技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種腔體耦合縫隙輻射單元，其特征在于，它包括從下往上依次設(shè)置的含饋電結(jié)構(gòu)的饋電層、用于耦合饋電層與輻射縫隙的含耦合口和耦合腔體的耦合層、以及輻射層，饋電層采用E面波導(dǎo)，通過孔徑與上層耦合層耦合，在耦合層的耦合口上方設(shè)置耦合腔體，并形成一分四功分器；輻射層設(shè)置有由多個輻射縫隙單元組成的輻射縫隙陣列，在耦合腔體中對應(yīng)輻射縫隙單元的位置設(shè)置矩形階梯。本發(fā)明作為E?band平板陣列的結(jié)構(gòu)單元，具有高帶寬，低損耗的特性，性比于同類型產(chǎn)品，性能更加優(yōu)越。

技術(shù)研發(fā)人員：劉沛業(yè);陳志興;章玉濤;林錦祥;胡軼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東盛路通信科技股份有限公司
文檔號碼：201610983379
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.08
技術(shù)公布日：2017.02.22