本發(fā)明涉及具備共模濾波器的電子部件。

背景技術(shù)：

作為以往的有關(guān)共模濾波器的發(fā)明，例如公知有專利文獻(xiàn)1所述的共模扼流線圈。圖10是專利文獻(xiàn)1所述的共模扼流線圈510的截面構(gòu)造圖。

共模扼流線圈510具備層疊體512、線圈514、516、518。線圈514、516、518在從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀，且相互重合。另外，線圈518被線圈514和線圈516從上下兩側(cè)夾持。在這樣的共模扼流線圈510中，在線圈514、516上傳輸有高頻信號，線圈518連接接地電位。

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4209851號公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)1所述的共模扼流線圈510中，如以下說明那樣，線圈514、516、518間的差分阻抗產(chǎn)生差異。

如圖10所示，線圈514和線圈518對置，且線圈516和線圈518對置。另一方面，在線圈514與線圈516之間存在有線圈518，所以線圈514和線圈516相距較遠(yuǎn)地對置。因此，在線圈514與線圈516之間產(chǎn)生的電容比在線圈514與線圈518之間產(chǎn)生的電容以及在線圈516與線圈518之間產(chǎn)生的電容小。因此，線圈514與線圈516之間的差分阻抗比線圈514與線圈518之間的差分阻抗以及線圈516與線圈518之間的差分阻抗大。

這里，線圈514與線圈518之間的差分阻抗和線圈516與線圈518之間的差分阻抗相等。因此，如上所述，在差分信號作為高頻信號在線圈514、516上傳輸，且線圈518連接接地電位的情況下，差分信號的波形崩潰的可能性較低。

與此相對，本申請發(fā)明者研究了在共模扼流線圈510的線圈514、516、518上分別傳輸高頻信號，并從3個(gè)高頻信號中除去共模噪聲的情況。然而，線圈514與線圈516之間的差分阻抗比線圈514與線圈518之間的差分阻抗以及線圈516與線圈518之間的差分阻抗大。因此，例如，若差分信號作為高頻信號被傳輸，則產(chǎn)生差分信號的波形崩潰這樣的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于，在具備3個(gè)線圈的共模濾波器中，減少各線圈間的差分阻抗的差異。

本發(fā)明的一方式的電子部件的特征在于，具備：層疊體，其由多個(gè)絕緣體層沿層疊方向?qū)盈B而構(gòu)成；初級線圈，其包括n個(gè)初級線圈導(dǎo)體層以及并聯(lián)初級線圈導(dǎo)體層，其中，n是自然數(shù)；次級線圈，其包括n個(gè)次級線圈導(dǎo)體層；以及三級線圈，其包括n個(gè)三級線圈導(dǎo)體層，上述初級線圈、上述次級線圈以及上述三級線圈具有相互實(shí)質(zhì)上相等的電流路徑的長度，并且構(gòu)成共模濾波器，上述初級線圈導(dǎo)體層、上述次級線圈導(dǎo)體層以及上述三級線圈導(dǎo)體層逐個(gè)地從上述層疊方向的一方側(cè)向另一方側(cè)依次排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組，n個(gè)上述線圈導(dǎo)體層組從上述層疊方向的一方側(cè)向另一方側(cè)排列，上述并聯(lián)初級線圈導(dǎo)體層呈與上述n個(gè)初級線圈導(dǎo)體層內(nèi)的規(guī)定的初級線圈導(dǎo)體層相同的形狀，同時(shí)與該規(guī)定的初級線圈導(dǎo)體層并聯(lián)電連接，并且，相對于設(shè)置于上述層疊方向的最另一方側(cè)的上述三級線圈導(dǎo)體層設(shè)置于該層疊方向的另一方側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明，在具備3個(gè)線圈的共模濾波器中，能夠減少各線圈間的差分阻抗的差異。

附圖說明

圖1是電子部件10、10a～10d的外觀立體圖。

圖2是圖1的電子部件10的分解立體圖。

圖3是圖1的電子部件10的A－A中的截面構(gòu)造圖。

圖4是示出第一模型的模擬結(jié)果的圖表。

圖5是示出第二模型的模擬結(jié)果的圖表。

圖6A是示出電子部件10的線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。

圖6B是示出電子部件10a的線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、30b、32b、34b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。

圖7A是電子部件10a的層疊體22的分解立體圖。

圖7B是圖1的電子部件10a的A－A中的截面構(gòu)造圖。

圖8A是示出電子部件10b的線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2、32a、34a、30b、32b－1、32b－2、34b－1、34b－2以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。

圖8B是圖1的電子部件10b的A－A中的截面構(gòu)造圖。

圖9A是圖1的電子部件10c的A－A中的截面構(gòu)造圖。

圖9B是圖1的電子部件10d的A－A中的截面構(gòu)造圖。

圖10是專利文獻(xiàn)1所述的共模扼流線圈510的截面構(gòu)造圖。

具體實(shí)施方式

以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子部件進(jìn)行說明。

(電子部件的構(gòu)成)

首先，參照附圖對本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子部件10的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是電子部件10、10a～10d的外觀立體圖。圖2是圖1的電子部件10的分解立體圖。圖3是圖1的電子部件10的A－A中的截面構(gòu)造圖。以下，將電子部件10的層疊方向定義為上下方向，將從上側(cè)觀察時(shí)長邊延伸的方向定義為前后方向，將短邊延伸的方向定義為左右方向。另外，上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。此外，所謂層疊方向是指后述的絕緣體層被堆疊的方向。

如圖1～圖3所示，電子部件10具備主體12、外部電極14a～14f、連接部16a～16f、引線部50～57、初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3。

如圖1以及圖2所示，主體12呈長方體形狀，包括磁性體基板20a、20b、層疊體22以及磁性體層24。磁性體基板20a、磁性體層24、層疊體22以及磁性體基板20b從上側(cè)向下側(cè)按順序?qū)盈B。

磁性體基板20a、20b是從上側(cè)觀察時(shí)呈長方形的板狀部件。以下，將磁性體基板20a、20b的上側(cè)的主面稱為上表面，將磁性體基板20a、20b的下側(cè)的主面稱為下表面。從上側(cè)觀察時(shí)，磁性體基板20b上4個(gè)角以及2根長邊的中央被切口。更詳細(xì)而言，從上側(cè)觀察時(shí)，在磁性體基板20b的4個(gè)角分別設(shè)置有呈中心角是90度的扇形的切口。從上側(cè)觀察時(shí)，在磁性體基板20b的2根長邊的中央分別設(shè)置有呈半圓的切口。6個(gè)切口在磁性體基板20b的側(cè)面上下方向地延伸為從磁性體基板20b的上表面到達(dá)下表面。

磁性體基板20a、20b通過雕刻燒結(jié)完畢的鐵素體陶瓷來制作。另外，磁性體基板20a、20b既可以通過由鐵素體煅燒粉末以及粘合劑構(gòu)成的糊劑涂覆于氧化鋁等陶瓷基板來制作，也可以通過層疊以及燒制鐵素體材料的生片(green sheet)來制作。

外部電極14a～14f設(shè)置于磁性體基板20b的下表面上，且呈長方形。更詳細(xì)而言，外部電極14a設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的左后的角。外部電極14b設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的左側(cè)的長邊的中央。外部電極14c設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的左前的角。外部電極14d設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的右后的角。外部電極14e設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的右側(cè)的長邊的中央。外部電極14f設(shè)置于位于磁性體基板20b的下表面的右前的角。外部電極14a～14f通過利用濺射法重疊Au膜、Ni膜、Cu膜、Ti膜并使其成膜來制作。此外，外部電極14a～14f既可以通過印刷以及沖印含有Ag、Cu等金屬的糊劑來制作，也可以通過利用蒸鍍或電鍍方法將Ag、Cu等成膜來制作。

連接部16a～16f分別設(shè)置于在磁性體基板20b上設(shè)置的6個(gè)切口。連接部16a設(shè)置于位于磁性體基板20b的左后的切口，在其下端處與外部電極14a連接。連接部16b設(shè)置于位于磁性體基板20b的左側(cè)的長邊的中央的切口，在其下端處與外部電極14b連接。連接部16c設(shè)置于位于磁性體基板20b的左前的切口，在其下端處與外部電極14c連接。連接部16d設(shè)置于位于磁性體基板20b的右后的切口，在其下端處與外部電極14d連接。連接部16e設(shè)置于位于磁性體基板20b的右側(cè)的長邊的中央的切口，在其下端處與外部電極14e連接。連接部16f設(shè)置于位于磁性體基板20b的右前的切口，在其下端處與外部電極14f連接。連接部16a～16f通過利用電鍍法使以Cu為主成分的導(dǎo)體膜成膜來制作。此外，連接部16a～16f也可以由Ag、Au等導(dǎo)電性較高的材料制作。

層疊體22包括在磁性體基板20b的上表面上層疊的絕緣體層26a～26f(多個(gè)絕緣體層的一個(gè)例子)，且從上側(cè)觀察時(shí)呈長方形。絕緣體層26a～26f被層疊為從上側(cè)向下側(cè)按順序排列，具有與磁性體基板20b的上表面大致相同的尺寸。但是，從上側(cè)觀察時(shí)，絕緣體層26b～26f的4個(gè)角以及2根長邊的中央被切口。

絕緣體層26a～26f由聚酰亞胺制作。另外，絕緣體層26a～26f既可以由苯并環(huán)丁烯等絕緣性樹脂制作，也可以用玻璃陶瓷等絕緣性無機(jī)材料制作。以下，將絕緣體層26a～26f的上側(cè)的主面稱為上表面，將絕緣體層26a～26f的下側(cè)的主面稱為下表面。

磁性體層24設(shè)置于層疊體22與磁性體基板20a之間，使層疊體22的上表面平坦化，并且將層疊體22和磁性體基板20a接合。磁性體層24例如由磁性材料的粉末與樹脂的混合物制作。

初級線圈L1設(shè)置于層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層30a。線圈導(dǎo)體層30a設(shè)置于絕緣體層26f的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層30a具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層30a的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

引線部50(引線部的一個(gè)例子)連接初級線圈L1的一端(線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部)和外部電極14a，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部50包括引線導(dǎo)體層40a以及連接導(dǎo)體70a。連接導(dǎo)體70a是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的左后的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。此外，在圖2中，為了容易理解，連接導(dǎo)體70a被分割成5個(gè)來記載。后述的連接導(dǎo)體70b～70f也與連接導(dǎo)體70a同樣地分割成5個(gè)來記載。連接導(dǎo)體70a沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16a連接。

引線導(dǎo)體層40a設(shè)置于絕緣體層26f的上表面上，與線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部連接，并且與連接導(dǎo)體70a連接。從上側(cè)觀察時(shí)，引線導(dǎo)體層40a不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部朝向左側(cè)延伸。如圖2的放大圖所示，線圈導(dǎo)體層30a與引線導(dǎo)體層40a的邊界是引線導(dǎo)體層40a從線圈導(dǎo)體層30a所形成的螺旋形狀的軌跡脫離的位置。由此，初級線圈L1的一端(線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部)和外部電極14a經(jīng)由引線部50(引線導(dǎo)體層40a以及連接導(dǎo)體70a)以及連接部16a連接。

引線部53(引線部的一個(gè)例子)連接初級線圈L1的另一端(線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14d，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部53包括層間連接導(dǎo)體v1、引線導(dǎo)體層60以及連接導(dǎo)體70d。連接導(dǎo)體70d是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右后的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70d沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16d連接。

層間連接導(dǎo)體v1是沿上下方向貫通絕緣體層26b～26f的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。從上側(cè)觀察時(shí)，層間連接導(dǎo)體v1設(shè)置于絕緣體層26b～26f的后半部分的區(qū)域，與線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部連接。

引線導(dǎo)體層60設(shè)置于絕緣體層26b的上表面上，與層間連接導(dǎo)體v1連接并且與連接導(dǎo)體70d連接。由此，初級線圈L1的另一端(線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14d經(jīng)由引線部53(層間連接導(dǎo)體v1、引線導(dǎo)體層60以及連接導(dǎo)體70d)以及連接部16d連接。

次級線圈L2設(shè)置于層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層32a(次級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)。線圈導(dǎo)體層32a設(shè)置在絕緣體層26e的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層32a具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層32a的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

另外，如圖2以及圖3所示，從上側(cè)觀察時(shí)，線圈導(dǎo)體層32a遍及大致全長與線圈導(dǎo)體層30a重疊。因此，被線圈導(dǎo)體層30a包圍的區(qū)域(初級線圈L1的內(nèi)磁路)和被線圈導(dǎo)體層32a包圍的區(qū)域(次級線圈L2的內(nèi)磁路)從上側(cè)觀察時(shí)重疊。由此，線圈導(dǎo)體層30a(初級線圈L1)和線圈導(dǎo)體層32a(次級線圈L2)磁耦合。但是，線圈導(dǎo)體層30a的兩端的位置與線圈導(dǎo)體層32a的兩端的位置不同，以免引線部50、53和后述的引線部51、54干擾。具體而言，線圈導(dǎo)體層32a的外周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的上游側(cè)。線圈導(dǎo)體層32a的內(nèi)周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的上游側(cè)。由此，線圈導(dǎo)體層30a的長度和線圈導(dǎo)體層32a的長度實(shí)質(zhì)上相等。此外，線圈導(dǎo)體層30a和線圈導(dǎo)體層32a磁耦合即可，所以也可以不必彼此遍及全長重疊，可以在前后方向或者左右方向上稍微偏移。即，線圈導(dǎo)體層32a相對于線圈導(dǎo)體層30a設(shè)置于上側(cè)即可。

引線部51連接次級線圈L2的一端(線圈導(dǎo)體層32a的外周側(cè)的端部)和外部電極14b，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部51包括引線導(dǎo)體層42a以及連接導(dǎo)體70b。連接導(dǎo)體70b是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的左側(cè)的長邊的中央的四棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70b沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16b連接。

引線導(dǎo)體層42a設(shè)置在絕緣體層26e的上表面上，與線圈導(dǎo)體層32a的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70b連接。引線導(dǎo)體層42a從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層32a的外周側(cè)的端部朝向左側(cè)延伸。由此，次級線圈L2的一端(線圈導(dǎo)體層32a的外周側(cè)的端部)和外部電極14b經(jīng)由引線部51(引線導(dǎo)體層42a以及連接導(dǎo)體70b)以及連接部16b連接。

引線部54連接次級線圈L2的另一端(線圈導(dǎo)體層32a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14e，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部54包括層間連接導(dǎo)體v2、引線導(dǎo)體層62以及連接導(dǎo)體70e。連接導(dǎo)體70e是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右側(cè)的長邊的中央的四棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70e沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16e連接。

層間連接導(dǎo)體v2是沿上下方向貫通絕緣體層26b～26e的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。層間連接導(dǎo)體v2從上側(cè)觀察時(shí)設(shè)置于絕緣體層26b～26e的中央，與線圈導(dǎo)體層32a的內(nèi)周側(cè)的端部連接。

引線導(dǎo)體層62設(shè)置在絕緣體層26b的上表面上，與層間連接導(dǎo)體v2連接并且與連接導(dǎo)體70e連接。由此，次級線圈L2的另一端(線圈導(dǎo)體層32a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14e經(jīng)由引線部54(層間連接導(dǎo)體v2、引線導(dǎo)體層62以及連接導(dǎo)體70e)以及連接部16e連接。

三級線圈L3設(shè)置于層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層34a(三級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)。線圈導(dǎo)體層34a設(shè)置在絕緣體層26d的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層34a具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層34a的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

另外，如圖2以及圖3所示，線圈導(dǎo)體層34a從上側(cè)觀察時(shí)遍及大致全長與線圈導(dǎo)體層30a、32a重疊。因此，被線圈導(dǎo)體層30a包圍的區(qū)域(初級線圈L1的內(nèi)磁路)、被線圈導(dǎo)體層32a包圍的區(qū)域(次級線圈L2的內(nèi)磁路)、以及被線圈導(dǎo)體層34a包圍的區(qū)域(三級線圈L3的內(nèi)磁路)從上側(cè)觀察時(shí)重疊。由此，線圈導(dǎo)體層30a(初級線圈L1)、線圈導(dǎo)體層32a(次級線圈L2)、以及線圈導(dǎo)體層34a(三級線圈L3)磁耦合。但是，線圈導(dǎo)體層30a的兩端的位置、線圈導(dǎo)體層32a的兩端的位置、以及線圈導(dǎo)體層34a的兩端的位置不同，以免引線部50、53、引線部51、54、引線部52、55干擾。具體而言，線圈導(dǎo)體層34a的外周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30a、32a的外周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的上游側(cè)。線圈導(dǎo)體層34a的內(nèi)周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30a、32a的內(nèi)周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的上游側(cè)。由此，線圈導(dǎo)體層30a的長度、線圈導(dǎo)體層32a的長度、以及線圈導(dǎo)體層34a的長度實(shí)質(zhì)上相等。此外，線圈導(dǎo)體層30a、線圈導(dǎo)體層32a、以及線圈導(dǎo)體層32a磁耦合即可，所以也可以不必彼此遍及全長重疊，可以在前后方向或者左右方向上稍微偏移。即，線圈導(dǎo)體層34a相對于線圈導(dǎo)體層30a、32a設(shè)置于上側(cè)即可。

引線部52連接三級線圈L3的一端(線圈導(dǎo)體層34a的外周側(cè)的端部)和外部電極14c，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部52包括引線導(dǎo)體層44a以及連接導(dǎo)體70c。連接導(dǎo)體70c是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的左前的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70c沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16c連接。

引線導(dǎo)體層44a設(shè)置在絕緣體層26d的上表面上，與線圈導(dǎo)體層34a的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70c連接。引線導(dǎo)體層44a從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層34a的外周側(cè)的端部朝向前側(cè)延伸。由此，三級線圈L3的一端(線圈導(dǎo)體層34a的外周側(cè)的端部)和外部電極14c經(jīng)由引線部52(引線導(dǎo)體層44a以及連接導(dǎo)體70c)以及連接部16c連接。

引線部55連接三級線圈L3的另一端(線圈導(dǎo)體層34a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14f，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部55包括層間連接導(dǎo)體v3、引線導(dǎo)體層64以及連接導(dǎo)體70f。連接導(dǎo)體70f是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右前的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70f沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26f的下表面，且在其下端處與連接部16f連接。

層間連接導(dǎo)體v3是沿上下方向貫通絕緣體層26b～26d的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。層間連接導(dǎo)體v3從上側(cè)觀察時(shí)設(shè)置于絕緣體層26b～26d的前半部分的區(qū)域，與線圈導(dǎo)體層34a的內(nèi)周側(cè)的端部連接。

引線導(dǎo)體層64設(shè)置在絕緣體層26b的上表面上，與層間連接導(dǎo)體v3連接并且與連接導(dǎo)體70f連接。由此，三級線圈L3的另一端(線圈導(dǎo)體層34a的內(nèi)周側(cè)的端部)和外部電極14f經(jīng)由引線部55(層間連接導(dǎo)體v3、引線導(dǎo)體層64以及連接導(dǎo)體70f)以及連接部16f連接。

然而，初級線圈L1還包括并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36(并聯(lián)初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈與線圈導(dǎo)體層30a相同的形狀，同時(shí)與線圈導(dǎo)體層30a并聯(lián)電連接，并且相對于線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a中的設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層34a設(shè)置于上側(cè)。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36設(shè)置在絕緣體層26c的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36具有大約4圈的長度。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

引線部56連接并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部和外部電極14a，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部56包括引線導(dǎo)體層46以及連接導(dǎo)體70a。引線導(dǎo)體層46設(shè)置在絕緣體層26c的上表面上，與并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70a連接。引線導(dǎo)體層46從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部朝向左側(cè)延伸。由此，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部和外部電極14a經(jīng)由引線部56(引線導(dǎo)體層46以及連接導(dǎo)體70a)以及連接部16a連接。

引線部57連接并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的內(nèi)周側(cè)的端部和外部電極14d，并且如圖2所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部57包括層間連接導(dǎo)體v1、引線導(dǎo)體層60以及連接導(dǎo)體70d。因?yàn)橐呀?jīng)對層間連接導(dǎo)體v1、引線導(dǎo)體層60以及連接導(dǎo)體70d進(jìn)行了說明，所以省略進(jìn)一步的說明。由此，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的內(nèi)周側(cè)的端部和外部電極14d經(jīng)由引線部57(層間連接導(dǎo)體v1、引線導(dǎo)體層60以及連接導(dǎo)體70d)以及連接部16d連接。因此，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36與線圈導(dǎo)體層30a并聯(lián)電連接。

線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36、引線導(dǎo)體層40a、42a、44a、46、60、62、64以及連接導(dǎo)體70a～70f通過利用濺射法使Ag成膜來制作。另外，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36、引線導(dǎo)體層40a、42a、44a、46、60、62、64以及連接導(dǎo)體70a～70f也可以由Cu、Au等導(dǎo)電性較高的材料制作。

如以上所述，在初級線圈L1中，線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈相同的形狀，并且相互并聯(lián)連接。另外，線圈導(dǎo)體層30a的長度、線圈導(dǎo)體層32a的長度、線圈導(dǎo)體層34a的長度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的長度相互實(shí)質(zhì)上相等。因此，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3具有相互實(shí)質(zhì)上相等的電流路徑的長度。電流路徑的長度實(shí)質(zhì)上相等是指，由于引線導(dǎo)體層40a、42a、44a、46的位置以及層間連接導(dǎo)體v1～v3被配置為不相互干擾，從而對于線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、36的長度所產(chǎn)生的細(xì)微的差而言不是實(shí)質(zhì)的差。

并且，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36被構(gòu)成為，線圈導(dǎo)體層30a的截面積和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積的合計(jì)與線圈導(dǎo)體層32a的截面積、線圈導(dǎo)體層34a的截面積實(shí)質(zhì)上相等。更詳細(xì)而言，如圖3所示，線圈導(dǎo)體層30a的線寬度、線圈導(dǎo)體層32a的線寬度、線圈導(dǎo)體層34a的線寬度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的線寬度是線寬度w1，相互實(shí)質(zhì)上相等。但是，線圈導(dǎo)體層32a、34a的厚度是厚度d1，線圈導(dǎo)體層30a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d2。厚度d2是厚度d1的一半。因此，線圈導(dǎo)體層30a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積相互實(shí)質(zhì)上相等，是線圈導(dǎo)體層32a、34a的截面積的一半。即，線圈導(dǎo)體層30a的截面積和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積的合計(jì)與線圈導(dǎo)體層32a的截面積、線圈導(dǎo)體層34a的截面積實(shí)質(zhì)上相等。此時(shí)，線圈導(dǎo)體層30a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的電阻值是線圈導(dǎo)體層32a、34a的電阻值的2倍。因此，線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36并聯(lián)電連接。由此，在初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3的各電流路徑中，初級線圈L1的截面積、次級線圈L2的截面積、以及三級線圈L3的截面積實(shí)質(zhì)上相等。因此，初級線圈L1的電阻值、次級線圈L2的電阻值、以及三級線圈L3的電阻值相互實(shí)質(zhì)上相等。

上述說明中的線圈導(dǎo)體層的截面積是指線圈導(dǎo)體層的與延伸方向正交的截面的截面積。另外，線圈導(dǎo)體層的厚度是指線圈導(dǎo)體層的上下方向上的厚度。另外，線圈導(dǎo)體層的線寬度是指在線圈導(dǎo)體層的與延伸方向正交的截面中線圈導(dǎo)體層的與上下方向正交的方向上的寬度。

另外，線圈導(dǎo)體層30a與線圈導(dǎo)體層32a的間隔、線圈導(dǎo)體層32a與線圈導(dǎo)體層34a的間隔、線圈導(dǎo)體層34a與并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的間隔相互實(shí)質(zhì)上相等。即，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的相鄰的導(dǎo)體層彼此的上下方向的間隔實(shí)質(zhì)上相等。此外，線圈導(dǎo)體層的間隔是指2個(gè)線圈導(dǎo)體層的相互對置的面之間的距離。

以下，對如以上那樣構(gòu)成的電子部件10的動作進(jìn)行說明。外部電極14a～14c被作為輸入端子使用。外部電極14d～14被作為輸出端子使用。另外，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3磁耦合。

外部電極14a、14b、14c被分別輸入第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3。假設(shè)考慮如以下那樣的第一信號S1、第二信號S2以及第三信號。第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3分別取高(H)、中(M)、低(L)相互不同的任意的3個(gè)值的電壓值，并且在同一時(shí)鐘下在H、M、L這3個(gè)值間遷移。進(jìn)一步，在某一信號取H值的時(shí)間點(diǎn)，剩余2個(gè)信號中的一方取M值，另一方取L值。即，第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3排他地在H、M、L這3個(gè)值間遷移。此時(shí)，第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3的電壓值的總和幾乎總是恒定為(H+M+L)，遷移所造成的電壓的“總”變化量幾乎為0。因此，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3所產(chǎn)生的電流的“總”變化量也幾乎為0，電子部件10所產(chǎn)生的磁通量的變化量幾乎為“0”(在單獨(dú)的初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3中產(chǎn)生的磁通量發(fā)生變化，但這些變化相互抵消)。這樣，在磁通量的變化幾乎沒有的情況下，實(shí)質(zhì)上電子部件10未產(chǎn)生阻抗，所以電子部件10對于第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3不造成影響。

另一方面，對于共模噪聲即第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3所包含的同相的噪聲，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3的各個(gè)所產(chǎn)生的磁通量變化是同方向的，這些磁通量變化不被相互抵消。因此，電子部件10對于共模噪聲具有較大的阻抗。因此，電子部件10能夠減少共模噪聲。如以上所述，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3構(gòu)成共模濾波器，電子部件10能夠不對第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3造成影響地減少共模噪聲，對于第一信號S1、第二信號S2以及第三信號S3，作為共模濾波器發(fā)揮作用。

(電子部件的制造方法)

以下，參照附圖對電子部件10的制造方法進(jìn)行說明。以下，舉出制造一個(gè)電子部件10的情況為例來進(jìn)行說明，但實(shí)際上是通過堆疊大型的母磁性體基板以及母絕緣體層來制作母主體，并切割母主體，來同時(shí)形成多個(gè)電子部件10。

首先，在磁性體基板20b的整個(gè)上表面上涂覆作為感光性樹脂的聚酰亞胺樹脂。接下來，對與絕緣體層26f的4個(gè)角以及2個(gè)長邊的中央對應(yīng)的位置進(jìn)行遮光，并進(jìn)行曝光。由此，未被遮光的部分的聚酰亞胺樹脂固化。之后，利用有機(jī)溶劑除去光致抗蝕劑，并且進(jìn)行顯影來除去未固化的聚酰亞胺樹脂，并進(jìn)行熱固化。由此，形成了絕緣體層26f。

接下來，在絕緣體層26f以及從絕緣體層26f露出的磁性體基板20b上利用濺射法使Ag膜成膜。接下來，在形成有線圈導(dǎo)體層30a、引線導(dǎo)體層40a、連接導(dǎo)體70a～70f以及層間連接導(dǎo)體v1的部分上形成光致抗蝕劑。然后，通過蝕刻方法，除去形成有線圈導(dǎo)體層30a、引線導(dǎo)體層40a、連接導(dǎo)體70a～70f以及層間連接導(dǎo)體v1的部分(即，被光致抗蝕劑覆蓋的部分)以外的Ag膜。之后，通過利用有機(jī)溶劑除去光致抗蝕劑，形成了線圈導(dǎo)體層30a、引線導(dǎo)體層40a、連接導(dǎo)體70a～70f的一部(一層部分)以及層間連接導(dǎo)體v1。

通過反復(fù)進(jìn)行與以上的工序相同的工序，來形成絕緣體層26a～26e以及線圈導(dǎo)體層32a、34a、并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36、引線導(dǎo)體層42a、44a、46、60、62、64、連接導(dǎo)體70a～70f的剩余的部分以及層間連接導(dǎo)體v2、v3。

接下來，在層疊體22上涂覆成為磁性體層24的磁性體糊劑，并在磁性體層24上壓焊磁性體基板20a。

接下來，利用噴砂方法在磁性體基板20b上形成6個(gè)切口。此外，切口除了利用噴砂方法形成以外，既可以利用激光加工法形成，也可以利用噴砂方法以及激光加工法的組合形成。

最后，利用電鍍法以及光刻法的組合在磁性體基板20b的切口的內(nèi)周面形成導(dǎo)體層，從而形成連接部16a～16f以及外部電極14a～14f。

(效果)

根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的電子部件10，能夠減少初級線圈L1～三級線圈L3間的差分阻抗的差異。更詳細(xì)而言，差分阻抗在測定電流(或者差分信號)流通時(shí)，在將包括線圈在內(nèi)的整個(gè)電子部件10的電感值設(shè)為L，將電容值設(shè)為C的情況下，由√L/C表示。C包括線圈導(dǎo)體層間的電容(寄生電容)。在電子部件10中，在初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3的各電流路徑中，初級線圈L1的截面積、次級線圈L2的截面積、以及三級線圈L3的截面積實(shí)質(zhì)上相等。進(jìn)一步，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3具有相互實(shí)質(zhì)上相等的電流路徑的長度，并且具有相互實(shí)質(zhì)上相等的匝數(shù)。因此，初級線圈L1～三級線圈L3的電感值相互實(shí)質(zhì)上相等。

因此，在電子部件10中，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36相對于線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a中設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層34a設(shè)置于上側(cè)。由此，使線圈導(dǎo)體層34a與并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36之間產(chǎn)生電容。因此，初級線圈L1與次級線圈L2之間的電容主要由線圈導(dǎo)體層30a與線圈導(dǎo)體層32a之間的電容形成。次級線圈L2與三級線圈L3之間的電容主要由線圈導(dǎo)體層32a與線圈導(dǎo)體層34a之間的電容形成。三級線圈L3與初級線圈L1之間的電容主要由并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36與線圈導(dǎo)體層30a之間的電容形成。即，能夠在各差分阻抗間使C接近。其結(jié)果，初級線圈L1與次級線圈L2之間、次級線圈L2與三級線圈L3之間、以及三級線圈L3與初級線圈L1之間的各個(gè)的差分阻抗接近。進(jìn)一步，初級線圈L1與次級線圈L2之間、次級線圈L2與三級線圈L3之間、以及三級線圈L3與初級線圈L1之間的各個(gè)的耦合度也接近。

另外，根據(jù)電子部件10，按照上述，在初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3的各電流路徑中，初級線圈L1的截面積、次級線圈L2的截面積、以及三級線圈L3的截面積實(shí)質(zhì)上相等。其結(jié)果，初級線圈L1的電阻值、次級線圈L2的電阻值、以及三級線圈L3的電阻值相互實(shí)質(zhì)上相等。因此，能夠使在初級線圈L1～三級線圈L3流通的電流量接近，能夠使初級線圈L1～三級線圈L3的發(fā)熱量接近。

另外，若初級線圈L1的電阻值、次級線圈L2的電阻值、以及三級線圈L3的電阻值相互實(shí)質(zhì)上相等，則電子部件10的方向性消失。既可以外部電極14a～14c被作為輸入端子使用，外部電極14d～14f被作為輸出端子使用，也可以外部電極14a～14c被作為輸出端子使用，外部電極14d～14f被作為輸入端子使用。其結(jié)果，在電子部件10中，不需要在安裝時(shí)識別電子部件10的方向，不需要方向識別標(biāo)記。另外，初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3的特性實(shí)質(zhì)上相等，所以也可以使3個(gè)信號輸入任意的初級線圈L1、次級線圈L2以及三級線圈L3。其結(jié)果，安裝有電子部件10的電路基板的配線布局不被電子部件10限制。

另外，根據(jù)電子部件10，能夠使線圈導(dǎo)體層30a的發(fā)熱量和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的發(fā)熱量接近。更詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體層30a的截面積和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積實(shí)質(zhì)上相等。另外，線圈導(dǎo)體層30a的長長度和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的長度實(shí)質(zhì)上相等。因此，線圈導(dǎo)體層30a的電阻值和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的電阻值實(shí)質(zhì)上相等。另外，線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36并聯(lián)電連接，所以施加于線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的電壓實(shí)質(zhì)上相等，在線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36流通的電流也實(shí)質(zhì)上相等。因此，能夠使線圈導(dǎo)體層30a的發(fā)熱量和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的發(fā)熱量接近。

本申請發(fā)明者為了闡明使在電子部件10中減少了初級線圈L1～三級線圈L3間的差分阻抗的差異，而進(jìn)行了以下所說明的計(jì)算機(jī)模擬。更詳細(xì)而言，作為實(shí)施例所涉及的第一模型，作成了具有與電子部件10相同的構(gòu)造的模型。另外，作為比較例所涉及的第二模型，作成了在電子部件10中未設(shè)置有并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的模型。而且，在第一模型以及第二模型中，運(yùn)算了初級線圈L1～三級線圈L3間的差分阻抗。在運(yùn)算中，例如，在運(yùn)算初級線圈L1與次級線圈L2之間的差分阻抗時(shí)，對初級線圈L1和次級線圈L2輸入差分信號，使三級線圈L3對于接地電位以50Ω終止。

圖4是示出第一模型的模擬結(jié)果的圖表。圖5是示出第二模型的模擬結(jié)果的圖表。在圖4以及圖5中，縱軸表示差分阻抗，橫軸表示頻率。

如圖5所示可知，在第二模型中，三級線圈L3與初級線圈L1之間的差分阻抗比初級線圈L1與次級線圈L2之間的差分阻抗以及次級線圈L2與三級線圈L3之間的差分阻抗大。

另一方面，如圖4所示可知，在第一模型中，初級線圈L1與次級線圈L2之間的差分阻抗、次級線圈L2與三級線圈L3之間的差分阻抗、以及三級線圈L3與初級線圈L1之間的差分阻抗得到了比較接近的值。因此，可知在電子部件10中減少了初級線圈L1～三級線圈L3間的差分阻抗的差異。

(第一變形例)

以下，參照附圖對第一變形例所涉及的電子部件10a的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖6A是示出電子部件10的線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。圖6B是示出電子部件10a的線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、30b、32b、34b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。

在電子部件10中，初級線圈L1包括1個(gè)線圈導(dǎo)體層30a以及1個(gè)并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36，次級線圈L2包括1個(gè)線圈導(dǎo)體層32a，三級線圈L3包括1個(gè)線圈導(dǎo)體層34a。另一方面，在電子部件10a中，初級線圈L1包括2個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30b以及1個(gè)并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36，次級線圈L2包括2個(gè)線圈導(dǎo)體層32a、32b，三級線圈L3包括2個(gè)線圈導(dǎo)體層34a、34b。因此，如以下說明那樣，在線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、30b、32b、34b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的配置中，電子部件10與電子部件10a之間存在不同點(diǎn)。

在電子部件10中，如圖6A所示，線圈導(dǎo)體層30a、線圈導(dǎo)體層32a以及線圈導(dǎo)體層34a逐個(gè)從下側(cè)向上側(cè)按順序排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga。而且，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈與線圈導(dǎo)體層30a相同的形狀，同時(shí)與線圈導(dǎo)體層30a并聯(lián)電連接，并且相對于設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層34a設(shè)置于上側(cè)。

另一方面，對于電子部件10a而言，如圖6B所示，通過線圈導(dǎo)體層30a、線圈導(dǎo)體層32a以及線圈導(dǎo)體層34a逐個(gè)從下側(cè)向上側(cè)按順序排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga，線圈導(dǎo)體層30b、線圈導(dǎo)體層32b以及線圈導(dǎo)體層34b逐個(gè)從下側(cè)向上側(cè)按順序排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組Gb。線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb從下側(cè)向上側(cè)排列。而且，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈與線圈導(dǎo)體層30b相同的形狀，同時(shí)與線圈導(dǎo)體層30b并聯(lián)電連接，并且相對于設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層34b設(shè)置于上側(cè)。

以下，參照附圖更詳細(xì)地對電子部件10a的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖7A是電子部件10a的層疊體22的分解立體圖。其中，在圖7A中省略了絕緣體層26a。圖7B是圖1的電子部件10a的A－A中的截面構(gòu)造圖。電子部件10a的外觀立體圖引用圖1。

對于電子部件10a的外部電極14a～14f、連接部16a～16f、磁性體基板20a、20b以及磁性體層24而言，因?yàn)榕c電子部件10的外部電極14a～14f、連接部16a～16f以及磁性體基板20a、20b相同，所以省略說明。

層疊體22包括絕緣體層26a～26h，從上側(cè)觀察時(shí)呈長方形。電子部件10a的絕緣體層26a～26h的形狀、材料與電子部件10的絕緣體層26a～26f的形狀、材料相同，所以省略說明。

初級線圈L1設(shè)置在層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層30a、線圈導(dǎo)體層30b以及層間連接導(dǎo)體v11。電子部件10a的線圈導(dǎo)體層30a(第一初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)除了設(shè)置在絕緣體層26h的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的線圈導(dǎo)體層30a相同，所以省略說明。另外，電子部件10a的引線部50除了引線導(dǎo)體層40a設(shè)置在絕緣體層26h的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的引線部50相同，所以省略說明。

線圈導(dǎo)體層30b(第二初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)設(shè)置在絕緣體層26e的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針(規(guī)定方向的一個(gè)例子)卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層30b具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層30b的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

層間連接導(dǎo)體v11是沿上下方向貫通絕緣體層26b～26h的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。層間連接導(dǎo)體v11從上側(cè)觀察時(shí)設(shè)置于絕緣體層26b～26h的后半部分的區(qū)域，連接線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部和線圈導(dǎo)體層30b的內(nèi)周側(cè)的端部。

引線部53'連接初級線圈L1的另一端(線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部)和外部電極14d，并且如圖7A所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部53'包括引線導(dǎo)體層40b以及連接導(dǎo)體70d。連接導(dǎo)體70d是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右后的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70d沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26h的下表面，且在其下端處與連接部16d連接。

引線導(dǎo)體層40b設(shè)置在絕緣體層26e的上表面上，與線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70d連接。引線導(dǎo)體層40b從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部朝向右側(cè)延伸。由此，初級線圈L1的另一端(線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部)和外部電極14d經(jīng)由引線部53'(引線導(dǎo)體層40b以及連接導(dǎo)體70d)以及連接部16d連接。

次級線圈L2設(shè)置于層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層32a、線圈導(dǎo)體層32b以及層間連接導(dǎo)體v12。電子部件10a的線圈導(dǎo)體層32a除了設(shè)置在絕緣體層26g的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的線圈導(dǎo)體層32a相同，所以省略說明。另外，電子部件10a的引線部51除了引線導(dǎo)體層42a設(shè)置在絕緣體層26g的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的引線部51相同，所以省略說明。

線圈導(dǎo)體層32b設(shè)置在絕緣體層26d的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層32b具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層32b的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

另外，如圖7A所示，線圈導(dǎo)體層32b從上側(cè)觀察時(shí)遍及大致全長與線圈導(dǎo)體層30b重疊。由此，線圈導(dǎo)體層30b(初級線圈L1)和線圈導(dǎo)體層32b(次級線圈L2)電磁耦合。但是，線圈導(dǎo)體層30b的兩端的位置和線圈導(dǎo)體層32b的兩端的位置不同，以免引線部50、53'和后述的引線部51、54'干擾。具體而言，線圈導(dǎo)體層32b的外周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的下游側(cè)。線圈導(dǎo)體層32b的內(nèi)周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30b的內(nèi)周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的下游側(cè)。由此，線圈導(dǎo)體層30b的長度和線圈導(dǎo)體層32b的長度實(shí)質(zhì)上相等。

層間連接導(dǎo)體v12是沿上下方向貫通絕緣體層26d～26g的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。層間連接導(dǎo)體v12從上側(cè)觀察時(shí)設(shè)置于絕緣體層26d～26g的中央，連接線圈導(dǎo)體層32a的內(nèi)周側(cè)的端部和線圈導(dǎo)體層32b的內(nèi)周側(cè)的端部。

引線部54'連接次級線圈L2的另一端(線圈導(dǎo)體層32b的外周側(cè)的端部)和外部電極14e，并且如圖7A所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部54'包括引線導(dǎo)體層42b以及連接導(dǎo)體70e。連接導(dǎo)體70e是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右側(cè)的長邊的中央的四棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70e沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26h的下表面，且在其下端處與連接部16e連接。

引線導(dǎo)體層42b設(shè)置在絕緣體層26d的上表面上，與線圈導(dǎo)體層32b的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70e連接。引線導(dǎo)體層42b從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層32b的外周側(cè)的端部朝向右側(cè)延伸。由此，次級線圈L2的另一端(線圈導(dǎo)體層32b的外周側(cè)的端部)和外部電極14e經(jīng)由引線部54'(引線導(dǎo)體層42b以及連接導(dǎo)體70e)以及連接部16e連接。

三級線圈L3設(shè)置在層疊體22內(nèi)，包括線圈導(dǎo)體層34a、線圈導(dǎo)體層34b以及層間連接導(dǎo)體v13。電子部件10a的線圈導(dǎo)體層34a除了設(shè)置在絕緣體層26f的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的線圈導(dǎo)體層34a相同，所以省略說明。另外，電子部件10a的引線部52除了引線導(dǎo)體層44a設(shè)置在絕緣體層26f的上表面上的點(diǎn)以外與電子部件10的引線部52相同，所以省略說明。

線圈導(dǎo)體層34b設(shè)置在絕緣體層26c的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體層34b具有大約4圈的長度。線圈導(dǎo)體層34b的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

另外，如圖7A所示，線圈導(dǎo)體層34b從上側(cè)觀察時(shí)，遍及大致全長與線圈導(dǎo)體層30b、32b重疊。由此，線圈導(dǎo)體層30b(初級線圈L1)、線圈導(dǎo)體層32b(次級線圈L2)、以及線圈導(dǎo)體層34b(三級線圈L3)電磁耦合。但是，線圈導(dǎo)體層30b的兩端的位置、線圈導(dǎo)體層32b的兩端的位置、以及線圈導(dǎo)體層34b的兩端的位置不同，以免引線部50、53'、引線部51、54'、以及引線部52、55'干擾。具體而言，線圈導(dǎo)體層34b的外周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30b、32b的外周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的下游側(cè)。線圈導(dǎo)體層34b的內(nèi)周側(cè)的端部比線圈導(dǎo)體層30b、32b的內(nèi)周側(cè)的端部位于靠順時(shí)針方向的下游側(cè)。由此，線圈導(dǎo)體層30b的長度、線圈導(dǎo)體層32b的長度、以及線圈導(dǎo)體層34b的長度實(shí)質(zhì)上相等。

層間連接導(dǎo)體v13是沿上下方向貫通絕緣體層26c～26f的導(dǎo)體，從上側(cè)觀察時(shí)呈左右方向延伸的線狀。層間連接導(dǎo)體v13從上側(cè)觀察時(shí)設(shè)置于絕緣體層26c～26f的前半部分的區(qū)域，連接線圈導(dǎo)體層34a的內(nèi)周側(cè)的端部和線圈導(dǎo)體層34b的內(nèi)周側(cè)的端部。

引線部55'連接三級線圈L3的另一端(線圈導(dǎo)體層34b的外周側(cè)的端部)和外部電極14f，并且如圖7A所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部55'包括引線導(dǎo)體層44b以及連接導(dǎo)體70f。連接導(dǎo)體70f是設(shè)置于位于絕緣體層26b～26f的右前的角的三棱柱狀的導(dǎo)體。連接導(dǎo)體70f沿上下方向從絕緣體層26b的上表面延伸到絕緣體層26h的下表面，且在其下端處與連接部16f連接。

引線導(dǎo)體層44b設(shè)置在絕緣體層26c的上表面上，與線圈導(dǎo)體層34b的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70f連接。引線導(dǎo)體層44b從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從線圈導(dǎo)體層34b的外周側(cè)的端部朝向前側(cè)延伸。由此，三級線圈L3的另一端(線圈導(dǎo)體層34b的外周側(cè)的端部)和外部電極14f經(jīng)由引線部55'(引線導(dǎo)體層44b以及連接導(dǎo)體70f)以及連接部16f連接。

然而，初級線圈L1還包括并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36(并聯(lián)初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈與線圈導(dǎo)體層30b相同的形狀，同時(shí)與線圈導(dǎo)體層30b并聯(lián)電連接，并且相對于線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、30b、32b、34b中的設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層34b設(shè)置于上側(cè)。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36設(shè)置在絕緣體層26b的上表面上，從上側(cè)觀察時(shí)呈順時(shí)針卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀。在本實(shí)施方式中，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36具有大約4圈的長度。并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的中心從上側(cè)觀察時(shí)與電子部件10的中心(對角線交點(diǎn))大致一致。

并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的內(nèi)周側(cè)的端部經(jīng)由層間連接導(dǎo)體v1與線圈導(dǎo)體層30a、30b的內(nèi)周側(cè)的端部連接。

引線部56'連接并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部和外部電極14d，并且如圖7A所示，從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀。引線部56'包括引線導(dǎo)體層46'以及連接導(dǎo)體70d。引線導(dǎo)體層46'設(shè)置在絕緣體層26b的上表面上，與并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部連接并且與連接導(dǎo)體70d連接。引線導(dǎo)體層46'從上側(cè)觀察時(shí)不呈螺旋形狀，而從并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部朝向右側(cè)延伸。由此，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的外周側(cè)的端部和外部電極14d經(jīng)由引線部56'(引線導(dǎo)體層46'以及連接導(dǎo)體70d)以及連接部16d連接。因此，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36與線圈導(dǎo)體層30b并聯(lián)電連接。

另外，如圖7B所示，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、30b、32b、34b的線寬度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的線寬度是線寬度w1且相互相等。但是，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a、32b、34b的厚度是厚度d1，線圈導(dǎo)體層30b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d2。厚度d2是厚度d1的一半。因此，線圈導(dǎo)體層30b(規(guī)定的初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)的截面積以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積的合計(jì)與線圈導(dǎo)體層30a(規(guī)定的初級線圈導(dǎo)體層以外的初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)的截面積、線圈導(dǎo)體層32a、32b的截面積、線圈導(dǎo)體層34a、34b的截面積實(shí)質(zhì)上相等。

在以上那樣構(gòu)成的電子部件10a中，也能夠起到與電子部件10相同的作用效果。

另外，在電子部件10a中，通過以下的理由，能夠得到較高的電感值并且實(shí)現(xiàn)低背化。以下，舉出初級線圈L1為例來進(jìn)行說明。初級線圈L1包括線圈導(dǎo)體層30a、30b以及層間連接導(dǎo)體v11。線圈導(dǎo)體層30a呈順時(shí)針卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀。線圈導(dǎo)體層30b呈順時(shí)針卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀。而且，層間連接導(dǎo)體v11連接線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部和線圈導(dǎo)體層30b的內(nèi)周側(cè)的端部。由此，電子部件10a的初級線圈L1由2個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30b串聯(lián)連接而構(gòu)成，所以與電子部件10的初級線圈L1相比，具有較高的電感值。

進(jìn)一步，線圈導(dǎo)體層30a的內(nèi)周側(cè)的端部和線圈導(dǎo)體層30b的內(nèi)周側(cè)的端部通過層間連接導(dǎo)體v11連接。因此，線圈導(dǎo)體層30a的外周側(cè)的端部經(jīng)由與線圈導(dǎo)體層30a相同的設(shè)置于絕緣體層26h的引線導(dǎo)體層40a與連接導(dǎo)體70a連接。線圈導(dǎo)體層30b的外周側(cè)的端部經(jīng)由與線圈導(dǎo)體層30b相同的設(shè)置于絕緣體層26e的引線導(dǎo)體層40b與連接導(dǎo)體70d連接。因此，在電子部件10a中，如電子部件10一樣不需要設(shè)置于與絕緣體層26e、26h不同的絕緣體層26b的引線導(dǎo)體層60。其結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了電子部件10a的低背化。

此外，電子部件10a具有2個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb，但也可以具有2個(gè)以上的線圈導(dǎo)體組。以下，對電子部件10a具有n個(gè)(n是自然數(shù))線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb…的情況進(jìn)行說明。

在電子部件10a具有n個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb…的情況下，初級線圈L1包括n個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30b…以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36，次級線圈L2包括n個(gè)線圈導(dǎo)體層32a、32b…，三級線圈L3包括n個(gè)線圈導(dǎo)體層34a、34b…。而且，線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a逐個(gè)從下側(cè)向上側(cè)按順序排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga。線圈導(dǎo)體層30b、32b、34b逐個(gè)從下側(cè)向上側(cè)按順序排列而構(gòu)成一個(gè)線圈導(dǎo)體層組Gb。與線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb相同地，構(gòu)成線圈導(dǎo)體層組Gc以后的線圈導(dǎo)體層組。而且，n個(gè)線圈導(dǎo)體層組Ga、Gb…從下側(cè)向上側(cè)按順序排列。

并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36呈與n個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30b…中的規(guī)定的線圈導(dǎo)體層(規(guī)定的初級線圈導(dǎo)體層的一個(gè)例子)相同的形狀，并且與該規(guī)定的線圈導(dǎo)體層并聯(lián)電連接。并且，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36相對于n個(gè)線圈導(dǎo)體層34a、34b…中的設(shè)置于最上側(cè)的線圈導(dǎo)體層設(shè)置于上側(cè)。

另外，對n是偶數(shù)的情況進(jìn)行說明。該情況下，初級線圈L1所包含的n個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30b…包括從上側(cè)觀察時(shí)呈沿順時(shí)針方向卷繞并且從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)的螺旋形狀的n/2個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30c、30e…、以及從上側(cè)觀察時(shí)呈沿順時(shí)針方向卷繞并且從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)的螺旋形狀的n/2個(gè)線圈導(dǎo)體層30b、30d、30f…。而且，初級線圈L1被構(gòu)成為n/2個(gè)線圈導(dǎo)體層30a、30c、30e…和n/2個(gè)線圈導(dǎo)體層30b、30d、30f…交替地串聯(lián)電連接。由此，不需要引線導(dǎo)體層60。

(第二變形例)

以下，參照附圖對第二變形例所涉及的電子部件10b的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖8A是示出電子部件10b的線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2、32a、34a、30b、32b－1、32b－2、34b－1、34b－2以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的位置關(guān)系的示意圖。

在電子部件10a中，如圖6B所示，線圈導(dǎo)體層30b和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36并聯(lián)電連接。另一方面，在電子部件10b中，如圖8A所示，線圈導(dǎo)體層30a－1和線圈導(dǎo)體層30a－2并聯(lián)電連接，線圈導(dǎo)體層32b－1和線圈導(dǎo)體層32b－2并聯(lián)電連接，線圈導(dǎo)體層34b－1和線圈導(dǎo)體層34b－2并聯(lián)電連接。這樣，線圈導(dǎo)體層也可以在多處位置并聯(lián)連接。

以下，參照附圖更詳細(xì)地對電子部件10b的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖8B是圖1的電子部件10b的A－A中的截面構(gòu)造圖。電子部件10b的外觀立體圖引用圖1。

初級線圈L1包括線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2、30b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36。次級線圈L2包括線圈導(dǎo)體層32a、32b－1、32b－2。三級線圈L3包括線圈導(dǎo)體層34a、34b－1、34b－2。線圈導(dǎo)體層30a－1、32a、34a、30a－2、32b－1、34b－1、30b、32b－2、34b－2以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36被配置為在層疊體22中從下側(cè)向上側(cè)按順序排列。

電子部件10b的線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2是與電子部件10a的線圈導(dǎo)體層30a相同的形狀。電子部件10b的線圈導(dǎo)體層32a是與電子部件10a的線圈導(dǎo)體層32a相同的形狀。電子部件10b的線圈導(dǎo)體層34a是與電子部件10a的線圈導(dǎo)體層34a相同的形狀。電子部件10b的線圈導(dǎo)體層32b－1、32b－2是與電子部件10a的線圈導(dǎo)體層32b相同的形狀。電子部件10b的線圈導(dǎo)體層34b－1、34b－2是與電子部件10a的線圈導(dǎo)體層34b相同的形狀。電子部件10b的并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36是與電子部件10a的并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36相同的形狀。

即，在電子部件10b中，電子部件10a的線圈導(dǎo)體層30a被分割成2個(gè)線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2，并且線圈導(dǎo)體層30a－1和線圈導(dǎo)體層30a－2并聯(lián)連接。另外，在電子部件10b中，電子部件10a的線圈導(dǎo)體層32b被分割成2個(gè)線圈導(dǎo)體層32b－1、32b－2，并且線圈導(dǎo)體層32b－1和線圈導(dǎo)體層32b－2并聯(lián)連接。在電子部件10b中，電子部件10a的線圈導(dǎo)體層34b被分割成2個(gè)線圈導(dǎo)體層34b－1、34b－2，并且線圈導(dǎo)體層34b－1和線圈導(dǎo)體層34b－2并聯(lián)連接。

另外，如圖8B所示，線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2、32a、34a、30b、32b－1、32b－2、34b－1、34b－2以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的線寬度是線寬度w1。另一方面，線圈導(dǎo)體層32a、34a的厚度是厚度d1，線圈導(dǎo)體層30a－1、30a－2、30b、32b－1、32b－2、34b－1、34b－2以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d2。厚度d2是厚度d1的一半。由此，在電子部件10b中，初級線圈L1的電阻值、次級線圈L2的電阻值、以及三級線圈L3的電阻值實(shí)質(zhì)上相等。

在以上那樣的電子部件10b中，也能起到與電子部件10、10a相同的作用效果。

(第三變形例)

以下，參照附圖對第三變形例所涉及的電子部件10c的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖9A是圖1的電子部件10c的A－A中的截面構(gòu)造圖。電子部件10c的外觀立體圖以及分解立體圖引用圖1以及圖2。

電子部件10c在線圈導(dǎo)體層30a、32a、34a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度上與電子部件10不同。更詳細(xì)而言，在電子部件10中，如圖3所示，線圈導(dǎo)體層30a以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d2，線圈導(dǎo)體層32a、34a的厚度是厚度d1。而且，厚度d2是厚度d1的一半。由此，線圈導(dǎo)體層30a的截面積和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積的合計(jì)與線圈導(dǎo)體層32a的截面積以及線圈導(dǎo)體層34a的截面積實(shí)質(zhì)上相等。

另一方面，在電子部件10c中，如圖9A所示，線圈導(dǎo)體層32a、34a的厚度是厚度d1，線圈導(dǎo)體層30a的厚度是厚度d3，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d4。在圖9A中，厚度d3是厚度d1的2/3左右，厚度d4是厚度d1的1/3左右。這樣，線圈導(dǎo)體層30a的厚度和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度也可以不相等。另外，厚度d3和厚度d4的合計(jì)與厚度d1實(shí)質(zhì)上相等。由此，線圈導(dǎo)體層30a的截面積和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的截面積的合計(jì)與線圈導(dǎo)體層32a的截面積以及線圈導(dǎo)體層34a的截面積實(shí)質(zhì)上相等。

在如以上那樣的電子部件10c中，也能夠起到與電子部件10相同的作用效果。

此外，在電子部件10c中，也可以厚度d4比厚度d3大。

(第四變形例)

以下，參照附圖對第四變形例所涉及的電子部件10d的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖9B是圖1的電子部件10d的A－A中的截面構(gòu)造圖。電子部件10d的外觀立體圖以及層疊體22的分解立體圖引用圖1以及圖7A。

電子部件10d在初級線圈L1的電阻值與次級線圈L2的電阻值、三級線圈L3的電阻值不同的點(diǎn)上與電子部件10a不同。因此，在電子部件10a中，如圖7B所示，線圈導(dǎo)體層30a的厚度是厚度d1，線圈導(dǎo)體層30b的厚度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度是厚度d2。

另一方面，在電子部件10d中，如圖9B所示，線圈導(dǎo)體層30a、30b的厚度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度相互實(shí)質(zhì)上相等，是厚度d5。厚度d5例如被設(shè)計(jì)為初級線圈L1的導(dǎo)體的體積、次級線圈L2的導(dǎo)體的體積、以及三級線圈L3的導(dǎo)體的體積相等。因此，厚度d5是厚度d1的2/3。

在以上這樣的電子部件10d中，也與電子部件10、10a相同地，能夠減少初級線圈L1～三級線圈L3間的差分阻抗的差異。

另外，在電子部件10d中，線圈導(dǎo)體層30a、30b的厚度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度相互實(shí)質(zhì)上相等。因此，能夠使線圈導(dǎo)體層30a、30b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36所使用的材料的量接近，并且能夠使線圈導(dǎo)體層30a、30b以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的形成條件均勻化，所以實(shí)現(xiàn)了電子部件10d的制造工序的合理化。進(jìn)一步，在電子部件10d內(nèi)，減少了由于線圈導(dǎo)體層30a、30b的厚度以及并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36的厚度的差而引起的應(yīng)力集中，電子部件10d的可靠性提高。

(其他的實(shí)施方式)

本發(fā)明的電子部件并不局限于電子部件10、10a～10d，能夠在其主旨的范圍內(nèi)變更。

此外，也可以任意地組合電子部件10、10a～10d的構(gòu)成。

此外，在電子部件10中，線圈導(dǎo)體層30a和并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36通過連接導(dǎo)體70a、70d、引線導(dǎo)體層60以及層間連接導(dǎo)體v1而并聯(lián)電連接，例如，既可以僅通過層間連接導(dǎo)體并聯(lián)連接，也可以不使用層間連接導(dǎo)體，而通過連接導(dǎo)體70a、70b以及連接導(dǎo)體層的組合并聯(lián)電連接。此外，其他的線圈導(dǎo)體層或者并聯(lián)線圈導(dǎo)體層的并聯(lián)電連接也相同。

此外，在電子部件10a中，并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36與線圈導(dǎo)體層30b并聯(lián)連接，但例如也可以并聯(lián)線圈導(dǎo)體層36與線圈導(dǎo)體層30a并聯(lián)連接。

此外，電子部件10、10a～10d利用光刻法制作，但例如也可以利用層疊印刷有線圈導(dǎo)體層的絕緣體層的層疊方法制作。

工業(yè)實(shí)用性

如以上所述，本發(fā)明對電子部件有用，尤其在具備3個(gè)線圈的共模濾波器中能夠減少各線圈間的差分阻抗的差異的點(diǎn)上優(yōu)異。

附圖標(biāo)記說明

10、10a～10d...電子部件；12...主體；14a～14f...外部電極；16a～16f...連接部；20a、20b...磁性體基板；22...層疊體；24...磁性體層；26a～26h...絕緣體層；30a、30a－1、30a－2、30b、32a、32b、32b－1、32b－2、34a、34b、34b－1、34b－2...線圈導(dǎo)體層；36、36...并聯(lián)線圈導(dǎo)體層；40a、40b、42a、42b、44a、44b、46、46'、60、62、64...引線導(dǎo)體層；50、51、52、53、53'、54、54'、55、55'、56、56'、57...引線部；70a～70f...連接導(dǎo)體；Ga～Gc...線圈導(dǎo)體層組；L1...初級線圈；L2...次級線圈；L3...三級線圈；v1～v3、v11～v13...層間連接導(dǎo)體。