本發(fā)明屬于液晶電子領(lǐng)域，具體涉及一種提高TFT-LCD透過(guò)率的方法。

背景技術(shù)：

在設(shè)計(jì)TFT-LCD時(shí)，為了保證TFT在關(guān)態(tài)時(shí)能夠保持像素電壓基本不變，需要設(shè)計(jì)存儲(chǔ)電容(CS，Capacitance Storage)對(duì)像素進(jìn)行充電，電路原理圖如圖1所示。對(duì)于大中尺寸液晶顯示器所用的薄膜晶體管，一般需要設(shè)計(jì)一條專(zhuān)門(mén)的CS金屬線，來(lái)保證存儲(chǔ)電容達(dá)到設(shè)計(jì)值，如圖2所示。這樣使得存儲(chǔ)電容需要占用較大的面積，從而導(dǎo)致薄膜晶體管的透過(guò)率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種高透過(guò)率薄膜晶體管的制備方法，該方法可以減小存儲(chǔ)電容的面積，增加透過(guò)率。

技術(shù)方案：一種高透過(guò)率薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：

步驟1、在玻璃基板上從下至上依次形成第一金屬層和第一絕緣層，所述第一金屬層包括柵極金屬線和存儲(chǔ)電容金屬線；

步驟2、對(duì)第一絕緣層進(jìn)行半蝕刻；

步驟3、在第一絕緣層上依次形成第二金屬層和第二絕緣層，所述第二金屬層包括源極電極和電極。

具體第所述步驟2包括如下步驟：

步驟21、采用曝光工藝在存儲(chǔ)電容位置形成CS過(guò)孔；

步驟22、采用干法蝕刻對(duì)CS過(guò)孔處的第一絕緣層進(jìn)行半蝕刻。

優(yōu)選地，步驟22中對(duì)CS過(guò)孔處的第一絕緣層進(jìn)行半蝕刻，蝕刻掉的厚度為第一絕緣層原厚度的10％-90％，這樣就可以減小存儲(chǔ)電容面積，從而提高TFT-LCD的透過(guò)率

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開(kāi)的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一金屬層中的存儲(chǔ)電容金屬線、第一絕緣層和第二金屬層中的漏極電極構(gòu)成了類(lèi)似于平板電容器的存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容金屬線和漏極電極相當(dāng)于存儲(chǔ)電容的兩個(gè)電極，第一絕緣層相當(dāng)于電容器介質(zhì)，通過(guò)對(duì)第一絕緣層進(jìn)行半蝕刻，減小了存儲(chǔ)電容兩個(gè)電極之間的距離。

$C=\frac{4{\mathrm{\π\ϵ}}_0{\mathrm{\ϵ}}_{r}S}{d}---\left(1\right)$

其中C為電容值，ε₀為真空介電常數(shù)，ε_r為電容器介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)，S為電容器的面積，d為電容器兩個(gè)電極之間的距離。

根據(jù)式(1)可知，在相同存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)值的情況下，減小存儲(chǔ)電容兩個(gè)電極之間的距離可以減小存儲(chǔ)電容面積，增加透過(guò)率。

附圖說(shuō)明

圖1是帶存儲(chǔ)電容的TFT電路原理圖；

圖2是存儲(chǔ)電容示意圖；

圖3是IGZO結(jié)合有機(jī)膜的TFT現(xiàn)有設(shè)計(jì)中的存儲(chǔ)電容剖面圖；

圖4是實(shí)施例1和實(shí)施例2存儲(chǔ)電容剖面圖；

圖5是A-Si的TFT現(xiàn)有設(shè)計(jì)中的存儲(chǔ)電容剖面圖；

圖6是實(shí)施例3存儲(chǔ)電容剖面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡明本發(fā)明。

圖3-圖6中，1-玻璃基板，2-門(mén)絕緣層，3-ES層，4-鈍化絕緣層，5-JAS層，6-ITO層，7-Drain電極，8-CS線。

實(shí)施例1：

對(duì)于采用IGZO(Indium Gallium Zinc 0xide，銦鎵鋅氧化物)結(jié)合有機(jī)膜的TFT，原設(shè)計(jì)是在玻璃基板上，依次形成柵極金屬層(Gate層)、門(mén)絕緣層(Gate Insulator，GI層)、IGZO層(存儲(chǔ)電容處沒(méi)有IGZO層)、刻蝕阻擋層(Etch Stop，ES層)、源漏金屬層(Source Drain，SD層)、鈍化絕緣層(PAS層)、有機(jī)層(JAS層)、氧化銦錫層(Indium Tin Oxide，ITO層)，其中Gate層包括柵極金屬線和存儲(chǔ)電容金屬線(CS線)，SD層包括Source電極和Drain電極。存儲(chǔ)電容的電極是CS線和Drain電極，介質(zhì)是GI層和ES層，如圖3所示。

采用本發(fā)明的方法，在形成Gate層、GI層、IGZO層以及ES層完成后，增加一道曝光工藝，在存儲(chǔ)電容位置形成一個(gè)CS過(guò)孔，通過(guò)干法刻蝕，對(duì)CS過(guò)孔處的GI層和ES層進(jìn)行半蝕刻。其后，剩余各層結(jié)構(gòu)保持不變，如圖4所示。該方案的優(yōu)點(diǎn)是，可以單獨(dú)控制存儲(chǔ)電容兩個(gè)電極之間的距離。假如刻蝕掉一半厚度的GI層和ES層，就可以減小一半的存儲(chǔ)電容面積，從而提高TFT-LCD的透過(guò)率。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容過(guò)孔與ES層過(guò)孔設(shè)計(jì)在一道Mask上，這樣存儲(chǔ)電容過(guò)孔可以和ES層過(guò)孔一起完成。該方案的優(yōu)點(diǎn)是，可以在不新增加任何工藝的條件下，減小存儲(chǔ)電容兩個(gè)電極之間的距離，從而減小儲(chǔ)存電容面積，提高TFT-LCD的透過(guò)率。

實(shí)施例3：

對(duì)于采用非晶硅(A-Si)的TFT，原設(shè)計(jì)是在玻璃基板上，依次形成Gate層、GI層、有源層(存儲(chǔ)電容處沒(méi)有有源層)、SD層、PAS層、ITO層,其中Gate層包括柵極金屬線和存儲(chǔ)電容金屬線(CS線)，SD層包括Source電極和Drain電極。存儲(chǔ)電容的電極是CS線和Drain電極，介質(zhì)是GI層，如圖5所示。

采用本發(fā)明的方法，在有源層完成后，SD層成膜前，增加一道曝光工藝，在存儲(chǔ)電容位置形成一個(gè)CS過(guò)孔，通過(guò)干法刻蝕，對(duì)CS過(guò)孔處的GI層進(jìn)行半蝕刻。其后，剩余各層結(jié)構(gòu)保持不變，如圖6所示。該方案的優(yōu)點(diǎn)是，可以單獨(dú)控制儲(chǔ)存電容兩個(gè)電極之間的距離。假如刻蝕掉一半厚度的GI層，就可以減小一半的存儲(chǔ)電容面積，從而提高TFT-LCD的透過(guò)率。