1.一種像素結構，設置于一基板上，其包括：
一圖案化半導體層，設置于該基板上；
一柵極絕緣層，設置于該圖案化半導體層上；
一第一金屬層，設置于該柵極絕緣層上，其中該第一金屬層具有至少一柵極線及至少一柵極，且該柵極與該柵極線電性連接；
一第一絕緣層，設置于該第一金屬層上；
一第二金屬層，設置于該第一絕緣層上，其中該第二金屬層具有至少一第一資料線、至少一源極及至少一第一漏極，其中該第一資料線與該源極電性連接，該第一資料線與該第一漏極電性分離，且該第一漏極在一第一方向上與該第一資料線之間具有一第一距離D1；
一第二絕緣層，設置于該第二金屬層上，其中該第二絕緣層至少具有一圖案化開口對應該第一漏極設置，且該圖案化開口的面積實質上大于該第一漏極的面積；
一第三金屬層，具有至少一第二漏極與該第一漏極電性連接，該第二漏極對應該圖案化開口設置于該第一漏極上，且該第二漏極在該第一方向上與該第一資料線之間具有一第二距離D2，且該第二距離D2實質上小于該第一距離D1；
一第三絕緣層，設置于該第三金屬層上；以及
一像素電極，設置于該第三絕緣層上，且該像素電極與該第二漏極電性連接。
2.如權利要求1所述的像素結構，其中該第二距離D2與該第一距離D1相減具有一距離差P，且該距離差P大于等于2微米。
3.如權利要求1所述的像素結構，其中該第二絕緣層覆蓋該源極與該第一資料線。
4.如權利要求1所述的像素結構，其中該第一漏極具有一第一線寬W1，該第二漏極具有一第二線寬W2，且該第二線寬W2實質上大于該第一線寬W1。
5.如權利要求4所述的像素結構，其中該第二線寬W2與該第一線寬W1具有一比值R，且該比值R滿足3≧R≧1.5。
6.如權利要求1所述的像素結構，其中該第一資料線實質上沿一第二方向延伸，該柵極線實質上沿該第一方向延伸，且該第一資料線與該柵極線相交。
7.一種像素結構，設置于一基板上，其包括：
一圖案化半導體層，設置于該基板上；
一柵極絕緣層，設置于該圖案化半導體層上；
一第一金屬層，設置于該柵極絕緣層上，其中該第一金屬層具有至少一柵極線及至少一柵極，且該柵極與該柵極線電性連接；
一第一絕緣層，設置于該第一金屬層上；
一第二金屬層，設置于該第一絕緣層上，該第二金屬層具有至少一漏極、至少一第一源極與至少一第二源極，其中該第一源極及該第二源極在一第一方向上并排設置，且該第一源極及該第二源極在該第一方向上具有一第一距離D1；
一第二絕緣層，設置于該第二金屬層及該第一絕緣層上，其中該第二絕緣層具有多個圖案化開口，且該些圖案化開口分別對應該第一源極及該第二源極設置；
一第三金屬層，設置于該第二金屬層、該第二絕緣層及該第一絕緣層上并對應該些圖案化開口設置，且該第三金屬層具有至少一第一資料線、至少一第二資料線、至少一第三源極及至少一第四源極，其中該第一資料線及該第二資料線在該第一方向上分別對應該些圖案化開口設置，并互相平行設置于該第一絕緣層上，該第三源極及該第四源極對應該些圖案化開口分別設置于該第一源極及該第二源極上，且該第三源極在該第一方向上與該第四源極之間具有一第二距離D2，且該第一距離D1實質上大于該第二距離D2；
一第三絕緣層，設置于該第三金屬層上；以及
一像素電極，設置于該第三絕緣層上，且該像素電極與該漏極電性連接。
8.如權利要求7所述的像素結構，其中D1≦(Q*D2)，且Q≧2。
9.如權利要求7所述的像素結構，其中該第一資料線與該第一源極及該第三源極電性連接，且該第二資料線與該第二源極及該第四源極電性連接。
10.如權利要求7所述的像素結構，其中該漏極在該第一方向上設置于該第一資料線及該第二資料線之間。
11.如權利要求7所述的像素結構，其中該第二絕緣層覆蓋該漏極。
12.如權利要求7所述的像素結構，其中該第一源極及該第二源極具有一第一線寬W1，該第三源極及該第四源極具有一第二線寬W2，且該第二線寬W2實質上大于該第一線寬W1。
13.如權利要求12所述的像素結構，其中該第二線寬W2與該第一線寬W1具有一比值R，且該比值R滿足3≧R≧1.5。
14.如權利要求7所述的像素結構，其中該第一資料線及該第二資料線實質上沿一第二方向延伸，與該柵極線實質上沿該第一方向延伸，且該第一資料線及該第二資料線與該柵極線相交。