技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了一種雪崩光電二極管及其制備方法，雪崩光電二極管包括覆蓋層(26)，所述的覆蓋層(26)包括P型中心有源區(qū)(27)和補(bǔ)償摻雜區(qū)(28)，所述的P型中心有源區(qū)(27)是向所述的覆蓋層(26)中心區(qū)域摻入P型雜質(zhì)而形成；所述的補(bǔ)償摻雜區(qū)(28)是向所述的P型中心有源區(qū)(27)的外圍環(huán)形區(qū)域內(nèi)摻入N型雜質(zhì)而形成，所述的補(bǔ)償摻雜區(qū)(28)為摻入一定量的N型雜質(zhì)的P型材料。

技術(shù)研發(fā)人員：劉煒;石東平;楊守良;夏繼宏;梁康有
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶文理學(xué)院
文檔號(hào)碼：201610976991
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.07
技術(shù)公布日：2017.01.04