本發(fā)明涉及一種光電探測技術(shù)，尤其涉及一種層疊穿通式復(fù)合光電探測器。

背景技術(shù)：

在距離較遠、光信號較弱的條件下，要保證對目標(biāo)物的有效跟蹤、定位以及與后方的快速通信，這就要求探測器必須具備靈敏度高、速度快和快速通信的能力，從通訊和弱光探測考慮，通常首選InGaAs 探測器，也即雪崩探測器，其弱光探測能力較強、傳輸速度較快；而考慮遠距離目標(biāo)探測則首選硅探測器，也即多象限探測器，因為多象限探測器可以較為容易地獲得較大的光敏面積；由于前述兩種探測器所適用的光譜段不同，現(xiàn)有技術(shù)在將前述兩種探測器整合應(yīng)用時，一般通過兩套光接收系統(tǒng)將光分別傳輸?shù)絻煞N探測器上，這種整合方式使得整個系統(tǒng)的體積和重量都較大，成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對背景技術(shù)中的問題，本發(fā)明提出了一種層疊穿通式復(fù)合光電探測器，其創(chuàng)新在于：所述層疊穿通式復(fù)合光電探測器由載體板、雪崩探測器芯片、定位板、襯板和多象限探測器芯片組成；

所述載體板的上端面為矩形，載體板上端面的面積遠大于雪崩探測器芯片的周向輪廓，載體板上端面上設(shè)置有金屬層、P電極層和N電極層；所述金屬層的周向輪廓與雪崩探測器芯片的周向輪廓匹配，金屬層位于載體板上端面的中部，雪崩探測器芯片設(shè)置在金屬層的表面，雪崩探測器芯片下端面上的電極層與金屬層連接；所述P電極層的形狀為反L形，反L形的豎向段的上端與金屬層連接，反L形的橫向段位于載體板上端面的下側(cè)邊沿；所述N電極層的形狀為L形，L形的豎向段的上端位于金屬層的右側(cè)，L形的橫向段位于載體板上端面的下側(cè)邊沿，P電極層和N電極層呈倒T形分布，N電極層和金屬層之間留有間隔，N電極層和雪崩探測器芯片上端的電極之間通過外接引線連接，N電極層和P電極層之間留有間隔；

所述定位板的外輪廓與載體板的外輪廓匹配，定位板的下側(cè)設(shè)置有倒T形缺口，定位板設(shè)置在載體板的上端面上，金屬層、P電極層和N電極層均位于缺口內(nèi)；

所述襯板的外輪廓與載體板的外輪廓相同，襯板設(shè)置在定位板的上端面上，襯板與載體板對正設(shè)置；襯板中部設(shè)置有第一通孔，第一通孔的位置與雪崩探測器芯片相對，第一通孔的面積大于雪崩探測器芯片的周向輪廓；

所述多象限探測器芯片設(shè)置在襯板的上端面上；多象限探測器芯片端面中心的象限盲區(qū)設(shè)置有第二通孔，第二通孔的位置與雪崩探測器芯片相對，第二通孔的面積大于雪崩探測器芯片的周向輪廓。

本發(fā)明的原理是：外部光線通過光接收系統(tǒng)傳輸后照射到層疊穿通式復(fù)合光電探測器上，一部分光線就直接照射在多象限探測器芯片的象限上，由多象限探測器芯片進行相應(yīng)處理，另一部分光線穿過第二通孔和第一通孔后直接照射在雪崩探測器芯片的光敏面上，由雪崩探測器芯片進行相應(yīng)處理；多象限探測器芯片和雪崩探測器芯片均為現(xiàn)有技術(shù)中常見的光電器件，其具體工作原理本文不再贅述，本發(fā)明最大的創(chuàng)新點在于將兩種探測器芯片巧妙地層疊在一起，有效降低了成像系統(tǒng)的體積和成本，并且通過在多象限探測器芯片的象限盲區(qū)設(shè)置通孔來使光線可以同時照射在兩種探測器芯片上，兩種芯片的同步性較好，并且利用兩種探測器各自的優(yōu)勢，可以大大提高探測系統(tǒng)在遠距離、弱光環(huán)境下的探測效率。

優(yōu)選地，所述金屬層的表面設(shè)置有十字線標(biāo)記。設(shè)置了十字線標(biāo)記后，可以便于載體板和雪崩探測器芯片的相互定位，提高裝配的方便性。

優(yōu)選地，所述襯板的外輪廓大于多象限探測器芯片的外輪廓，襯板的上端面上設(shè)置有十字線標(biāo)記。設(shè)置了十字線標(biāo)記后，可以便于多象限探測器芯片和襯板的相互定位，提高裝配的方便性。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：提供了一種層疊穿通式復(fù)合光電探測器，相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可以在更小體積、更低成本的條件下將兩種探測器整合在一起。

附圖說明

圖1、載體板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2、定位板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3、載體板和定位板連接關(guān)系示意圖；

圖4、襯板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5、載體板、定位板和襯板連接關(guān)系示意圖；

圖6、層疊穿通式復(fù)合光電探測器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中各個標(biāo)記所對應(yīng)的名稱分別為：載體板1、金屬層1-1、P電極層1-2、N電極層1-3、雪崩探測器芯片2、定位板3、襯板4、多象限探測器芯片5。

具體實施方式

一種層疊穿通式復(fù)合光電探測器，其創(chuàng)新在于：所述層疊穿通式復(fù)合光電探測器由載體板1、雪崩探測器芯片2、定位板3、襯板4和多象限探測器芯片5組成；

所述載體板1的上端面為矩形，載體板1上端面的面積遠大于雪崩探測器芯片2的周向輪廓，載體板1上端面上設(shè)置有金屬層1-1、P電極層1-2和N電極層1-3；所述金屬層1-1的周向輪廓與雪崩探測器芯片2的周向輪廓匹配，金屬層1-1位于載體板1上端面的中部，雪崩探測器芯片2設(shè)置在金屬層1-1的表面，雪崩探測器芯片2下端面上的電極層與金屬層1-1連接；所述P電極層1-2的形狀為反L形，反L形的豎向段的上端與金屬層1-1連接，反L形的橫向段位于載體板1上端面的下側(cè)邊沿；所述N電極層1-3的形狀為L形，L形的豎向段的上端位于金屬層1-1的右側(cè)，L形的橫向段位于載體板1上端面的下側(cè)邊沿，P電極層1-2和N電極層1-3呈倒T形分布，N電極層1-3和金屬層1-1之間留有間隔，N電極層1-3和雪崩探測器芯片2上端的電極之間通過外接引線連接，N電極層1-3和P電極層1-2之間留有間隔；

所述定位板3的外輪廓與載體板1的外輪廓匹配，定位板3的下側(cè)設(shè)置有倒T形缺口，定位板3設(shè)置在載體板1的上端面上，金屬層1-1、P電極層1-2和N電極層1-3均位于缺口內(nèi)；

所述襯板4的外輪廓與載體板1的外輪廓相同，襯板4設(shè)置在定位板3的上端面上，襯板4與載體板1對正設(shè)置；襯板4中部設(shè)置有第一通孔，第一通孔的位置與雪崩探測器芯片2相對，第一通孔的面積大于雪崩探測器芯片2的周向輪廓；

所述多象限探測器芯片5設(shè)置在襯板4的上端面上；多象限探測器芯片5端面中心的象限盲區(qū)設(shè)置有第二通孔，第二通孔的位置與雪崩探測器芯片2相對，第二通孔的面積大于雪崩探測器芯片2的周向輪廓。

進一步地，所述金屬層1-1的表面設(shè)置有十字線標(biāo)記。

進一步地，所述襯板4的外輪廓大于多象限探測器芯片5的外輪廓，襯板4的上端面上設(shè)置有十字線標(biāo)記。