本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體模塊。功率半導(dǎo)體模塊的電接觸部由于模塊連接端所需的載流能力而設(shè)計(jì)得花費(fèi)非常高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種用于制造功率半導(dǎo)體模塊的方法，所述功率半導(dǎo)體模塊具有電連接接觸部，所述電連接接觸部具有高載流能力，并且所述電連接接觸部可以簡(jiǎn)單地制造。該目的通過根據(jù)本發(fā)明所述的用于制造功率半導(dǎo)體模塊的方法實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的構(gòu)型和擴(kuò)展方案是從屬權(quán)利要求的內(nèi)容。

為了制造功率半導(dǎo)體模塊，將電路載體與半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)電的接觸元件裝配。在裝配之后將半導(dǎo)體芯片和接觸元件嵌入到介電的填料中，并且使接觸元件暴露。此外產(chǎn)生導(dǎo)電的基層，所述基層與暴露的接觸元件電接觸，并且所述基層位于填料和暴露的接觸元件上。借助于導(dǎo)電的連接層將預(yù)制的金屬箔施加到基層上。

附圖說明

下面根據(jù)實(shí)施例參考附圖說明本發(fā)明。附圖中的圖示不是按比例的。附圖中：

圖1至5示出用于制造功率半導(dǎo)體模塊的方法的不同步驟，所述功率半導(dǎo)體模塊具有預(yù)制的具有高載流能力的金屬箔。

圖6示出共同結(jié)構(gòu)化出預(yù)制的金屬箔和位于其下方的導(dǎo)體層的方法。

圖7和8示出結(jié)構(gòu)化出預(yù)制的金屬箔并且將其用作掩膜以便結(jié)構(gòu)化出位于所述金屬箔下方的導(dǎo)體層的方法的不同步驟。

圖9示出將接觸元件設(shè)計(jì)為鍵合線的方法，所述鍵合線在暴露時(shí)被中斷。

圖10示出將接觸元件設(shè)計(jì)為柱或小塊的方法。

圖11示出具有設(shè)計(jì)為導(dǎo)線框架的電路載體的半導(dǎo)體模塊的示例。

具體實(shí)施方式

圖1示出電路載體2的橫截面，所述電路載體裝配有一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1以及一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電的接觸元件3。接觸元件3僅僅示例性地表示為鍵合線。

電路載體2具有介電的絕緣載體20，所述絕緣載體設(shè)計(jì)為平的薄板，并且所述絕緣載體具有上部主面以及與上部主面相對(duì)的下部主面。上部金屬化層21被施加到絕緣載體20的上部主面上，所述上部金屬化層可選地可以被結(jié)構(gòu)化為印制導(dǎo)線和/或印制導(dǎo)面。此外，將可選的下部金屬化層22施加到絕緣載體20的下部主面上，所述下部金屬化層是未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的，然而替代地也可以是經(jīng)結(jié)構(gòu)化的。上部金屬化層21的背對(duì)絕緣載體20的側(cè)面形成電路載體2的上側(cè)2t。如果存在下部金屬化層22，則所述下部金屬化層的背對(duì)絕緣載體20的側(cè)面形成電路載體2的下側(cè)2b。

金屬化層21和22與絕緣載體20固定地并且材料鎖合地連接。上部金屬化層21特別是可以通過其正對(duì)絕緣載體20的整個(gè)側(cè)面固定地并且材料鎖合地與絕緣載體20連接。相應(yīng)地，下部金屬化層22也可以通過其正對(duì)絕緣載體20的整個(gè)側(cè)面固定地并且材料鎖合地與絕緣載體20連接。

絕緣載體20是電絕緣的。所述絕緣載體可以例如具有陶瓷或者由陶瓷構(gòu)成。適合的陶瓷例如是氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)或氧化鈹(BeO)或者其他介電陶瓷。上部金屬化層21和下部金屬化層22可以例如由銅、銅合金、鋁或鋁合金構(gòu)成。然而同樣可以使用其他良好導(dǎo)電的金屬以及合金。

根據(jù)一個(gè)示例，電路載體2可以是DCB基底(DCB＝direct copper bonded，直接鍵合銅)，其中，通過將表面氧化的預(yù)制的銅箔通過DCB工藝與例如由氧化鋁構(gòu)成的陶瓷絕緣載體20連接來制造上部金屬化層21和(如果存在的)下部金屬化層22。

半導(dǎo)體芯片1可以例如是二極管或者可控的半導(dǎo)體開關(guān)例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、JEFT(Junction Field Effect Transistor，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、晶閘管或HEMT(High Electron Mobility Transistor，高電子遷移率晶體管)。這種半導(dǎo)體芯片1可以是所謂的垂直元器件，所述垂直元器件在其正對(duì)電路載體2的下側(cè)上具有下部芯片金屬化層12，所述垂直元器件在其背對(duì)電路載體2的上側(cè)上具有上部芯片金屬化層11，并且所述垂直元器件在其下部芯片金屬化層12上例如借助于例如通過釬焊、燒結(jié)或者導(dǎo)電粘接或電絕緣粘接所產(chǎn)生的連接層導(dǎo)電地與上部金屬化層21連接。由此，在上部芯片金屬化層11和下部芯片金屬化層12之間流動(dòng)的載荷電流也可以流過上部金屬化層21。在釬焊的情況中使用焊料，在燒結(jié)情況中使用金屬粉末(例如貴金屬粉末，例如銀粉)，或者在粘接情況中使用粘合材料。在本發(fā)明的意義中，芯片金屬化層、例如上部和下部芯片金屬化層11、12是預(yù)制的半導(dǎo)體芯片1的組成部分。這意味著，在將電路載體2與所述半導(dǎo)體芯片1裝配之前，芯片金屬化層已經(jīng)是半導(dǎo)體芯片1的組成部分。在半導(dǎo)體芯片1還處于具有與半導(dǎo)體芯片1相同的半導(dǎo)體芯片的晶片復(fù)合體中期間，也就是說，在晶片工藝化期間，就可以將這種芯片金屬化層施加到半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體本體10上。

半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體本體10具有一種任意的半導(dǎo)體基本材料(例如硅、碳化硅、砷化鎵、鎵化鋁或者任意其他使用在電子部件中的半導(dǎo)體材料)，所述半導(dǎo)體基本材料包含一個(gè)或多個(gè)p摻雜和/或n摻雜的半導(dǎo)體區(qū)。上部芯片金屬化層11和下部芯片金屬化層12被施加到半導(dǎo)體本體10的彼此相對(duì)的側(cè)面上。

上部芯片金屬化層11和下部芯片金屬化層12根據(jù)相關(guān)的半導(dǎo)體芯片1的類型可以是漏極和源極、源極和漏極、發(fā)射極和集電極、集電極和發(fā)射極、陽極和陰極或者陰極和陽極。如果半導(dǎo)體芯片1是可控的半導(dǎo)體元件，則所述半導(dǎo)體芯片還具有在附圖中未示出的控制連接端(即柵極連接端或基極連接端)。

如圖1中所示地，每個(gè)接觸元件3具有一個(gè)區(qū)段31，所述區(qū)段在將電路載體2與接觸元件3裝配之后并且在以下描述的將半導(dǎo)體芯片1和接觸元件3嵌入到填料4中之前具有與電路載體2大于1mm的間距d31。

在本發(fā)明的意義中，當(dāng)接觸元件3固定地并且材料鎖合地與電路載體2連接時(shí)，將電路載體2與接觸元件3裝配。當(dāng)半導(dǎo)體芯片1首先例如在其上部芯片金屬化層11上設(shè)置有接觸元件3并且電路載體2才接著與由半導(dǎo)體芯片1和接觸元件3構(gòu)成的復(fù)合體固定地并且材料鎖合地連接時(shí)，電路載體2例如接著也與接觸元件3裝配。也就是說，當(dāng)電路載體2和接觸元件3之間的連接僅僅間接地(在所述的示例中通過半導(dǎo)體芯片1)實(shí)現(xiàn)時(shí)，電路載體2也接著與接觸元件3裝配。當(dāng)然，接觸元件3也可以與電路載體2(例如與所述電路載體的上部金屬化層21，或者當(dāng)電路載體2設(shè)計(jì)為導(dǎo)線框架時(shí)，與導(dǎo)線框架)持續(xù)地導(dǎo)電連接，而不間接地通過半導(dǎo)體芯片1實(shí)現(xiàn)所述連接。

如同此外結(jié)果在圖2中所示的那樣，一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1以及一個(gè)或多個(gè)接觸元件3在將其與電路載體2裝配之后被嵌入到填料4中。為了嵌入，填料4首先完全或部分地呈液態(tài)的或膏狀的形式存在并且接著被硬化。

聚合物可以用作填料4，或者所述填料可以具有聚合物。填料4可以例如具有一個(gè)基體(Matrix)(例如聚合物)，將填充材料嵌入到所述基體中，所述填充材料是良好導(dǎo)熱的，并且所述填充材料具有線性熱膨脹系數(shù)，該線性熱膨脹系數(shù)明顯小于基體的線性熱膨脹系數(shù)。因此可以實(shí)現(xiàn)，硬化后的填料4所具有的線性熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片1的線性熱膨脹系數(shù)沒有使得當(dāng)半導(dǎo)體模塊遭受較大的溫度波動(dòng)時(shí)半導(dǎo)體芯片1具有斷裂危險(xiǎn)如此大程度的區(qū)別。硬化后的填料4可以例如具有小于9ppm/K的線性熱膨脹系數(shù)。例如環(huán)氧樹脂適合作為聚合物。

如果填料4具有填充材料，則所述填充材料可以例如由粉末狀的和/或顆粒狀的和/或纖維狀的材料構(gòu)成。例如陶瓷如氧化鋁、氮化鋁、堇青石和/或玻璃適合作為粉末狀的或顆粒狀的材料。例如玻璃纖維適合作為纖維狀的材料。

在嵌入之后，一個(gè)、多個(gè)或所有的接觸元件3可以完全由填料4覆蓋，或者一個(gè)、多個(gè)或所有的接觸元件3可以僅僅部分地由填料4覆蓋。如果接觸元件3僅僅部分地由填料4覆蓋，則所述接觸元件3的區(qū)段30可以在填料4的背對(duì)電路載體2的側(cè)面上微小地從所述側(cè)面突出。所述微小的突出例如可以通過所謂的膜輔助成型(Film-Assisted Molding)方法實(shí)現(xiàn)。在此，注塑模的內(nèi)側(cè)鋪上薄膜，將區(qū)段30壓入到薄膜中，從而區(qū)段30在隨后以填料4澆注或壓力注塑包封時(shí)保持露出。如果所述區(qū)段30位于設(shè)計(jì)為鍵合線的接觸元件3的回路(英語：Loop)的區(qū)域中，則所述方法這樣調(diào)整，最大使得相關(guān)的區(qū)段30以相關(guān)的鍵合線的直徑的一半從填料4突出。

例如注射成型(英語：Injection Molding)、擠壓成型(英語：Compression Molding)、液態(tài)成型、澆注成型、真空澆注成型或?qū)訅撼尚瓦m合作為用于將一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1和一個(gè)或多個(gè)接觸元件3嵌入到填料4中的方法。在液態(tài)成型中，成型料以液態(tài)形式用于要澆注成型的構(gòu)件上。模子接著被封閉。在此，整個(gè)模子由成型料填滿，并且填料在溫度下硬化。也就是說，所述填料不是被注入到封閉的模子中，而是在封閉之前被分配到敞開的模子中。然而，層壓成型不適合與設(shè)計(jì)為鍵合線的接觸元件3連接。

在本發(fā)明的所有構(gòu)型中，填料4可選地在嵌入到一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1和一個(gè)或多個(gè)接觸元件3之后并且必要時(shí)在填料4硬化之后直到達(dá)到電路載體2上和/或直到達(dá)到所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1上和/或直到達(dá)到所述一個(gè)或多個(gè)接觸元件3上。

如同此外結(jié)果在圖3中所示的那樣，已嵌入的一個(gè)或多個(gè)接觸元件3例如在填料4的背對(duì)電路載體2的側(cè)面上被暴露。所述暴露原則上可以通過任意的技術(shù)、例如銑削、磨削、激光加工來實(shí)現(xiàn)。在此，不同的技術(shù)也可以任意地組合。在暴露之后，填料4和嵌入到所述填料中的一個(gè)或多個(gè)接觸元件3的復(fù)合體在其背對(duì)電路載體2的側(cè)面上可以具有平的表面40。

通過所述暴露，接觸元件3和填料4分別具有一個(gè)平的表面區(qū)段3e或4e，所述表面區(qū)段布置在平面E-E中。

所述暴露可選地可以實(shí)現(xiàn)為，在設(shè)計(jì)為鍵合線的接觸元件3的情況下(所述鍵合線形成鍵合回路)最大去除鍵合線的直徑的一半，從而使鍵合線不被切斷。替換地，這種鍵合線然而也可以被切斷，這在下文參考圖9來說明。

如同結(jié)果在圖4中所示的那樣，在暴露之后產(chǎn)生導(dǎo)電的基層5，所述基層與暴露的一個(gè)或多個(gè)接觸元件3電接觸，并且所述基層位于填料4和暴露的一個(gè)或多個(gè)接觸元件3上。

可選地，填料4可以在使所述一個(gè)或多個(gè)接觸元件3暴露之后并且在產(chǎn)生基層5之前，在基層5隨后在填料4上所位于的位置處(例如在表面40上)經(jīng)受等離子處理，以便改善基層5在填料4上的附著。

基層5的產(chǎn)生包括導(dǎo)電的籽晶層51(也稱為胚層)的產(chǎn)生，所述籽晶層直接位于填料4上。籽晶層51的產(chǎn)生可以例如通過無電流的沉積和/或?yàn)R射實(shí)現(xiàn)。籽晶層51由下述材料中的恰好一種或者兩種或更多種構(gòu)成：鈦(Ti)、鎢化鈦(TiW)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鎳(Ni)。

制成的籽晶層51的層厚度D51原則上可以任意地選擇。層厚度D51可以例如選擇為小于或等于5μm。

可選地，基層5的產(chǎn)生包括在之前產(chǎn)生的籽晶層51上產(chǎn)生導(dǎo)電的強(qiáng)化層52。強(qiáng)化層52可以例如通過電鍍沉積制造。在此，之前產(chǎn)生的籽晶層51可以用作用于電鍍沉積工藝的電極。制成的強(qiáng)化層52的層厚度D52可以原則上任意地選擇。為了實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的制造，有利的可以是，將層厚度D52不選擇得過大，例如不大于100μm。此外為了達(dá)到籽晶層51足夠的機(jī)械強(qiáng)度，有利的可以是，將層厚度D52不選擇得過小。層厚度D52可以例如選擇為，基層5的層厚度D5處于5μm至50μm的范圍內(nèi)。強(qiáng)化層52的層厚度D52可以例如選擇為在15μm至100μm的范圍內(nèi)。

良好導(dǎo)電的材料例如銅適合作為用于所產(chǎn)生的強(qiáng)化層52的材料，也就是說，制成的強(qiáng)化層52可以具有銅或者由銅構(gòu)成。

如同所示的那樣，基層5可選地由籽晶層51和強(qiáng)化層52構(gòu)成。這意味著，強(qiáng)化層52直接鄰接于籽晶層51。

籽晶層51能夠可選地由恰好一種材料或一種均勻的混合材料構(gòu)成。與此無關(guān)地，如果設(shè)置有強(qiáng)化層52，則強(qiáng)化層52可以設(shè)置為，其可選地由恰好一種材料或一種均勻的混合材料構(gòu)成。

如同此外結(jié)果在圖5中所示的那樣，將預(yù)制的金屬箔7施加到基層5上，所述金屬箔借助于導(dǎo)電的連接層6材料鎖合地與基層5連接。金屬箔7具有高載流能力，并且由此能夠用于引導(dǎo)半導(dǎo)體模塊的大電流。因此，金屬箔7在施加之前和之后可以具有至少100μm的層厚度D7。層厚度D7可以例如處于100μm至400μm的范圍內(nèi)。

例如銅或鋁適合作為用于金屬箔7的材料，也就是說，金屬箔7可以由銅或鋁構(gòu)成，或者所述金屬箔可以具有銅和/或鋁。

連接層6可以例如設(shè)計(jì)為釬焊層、特別是擴(kuò)散釬焊層，或設(shè)計(jì)為燒結(jié)層或粘接層。在施加金屬箔7之后，連接層6不僅直接鄰接于基層5而且直接鄰接于金屬箔7。

(具有籽晶層51和可選地具有強(qiáng)化層52的)基層5、連接層6和金屬箔7共同形成半導(dǎo)體模塊的金屬化層9，所述金屬化層在需求下可以結(jié)構(gòu)化成印制導(dǎo)線和/或電接觸部。如同在圖5中所示的那樣，籽晶層51、強(qiáng)化層52(如果存在)、連接層6和金屬箔7(即整個(gè)模塊金屬化層9)可以設(shè)計(jì)為未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層，并且接著整體被結(jié)構(gòu)化。

整體的結(jié)構(gòu)化可以例如借助于在使用(例如光刻地)經(jīng)結(jié)構(gòu)化的蝕刻掩膜8的情況下對(duì)籽晶層51、強(qiáng)化層52(如果存在)、連接層6和金屬箔7進(jìn)行的掩膜式蝕刻來實(shí)現(xiàn)，正如其在圖6中在結(jié)束蝕刻工藝之后所示的那樣。然后，可以再將蝕刻掩膜8從經(jīng)結(jié)構(gòu)化的金屬箔7去除。

根據(jù)在圖7中所示的、對(duì)于根據(jù)圖5的布置的替代方案，金屬箔7可以預(yù)制為經(jīng)結(jié)構(gòu)化的金屬箔7并且以經(jīng)結(jié)構(gòu)化的形式與強(qiáng)化層5連接。與根據(jù)圖1至5所述的方法的唯一的區(qū)別在于，預(yù)制的金屬箔7以已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的形式與強(qiáng)化層5連接。

于是，預(yù)制的經(jīng)結(jié)構(gòu)化的并且與強(qiáng)化層5連接的金屬箔7在蝕刻方法中可以用作蝕刻掩膜8，在所述蝕刻方法中，對(duì)基層5并且可選地也對(duì)連接層6進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。在此可以考慮的是，稍許切除金屬箔7。

如前已述地，強(qiáng)化層52是可選的并且由此也可以省去。為此圖9示出一個(gè)示例。在此，基層5僅僅由籽晶層51構(gòu)成。在此，連接層6不僅與籽晶層51而且與金屬箔7直接地鄰接。

正如同樣在圖9中所示的那樣，接觸元件3(例如當(dāng)其設(shè)計(jì)為鍵合線時(shí))在暴露時(shí)被分成兩個(gè)彼此分開的區(qū)段3a、3b，所述區(qū)段中的每個(gè)區(qū)段與模塊金屬化層9的一個(gè)另外的區(qū)段9a或9b連接。因此，可以例如使用唯一的鍵合回路來電連接模塊金屬化層9的電隔離的不同區(qū)段9a、9b。通過足夠?qū)挼?即，比圖3所示更寬地)進(jìn)行所述暴露(例如對(duì)填料4和嵌入到填料中的接觸元件3的切除)，可以實(shí)現(xiàn)將接觸元件3分成彼此分開的區(qū)段3a和3b。

在至此的示例中，接觸元件3示例性地表示為鍵合線。原則上，接觸元件3可以設(shè)計(jì)為任意其他的導(dǎo)電元件32，例如柱或小塊或焊料凸點(diǎn)，如同在圖10中示意性地示出的那樣。

替代鍵合或熔焊，接觸元件3也可以借助于材料鎖合連接、例如借助于釬焊連接、燒結(jié)連接或粘接連接導(dǎo)電地與上部金屬化層21或上部芯片金屬化層11連接。

此外，設(shè)計(jì)為鍵合線的接觸元件3可以形成鍵合回路或者所謂的“Stud-Bonds，螺柱鍵合”，其中，鍵合線在一個(gè)位置上鍵合到上部金屬化層21或上部芯片金屬化層上，然后朝著遠(yuǎn)離電路載體2的方向向上牽拉并且在那里被分開。作為對(duì)此的示例，在所示的圖示中示出設(shè)計(jì)為螺柱鍵合35的接觸元件3。要指明的是，在半導(dǎo)體模塊中可以使用不同類型的接觸元件3的任意組合。接觸元件3可選地也可以在多個(gè)位置(例如鍵合位置)與同一個(gè)上部芯片金屬化層11連接，和/或當(dāng)利用同一個(gè)控制信號(hào)操控控制連接端時(shí)，在制成的半導(dǎo)體模塊的情況下可以將多個(gè)半導(dǎo)體芯片1的控制連接端彼此電連接。半導(dǎo)體芯片1的這種控制連接端可以例如是柵極芯片金屬化層，所述柵極芯片金屬化層布置在相關(guān)的半導(dǎo)體芯片1的背對(duì)電路載體2的上側(cè)上。接觸元件3同樣也可以用于在制成的半導(dǎo)體模塊中使不同的半導(dǎo)體芯片1的上部芯片金屬化層11彼此電連接。

特別適合作為用于接觸元件3的材料的是例如呈純的銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、金(Au)形式的金屬或者具有所述金屬中的一種或多種的合金，或者導(dǎo)電的聚合物、例如導(dǎo)電的以Ag填充的環(huán)氧樹脂。

接觸元件3可以導(dǎo)電地釬焊或鍵合或熔焊或燒結(jié)或粘接到所述上部金屬化層21上和/或半導(dǎo)體芯片的上部芯片金屬化層11上。

與所示的實(shí)施例不同地，電路載體2也可以是金屬的導(dǎo)線框架(英語：“l(fā)eadframe”)，所述導(dǎo)線框架裝配有一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1。接觸元件3也可以用于建立在導(dǎo)線框架或?qū)Ь€框架的區(qū)段與模塊金屬化層9之間的導(dǎo)電連接，其方式是，將接觸元件3與導(dǎo)線框架導(dǎo)電地連接。圖11示出用于具有設(shè)計(jì)為導(dǎo)線框架的電路載體2的半導(dǎo)體模塊的一個(gè)示例。

如果制成的模塊金屬化層9應(yīng)該是經(jīng)結(jié)構(gòu)化的，則所述模塊金屬化層如同所述那樣首先作為封閉的未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層在填料4上產(chǎn)生，也就是說，籽晶層51、強(qiáng)化層52(如果存在)、連接層6和金屬箔7首先是未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的。

然而替換地，所述層51、52、6、7中的每個(gè)單個(gè)層(與所述層51、52、6、7中的其他層無關(guān)地)可以首先作為未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層被施加然后在施加下一個(gè)層之前被結(jié)構(gòu)化，或者可以以已經(jīng)經(jīng)過結(jié)構(gòu)化的形式(例如通過沉積到掩膜的開口中，該掩膜被施加到位于其下方的層51、52、6或填料4上)結(jié)構(gòu)化地施加。

與金屬箔7是否以經(jīng)結(jié)構(gòu)化的或未經(jīng)結(jié)構(gòu)化的形式被施加無關(guān)地，在利用連接層6使所述金屬箔與基層5材料鎖合地連接之后，所述金屬箔形成平的層。

制成的并在需要時(shí)經(jīng)結(jié)構(gòu)化的模塊金屬化層9的區(qū)段可以用作電接觸部，以便從外部與半導(dǎo)體模塊電接觸，和/或用作在不同的組成部分(例如半導(dǎo)體芯片1、上部金屬化層21、導(dǎo)線框架2、半導(dǎo)體芯片1的負(fù)載連接端11或12、半導(dǎo)體芯片1的控制連接端等)之間的導(dǎo)電連接。此外，接觸元件3也可以用于建立在模塊金屬化層9的起輔助發(fā)射極連接端或輔助集電極連接端功能的區(qū)段與半導(dǎo)體芯片1的發(fā)射極負(fù)載連接端或集電極負(fù)載連接端之間的電連接。

以上根據(jù)不同實(shí)施例說明了本發(fā)明。在此，除非另作聲明，根據(jù)不同實(shí)施例說明的特征和方法步驟可以彼此任意組合。

本發(fā)明也可以結(jié)合所謂的“Fan-In Wafer Level Packages，扇入晶片級(jí)封裝”使用。在此涉及以下半導(dǎo)體模塊，其中，接觸元件3僅僅布置在半導(dǎo)體模塊的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片1的基面的側(cè)邊界內(nèi)。