體管DG的柵極介電層，而是用以保護(hù)頂柵型薄膜晶體管TG與雙柵極薄膜晶體管DG。舉例而言，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置可包括保護(hù)層302，覆蓋第一介電層108a、第二介電層108c與第二柵極109c上。其中，保護(hù)層302可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料，可選自第一介電層108a所述的材料，且保護(hù)層302的材料可不同于第一介電層108a所述的材料或?qū)嵸|(zhì)上相同于第一介電層108a所述的材料。

本實(shí)施方式的其他細(xì)節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

圖6為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。本實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與圖3H的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100相似，差別在于：本實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管DG不包含蝕刻停止層106a。

蝕刻停止層106a(參考圖3H)可能會(huì)因厚度不均等因素影響第二柵極301對(duì)第一半導(dǎo)體層105a的控制，因此，在部份實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管中不設(shè)置蝕刻停止層，因其能制作線寬較小的半導(dǎo)體通道，故能較精確地操控雙柵極薄膜晶體管。本實(shí)施方式的其他細(xì)節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。此時(shí)，本實(shí)施例所述的雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。本實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與圖5的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100相似，差別在于：本實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管DG不包含蝕刻停止層106a。

如前所述，蝕刻停止層106a(參考圖3H)可能會(huì)因厚度不均等因素影響第二柵極301對(duì)第一半導(dǎo)體層105a的控制，因此，在部份實(shí)施方式中，雙柵極薄膜晶體管中不設(shè)置蝕刻停止層，能較精確地操控雙柵極薄膜晶體管。本實(shí)施方式的其他細(xì)節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。此時(shí)，本實(shí)施例所述的雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。

圖8為根據(jù)本發(fā)明的部份實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的多個(gè)薄膜晶體管的剖面示意圖。本實(shí)施方式的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100與圖4的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100相似，雙柵極薄膜晶體管DG的第二柵極107e與頂柵型薄膜晶體管TG的第三柵極107b由同一層體所形成，本實(shí)施方式與圖4的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100的差別在于：本實(shí)施方式中，近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置100更包括一第二介電層108c，第二介電層108c覆蓋第二柵極107e，第二介電層108c具有開口108d以露出第一半導(dǎo)體層105a的兩端，即開口108d未覆蓋第一半導(dǎo)體層105a的兩端或稱為開口108d與第一半導(dǎo)體層105a的兩端于垂直投影于基板101上相互重疊，且第一源極109d與第一漏極109e穿過該第二介電層108c的開口108d與第一半導(dǎo)體層105a接觸。

于部分實(shí)施方式中，藉由同一沉積方法形成介電層后，通過微影蝕刻等方式，可以形成第一介電層108a與第二介電層108c。第二介電層108c可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可選自于第一介電層108a所述的材料，且第二介電層108c的材料可實(shí)質(zhì)上相同于第一介電層108a的材料或不同于第一介電層108a的材料。同樣地，雙柵極薄膜晶體管DG的第一源極109d與第一漏極109e與頂柵型薄膜晶體管TG的第二源極109a以及第二漏極109b由同一層體所形成。第一源極109d與第一漏極109e可單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可以選自第二源極109a以及第二漏極109b所述的材料，且第一源極109d與第一漏極109e可實(shí)質(zhì)上相同于第二源極109a以及第二漏極109b的材料或不同于第二源極109a以及第二漏極109b的材料。此時(shí)，本實(shí)施例所述的雙柵極薄膜晶體管DG為上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管DG，而非為同一水平面的雙柵極薄膜晶體管。

本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中，在非晶圓的基板上設(shè)置有雙柵極薄膜晶體管(即上下柵極型的雙柵極薄膜晶體管)以及頂柵型薄膜晶體管，除了能達(dá)到較佳的信號(hào)波型傳遞并符合NFC傳輸頻率之外，相較于晶圓制作的裝置，本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式中的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置不受晶圓尺寸與材料的限制。具體而言，可以制作具有較大基板的近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置，而能承載更多元件?；蛘撸梢栽诓ＡЩ蛩苣z上制作近場(chǎng)通訊感測(cè)裝置。

雖然本發(fā)明已以多種實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。