相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2015年10月28日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0150128的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。示例性實(shí)施方案涉及半導(dǎo)體器件,更具體地,涉及具有掩埋柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法、包括具有掩埋柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)單元以及包括具有掩埋柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備。
背景技術(shù):
:金屬柵電極應(yīng)用于高性能的晶體管。具體地,在掩埋柵型晶體管中,閾值電壓的控制需要高性能的操作。此外,柵致漏極泄漏(gidl)特征對(duì)掩埋柵型晶體管的性能產(chǎn)生實(shí)質(zhì)的影響。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:各種實(shí)施例針對(duì)能夠調(diào)整閾值電壓的掩埋柵結(jié)構(gòu)及其制造方法。各種實(shí)施例針對(duì)能夠改善柵致漏極泄漏(gidl)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。各種實(shí)施例針對(duì)能夠提高刷新特性的存儲(chǔ)單元。各種實(shí)施例針對(duì)具有改善性能的電子設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中,半導(dǎo)體器件可以包括:襯底,包括溝槽;柵電介質(zhì)層,形成在溝槽的表面之上;柵電極,位于溝槽中,并且在比襯底的上表面低的水平處,其中,柵電極包括第一掩埋部分和第二掩埋部分,其中,第二掩埋部分形成在第一掩埋部分之間;以及第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū),它們形成在襯底中,并且在柵電極的第一側(cè)和第二側(cè)之上,其中,第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)中的每個(gè)與第二掩埋部分重疊,其中,第一掩埋部分包括具有第一功函數(shù)的第一阻障,其中,第二掩埋部分包括具有第二功函數(shù)的第二阻障,以及其中,第二功函數(shù)低于第一功函數(shù)。第一阻障具有比硅的中間能隙功函數(shù)高的功函數(shù),以及其中,第二阻障具有比硅的中間能隙功函數(shù)低的功函數(shù)。第一阻障可以包括具有20at%或者更少的硅的金屬硅氮化物,而第二阻障可以包括具有30at%或者更多的硅的金屬硅氮化物。第一阻障包括具有20at%或者更少的硅的鈦硅氮化物,而其中第二阻障可以包括具有30at%或者更多的硅的鈦硅氮化物。第一阻障可以包括具有20at%或者更少的硅的鉭硅氮化物,而其中第二阻障可以包括具有30at%或者更多的硅的鉭硅氮化物。第一掩埋部分還可以包括第一電極,其中,第一電極可以包括含金屬材料,以及其中,第一阻障位于第一電極與柵電介質(zhì)層之間。第二掩埋部分還可以包括第二電極,其中,第二電極可以包括含金屬材料或者n型摻雜多晶硅,以及其中,第二阻障位于第二電極與柵電介質(zhì)層之間。半導(dǎo)體器件還可以包括第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯,所述第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯位于第一掩埋部分與柵電介質(zhì)層之間。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括產(chǎn)生偶極以使第一掩埋部分的第一功函數(shù)增加并且可以高于第一功函數(shù)的材料。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括第一金屬氧化物,并且第一金屬氧化物的氧原子的面密度可以比柵電介質(zhì)層的氧原子的面密度高。柵電介質(zhì)層可以包括氧化硅,而第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括氧化鋁。柵電介質(zhì)層可以包括氧化硅,而第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、氧化鎂或者它們的組合。半導(dǎo)體器件還可以包括第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯,所述第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯位于第二掩埋部分與柵電介質(zhì)層之間。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括第二金屬氧化物,并且第二金屬氧化物的氧原子的面密度可以比柵電介質(zhì)層的氧原子的面密度低。柵電介質(zhì)層可以包括氧化硅,而第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括氧化釔、氧化鑭、氧化鍺、氧化镥、氧化鍶或者它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中,一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括:在半導(dǎo)體襯底中形成溝槽;在溝槽的底表面和側(cè)壁之上形成柵電介質(zhì)層;形成填充溝槽并且設(shè)置在柵電介質(zhì)層之上的柵電極,其中,柵電極的上表面可以位于比半導(dǎo)體襯底的上表面低的水平處;以及在半導(dǎo)體襯底中并且在柵電極的第一側(cè)和第二側(cè)之上形成摻雜區(qū),柵電極的形成可以包括:形成第一掩埋部分,其中,第一掩埋部分包括具有第一硅含量的第一阻障;以及在第一掩埋部分之上形成第二掩埋部分,其中,第二掩埋部分包括具有第二硅含量的第二阻障。第一硅含量可以高于第二硅含量。第一阻障可以包括具有比硅的中間能隙功函數(shù)高的功函數(shù)的材料,而第二阻障可以包括具有比硅的中間能隙功函數(shù)低的功函數(shù)的材料。第一阻障可以包括包含20at%或者更少的硅的鈦硅氮化物,而第二阻障可以包括包含30at%或者更多的硅的鈦硅氮化物。第一阻障可以包括包含20at%或者更少的硅的鉭硅氮化物,而第二阻障可以包括包含30at%或者更多的硅的鉭硅氮化物。所述方法還可以包括:在柵電介質(zhì)層與第一阻障之間形成第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括第一金屬氧化物,并且第一金屬氧化物的氧原子的面密度可以比柵電介質(zhì)層的氧原子的面密度高。柵電介質(zhì)層可以包括氧化硅,而第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、氧化鎂或者它們的組合。所述方法還可以包括:在第二阻障與柵電介質(zhì)層之間形成第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯可以包括第二金屬氧化物,并且第二金屬氧化物的氧原子的面密度可以比柵電介質(zhì)層的氧原子的面密度低。柵電介質(zhì)層可以包括氧化硅,而第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯包括氧化釔、氧化鑭、氧化鍺、氧化镥、氧化鍶或者它們的組合。附圖說(shuō)明圖1為圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖2a為圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖2b為沿著圖2a中的線a-a'截取的截面圖。圖3為圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖4為圖示了根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖5a為圖示了根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖5b和圖5c為圖示了根據(jù)第四實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。圖6a至圖6f為圖示了用于制造根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的示例。圖7a至圖7e為圖示了用于形成根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的示例。圖8a至圖8e為圖示了用于形成根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的示例。圖9為包括根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)單元的示例。具體實(shí)施方式以下將參照附圖來(lái)更具體地描述各種實(shí)施例。然而,本發(fā)明可以采用不同的方式實(shí)施,而不應(yīng)解釋為限制于本文所列的實(shí)施例。確切地說(shuō),提供這些實(shí)施例,以使得本發(fā)明充分與完整,并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本發(fā)明中,相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施例中表示相似的部件。附圖并非必須按比例繪制,并且在一些情況下,可以夸大比例以清楚地圖示實(shí)施例的特征。當(dāng)?shù)谝粚颖环Q(chēng)為在第二層“上”或者在襯底“上”時(shí),其不僅可以涉及第一層直接形成在第二層或襯底上的情況,還可以涉及在第一層與第二層之間或者第一層與襯底之間存在第三層的情況。在下文中,在實(shí)施例中,閾值電壓(vt)取決于平帶電壓。平帶電壓取決于功函數(shù)。功函數(shù)可以通過(guò)各種方法來(lái)設(shè)計(jì)。例如,功函數(shù)可以通過(guò)柵電極的材料、柵電極與溝道之間的材料等來(lái)調(diào)整。通過(guò)增大或減小功函數(shù),可以使平帶電壓偏移。高功函數(shù)可以使平帶電壓沿正方向偏移,而低功函數(shù)可以使平帶電壓沿負(fù)方向偏移。通過(guò)如上所述的使平帶電壓偏移,能夠調(diào)整閾值電壓。在實(shí)施例中,即使降低溝道集中度或者省去溝道摻雜,也會(huì)通過(guò)使平帶電壓偏移來(lái)調(diào)整閾值電壓??梢酝ㄟ^(guò)具有高功函數(shù)的導(dǎo)電阻障來(lái)使平帶電壓偏移。圖1為圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的視圖。參見(jiàn)圖1,半導(dǎo)體器件100可以包括掩埋柵結(jié)構(gòu)100g、第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111。隔離層102和有源區(qū)104可以形成在襯底101中。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111可以設(shè)置在有源區(qū)104中??梢孕纬纱┻^(guò)有源區(qū)104和隔離層102的溝槽(即,柵溝槽105)。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以形成在柵溝槽105中。溝道112可以通過(guò)柵溝槽105而形成在第一摻雜區(qū)110與第二摻雜區(qū)111之間。半導(dǎo)體器件100形成在襯底101中。襯底101可以為適合于半導(dǎo)體工藝的材料。襯底101可以包括半導(dǎo)體襯底。襯底101可以由含硅材料形成。襯底101可以包括硅、單晶硅、多晶硅、非晶硅、硅鍺、單晶硅鍺、多晶硅鍺、摻雜碳的硅、它們的組合或者它們的多層。襯底101可以包括另外的半導(dǎo)體材料,例如鍺。襯底101可以包括iii/v族半導(dǎo)體襯底,例如,諸如gaas的化合物半導(dǎo)體襯底。襯底101可以包括絕緣體上硅(soi)襯底。隔離層102和有源區(qū)104可以形成在襯底101中。有源區(qū)104可以通過(guò)隔離層102來(lái)限定。隔離層102可以為通過(guò)溝槽刻蝕而形成的淺溝槽隔離(sti)區(qū)。隔離層102可以通過(guò)將電介質(zhì)材料填充在淺溝槽(例如,隔離溝槽103)中來(lái)形成。隔離層102可以包括:氧化硅、氮化硅或者它們的組合。柵溝槽105可以形成在襯底101中。當(dāng)俯視時(shí),柵溝槽105可以為沿著任一方向延伸的線形狀。柵溝槽105可以為穿過(guò)有源區(qū)104和隔離層102的線形狀。柵溝槽105可以具有比隔離溝槽103淺的深度。在另一個(gè)實(shí)施例中,柵溝槽105的底部可以被圓化,并且具有給定的曲率。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111可以形成在有源區(qū)104中。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111為摻雜有導(dǎo)電摻雜劑的區(qū)域。例如,第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111中的每個(gè)可以包括:磷(p)、砷(as)、銻(sb)或者硼(b)。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111可以摻雜有相同的導(dǎo)電摻雜劑。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111位于有源區(qū)104中,并且在柵溝槽105的兩側(cè)上。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111可以分別被稱(chēng)為源極區(qū)和漏極區(qū)。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111的下表面可以位于從有源區(qū)104的上表面起預(yù)定的深度處。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111可以鄰接?xùn)艤喜?05的側(cè)壁。第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111的下表面可以比柵溝槽105的下表面高。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以嵌入在柵溝槽105中。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以設(shè)置在有源區(qū)104中、在第一摻雜區(qū)110與第二摻雜區(qū)111之間,并且可以延伸至隔離層102中。在掩埋柵結(jié)構(gòu)100g中,設(shè)置在有源區(qū)104中的一部分的下表面和設(shè)置在隔離層102中的一部分的下表面可以位于相同的水平處。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以包括:柵電介質(zhì)層106、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以位于低于有源區(qū)104的上表面的水平處。柵電極bg可以部分地填充柵溝槽105。因此,柵電極bg可以被稱(chēng)為“掩埋柵電極”。覆蓋層109可以位于柵電極bg上。柵電介質(zhì)層106可以形成在柵溝槽105的下表面和側(cè)壁上。柵電介質(zhì)層106可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高k材料、或者它們的組合。高k材料可以表示具有比氧化硅的介電常數(shù)高的介電常數(shù)的材料。例如,高k材料可以包括具有高于3.9的介電常數(shù)的材料。再例如,高k材料可以包括具有高于10的介電常數(shù)的材料。又例如,高k材料可以包括具有10至30的介電常數(shù)的材料。高k材料可以包括至少一種金屬元素。高k材料可以包括含鉿材料。含鉿材料可以包括:氧化哈、鉿硅氧化物、鉿硅氮氧化物或者它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施例中,高k材料可以包括:氧化鑭、鑭鋁氧化物、氧化鋯、鋯硅氧化物、鋯硅氮氧化物、氧化鋁或者它們的組合。本領(lǐng)域已知的任何現(xiàn)有的高k材料可以用作高k材料。溝道112可以沿著柵電極bg形成在第一摻雜區(qū)110與第二摻雜區(qū)111之間。也就是說(shuō),溝道112可以沿著柵溝槽105形成在有源區(qū)104中。溝道112具有比現(xiàn)有的平面型晶體管長(zhǎng)的溝道長(zhǎng)度。由于該事實(shí),可以大體上防止短溝道效應(yīng)。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以填充柵溝槽105的下部。第二掩埋部分108可以位于第一掩埋部分107上。第二掩埋部分108可以位于與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111相同的水平處。第二掩埋部分108可以與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111重疊。第二掩埋部分108被部分地填充在柵溝槽105中,并且在第一掩埋部分107上。第二掩埋部分108的上表面的高度可以位于比襯底101的上表面低的水平處。第一掩埋部分107可以與溝道112重疊。柵電介質(zhì)層106插置在第一掩埋部分107與溝道112之間。柵電介質(zhì)層106還在(i)第二掩埋部分108與第一摻雜區(qū)110之間以及(ii)第二掩埋部分108與第二摻雜區(qū)111之間延伸。覆蓋層109保護(hù)柵電極bg。覆蓋層109可以包括電介質(zhì)材料。覆蓋層109可以包括:氮化硅、氮氧化硅或者它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施例中,覆蓋層109可以包括氮化硅和氧化硅的組合。例如,覆蓋層109可以包括氮化硅內(nèi)襯和旋涂電介質(zhì)(sod)。例如,為了形成覆蓋層109,將氮化硅內(nèi)襯形成在第二掩埋部分108上,而后可以將旋涂電介質(zhì)(sod)填充在氮化硅內(nèi)襯上。盡管未示出,但是可以在襯底101上形成硬掩模(例如,圖6f中所示的硬掩模15)。以下將具體地描述柵電極bg。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括多個(gè)電極材料層。例如,第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第一阻障107m也可以被稱(chēng)為第一內(nèi)襯電極。第一電極107e也可以被稱(chēng)為第一低電阻率電極。第一阻障107m可以具有高功函數(shù)。高功函數(shù)表示高于硅的中間能隙功函數(shù)的功函數(shù)。低功函數(shù)表示低于硅的中間能隙功函數(shù)的功函數(shù)。即,高功函數(shù)可以為高于4.5ev的功函數(shù),而低功函數(shù)可以為低于4.5ev的功函數(shù)。第一阻障107m可以為導(dǎo)電材料。第一阻障107m可以為金屬基材料,以降低柵電極bg的電阻率。第一阻障107m可以為金屬硅氮化物。第一阻障107m可以為硅含量被調(diào)整的金屬硅氮化物。例如,第一阻障107m可以為氮化鈦硅(tisin)。為了具有高功函數(shù),可以調(diào)整氮化鈦硅中的硅含量。例如,氮化鈦硅中的硅含量可以為20at%(原子百分?jǐn)?shù))或者更小。第二掩埋部分108可以包括多個(gè)電極材料層。例如,第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e。第二阻障108m也可以被稱(chēng)為第二內(nèi)襯電極,而第二電極108e也可以被稱(chēng)為第二低電阻率電極。第二阻障108m可以具有低功函數(shù)。第二阻障108m可以為導(dǎo)電材料。第二阻障108m可以為金屬基材料,以降低柵電極bg的電阻率。第二阻障108m可以為金屬硅氮化物。第一阻障107m和第二阻障108m可以為具有彼此不同的硅含量的材料。第二阻障108m可以為硅含量被調(diào)整的金屬材料。例如,第二阻障108m可以為氮化鈦硅(tisin)。為了具有低功函數(shù),可以調(diào)整氮化鈦硅中的硅含量。為了具有低功函數(shù),氮化鈦硅中的硅含量可以為30at%或者更多。如上所述,盡管相應(yīng)的第一阻障107m和第二阻障108m可以為氮化鈦硅,可是它們的硅含量可以彼此不同,以具有不同的功函數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中,第一阻障107m和第二阻障108m可以包括金屬硅氮化物,例如氮化鉭硅(tasin)。氮化鉭硅(tasin)可以根據(jù)其硅含量而具有不同的功函數(shù)值。為了具有高功函數(shù),氮化鉭硅中的硅含量可以為20at%或者更少。為了具有低功函數(shù),氮化鉭硅中的硅含量可以為30at%或者更多。例如,第一阻障107m可以為具有高功函數(shù)的氮化鈦硅,而第二阻障108m可以為具有低功函數(shù)的氮化鉭硅。在另一個(gè)實(shí)施例中,第一阻障107m可以為具有高功函數(shù)的氮化鉭硅,而第二阻障108m可以為具有低功函數(shù)的氮化鉭硅。第一阻障107m和第二阻障108m也可以用作電極。第一電極107e和第二電極108e可以為相同的材料或者不同的材料。第一電極107e和第二電極108e可以包括金屬基材料,以降低柵電極bg的電阻率。鎢(w)可以用作第一電極107e和第二電極108e。在將鎢用作第一電極107e和第二電極108e的情況下,可能發(fā)生對(duì)柵電介質(zhì)層106的損傷。例如,可以使用六氟化鎢(wf6)氣體來(lái)沉積鎢,而柵電介質(zhì)層106可能受到氟的損傷。因此,為了大體上防止受到氟的損傷,第一阻障107m可以形成在第一電極107e與柵電介質(zhì)層106之間。另外,第二阻障108m可以形成在第二電極108e與柵電介質(zhì)層106之間。以這種方式,第一阻障107m和第二阻障108m可以執(zhí)行阻障的功能,并且由具有被調(diào)整的功函數(shù)值的材料形成。第一摻雜區(qū)110、第二摻雜區(qū)111和掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以構(gòu)建晶體管。例如,該晶體管可以被稱(chēng)為“掩埋柵型晶體管”。溝道112可以沿著柵溝槽105的表面限定在第一摻雜區(qū)110與第二摻雜區(qū)111之間。在另一個(gè)實(shí)施例中,溝道112可以通過(guò)溝道摻雜而包括摻雜劑。根據(jù)第一實(shí)施例,第一阻障107m為具有高功函數(shù)的材料,而第二阻障108m為具有低功函數(shù)的材料。閾值電壓(vt)通過(guò)第一阻障107m來(lái)調(diào)整。例如,可以通過(guò)具有高功函數(shù)的第一阻障107m來(lái)使平帶電壓偏移。根據(jù)這個(gè)事實(shí),可以容易地調(diào)整閾值電壓。由于柵溝槽105具有高的高寬比,所以難以通過(guò)現(xiàn)有的溝槽摻雜方法來(lái)對(duì)柵溝槽105的底部執(zhí)行充分的摻雜。因此,在溝道摻雜之后,針對(duì)柵溝槽105的底部局部地執(zhí)行額外的溝道摻雜。這被稱(chēng)為“局部溝道摻雜”。在采用注入作為局部溝道摻雜的情況下,所述注入被稱(chēng)為局部溝道注入(lci)。由于可以通過(guò)高功函數(shù)的第一阻障107m來(lái)調(diào)節(jié)閾值電壓,所以可以顯著地降低局部溝道摻雜(lci)的劑量,或者可以省略局部溝道摻雜(lci)。因此,在本實(shí)施例中,由于可以通過(guò)具有高功函數(shù)的第一阻障107m來(lái)降低溝道劑量,所以可以改善結(jié)泄漏特性。此外,在第一實(shí)施例中,由于第二阻障108m具有低功函數(shù),所以能夠抑制第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111中的柵致漏極泄漏(gidl)。在第一阻障107m與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111重疊的情況下,柵致漏極泄漏(gidl)可以由于高功函數(shù)而增大。因而,可以調(diào)整第一阻障107m所位于的水平,使得第一阻障107m不與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111重疊。表1示出了平帶電壓δvfb根據(jù)硅含量的改變而改變。[表1]阻障tintisin(si20at%)tisin(si40at%)vfb(mv)-204.4-155.7-289.3δvfb(mv)048.7-84.9在表1中,tin、tisin(si20at%)和tisin(si40at%)可以分別形成至根據(jù)表1,通過(guò)tisin(si20at%)的平帶電壓在正方向上偏移(δvfb=48.7mv),而通過(guò)tisin(si40at%)的平帶電壓在負(fù)方向上偏移(δvfb=-84.9mv)。通過(guò)tisin(si20at%)和tisin(si40at%)的平帶電壓偏移量基于tin來(lái)測(cè)量。以這種方式,可以通過(guò)調(diào)整tisin(si20at%)和tisin(si40at%)中的硅含量來(lái)調(diào)整平帶電壓。根據(jù)第一實(shí)施例的掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以被應(yīng)用至掩埋柵型鰭溝道晶體管。圖2a和圖2b為圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件100m的視圖。圖2b為沿著圖2a的線a-a’截取的截面圖。在半導(dǎo)體器件100m中,與根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的部件相同或相似的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。半導(dǎo)體器件100m的掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以包括:柵電介質(zhì)層106、第一掩埋部分107、第二掩埋部分108和覆蓋層109。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù),而第二阻障108m可以具有30at%或者更多的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e和第二電極108e可以包括鎢。半導(dǎo)體器件100m還包括鰭區(qū)104f。鰭區(qū)104f可以位于有源區(qū)104中、在柵溝槽105之下。柵溝槽105可以包括第一溝槽105a和第二溝槽105b。第一溝槽105a可以形成在有源區(qū)104中。第二溝槽105b可以形成在隔離層102中。第二溝槽105b可以從第一溝槽105a連續(xù)地延伸。第一溝槽105a和第二溝槽105b可以具有位于不同水平處的下表面。例如,第一溝槽105a的下表面可以位于高于第二溝槽105b的下表面的水平處。隨著隔離層102凹陷,第一溝槽105a和第二溝槽105b之間的高度差形成。因此,第二溝槽105b可以包括具有比第一溝槽105a的下表面低的下表面的凹陷區(qū)r。由于第一溝槽105a與第二溝槽105b之間的臺(tái)階差,所以鰭區(qū)104f形成在有源區(qū)104中。因此,有源區(qū)104包括鰭區(qū)104f。以這種方式,鰭區(qū)104f形成在第一溝槽105a之下,并且通過(guò)凹陷的隔離層102f暴露出鰭區(qū)104f的側(cè)壁。鰭區(qū)104f為形成有溝道的部分。鰭區(qū)104f被稱(chēng)為鞍狀鰭。通過(guò)鰭區(qū)104f,可以增大溝道寬度,并且可以改善電氣特性。圖3為圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200的視圖。在根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200中,相同的附圖標(biāo)記表示如根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100中所示的相同的部件。半導(dǎo)體器件200的掩埋柵結(jié)構(gòu)200g可以包括柵電介質(zhì)層106、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù)。第二阻障108m可以具有30at%或者更多的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e和第二電極108e可以包括鎢。半導(dǎo)體器件200的掩埋柵結(jié)構(gòu)200g還可以包括功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以位于第一掩埋部分107與柵電介質(zhì)層106之間。第一掩埋部分107的有效功函數(shù)(具體地,第一阻障107m的有效功函數(shù))可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210而增大。例如,在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210和柵電介質(zhì)層106彼此接觸的情況下,可以產(chǎn)生偶極。如果產(chǎn)生偶極,則由于能帶的改變而可以引起高功函數(shù)特征。換言之,第一掩埋部分107的第一阻障107m可以通過(guò)偶極而具有增大的功函數(shù)。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210也可以被稱(chēng)為“高功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯”或者“偶極誘導(dǎo)層”。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以為電介質(zhì)材料。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以為金屬氧化物。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以為介電常數(shù)高于柵電介質(zhì)層106的高k材料。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210和柵電介質(zhì)層106可以具有彼此不同的氧原子的面密度。即,包含在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210中的氧的面密度不用于包含在柵電介質(zhì)層106中的氧的面密度。例如,功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以包括具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度的金屬氧化物。在柵電介質(zhì)層106為sio2的情況下,功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以包括:氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯或者氧化鎂。在本實(shí)施例中,功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以包括氧化鋁(al2o3)。例如,al2o3的氧面密度與sio2的氧面密度之比可以為1.21。由于氧化鋁具有更高的氧面密度,所以在平帶電壓中會(huì)發(fā)生更大的偏移。由于將氧化鋁應(yīng)用為功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210,所以在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210與柵電介質(zhì)層106之間可以保持穩(wěn)定的界面狀態(tài)。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以形成為薄的厚度。由此,通過(guò)增大在柵溝槽105中的第一掩埋部分107的體積,能夠顯著地降低柵電極bg的電阻率。通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210來(lái)調(diào)整閾值電壓(vt)。例如,可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210來(lái)使平帶電壓偏移。偶極可以形成在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210與柵電介質(zhì)層106之間。偶極可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210與柵電介質(zhì)層106之間的氧面密度差來(lái)產(chǎn)生。偶極可以增大第一阻障107m的功函數(shù),因此,可以使平帶電壓偏移,并且可以調(diào)整閾值電壓。因此,可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210來(lái)降低應(yīng)用于至溝道112的雜質(zhì)劑量。通過(guò)控制偶極的極性方向,能夠控制柵電極bg的有效功函數(shù)。通過(guò)這種方法,可以增大或減小柵電極bg的第一阻障107m的有效功函數(shù)。例如,在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度的情況下,偶極可以產(chǎn)生為增大功函數(shù)。在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210具有比柵電介質(zhì)層106低的氧面度的情況下,偶極可以產(chǎn)生為降低功函數(shù)。在本實(shí)施例中,由于功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210為具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度的材料,所以可以產(chǎn)生偶極并且增大功函數(shù)。根據(jù)第二實(shí)施例,第一掩埋層107m為具有高功函數(shù)的材料,而第二阻障108m為具有低功函數(shù)的材料。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以為引起高功函數(shù)的材料。例如,當(dāng)?shù)谝谎诼駥?07m具有第一高功函數(shù)時(shí),第一掩埋層107m和功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210的組合可以引起比第一高功函數(shù)高的第二高功函數(shù)。因此,可以通過(guò)第一阻障107m和功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210來(lái)調(diào)整閾值電壓(vt)。平帶電壓可以通過(guò)具有高功函數(shù)的第一阻障107m而被偏移,并且可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210而被進(jìn)一步偏移。通過(guò)第二阻障108m,可以改善柵致漏極泄漏(gidl)。根據(jù)第二實(shí)施例的掩埋柵結(jié)構(gòu)200g可以被應(yīng)用至如圖2a中所示的掩埋柵型鰭溝道晶體管。圖4為圖示了根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件300的視圖。在根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件300中,與根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的部件相同或相似的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。半導(dǎo)體器件300的掩埋柵結(jié)構(gòu)300g可以包括:柵電介質(zhì)層106、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù),而第二阻障108m可以具有30at%或者更多的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e和第二電極108e可以包括鎢。半導(dǎo)體器件300還可以包括第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310和第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以位于第一掩埋部分107與柵電介質(zhì)層106之間。更具體地,第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以位于第一阻障107m與柵電介質(zhì)層106之間。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310和柵電介質(zhì)層106之間。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310和柵電介質(zhì)層106可以具有彼此不同的氧原子面密度。通過(guò)該事實(shí),第一偶極可以形成在第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310與柵電介質(zhì)層106之間。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以包括具有更高氧面密度的金屬氧化物。即,第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310的氧面密度比柵電介質(zhì)層106的氧面密度高。在柵電介質(zhì)層106為氧化硅的情況下,第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以包括:氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯或者氧化鎂。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以形成為薄的厚度。通過(guò)該事實(shí),通過(guò)增大柵溝槽105中的第一掩埋部分107的體積,能夠顯著地降低柵電極bg的電阻率。通過(guò)第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310來(lái)調(diào)整閾值電壓(vt)。例如,可以通過(guò)第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310來(lái)使平帶電壓偏移。由于第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310與柵電介質(zhì)層106之間的氧面密度差可以產(chǎn)生第一偶極。第一偶極可以增大第一阻障107m的功函數(shù),因此可以使平帶電壓偏移。因此,可以通過(guò)第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310來(lái)降低應(yīng)用于溝道112的雜質(zhì)劑量。在第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310為具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度的材料的情況下,第一偶極可以產(chǎn)生在使功函數(shù)增大的方向。在本實(shí)施例中,由于功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310為具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度的材料,所以第一偶極可以產(chǎn)生在柵電介質(zhì)層106與第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310之間、使功函數(shù)增大的方向上。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以位于第二掩埋部分108與柵電介質(zhì)層106之間。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311和柵電介質(zhì)層106可以具有彼此不同的氧原子面密度。通過(guò)該事實(shí),第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311和柵電介質(zhì)層106可以產(chǎn)生第二偶極。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以包括具有較低氧面密度的金屬氧化物。例如,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311具有比柵電介質(zhì)層106低的氧面密度。因此,第二偶極可以降低第二阻障108m的功函數(shù)。在柵電介質(zhì)層106為sio2的情況下,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以由具有較低氧面密度的金屬氧化物形成。例如,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311具有比柵電介質(zhì)層106低的氧面密度。具有較低氧面密度的金屬氧化物可以包括:氧化釔、氧化鑭、氧化鍺、氧化镥或者氧化鍶。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以位于與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111相同的水平處,使得第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111重疊。例如,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以與第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111水平地重疊。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以具有間隔件形狀。即,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以不位于與第一掩埋部分107與第二掩埋部分108之間的界面處。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以位于第二掩埋部分108與第一摻雜區(qū)110之間,以及在第二掩埋部分108與第二摻雜區(qū)111之間。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311和第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以彼此耦接。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311和第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以厚度相同或者不同。根據(jù)第三實(shí)施例,第一阻障107m為具有高功函數(shù)的材料,而第二阻障108m為具有低功函數(shù)的材料。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以為引起高功函數(shù)的材料。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以為引起低功函數(shù)的材料。因此,可以通過(guò)第一阻障107m和第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310來(lái)調(diào)整閾值電壓??梢酝ㄟ^(guò)第二阻障108m和第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311來(lái)改善柵致漏極泄漏(gidl)。根據(jù)第三實(shí)施例的掩埋柵結(jié)構(gòu)300g可以應(yīng)用至如圖2a所示的掩埋柵型鰭溝道晶體管。圖5a為圖示了根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件400的視圖。如在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100中所示的一些部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。半導(dǎo)體器件400的掩埋柵結(jié)構(gòu)400g可以包括:柵電介質(zhì)層106、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e’。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù),而第二阻障108m可以具有30at%或者更多的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e可以包括鎢。第二電極108e’可以為非金屬導(dǎo)電材料,并且可以具有低于第一阻障107m的功函數(shù)。第二電極108e’可以包括多晶硅。第二電極108e’可以包括摻雜有n型摻雜劑的多晶硅,例如,n型摻雜多晶硅(n-polysi)。n型摻雜多晶硅具有低功函數(shù)。根據(jù)第四實(shí)施例,第一阻障107m為具有高功函數(shù)的材料,而第二阻障108m為具有低功函數(shù)的材料。第二電極108e’可以為低功函數(shù)材料。因此,可以通過(guò)第一阻障107m來(lái)調(diào)整閾值電壓。可以通過(guò)第二阻障108m和第二電極108e’來(lái)改善柵致漏極泄漏(gidl)。圖5b和圖5c為圖示了根據(jù)第四實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件401、402的視圖。在圖5b的半導(dǎo)體器件401中,與如圖3的半導(dǎo)體器件200中所示的部件相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。在圖5c的半導(dǎo)體器件402中,與如圖4的半導(dǎo)體器件300中所示的部件相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。參見(jiàn)圖5b,半導(dǎo)體器件401的掩埋柵結(jié)構(gòu)401g可以包括:柵電介質(zhì)層106、功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e’。第二電極108e’可以包括n型摻雜多晶硅。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以由具有更高氧面密度的金屬氧化物形成。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210可以包括:氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯或者氧化鎂。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù),而第二阻障108m可以具有30at%或更高的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e可以包括鎢。因此,可以通過(guò)第一阻障107m和功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯210來(lái)調(diào)整閾值電壓??梢酝ㄟ^(guò)第二阻障108m和第二電極108e’來(lái)改善柵致漏極泄漏(gidl)。參見(jiàn)圖5c,半導(dǎo)體器件402的掩埋柵結(jié)構(gòu)402g可以包括:柵電介質(zhì)層106、第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310、柵電極bg、第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311以及覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二掩埋層108m和第二電極108e’。第二電極108e’可以包括n型摻雜多晶硅。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以由具有更高氧面密度的金屬氧化物形成。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310具有比柵電介質(zhì)層106高的氧面密度。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310可以包括:氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯或者氧化鎂。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以由具有較低氧面密度的金屬氧化物形成。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311具有比柵電介質(zhì)層106低的氧面密度。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311可以包括:氧化釔、氧化鑭、氧化鍺、氧化镥或者氧化鍶。第一阻障107m和第二阻障108m可以包括:氮化鈦硅(tisin)或者氮化鉭硅(tasin)。第一阻障107m可以具有20at%或者更少的硅含量,以具有高功函數(shù),而第二阻障108m可以具有30at%或者更多的硅含量,以具有低功函數(shù)。第一電極107e可以包括鎢。因此,可以通過(guò)第一阻障107m和第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯310來(lái)調(diào)整閾值電壓??梢酝ㄟ^(guò)第二阻障108m、第二電極108e’和第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯311來(lái)改善柵致漏極泄漏(gidl)。根據(jù)第四實(shí)施例及其修改的掩埋柵結(jié)構(gòu)400g、401g和402g可以應(yīng)用至如圖2a所示的掩埋柵型鰭溝道晶體管。圖6a至圖6f圖示了用于制造根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法。如圖6a中所示,在襯底11中形成隔離層12。通過(guò)隔離層12來(lái)限定有源區(qū)14??梢越?jīng)由淺溝槽隔離(sti)工藝來(lái)形成隔離層12。例如,通過(guò)刻蝕襯底11,來(lái)形成隔離溝槽13。用電介質(zhì)材料來(lái)填充隔離溝槽13,且因此,形成隔離層12。隔離層12可以包括:氧化硅、氮化硅或者它們的組合??梢允褂没瘜W(xué)氣相沉積(cvd)或者其它的沉積工藝,以使用電介質(zhì)材料來(lái)填充隔離溝槽13。可以額外地使用平坦化工藝,例如化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)。在襯底11中形成柵溝槽16。柵溝槽16可以形成為具有穿過(guò)有源區(qū)14和隔離層12的線形狀??梢酝ㄟ^(guò)使用硬掩模15作為刻蝕掩模的刻蝕工藝來(lái)形成柵溝槽16。硬掩模15可以形成在襯底11上,并且可以具有線形狀的開(kāi)口。硬掩模15可以由相對(duì)于襯底11具有刻蝕選擇性的材料形成。硬掩模15可以為氧化硅,例如,四乙基原硅酸鹽(teos)。柵溝槽16可以形成為比隔離溝槽13淺。柵溝槽16可以具有能夠增大隨后要形成的柵電極的平均截面面積的足夠的深度。根據(jù)這個(gè)事實(shí),可以降低柵電極的電阻率。柵溝槽16的底部可以具有曲率或者可以圓化。以這種方式,通過(guò)將柵溝槽16的底部形成為具有曲率,可以最小化在柵溝槽16的底部的粗糙度,且因此,可以容易地執(zhí)行柵電極的填充。此外,通過(guò)將柵溝槽16的底部形成為具有曲率,可以在柵溝槽16的底部去除成角度的拐角,由此可以減少電場(chǎng)集中。隨后,雖然未示出,但是可以形成圖2a和圖2b所示的鰭區(qū)104f。為了形成鰭區(qū)104f,可以使柵溝槽16之下的隔離層12凹陷。如圖6b所示,可以在柵溝槽16和硬掩模15的表面上形成柵電介質(zhì)層17。在形成柵電介質(zhì)層17之前,可以恢復(fù)對(duì)柵溝槽16的表面的刻蝕損傷。例如,犧牲氧化物可以通過(guò)熱氧化工藝來(lái)形成,然后可以被去除。可以經(jīng)由熱氧化工藝來(lái)形成柵電介質(zhì)層17。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成柵電介質(zhì)層17。柵電介質(zhì)層17可以包括高k材料、氧化物、氮化物、氮氧化物或者它們的組合。高k材料可以包括含鉿材料。含鉿材料可以包括:氧化鉿、鉿硅氧化物、鉿硅氮氧化物或者它們的組合。在另一個(gè)實(shí)施例中,高k材料可以包括:氧化鑭、鑭鋁氧化物、氧化鋯、鋯硅氧化物、鋯硅氮氧化物、氧化鋁或者它們的組合。在本領(lǐng)域已知的任何現(xiàn)有的高k材料可以用作高k材料。可以在柵電介質(zhì)層17上形成第一阻障層18a。第一阻障層18a可以保形地形成在柵電介質(zhì)層17的表面上。第一阻障層18a可以包括硅含量被調(diào)整的鈦硅氮化物?;蛘?,第一阻障層18a可以包括硅含量被調(diào)整的鉭硅氮化物。第一阻障層中的硅含量可以為20at%或者更少。因此,第一阻障層18a可以具有高功函數(shù)??梢允褂迷訉映练e(ald)或者化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成第一阻障層18a。可以在第一阻障層18a上形成第一電極層19a。第一電極層19a可以填充柵溝槽16。第一電極層19a包括低電阻率的金屬材料。第一電極層19a可以包括鎢。可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成第一電極層19a。如圖6c所示,執(zhí)行第一凹陷工藝,使得第一阻障18和第一電極19形成在柵溝槽16中??梢酝ㄟ^(guò)干法刻蝕(例如,回蝕工藝)來(lái)執(zhí)行第一凹陷工藝。通過(guò)第一阻障層18a的回蝕工藝來(lái)形成第一阻障18。通過(guò)第一電極層19a的回蝕工藝來(lái)形成第一電極19。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在執(zhí)行平坦化工藝以暴露出硬掩模15之后執(zhí)行第一凹陷工藝。第一阻障18和第一電極19的上表面的高度可以在相同的水平處。通過(guò)上述第一凹陷工藝,第一阻障18和第一電極19的上表面可以被凹陷,并且位于比有源區(qū)14的上表面低的水平處。如圖6d所示,可以在第一阻障18和第一電極19上形成第二阻障層20a。可以保形地形成第二阻障層20a。第二阻障層20a可以包括硅含量被調(diào)整的鈦硅氮化物?;蛘?,第二阻障層20a可以包括硅含量被調(diào)整的鉭硅氮化物。第二阻障層20a中的硅含量可以為30at%或者更多。因此,第二阻障層20a可以具有低功函數(shù)??梢岳迷訉映练e(ald)或者化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成第二阻障層20a??梢栽诘诙枵蠈?0a上形成第二電極層21a。第二電極層21a可以填充柵溝槽16。第二電極層21a包括低電阻率的金屬材料。第二電極層21a可以包括鎢。可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成第二電極層21a。在另一個(gè)實(shí)施例中,第二電極層21a可以包括低功函數(shù)材料。例如,第二電極層21a可以包括n型摻雜多晶硅。如圖6e所示,執(zhí)行第二凹陷工藝,使得第二阻障20和第二電極21形成在柵溝槽16中??梢酝ㄟ^(guò)干法刻蝕(例如,回蝕工藝)來(lái)執(zhí)行第二凹陷工藝。通過(guò)第二阻障層20a的回蝕工藝來(lái)形成第二阻障20。通過(guò)第二電極層21a的回蝕工藝來(lái)形成第二電極21。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在首先執(zhí)行平坦化工藝以暴露出硬掩模15之后執(zhí)行第二凹陷工藝。第二阻障20和第二電極21的上表面的高度可以處于相同的水平處。第二阻障20和第二電極21的上表面可以被凹陷,并且位于比有源區(qū)14的上表面低的水平處。通過(guò)上述第二凹陷工藝,可以形成柵電極bg。柵電極bg可以包括第一掩埋部分22和第二掩埋部分23。第一掩埋部分22可以包括第一阻障18和第一電極19。第二掩埋部分23可以包括第二阻障20和第二電極21。如圖6f所示,在第二阻障20和第二電極21上形成覆蓋層24。覆蓋層24包括電介質(zhì)材料。覆蓋層24可以包括氮化硅。因此,可以執(zhí)行覆蓋層24的平坦化,使得硬掩模15的上表面被暴露出。在覆蓋層24的平坦化工藝期間或者之后,可以去除在硬掩模15的上表面上的柵電介質(zhì)層17。覆蓋層24可以為氧化物-氮化物-氧化物(ono)結(jié)構(gòu)。通過(guò)上述系列工藝,形成掩埋柵結(jié)構(gòu)。掩埋柵結(jié)構(gòu)包括:柵電介質(zhì)層17、柵電極bg和覆蓋層24。柵電極bg包括:第一阻障18、第一電極19、第二阻障20和第二電極21。柵電極bg的上表面位于比襯底11的上表面低的水平處。以這種方式,由于柵電極bg的上表面被凹陷,所以可以充分地保證柵電極bg與鄰近的導(dǎo)體(例如,接觸插塞)之間的物理距離。因此,可以提高柵電極bg與鄰近的導(dǎo)體之間的耐電壓。在形成覆蓋層24之后,通過(guò)注入或者另一種摻雜技術(shù)來(lái)執(zhí)行雜質(zhì)的摻雜工藝。因此,在襯底11中形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26可以分別被稱(chēng)為源極區(qū)和漏極區(qū)。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26中的每個(gè)可以具有與第二掩埋部分23重疊的深度。因此,第二阻障20可以與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。第一阻障18可以不與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在形成柵溝槽16之前形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。例如,在通過(guò)使用離子注入掩模將雜質(zhì)摻雜至有源區(qū)14中來(lái)形成摻雜區(qū)之后,可以形成柵溝槽16。此時(shí),可以通過(guò)柵溝槽16而將摻雜區(qū)分成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。圖7a至圖7e圖示了用于形成根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法。除了可以額外地形成引起高功函數(shù)的功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31a之外,用于形成根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法可以與圖6a至圖6f所示的方法相同。如圖7a所示,在襯底11中形成隔離層12和有源區(qū)14。隔離層12可以填充隔離溝槽13。在襯底11中形成柵溝槽16。柵溝槽16可以形成為具有穿過(guò)有源區(qū)14和隔離層12的線形狀。可以通過(guò)使用硬掩模15作為刻蝕掩模的刻蝕工藝來(lái)形成柵溝槽16。隨后,雖然未示出,但是可以形成鰭區(qū)。為了形成鰭區(qū),可以使在柵溝槽16之下的隔離層12凹陷??梢栽跂艤喜?6和硬掩模15的表面上形成柵電介質(zhì)層17??梢酝ㄟ^(guò)熱氧化工藝來(lái)形成柵電介質(zhì)層17。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成柵電介質(zhì)層17。柵電介質(zhì)層17可以包括:高k材料、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者它們的組合。可以在柵電介質(zhì)層17上形成功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a可以保形地形成在柵電介質(zhì)層17上。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a可以由具有較高氧面密度的金屬氧化物形成。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a具有比柵電介質(zhì)層17高的氧面密度。在柵電介質(zhì)層17為sio2的情況下,功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a可以包括:氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯或者氧化鎂。可以在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a上形成第一阻障層18a。第一阻障層18a可以保形地形成在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a的表面上。第一阻障層18a可以包括具有被調(diào)整的硅含量的鈦硅氮化物?;蛘?,第一阻障層18a可以包括硅含量被調(diào)整的鉭硅氮化物。第一阻障層18a的硅含量可以為20at%或者更少。因此,第一阻障層18a可以具有高功函數(shù)??梢允褂迷訉映练e(ald)或者化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成第一阻障層18a??梢栽诘谝蛔枵蠈?8a上形成第一電極層19a。第一電極層19a可以填充柵溝槽16。第一電極層19a包括低電阻率的金屬材料。第一電極層19a可以包括鎢??梢酝ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成第一電極層19a。如圖7b所示,執(zhí)行第一凹陷工藝,使得第一阻障18和第一電極19形成在柵溝槽16中??梢酝ㄟ^(guò)干法刻蝕(例如,回蝕工藝)來(lái)執(zhí)行第一凹陷工藝。第一阻障18通過(guò)第一阻障層18a的回蝕工藝來(lái)形成。第一電極19通過(guò)第一電極層19a的回蝕工藝來(lái)形成。在另一個(gè)實(shí)施例中,可在首先執(zhí)行平坦化工藝以暴露出硬掩模15之后執(zhí)行第一凹陷工藝。第一阻障18和第一電極19的上表面可以處于相同的水平處。在第一凹陷工藝期間,17可以通過(guò)功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a來(lái)保護(hù)柵電介質(zhì)層。根據(jù)這個(gè)事實(shí),能夠大體上防止柵電介質(zhì)層17被損傷。柵電介質(zhì)層17接觸隨后將形成的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。通過(guò)上述第一凹陷工藝,第一阻障18和第一電極19的上表面可以被凹陷成比有源區(qū)14的上表面低。如圖7c中所示,執(zhí)行凹陷工藝,使得功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31形成在柵溝槽16中。也就是說(shuō),可以通過(guò)將功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層31a凹陷來(lái)形成功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31的上表面可以在與第一阻障18和第一電極19相同的水平處。功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31可以位于第一阻障18與柵電介質(zhì)層17之間。如圖7d所示,可以在功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31、第一阻障18和第一電極19上形成第二阻障層20a。第二阻障層20a可以被保形地形成。第二阻障層20a可以包括硅含量被調(diào)整的鈦硅氮化物?;蛘撸诙枵蠈?0a可以包括硅含量被調(diào)整的鉭硅氮化物。第二阻障層20a的硅含量可以為30at%或者更多。因此,第二阻障層20a可以具有低功函數(shù)。可以使用原子層沉積(ald)或者化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成第二阻障層20a。可以在第二阻障層20a上形成第二電極層21a。第二電極層21a可以填充柵溝槽16。第二電極層21a包括低電阻率的金屬材料。第二電極層21a可以包括鎢。可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成第二電極層21a。在另一個(gè)實(shí)施例中,第二電極層21a可以包括低功函數(shù)材料。例如,第二電極層21a可以包括n型摻雜多晶硅。如圖7e所示,執(zhí)行第二凹陷工藝,使得第二阻障20和第二電極21形成在柵溝槽16中??梢酝ㄟ^(guò)干法刻蝕(例如,回蝕工藝)來(lái)執(zhí)行第二凹陷工藝。通過(guò)圖7d中所示的第二阻障層20a的回蝕工藝來(lái)形成第二阻障20。通過(guò)圖7d中所示的第二電極層21a的回蝕工藝來(lái)形成第二電極21。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在首先執(zhí)行平坦化工藝以暴露出硬掩模15之后執(zhí)行第二凹陷工藝。第二阻障20和第二電極21的上表面可以處于相同的水平處。第二阻障20和第二電極21的上表面可以被凹陷,并且位于與有源區(qū)14的上表面相同的水平處。通過(guò)第二凹陷工藝,可以形成柵電極bg。柵電極bg可以包括第一掩埋部分22和第二掩埋部分23。第一掩埋部分22可以包括第一阻障18和第一電極19。第二掩埋部分23可以包括第二阻障20和第二電極21。在第二阻障20和第二電極21上形成覆蓋層24。覆蓋層24包括電介質(zhì)材料。覆蓋層24可以包括氮化硅。隨后,可以執(zhí)行覆蓋層24的平坦化,使得暴露出硬掩模15的上表面。在覆蓋層24的平坦化工藝期間或者之后,可以去除在硬掩模15的上表面上的柵電介質(zhì)層17。覆蓋層24可以為氧化物-氮化物-氧化物ono結(jié)構(gòu)。通過(guò)上述系列工藝,形成掩埋柵結(jié)構(gòu)。掩埋柵結(jié)構(gòu)包括:柵電介質(zhì)層17、功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31、柵電極bg和覆蓋層24。柵電極bg包括:第一阻障18、第一電極19、第二阻障20和第二電極21。柵電極bg的上表面位于低于襯底11的上表面。在形成覆蓋層24之后,通過(guò)注入或者另一種摻雜技術(shù)來(lái)執(zhí)行雜質(zhì)的摻雜工藝。因此,在襯底11中形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26可以分別被稱(chēng)為源極區(qū)和漏極區(qū)。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26可以具有與第二掩埋部分23重疊的深度。因此,第二阻障20可以與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。第一阻障18和功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31可以不與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在形成柵溝槽16之前形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。例如,在通過(guò)使用離子注入掩模將雜質(zhì)摻雜至有源區(qū)14中而形成摻雜區(qū)之后,可以形成柵溝槽16。此時(shí),可以通過(guò)柵溝槽16將摻雜區(qū)分成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。圖8a至圖8e圖示了用于形成根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法。除了在形成第二掩埋部分之前可以額外地形成引起低功函數(shù)的第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41之外,用于形成根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法可以與圖7a至圖7e所示的方法相同。首先,通過(guò)根據(jù)圖7a至圖7c的系列工藝來(lái)形成功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31、第一阻障18和第一電極19。在下文中,功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31將被稱(chēng)為第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31和柵電介質(zhì)層17可以形成引起高功函數(shù)的偶極。接著,如圖8a所示,可以在第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31、第一阻障18和第一電極19上形成第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a可以被保形地形成。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a可以由具有較低氧面密度的金屬氧化物形成。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a具有比柵電介質(zhì)層17低的氧面密度。在柵電介質(zhì)層17為sio2的情況下,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a可以包括:氧化釔、氧化鑭、氧化鍺、氧化镥或者氧化鍶。如圖8b所示,為了形成預(yù)第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41b,可以執(zhí)行回蝕工藝。換言之,第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯層41a可以被回蝕。因此,可以形成具有間隔件形狀的預(yù)第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41b。預(yù)第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41b的下表面可以接觸第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31的上表面。如圖8c所示,可以形成第二阻障層20a。第二阻障層20a可以形成為覆蓋預(yù)第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41b、第一阻障18和第一電極19。第二阻障層20a可以被保形地形成。第二阻障層20a可以包括具有被調(diào)整的硅含量的鈦硅氮化物?;蛘?,第二阻障層20a可以包括具有被調(diào)整的硅含量的鉭硅氮化物。第二阻障層20a的硅含量可以為30at%或者更多。因此,第二阻障層20a可以具有低功函數(shù)??梢允褂迷訉映练e(ald)或者化學(xué)氣相沉積(cvd)來(lái)形成第二阻障層20a??梢栽诘诙枵蠈?0a上形成第二電極層21a。第二電極層21a可以填充柵溝槽16。第二電極層21a包括低電阻率的金屬材料。第二電極層21a可以包括鎢。可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)或者原子層沉積(ald)來(lái)形成第二電極層21a。在另一個(gè)實(shí)施例中,第二電極層21a可以包括低功函數(shù)材料。例如,第二電極層21a可以包括n型摻雜多晶硅。如圖8d所示,執(zhí)行第二凹陷工藝,使得第二阻障20和第二電極21形成在柵溝槽16中。可以通過(guò)干法刻蝕(例如,回蝕工藝)來(lái)執(zhí)行第二凹陷工藝。第二阻障20通過(guò)第二阻障層20a的回蝕工藝來(lái)形成。第二電極21通過(guò)第二電極層21a的回蝕工藝來(lái)形成。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在首先執(zhí)行平坦化工藝以暴露出硬掩模15之后執(zhí)行第二凹陷工藝。第二阻障20和第二電極21的上表面可以處于相同的水平處。第二阻障20和第二電極21的上表面可以被凹陷,并且位于比有源區(qū)14的上表面低的水平處。通過(guò)第二凹陷工藝,可以形成柵電極bg。柵電極bg可以包括第一掩埋部分22和第二掩埋部分23。第一掩埋部分22可以包括第一阻障18和第一電極19。第二掩埋部分23可以包括第二阻障20和第二電極21。為了形成第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41,可以回蝕預(yù)第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41b。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41的上表面可以處于與第二阻障20和第二電極21的上表面相同的水平處。如圖8e所示,在第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41、第二阻障20和第二電極21上形成覆蓋層24。覆蓋層24包括電介質(zhì)材料。覆蓋層24可以包括氮化硅。隨后,可以執(zhí)行覆蓋層24的平坦化,使得暴露出硬掩模15的上表面。在覆蓋層24的平坦化工藝期間或者之后,可以去除在硬掩模15的上表面上的柵電介質(zhì)層17。覆蓋層24可以為氧化物-氮化物-氧化物(ono)結(jié)構(gòu)。通過(guò)上述系列工藝,形成掩埋柵結(jié)構(gòu)。掩埋柵結(jié)構(gòu)包括:柵電介質(zhì)層17、第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31、柵電極bg、第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41和覆蓋層24。柵電極bg包括:第一阻障18、第一電極19、第二阻障20和第二電極21。柵電極bg的上表面位于比襯底11的上表面低的水平處。第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31可以位于第一阻障18與柵電介質(zhì)層17之間。第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41可以位于第二阻障20與柵電介質(zhì)層17之間。在形成覆蓋層24之后,通過(guò)注入或者另一種摻雜技術(shù)來(lái)執(zhí)行雜質(zhì)的摻雜工藝。根據(jù)這個(gè)事實(shí),在襯底11中形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26可以分別被稱(chēng)為源極區(qū)和漏極區(qū)。第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26可以具有與第二掩埋部分23重疊的深度。因此,第二阻障20和第二功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯41可以與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。第一阻障18和第一功函數(shù)調(diào)整內(nèi)襯31可以不與第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26重疊。在另一個(gè)實(shí)施例中,可以在形成柵溝槽16之前形成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。例如,在通過(guò)使用離子注入掩模將雜質(zhì)摻雜至有源區(qū)14中而形成摻雜區(qū)之后,可以形成柵溝槽16。此時(shí),可以通過(guò)柵溝槽16將摻雜區(qū)分成第一摻雜區(qū)25和第二摻雜區(qū)26。根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram),但是不限于此。根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件也可以應(yīng)用于存儲(chǔ)器,例如,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、快閃存儲(chǔ)器、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(feram)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)等。圖9圖示了包括根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)單元。參見(jiàn)圖9,示出了存儲(chǔ)單元500。存儲(chǔ)單元500可以包括:晶體管100、位線bl和存儲(chǔ)元件m。晶體管100可以與圖1的半導(dǎo)體器件100相同。因此,晶體管100可以包括:掩埋柵結(jié)構(gòu)100g、第一摻雜區(qū)110和第二摻雜區(qū)111。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以形成在柵溝槽105中。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以包括:柵電介質(zhì)層106、柵電極bg和覆蓋層109。柵電極bg可以包括第一掩埋部分107和第二掩埋部分108。第一掩埋部分107可以包括第一阻障107m和第一電極107e。第二掩埋部分108可以包括第二阻障108m和第二電極108e。第一摻雜區(qū)110可以經(jīng)由第一接觸插塞511與位線bl電耦接。第二摻雜區(qū)111可以經(jīng)由第二接觸插塞512與存儲(chǔ)元件m電耦接。存儲(chǔ)元件m可以包括電容器。掩埋柵結(jié)構(gòu)100g可以被稱(chēng)為掩埋字線結(jié)構(gòu)(bwl)??梢杂酶鶕?jù)第二實(shí)施例、第三實(shí)施例、第四實(shí)施例和第四實(shí)施例的修改的半導(dǎo)體器件來(lái)代替晶體管100。如上所述,存儲(chǔ)單元500的掩埋柵結(jié)構(gòu)100g包括具有高功函數(shù)的第一阻障107m和具有低功函數(shù)的第二阻障108m。因此,可以改善刷新特性。在實(shí)施例中,通過(guò)使用由具有高功函數(shù)的阻障而產(chǎn)生的平帶電壓偏移,能夠容易地調(diào)整閾值電壓。另外,通過(guò)高功函數(shù)的阻障,可以降低溝道劑量,并且可以減少結(jié)泄漏。此外,在實(shí)施例中,由于在柵電極與源極區(qū)/漏極區(qū)之間形成低功函數(shù)材料或者能夠改變成低功函數(shù)的偶極,所以可以減少柵致漏極泄漏(gidl)。盡管出于說(shuō)明性的目的已經(jīng)描述了各種實(shí)施例,但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然的是,在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以進(jìn)行各種改變和修改。當(dāng)前第1頁(yè)12